JPWO2005103727A1 - 加速度センサ - Google Patents

Abstract

加速度センサ１は、片持梁状をなし、その固定端２２１を中心として回動するように弾性変形するカンチレバー２２と、カンチレバー２２の自由端２２２に設けた磁石体２１と、カンチレバー２２の回動領域の外周側に配置された磁気検出ヘッド部２３を有するものである。カンチレバー２２は、互いに逆向きの磁化方向を呈する第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを保持している。第１の磁石体２１ａ及び上記第２の磁石体２１ｂは、それぞれ、一又は複数の単位磁石体からなる。

Description

本発明は、磁気検出素子を利用した加速度センサに関する。

従来、加速度センサとしては、例えば、作用する加速度に応じて変位する磁石体と、該磁石体が発生する磁界の変化を検出する磁気検出素子とを組み合わせたものがある。この加速度センサでは、上記磁気検出素子が検出する磁界強度の変化に基づいて磁石体の変位量、すなわち作用した加速度の大きさを計測する（例えば、特許文献１参照。）。

特開２０００−２５８４４９号公報

しかしながら、上記従来の加速度センサでは、次のような問題がある。すなわち、上記加速度センサでは、地磁気等の周辺磁界が上記磁石体に作用すると、この磁石体が方位磁石の針のごとく振る舞い、加速度とは無関係に変位するおそれがある。特に、この傾向は、微小な磁石体と低弾性のカンチレバーとを組み合わせて小型に構成した加速度センサほど顕著である。

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、磁気検出素子を用いて磁石体の変位を計測する加速度センサにおいて、周辺磁界の影響を抑制して計測精度を向上した加速度センサを提供しようとするものである。

本発明は、片持梁状をなし、基板上に立設された支持部材に固定された固定端を中心として回動するように弾性変形するカンチレバーと、該カンチレバーの自由端に設けた磁石体と、上記カンチレバーの回動領域の外周側に配置された磁気検出ヘッド部とを有する加速度センサにおいて、
上記磁石体は、互いに逆向きの磁化方向を有する第１の磁石体と第２の磁石体とからなり、
上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体は、それぞれ、一又は複数の単位磁石体からなることを特徴とする加速度センサにある。

本発明の加速度センサにおける上記磁石体は、上記のごとく、上記カンチレバーに保持された上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とからなる。そして、上記加速度センサの上記カンチレバーは、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とが逆向きの磁化方向を呈するように両磁石体を保持している。そのため、上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体は、互いに逆向きの磁気モーメントを有している。なお、この磁気モーメントとは、各磁石体の磁極の強さと磁極間距離との積であり、方向性を有するものである。そして、互いに逆向きの磁気モーメントを有する上記第１及び上記第２の磁石体に地磁気等の周辺磁界が作用すると、磁気モーメントに応じてトルクが発生する。このトルクは、例えば、方位磁石の針を回転させる回転力と同様のものであり、上記磁気モーメントの向きに依存した方向性を有する。

上記カンチレバーに保持した上記磁石体にトルクが発生すると、上記カンチレバーに弾性的な変形が生じ、上記磁石体に変位を生じるおそれがある。ここで、上記カンチレバーは、上記磁石体に生じるトルクの向きに応じた所定の方向に弾性変形を生じる。したがって、上記磁石体に作用するトルクの向きが逆向きであれば、磁石体の変位方向も逆になる。

本発明の加速度センサでは、周辺磁界の作用により上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体に逆方向のトルクが発生する。そのため、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体との組み合わせにより、上記カンチレバーに発生する弾性的な変形を効果的に抑制できる。上記第１の磁石体に生じたトルクによるカンチレバーの変形方向と、上記第２の磁石体に生じたトルクによるカンチレバーの変形方向とが逆となり、相互に打ち消し合うように作用するからである。それ故、上記加速度センサでは、周辺磁界の影響により上記磁石体が変位するおそれが少ない。

さらに、上記磁石体は、逆向きの磁化方向を呈する上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とを組み合わせたものである。そのため、上記第１の磁石体の磁力線と上記第２の磁石体の磁力線との結びつきにより、上記磁石体の周囲には閉ループ状の磁界が形成される。それ故、本発明の加速度センサは、周囲への磁束の漏洩が少なく、電磁波ノイズの発生源となるおそれが少ない。

以上のように、本発明の加速度センサにおける上記磁石体は、地磁気等の周辺磁界中に置かれたときでも上記磁石体が変位するおそれが少ない。それ故、この磁石体を利用した加速度センサは、計測精度の優れたものとなる。また、上記加速度センサは、周囲への磁束の漏洩が少なく、電子回路への搭載性に優れたものである。なお、上記加速度センサで計測し得る加速度としては、重力加速度と、運動加速度とがある。

実施例１における、加速度センサを示す斜視図。 実施例１における、磁気検出ヘッド部を示す正面図。 実施例１における、磁気検出ヘッド部の断面構造を示す断面図。 実施例１における、磁気センシング部を説明する斜視図。 実施例１における、電磁コイルを説明する斜視図。 実施例１における、加速度センサ内部のＩＣチップの電気回路を示す等価回路図。 実施例１における、アモルファスワイヤに通電するパルス電流と、電磁コイルに発生する誘起電圧との関係を示すグラフ。 実施例１における、加速度センサ内部のＩＣチップの電気回路を示す回路図。 実施例１における、検知ユニットの磁石体の構成を示す説明図。 参考例における、検知ユニットの磁石体の構成を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その１を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その２を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その３を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その４を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その５を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その６を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その７を示す説明図。 実施例２における、磁石体の構成その８を示す説明図。 実施例３における、加速度センサを示す斜視図。 実施例３における、その他の加速度センサを示す斜視図。 実施例４における、加速度センサを示す斜視図。 実施例５における、加速度センサを示す斜視図。 実施例５における、加速度感知部品を示す斜視図。 実施例５における、支持部材を示す斜視図。 実施例５における、加速度感知部品の製造方法を示す断面説明図。 実施例５における、図２４に続く加速度感知部品の製造方法の断面説明図。 実施例５における、図２５に続く加速度感知部品の製造方法の断面説明図。 実施例５における、図２６に続く加速度感知部品の製造方法の断面説明図。 実施例５における、加速度感知部品を示す断面図。 実施例６における、加速度感知部品を示す斜視図。 実施例６における、加速度感知部品を示す断面図。 実施例７における、加速度感知部品を示す斜視図。 実施例７における、他の加速度感知部品を示す斜視図。 実施例８における、試験方法を示す説明図。 実施例８における、長さＬの異なる３種類の磁石体についての測定結果を示す線図。 実施例８における、高さＨの異なる３種類の磁石体についての測定結果を示す線図。 実施例８における、幅Ｗの異なる３種類の磁石体についての測定結果を示す線図。 実施例８における、磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０が０．９５を確保するための磁石体の長さＬと非磁化領域の長さＧとの関係を示す線図。 実施例９における、加速度センサを示す斜視図。 実施例９における、減算回路を組み込んだ電子回路の説明図。 実施例１０における、差動型ＭＩ素子の平面図。 実施例１０における、差動型ＭＩ素子の部分斜視図。 実施例１０における、カンチレバーと差動型ＭＩ素子との位置関係を示す説明図。 図４０のＢ−Ｂ線矢視断面図。 実施例１０における、差動型ＭＩ素子の周辺磁界と出力電圧との関係を示す線図。 実施例１０における、差動型ＭＩ素子を組み込んだ電子回路図。 実施例１１における、差動型ＭＩ素子の平面図。 実施例１２における、差動型ＭＩ素子の平面図。 図４７のＣ−Ｃ線矢視断面図。 実施例１３における、カンチレバーの平面図。 図４９のＤ−Ｄ線矢視断面図。 実施例１３における、フレーム部の断面説明図。 実施例１３における、フレーム部の他の断面説明図。

本発明における加速度センサの用途としては、様々な用途がある。例えば、自動車や、自立移動ロボットの運動情報を計測するのに用いたり、設置型ロボットのロボットアーム等のマニュピュレータの制御用に用いることができる。さらには、ＰＤＡや携帯電話等の携帯機器に搭載することもできる。特に、電気回路の集積度の高いＰＤＡや携帯電話等の場合には、電磁波ノイズによる悪影響が顕在化するおそれが高いため、本発明の加速度センサが特に有効となる。
また、本発明の上記磁気検出ヘッド部は、ホール素子、磁気インピーダンス素子、磁気抵抗素子、フラックスゲート等の磁気検出用の素子等を用いて構成することができる。さらに、上記磁石体は、フェライト、希土類磁石等により形成することができる。
なお、上記「固定端を中心として回動する」とは、カンチレバーが撓むことにより、カンチレバーの自由端が変位し角度変化することを意味する。

また、上記第１の磁石体の磁気モーメントの大きさと、上記第２の磁石体の磁気モーメントの大きさとは、略等しいことが好ましい。
この場合には、上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体に周辺磁界が作用したとき、相互に逆向きであって略等しい大きさのトルクを発生させることができる。したがって、上記磁石体を保持する上記カンチレバーの弾性変形を抑制でき、上記磁石体の変位をさらに抑制することができる。

また、上記第１の磁石体或いは上記第２の磁石体を構成する上記各単位磁石体は、他の単位磁石体と隣接して隙間なく配置してあることが好ましい。
この場合には、上記各単位磁石体を、他の単位磁石体と接触させた状態で配設することで、互いの磁束の結合がさらに強くなり、その周囲に閉ループ状の磁界を形成できる。それ故、磁束の漏洩範囲を極めて小さくすることができる。
例えば、複数のカンチレバー及び磁気検出ヘッド部を相互に近付けて配設したときの磁気的な相互干渉を抑制できる。それ故、２軸或は３軸の加速度センサを極めて小型のモジュールとしてパッケージングすることができる。

また、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体との間には、非磁化領域が介在していてもよい。
この場合には、上記磁石体から多くの磁束を広い範囲で発生させることができるため、上記磁気検出ヘッド部における磁束の検知が容易となる。これにより、カンチレバーの変位を磁気検出ヘッド部により検出し易くなり、感度の高い加速度センサを得ることができる。
なお、上記非磁化領域は、例えば、磁化されていない樹脂等のいわゆる「非磁性材料」を非磁化部材として配置してもよいし、特に部材を配置することなく「非磁性」である空気によって構成することもできる。また、上記非磁化領域に配置する非磁化部材は、第１の磁石体及び第２の磁石体によって生じる磁界あるいは地磁気等の周辺磁界下において、非磁性材料と同様な挙動を示すものであればよく、例えば、配向・着磁により磁化されていない磁石用材料を用いることもできる。

また、上記非磁化領域の長さＧと、該非磁化領域に隣接する上記単位磁石体の長さＬとは、
Ｇ≧０．３８Ｌ＋０．１６ｍｍ
の関係を有することが好ましい。
この場合には、上記磁石体が、より多くの磁束を効率良くより広い範囲で形成することができる。
ここで、上記長さＧ及び長さＬは、第１の磁石体と第２の磁石体との配列方向に沿った長さである。

上記長さＧがＧ＜０．３８Ｌ＋０．１６ｍｍの場合には、上記非磁化領域を形成することによる効果を充分に得ることが困難となり、カンチレバーの変位の検出容易化が困難となるおそれがある。
また、上記非磁化領域の長さＧは、例えば０．６ｍｍ以下であることが好ましい。上記長さＧが０．６ｍｍを超えると、カンチレバーにおける磁石体の形成領域を確保することが困難となり、カンチレバーの小型化が困難となるおそれがある。

また、上記加速度センサは、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体との互いの位置関係を固定するための固定手段を有することが好ましい。
この場合には、地磁気等の周辺磁界によって上記第１の磁石体と第２の磁石体に互いに反対方向のトルクがかかっても、両者が固定されていることにより、カンチレバーが変形することを防ぐことができる。
カンチレバー自体は、変形しやすさが必要とされており、カンチレバーに対する磁石体の配置方法、カンチレバーの材質、形状、磁石体の材質、形状等によっては、加速度センサの検出精度を確保することが困難となるおそれがある。即ち、カンチレバーに、単に互いに逆向きの磁化方向を有する第１の磁石体と第２の磁石体とを配置するのみでは、両磁石体に反対方向の回転トルクが働くことによって、第１の磁石体と第２の磁石体の間を中心にカンチレバーが変形してしまう場合がある。この場合には、加速度が無い状態でも、地磁気等の周辺磁界によりカンチレバーの変位が生じ、見かけ上加速度が検出され、センサの誤差となる。
そこで、上記構成をとることにより、このセンサの誤差を大幅に低減できる。

また、上記固定手段は、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とを一体化する手段であることが好ましい。
この場合には、第１の磁石体と第２の磁石体とが充分な剛性をもって一体化されていることにより、第１の磁石体と第２の磁石体に互いに反対方向のトルクがかかっても、この互いに反対方向のトルクがカンチレバーにかかることを防ぎ、その変形を防ぐことができる。
なお、上記第１の磁石体と第２の磁石体との間に非磁化部材を介在させる場合には、この非磁化部材をも、上記第１の磁石体及び第２の磁石体と一体化させる。

また、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とは、一体の磁石用材料からなるものであってもよい。
この場合には、互いに反対方向のトルクがカンチレバーにかかることを確実に防ぐことができる。
また、この場合、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とは、例えば、未着磁の状態の上記一体の磁石用材料の一端と他端とを、それぞれ互いに反対の磁化方向となるように着磁することにより得ることができる。また、上記磁石用材料の一端と他端との間の中間部分を着磁しないことにより、非磁化領域を得ることができる。
なお、この非磁化領域は多少の磁化を避けることができない場合もあるが、上記非磁化領域を形成することによる、磁石体の周囲の空間に多くの磁束を広い範囲で発生させる効果（磁気検出ヘッド部における磁束密度向上の効果）に特に影響を与えない程度であれば、上記多少の磁化は無視できるものとする。

また、上記固定手段は、上記カンチレバーのうち少なくとも上記第１の磁石体の固定部から上記第２の磁石体の固定部までの磁石固定領域の剛性を、該磁石固定領域より上記カンチレバーにおける上記固定端側の部分の剛性よりも大きくする手段であってもよい。
この場合には、上記磁石体による反対方向のトルクがカンチレバーにかかっても、これに対する剛性を充分に持たせることにより、カンチレバーの変形を防ぐことができる。

特に、カンチレバーにおいて、少なくとも磁石体が配置されトルクの影響を受ける領域、すなわち、磁石固定領域の剛性を向上させることで、カンチレバーの変形を防ぎつつ、該磁石固定領域より上記カンチレバーにおける上記固定端側の部分は、本来の変形しやすさを持たせるため低い剛性とすることで、加速度に対して大きな変位を得る。これにより、地磁気等の周辺磁界に対して反応しない優れた加速度センサを提供することができる。
さらに、磁石固定領域の剛性を増すために、カンチレバーの厚みを増加させた場合は、上記効果の他に、カンチレバーの自由端における錘の役目を果たす磁石固定領域の質量を増すことができるため、同じ加速度に対してのカンチレバーの自由端の変位量が増加する。それによって、同じ加速度に対する出力を大きくすることができ、加速度センサの感度を高くできる。

また、上記カンチレバーは、平板状を呈し、その両側面が面する方向に上記自由端が変位するように構成してあり、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とは、上記カンチレバーの両側面のうちの一方に、上記カンチレバーにおける上記固定端から上記自由端に向かう軸方向と略直交する方向に隣接して配置してあることが好ましい。
上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とを、上記カンチレバーの軸方向に略直交する方向に沿って隣接して配置した場合には、各磁石体から上記カンチレバーの固定端までの距離が等しくなる。そのため、周辺磁界中に上記各磁石体が置かれたときに、各磁石体に生じるトルクによる影響を効果的に相殺することができる。それ故、上記カンチレバーの自由端が、その両側面が面する方向に弾性変形するおそれを抑制できる。

また、上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体のうちの少なくとも一方は、２個以上の複数の単位磁石体より構成されており、該単位磁石体が、上記各磁石体のうち異なる磁石体を構成する上記単位磁石体と隣り合わせて配置されていることが好ましい。
この場合には、上記各磁石体を構成する上記単位磁石体を互い違いに配置することで、上記各単位磁石体の磁気モーメントに周辺磁場が作用して生じるトルクを分散できる。それ故、このトルクによって上記カンチレバーに生じる変位を一層、抑制することができる。さらに、上記各磁石体を構成する上記単位磁石体を互い違いに配置することで、上記閉ループ状の磁界をさらに小さくすることができる。

また、上記カンチレバーは、平板状を呈し、その両側面が面する方向に上記自由端が変位するように構成してあり、第１の磁石体と上記第２の磁石体とは、上記カンチレバーを挟んで対面するように上記両側面にそれぞれ配置してあることが好ましい。
この場合には、上記カンチレバーを挟んで上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とを対向して配置すれば、上記第１の磁石体によるトルクと、上記第２の磁石体によるトルクとを均衡させることができる。それ故、周辺磁界の影響により上記カンチレバーに生じる変位をさらに抑制することができる。
さらに、上記カンチレバーの両側に質量体としての上記各磁石体を配置すれば、そのバランスが良好となる。そのため、上記磁石体の配設による上記カンチレバーの捩じれを抑制できる。カンチレバーの捩じれを抑制できれば、加速度センサのゼロ点ずれや、感度の変化を抑制できる。

また、上記磁気検出ヘッド部は、作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する感磁体と該感磁体の外周側に巻回した電磁コイルとを含み、上記感磁体に通電する電流の変化に伴い上記電磁コイルの両端に上記磁界の大きさに応じた電位差を発生するマグネト・インピーダンス・センサ素子（以下、適宜「ＭＩ素子」という）よりなることが好ましい。
なお、上記電磁コイルは、上記のごとくＭＩ素子に作用する磁界の特定方向の大きさを検出するための検出コイルである。
ここで、上記感磁体に通電する電流の変化に応じて電磁コイルに誘起電圧を生じる現象は、ＭＩ現象と呼ばれるものである。このＭＩ現象は、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体について生じるものである。この感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じる。そして、その際の感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化が生じる現象が上記のＭＩ現象である。

そして、ＭＩ素子とは、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体を利用したものである。この感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じる。そして、その際の感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化を感磁体に生じる電圧もしくは電流又は、感磁体の外周に配置した電磁コイルの両端に発生する電圧もしくは電流等に変換するよう構成した素子が上記のＭＩ素子である。そして、例えば、このＭＩ素子と電子回路とを組み合わせたものがＭＩセンサと呼ばれるものである。

そして、上記感磁体に通電する電流の変化に応じて上記電磁コイルの両端に電位差を発生するＭＩ素子により上記磁気検出ヘッド部を構成した場合には、高感度な磁気検出が可能となり、精度良く上記磁石体の変位を検出することができる。なお、上記感磁体としては、例えば、線状に形成したものや、薄膜状に形成したものがある。また、上記感磁体の材質としては、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ等がある。

また、上記磁気検出ヘッド部は、上記感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以内に立ち上げたとき、或いは、立ち下げたときに、上記電磁コイルの両端に発生する誘起電圧の大きさを計測することで作用する磁界強度を計測し得るように構成されていることが好ましい。
この場合には、上記のような急激な通電電流の変化により、上記感磁体について、電子スピン変化の伝播速度に近い速度に見合う周回方向の磁場変化を生じさせることができ、それにより十分なＭＩ現象を発現させることができる。
そして、１０ナノ秒以下で通電電流の立ち上げあるいは立ち下げを実施すれば、およそ０．１ＧＨｚの高周波成分を含む電流変化を上記感磁体に作用することができる。そして、上記電磁コイルの両端に発生する誘起電圧を計測すれば、周辺磁界に応じて上記感磁体に生じる内部磁界変化を、上記誘起電圧の大きさとして計測でき、さらに精度良く周辺磁界の強度を計測することができる。ここで、通電電流の立ち上げあるいは立ち下げとは、例えば、上記磁気インピーダンス素子に通電する電流の電流値を、定常電流値の１０（９０）％以上から９０（１０）％以下に変化させることをいう。

また、上記磁気検出ヘッド部は、上記感磁体に通電する電流を立ち下げたときに上記電磁コイルの両端に発生する誘起電圧を計測するように構成されていることが好ましい。
通電電流を立ち上げる場合に比べて、通電電流を急激に立ち下げる場合は、磁界の強さに対して上記磁気検出ヘッド部の出力電圧の直線性が良好になる。

また、上記加速度センサは、上記磁気検出ヘッド部に作用する周辺磁界を検出する周辺磁界検出部を有し、該周辺磁界検出部は、作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する感磁体と該感磁体の外周側に巻回した電磁コイルとを含み、上記感磁体に通電する電流の変化に伴い上記電磁コイルの両端に上記磁界の大きさに応じた電位差を発生するＭＩ素子よりなることが好ましい。
この場合には、上記周辺磁界検出部によって、上記磁気検出ヘッド部に作用する上記周辺磁界の影響を検出することができる。これにより、上記磁気検出ヘッド部における出力から、周辺磁界の影響分を補正して、より精確な加速度を計測することができる。

また、上記加速度センサは、上記磁気検出ヘッド部の出力電圧から上記周辺磁界検出部の出力電圧を減算する減算回路を有することが好ましい。
この場合には、上記磁気検出ヘッド部における出力から、周辺磁界の影響分の出力を、上記減算回路上で差引くことができるため、容易かつ正確に加速度を検出することができる。

また、上記加速度センサは、上記感磁体を互いに平行に配置した上記磁気検出ヘッド部及び上記周辺磁界検出部とを有し、上記磁気検出ヘッド部における上記電磁コイルの一端は、上記周辺磁界検出部における上記電磁コイルの一端と接続されており、上記磁気検出ヘッド部における上記電磁コイルと上記周辺磁界検出部における上記電磁コイルとは、上記磁気検出ヘッド部と上記周辺磁界検出部とのそれぞれに同じ磁界が作用したときに上記磁気検出ヘッド部と上記周辺磁界検出部とに逆向きの出力電圧が生じるような向きに巻回されていることが好ましい。
この場合には、より簡易な構成にて、周辺磁界の影響を補正することができ、精確な加速度を検出することができる。

また、上記構成によれば、周辺磁界が大きい場合にも、充分に補正することが可能である。即ち、ＭＩ素子を用いて周辺磁界を検出する場合、直接検出できる周辺磁界の大きさの範囲が限られる。特に、検出感度を高めると検出可能な周辺磁界の大きさの範囲が狭くなる。その結果、ＭＩ素子からなる周辺磁界検出部において出力信号を出した上で、磁気検出ヘッド部の出力から、周辺磁界検出部の出力を減算して補正する場合には、補正可能な周辺磁界の大きさが限られてしまう。

これに対し、上記の構成によれば、周辺磁界が上記磁気検出ヘッド部と上記周辺磁界検出部との双方に作用したとき逆向きの出力電圧が生じるように配線されている。そのため、両出力が打ち消しあって、周辺磁界に対応する出力電圧を充分に抑制した状態で、磁石体による磁界に対応する電圧のみを出力することとなる。それ故、周辺磁界の大きさに関わらず、精確な加速度を検出することができる。
かかる作用効果は、カンチレバーの磁石体の微小変位に基づく磁界の微小変化を、感度の高いＭＩ素子によって検出する構成において、極めて重要な意味を有する。

また、上記磁気検出ヘッド部の上記感磁体と上記周辺磁界検出部の上記感磁体とは一直線上に配置することができる。
この場合には、磁気検出ヘッド部と周辺磁界検出部との間の回路を簡易な構成にすることができる。

また、上記磁気検出ヘッド部の上記感磁体と上記周辺磁界検出部の上記感磁体とは並列配置することもできる。
この場合には、カンチレバーと磁気検出ヘッド部と周辺磁界検出部とをコンパクトに配置することができる。

また、上記磁気検出ヘッド部の上記感磁体と上記周辺磁界検出部の上記感磁体とは一体化されていることが好ましい。
この場合には、加速度センサの小型化、組立部品点数の削減を図ることができる。また、磁気検出ヘッド部と周辺磁界検出部とにおける感磁体の特性のバラツキを防ぎ、検出精度の高い加速度センサを得ることができる。

また、上記加速度センサは、上記カンチレバーと、上記磁石体と、上記磁気検出ヘッド部とを含む検知ユニットを２基有し、該各検知ユニットは、互いに直交する２軸方向に沿って作用する加速度をそれぞれ検出するように構成してあることが好ましい。
この場合には、上記２基の検知ユニットの組み合わせにより、上記２軸で規定される平面の任意の方向の加速度を検出することができる。

また、上記加速度センサは、上記カンチレバーと、上記磁石体と、上記磁気検出ヘッド部とを含む検知ユニットを３基有し、該各検知ユニットは、互いに直交する３軸方向に沿って作用する加速度をそれぞれ検出するように構成してあることが好ましい。
この場合には、上記３基の検知ユニットの組み合わせにより、上記３軸で規定される空間内の任意の方向の加速度を検出することができる。

ここで、２基又は３基の検知ユニットを有する加速度センサでは、各検知ユニットを近付けて配置できる。それ故、各検知ユニットの配設位置等の違いによる、例えば、作用する周辺磁界のばらつき等に起因した計測誤差を抑制して、加速度を計測する精度を高めることができる。

また、上記加速度センサは、上記磁気検出ヘッド部を制御するための電気回路を有することが好ましい。
この場合には、磁気検出ヘッド部を制御する上記電気回路を含む上記加速度センサをコンパクトに構成することができる。

また、上記加速度センサは、上記磁気検出ヘッド部の出力信号を補正するための周辺磁界検出ユニットを有することが好ましい。
上記磁気検出ヘッド部に作用する磁界には、上記磁石体が発生する磁界のみならず、地磁気等の周辺磁界による成分が含まれる。そのため、上記周辺磁界検出ユニットを利用して、地磁気等の周辺磁界の強度を別途、検出すれば、これにより上記磁気検出ヘッド部の出信号を補正できる。

また、上記加速度センサは、上記周辺磁界検出ユニットを制御するための電気回路を有することが好ましい。
この場合には、周辺磁界検出ユニットを制御する電気回路を含む上記加速度センサをコンパクトに構成することができる。さらに、モジュール化することで、消費電力を抑制することができる。

また、上記磁気検出ヘッド部を制御するための電気回路と、該磁気検出ヘッド部の出力信号を補正するための上記周辺磁界検出ユニットを制御するための電気回路とは、共用のものであることが好ましい。
この場合には、上記磁気検出ヘッド部と、該磁気検出ヘッド部に対応して配設された上記周辺磁界検出ユニットとの間で、上記電気回路を共用することで、上記加速度センサをさらに小型化することができる。

なお、上記電気回路を共用する方法としては、例えば、上記磁気検出ヘッド部と上記周辺磁界検出ユニットとの間で、時分割により上記電気回路を共用する方法がある。この場合には、上記磁気検出ヘッド部及び上記周辺磁界検出ユニットに作用した磁界強度をそれぞれ検出したうえ、その後、両者の差分を求めることで加速度センサによる検出精度を向上できる。

さらに、例えば、同じ周辺磁界が作用したときに正負逆、絶対値が略一致した信号を出力するように、上記磁気検出ヘッド部及び上記周辺磁界検出ユニットを構成しておき、両者を電気的に直列に接続して上記電気回路に入力する方法もある。この場合には、上記磁気検出ヘッド部の出力信号と上記周辺磁界検出ユニットの出力信号との差分、すなわち、上記磁気検出ヘッド部による出力信号から周辺磁界による信号成分を排除した信号を、上記電気回路に直接的に入力できる。

また、上記加速度センサは、一体的にモジュール化されたものであることが好ましい。
この場合には、上記加速度センサをモジュール化することで、その剛性を向上でき、上記加速度の計測精度を高めることができる。特に、複数の上記検知ユニットを含む加速度センサをモジュール化した場合には、検知ユニット相互間の関係を剛体に近づけることができる。それ故、この加速度センサによる計測精度を向上することができる。特に、上記電気回路を含めて、一体的にモジュール化した場合には、そのモジュール化したチップ全体の消費電力を抑制することができる。

また、上記支持部材は、上記固定端を接合した基体部と、上記カンチレバーとの間に間隙を設けつつ上記基体部から上記カンチレバーの自由端側へ延設された延設部とを有することが好ましい。
この場合には、上記カンチレバーを固定した上記支持部材を、上記基板に取付ける際における、カンチレバーと支持部材との結合体の取り扱いを容易にすることができる。即ち、カンチレバーを基板に取付ける際には、予め、カンチレバーと支持部材とを接合した結合体を形成しておくことが好ましい。そして、この結合体を取り扱う際には、カンチレバー以外の部分、即ち、支持部材を把持することが好ましい。そこで、支持部材の形状を上記の形状とすることにより、支持部材を把持しやすくし、上記結合体の取扱いを容易にすることができる。

また、上記カンチレバーは、導電体からなり、上記支持部材は、上記延設部における上記カンチレバーとの対抗面に導電層を設けてなり、該導電層は、上記カンチレバーと電気的に導通していることが好ましい。
この場合には、上記支持部材の延設部における上記カンチレバーとの対抗面が帯電することを防ぎ、静電気力によるカンチレバーの変位を防止することができる。これにより、静電気による誤差を防止し、より精度の高い加速度センサを得ることができる。

例えば、上記支持部材が絶縁体からなり、上記導電層を設けていない場合、カンチレバーと支持部材の延設部とには、互いの対抗面に静電気が生じ、互いに引き合う方向の静電気力が生ずるおそれがある。そこで、上記支持部材の延設部における上記対抗面に、カンチレバーと導通する導電層を形成することにより、カンチレバーと支持部材の上記対抗面とを等電位として、静電気力の発生を防止することができる。
なお、上記導電層は、上記基板に形成した電気回路のグランド（接地）に接続することが好ましい。
また、上記導電層は、上記対抗面の全面に形成されていることが好ましいが、一部に形成されていてもよい。

また、上記カンチレバーは、Ｎｉ−Ｐ合金からなることが好ましい。
この場合には、上記カンチレバーを、ばね特性として、弾性率が低く、弾性変形が可能な領域が広いものとし、かつ破壊強度が高いものとすることができる。これにより、同一加速度に対する変位量が増加し、加速度センサの感度が向上する。また、加速度の検出精度が高く、耐久性に優れたカンチレバーを得ることができる。

また、上記支持部材はセラミックスからなり、該支持部材と上記カンチレバーの固定端との間には、複数の金属層からなる多層金属層が介在していることが好ましい。
この場合には、上記複数の金属層として適切な種類の金属を選定することにより、上記支持部材と上記カンチレバーとの密着性を向上させることができる。

また、上記多層金属層は、上記支持部材に隣接する第１金属層と、上記カンチレバーに隣接する第２金属層とを有し、上記第１金属層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌの少なくとも一種以上からなり、上記第２金属層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇの少なくとも一種以上からなることが好ましい。
この場合には、上記第１金属層が支持部材との接合性を確保し、上記第２金属層がカンチレバーとの接合性を確保することにより、上記支持部材と上記カンチレバーとの密着性を、より向上させることができる。

また、上記磁石体は、樹脂磁石、或いは上記カンチレバーとの接合面に樹脂層を形成してなるものからなり、上記カンチレバーは、上記磁石体との接合面に、安定した不動態化皮膜を形成する金属層を配置してなることが好ましい。
この場合には、上記不動態化皮膜と樹脂との親和性が高いため、上記カンチレバーと上記磁石体との密着性を向上させることができる。
即ち、上記不動態化皮膜は、その表面において、酸素基、水酸化基等の結合手が出ており、樹脂との親和性が高い。そして、安定した不動態化皮膜においては、均一に酸素基、水酸基等の結合手が出ており、より樹脂との親和性が高くなる。このように、Ｎｉ−Ｐ合金と樹脂との化学的結合力を増すことにより、カンチレバーと磁石体との接合力を向上することができる。
なお、上記磁石体が例えば焼結磁石等である場合には、上記カンチレバーとの接合面に樹脂層を形成してある。

また、上記金属層は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉのいずれかからなることが好ましい。
この場合には、特に安定した不動態化皮膜を形成することができる。

また、上記カンチレバーは、上記固定端と上記自由端との間に開口部を有すると共に、該開口部を挟む状態で上記固定端と上記自由端とを連結する一対のフレーム部を有し、該フレーム部は、上記カンチレバーの長手方向に直交する平面による断面形状において、最も厚い部分の厚みＨ１と最も薄い部分の厚みＨ２との差をｈとし、幅をＷｆとしたとき、２０μｍ≦Ｗｆ≦１５０μｍ、ｈ／Ｈ２≦０．１５を満たすことが好ましい。
この場合には、柔軟性に優れると共に強度の高いカンチレバーを得ることができる。即ち、加速度に対するカンチレバーの変位を大きくすることができると共に、耐久性に優れたカンチレバーを得ることができる。
なお、ｈ／Ｈ２＞０．１５の場合には、カンチレバーが撓む際に、フレーム部に応力がかかりやすく、カンチレバーが折損しやすくなるおそれがある。

また、上記カンチレバーは、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなることが好ましい。
この場合には、超弾性が得られかつ形状記憶性を確保したカンチレバーを得ることができる。そのため、繰り返し使用した場合にも、カンチレバーの自由端の位置がずれることを防ぎ、正確な計測を維持することができる。
なお、上記カンチレバーは、Ｎｉ−Ｔｉ合金をスパッタリングすることにより形成することができる。

また、上記カンチレバーは、０．１〜６μｍの厚みを有することが好ましい。
この場合には、柔軟性に優れると共に強度の高いカンチレバーを得ることができる。
上記厚みが０．１μｍ未満の場合には、カンチレバーの強度を確保することが困難となるおそれがある。一方、上記厚みが６μｍを超える場合には、カンチレバーの柔軟性が低下し、カンチレバーが撓み難くなり、加速度の検出精度が低下するおそれがある。

また、上記磁石体は、ＳｍＦｅＮ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔ、又はＮｄＦｅＢからなることが好ましい。
この場合には、磁石体の磁気性能を確保することができ、精度の高い加速度センサを得ることができる。
特に、ＦｅＰｔ又はＮｄＦｅＢによって磁石体を構成する場合には、磁石体の磁気性能を向上させ、より検出精度を向上させることができる。また、その結果、磁石体を小さくすることが可能となるため、部品の小型化を図ることができる。なお、ＦｅＰｔ又はＮｄＦｅＢからなる磁石体は、例えば、スパッタリングによって形成することができる。

（実施例１）
本例は、感磁体２４を利用した加速度センサ１に関する例である。この内容について、図１から図１１を用いて説明する。
本例の加速度センサ１は、図１に示すごとく、片持梁状をなし、その固定端２２１を中心として回動するように弾性変形するカンチレバー２２と、該カンチレバー２２の自由端２２２に設けた磁石体２１と、カンチレバー２２の回動領域の外周側に配置された磁気検出ヘッド部２３とを有するものである。
上記磁石体２１は、１又は２以上の単位磁石体よりなる第１の磁石体２１ａと、この第１の磁石体２１ａと逆向きの磁化方向Ｍを有する１又は２以上の複数の単位磁石体よりなる第２の磁石体２１ｂとからなる。
以下に、この内容について、詳しく説明する。

本例の加速度センサ１は、図１に示すごとく、カンチレバー２２及び磁気検出ヘッド部２３を組み合わせた２基の検知ユニット２ａ、２ｂと、該検知ユニット２ａ、２ｂを制御する電気回路を収容するＩＣチップ１２とを共通のＩＣ基板１０上に配置し、モジュール化したものである。

この加速度センサ１では、作用した加速度に応じてカンチレバー２２に作用する慣性力の大きさを、自由端２２２に配設した磁石体２１の変位量に変換する。そして、磁気検出ヘッド部２３を用いて、磁石体２１の変位量を検出することで、作用した加速度の大きさを計測している。なお、本例では、ＩＣ基板１０の表面に沿って作用する任意の方向の加速度を検出できるように、検知ユニット２ｂ、２ａにおける磁石体２１の変位方向を、それぞれ、ＩＣ基板１０の直交２辺に沿って規定したＸ軸１０ａ方向、Ｙ軸１０ｂ方向に設定してある。

まず、磁気検出ヘッド部２３について、その作り方を紹介しながら構成を説明する
上記磁気検出ヘッド部２３は、感磁体２４として長さ１ｍｍ、線径２０ミクロンのアモルファスワイヤ（以下、適宜アモルファスワイヤ２４と記載。）を利用したものである。磁気検出ヘッド部２３は、図２及び図３に示すごとく、アルモルファスワイヤ２４に外挿したチューブ状の絶縁樹脂２６の外周側に、内径２００ミクロン以下の電磁コイル２５を巻回したものである。

すなわち、本例の磁気検出ヘッド部２３は、周辺磁界の強度に応じてインピーダンスが大きく変化するという、感磁体としてのアモルファスワイヤ２４が発揮するＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）現象を利用したものである。そして、本例では、アモルファスワイヤ２４にパルス状の電流（以下、適宜パルス電流と記載する。）を通電したときに電磁コイル２５に生じる誘起電圧を計測することで、周辺磁界の強度を検出している。

ここで、上記のＭＩ現象とは、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体について生じるものである。感磁体に通電する通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化する。そして、ＭＩ現象とは、周回方向の磁界変化の作用によって、周辺磁界に応じた電子スピン方向変化と、それに伴う内部磁化及びインピーダンス等の変化が生じるという現象である。

そして、このＭＩ現象を利用したＭＩ素子（本例では、磁気検出ヘッド部２３）は、感磁体としてのアモルファスワイヤ２４の通電電流を急激に変化させたときの電子スピン方向の変化に伴う感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化を、アモルファスワイヤ２４の外周に配置した電磁コイル２５の両端に発生する電圧（誘起電圧）に変換するように構成されている。そして、本例の各磁気検出ヘッド部２３は、感磁体としてのアモルファスワイヤ２４の長手方向に磁気検出感度を有している。

本例では、加速度が作用せず磁石体２１の変位が生じないときに磁気検出ヘッド部２３が検出する磁界強度が小さくなるよう、図１に示すごとく、磁石体２１が生じる磁化方向に略直交してアモルファスワイヤ２４を配設してある。なお、これに代えて、磁石体２１が発生する磁化方向に沿うようにアモルファスワイヤ２４を配置しても良い。さらには、磁化方向に対したアモルファスワイヤ２４を斜めの方向としても良い。ただし、この場合には、磁石体２１に変位を生じていないときに磁気検出ヘッド部２３が検出する磁界強度が必ずしも最小値とはならないので、適宜、信号処理する必要がある。

この磁気検出ヘッド部２３は、図４及び図５に示すごとく、深さ５〜２００ミクロンの断面略矩形状を呈する溝状の凹部２７０を設けた素子基板２７上に形成してある。この凹部２７０の内周面のうちの相互に対面する各溝側面２７０ａには、溝方向に略直交する導電パターン２５ａを略均一ピッチで複数、配設してある。また、凹部２７０の溝底面２７０ｂには、対面する溝側面２７０ａにおける同一ピッチの導電パターン２５ａを電気的に接続する導電パターン２５ｂを溝方向と略直交して設けてある。

各溝側面２７０ａ及び溝底面２７０ｂに導電パターン２５ａ、２５ｂを配設した凹部２７０の内部には、エポキシよりなる絶縁樹脂２６（図３参照。）中に、アモルファスワイヤ２４を埋設してある。そして、凹部２７０に充填した絶縁樹脂２６の外表面には、相互に対面する溝側面２７０ａの１ピッチずれた導電パターン２５ａを電気的に接続する導電パターン２５ｃを、溝方向に対して斜めに設けてある。そして、導電パターン２５ａ、２５ｂ、２５ｃが全体として、ら旋状に巻回された電磁コイル２５を形成している。

なお、本例では、凹部２７０の内周面２７０ａ、２７０ｂの全面に、導電性の金属薄膜（図示略。）を蒸着したのち、エッチング処理を実施して導電パターン２５ａ及び２５ｂを形成した。また、導電パターン２５ｃは、絶縁樹脂２６の表面全面に、導電性の金属薄膜（図示略。）を蒸着したのち、エッチング処理を実施して所望のパターンを形成したものである。

本例の電磁コイル２５の捲線内径は、凹部２７０の断面積と同一断面積を呈する円の直径である円相当内径である６６ミクロンとしてある。そして、電磁コイル２５の単位長さ当たりの捲線間隔は、５０ミクロン／巻としてある。なお、本例では、上記検知ユニット２ａ、２ｂの磁気検出ヘッド部２３としては、全く同一仕様のものを用い、アモルファスワイヤ２４の長手方向を、それぞれ、Ｘ軸１０ａ方向、Ｙ軸１０ｂ方向に設定してある。

次に、ＩＣチップ１２は、各磁気検出ヘッド部２３を制御する電気回路を形成したものである。このＩＣチップ１２は、図６に示すごとく、アモルファスワイヤ２４に入力するパルス電流を生成する信号発生器１２１と、電磁コイル２５の誘起電圧ｅ（図７参照。）に応じた計測信号を出力する信号処理部１２２とを含む電気回路を有してなる。信号発生器１２１は、通電時間４０ｎｓｅｃ、パルス間隔５マイクロｓｅｃのパルス電流を生成するように構成してある。さらに、本例の信号発生器１２１は、パルス電流の立ち下がりに同期したトリガー信号を、信号処理部１２２のアナログスイッチ１２２ａに向けて出力するように構成してある。

信号処理部１２２は、図６に示すごとく、上記トリガー信号に同期して、電磁コイル２５と信号処理部１２２との間の電気的な接続をオンオフするアナログスイッチ１２２ａ及び該アナログスイッチ１２２ａを介して電磁コイル２５と接続したコンデンサ１２２ｃを含み、いわゆるピークホールド回路として機能する同期検波回路と、増幅器１２２ｂとを組み合わせて構成したものである。

ここで、本例の磁気検出ヘッド部２３を用いた磁気検出方法について、簡単に説明しておく。この磁気検出方法は、図７に示すごとく、アモルファスワイヤ２４に通電したパルス電流の立ち下がり時に、電磁コイル２５に発生する誘起電圧ｅを計測するものである。なお、本例では、パルス電流が、定常値（電流値１５０ｍＡ。）の９０％から１０％に立ち下がる遮断時間を４ナノ秒とした。

すなわち、図７に示すごとく、磁界中に置かれたアモルファスワイヤ２４に通電したパルス電流が遮断された瞬間には、磁界のうちアモルファスワイヤ２４の長手方向成分に比例した大きさの誘起電圧ｅが電磁コイル２５の両端に発生する。本例のＩＣチップ１２では、電磁コイル２５の誘起電圧ｅが、上記トリガー信号によりＯＮとされたアナログスイッチ１２２ａを介してコンデンサ１２２ｃに蓄積され、さらに、増幅器１２２ｂで増幅されて出力端子１２５から出力される。
本例の各磁気検出ヘッド部２３は、以上のように、アモルファスワイヤ２４の長手方向に作用する磁界の強度に応じた出力信号を、ＩＣチップ１２を介して外部に出力する。

なお、本例のＩＣチップ１２は、図８に示すごとく、信号発生器１２１と各磁気検出ヘッド部２３のアモルファスワイヤ２４との間の電気経路及び、信号処理部１２２と各電磁コイル２５との間の電気経路を切り替える電子スイッチ１２８を設けてある。これにより、本例では、検知ユニット２ａ、２ｂの２基の磁気検出ヘッド部２３について、ＩＣチップ１２を時分割で共用している。電子スイッチ１２８の切り換えは、ＩＣチップ１２内部で生成した内部信号によって実施しても良く、外部から取り込む外部信号によって実施しても良い。

次に、カンチレバー２２は、図１に示すごとく、ＩＣ基板１０の表面の法線方向に突出する支持ポスト２８により、軸方向の一方の端部である固定端２２１を支持された片持梁構造を呈する弾性体である。そして、その自由端２２２、すなわち支持ポスト２８の反対側の端部には磁石体２１を配設してある。本例のカンチレバー２２は、材質ＮｉＰよりなり、幅０．３ｍｍ、長さ１．５ｍｍ、厚さ５ミクロンの略矩形板状を呈するものである。さらに、本例では、厚さ方向の力に対する剛性を適度に低下させて磁石体２１の変位量を拡大できるよう、支持ポスト２８側の付け根部分から自由端２２２の手前０．３８ｍｍに至る位置にかけて、幅０．２２ｍｍの長孔２２０を設けてある。なお、長孔２２０を形成してないカンチレバー２２を利用することもできる。

ここで、本例では、カンチレバー２２の固有振動数を、およそ５０〜６０Ｈｚに設定してある。５０〜６０Ｈｚの範囲にカンチレバー２２の固有振動数を設定すれば、例えば、自動車等において発生する０〜４０Ｈｚの加速度を精度良く検出することができる。一方、この固有振動数を５０Ｈｚ未満に設定すると、４０Ｈｚ付近の加速度を精度良く検出できなくなるおそれがある。

磁石体２１は、カンチレバー２２の自由端２２２近傍の側面に配設してある。本例では、この側面に、磁性体塗料を塗布し、その後、乾燥及び硬化後に着磁することにより上記磁石体２１を形成した。ここで、本例では、図９ａに示すごとく、Ｎ極が外方を向く第１の磁石体２１ａと、Ｓ極が外方を向く第２の磁石体２１ｂとを、カンチレバー２２における固定端２２１から自由端２２２に向かう軸方向に沿って隣接して配置してある。

そのため、本例の磁石体２１では、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとで磁化方向Ｍが逆向きに作用する。それ故、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとでは、磁気モーメントが逆向きとなっている。そして、周辺磁界が作用したとき第１の磁石体２１ａ及び第２の磁石体２１ｂには逆向きのトルクが発生するため、磁石体２１全体としてトルクを相殺することができる。したがって、この磁石体２１を利用して構成した検知ユニット２ａ、２ｂでは、地磁気等の周辺磁界の影響により磁石体２１が変位するおそれが少なく、精度良く加速度を計測することができる。

さらに、上記磁石体２１では、図９ａに示すごとく、第１の磁石体２１ａが発生する磁束と、第２の磁石体２１ｂが発生する磁束とが結びつくため、磁石体２１の周囲には閉ループ状の磁場が形成される。一方、図９ｂに示すごとく、単一の磁石体を配置した場合には、その周辺に開ループ状の磁場が形成されて周囲に磁界が漏洩し、電磁波ノイズ等の原因となるおそれがある。すなわち、本例の検知ユニット２ａ、２ｂ（図１）は、周囲への磁界の漏洩を抑制した磁石体２１を備えており、周辺回路に対して電磁波ノイズの原因となるおそれが少ない。なお、本例では、上記各磁石体２１ａ、２１ｂの大きさは、長さ（カンチレバー２２の軸方向の寸法）Ｌを０．５ｍｍ、幅を０．３ｍｍ、高さ（カンチレバー２２の軸方向の寸法）Ｈを１００μｍとした。

以上のように、本例の加速度センサ１では、カンチレバー２２の軸方向（固定端２２１から自由端２２２に向かう方向。）に隣接して、逆向きの磁化方向Ｍを呈するように第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを配置してある。そのため、本例の加速度センサ１の磁石体２１では、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとに互いに逆回りのトルクを生じさせ、カンチレバー２２全体として周辺磁界による弾性変形を効果的に抑制できる。

したがって、本発明の加速度センサ１は、地磁気等の周辺磁界の作用により磁石体２１が変位するおそれが少なく、精度良く加速度を計測し得るものとなる。
さらに、磁石体２１では、第１の磁石体２１ａが発生する磁束と第２の磁石体２１ｂが発生する磁束との結びつきにより、その周囲に閉ループ状の磁場が形成される。それ故、本発明の加速度センサ１は、周囲への磁束の漏洩が少なく、電磁波ノイズの発生源となるおそれが少ないものである。

さらになお、上記第１の磁石体２１ａ及び上記第２の磁石体２１ｂのうちのいずれか、あるいは、双方を分割した２個以上の単位磁石体により構成することもできる。図１１では、第２の磁石体２１ｂを分割し、２個の第２の単位磁石体２１０ｂとしてある。そして、この２個の第２の単位磁石体２１０ｂにより、第１の磁石体２１ａを挟持するように隣接して配置することもできる。この場合には、磁石体２１に作用するトルクを細かく分散でき、カンチレバー２２の弾性変形をさらに抑制することができる。

（実施例２）
本例は、実施例１の加速度センサを基にして、磁石体２１の構成を変更した例である。この内容について、図１０〜図１７を用いて説明する。
図１０は、平板状のカンチレバー２２の一方の側面において、その軸方向（固定端２２１から自由端２２２に向かう方向。）と直交する方向に沿って第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを隣接して配置した例である。ここでは、各磁石体２１ａ、２１ｂの磁化方向Ｍが、カンチレバー２２を貫くように配置してある。第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを、カンチレバー２２の軸方向に略直交する方向に沿って隣接して配置する場合には、各磁石体２１ａ、２１ｂからカンチレバー２２の固定端２２１までの距離を等しくできる。そのため、周辺磁界中に置かれたときに、各磁石体２１ａ、２１ｂに生じるトルクによる影響を効果的に相殺することができる。それ故、カンチレバー２２の自由端２２２が、その両側面が面する方向に弾性変形するおそれを抑制できる。

また、図１１に示すごとく、第１の磁石体２１ａを２個の第１の単位磁石体２１０ａに分割し、２個の第１の磁石体２１０ａと第２の磁石体２１ｂとを交互に隣接して配置することもできる。この場合には、磁石体２１ａを構成する単位磁石体２１０ａを互い違いに配置することで、各単位磁石体２１０ａに生じるトルクを分散できる。それ故、このトルクによってカンチレバー２２に生じる変位を一層、抑制することができる。さらに、磁石体２１ａを構成する単位磁石体２１０ａを互い違いに配置することで、閉ループ状に形成される磁界をさらに小さくできる。

図１２は、平板状のカンチレバー２２の一方の側面において、その軸方向（固定端２２１から自由端２２２に向かう方向。）と直交する方向に沿って第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを隣接して配置した例である。ここでは、各磁石体２１ａ、２１ｂの磁化方向Ｍをカンチレバー２２の上記軸方向と略平行にしてある。なお、この場合には、磁気検出ヘッド部２３におけるアモルファスワイヤ２４の向きを上記軸方向と直交して配置するのが良い。また、図１３に示すごとく、第１の磁石体２１ａを２個の第１の単位磁石体２１０ａに分割し、２個の第１の磁石体２１０ａと第２の磁石体２１ｂとを交互に隣接して配置することもできる。

図１４は、平板状のカンチレバー２２の一方の側面において、その軸方向（固定端２２１から自由端２２２に向かう方向。）に沿って第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを隣接して配置した例である。ここでは、各磁石体２１ａ、２１ｂの磁化方向Ｍをカンチレバー２２の上記軸方向と略平行にしてある。また、図１５に示すごとく、第１の磁石体２１ａを２個の第１の単位磁石体２１０ａに分割し、２個の第１の磁石体２１０ａと第２の磁石体２１ｂとを交互に隣接して配置することもできる。

図１６は、平板状のカンチレバー２２の両側面に、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを対面して配置した例である。ここでは、各磁石体２１ａ、２１ｂの磁化方向Ｍをカンチレバー２２の上記軸方向と略平行にしてある。カンチレバー２２の両側面に磁石体２１ａ、２１ｂを配置すれば、その重量バランスが良好となり、カンチレバーの捩じれを抑制できる。それ故、カンチレバー２２の捩じれによるゼロ点ずれや、感度変化が生じるおそれを抑制できる。

図１７は、平板状のカンチレバー２２の両側面に、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを対面して配置した例である。ここでは、各磁石体２１ａ、２１ｂの磁化方向Ｍをカンチレバー２２を貫く方向としてある。
なお、その他の構成及び作用効果については、実施例１と同様である。

（実施例３）
本例は、実施例１の加速度センサを基にして、補正用の周辺磁界検出ユニット４３、４４を追加した例である。この内容について、図１８を用いて説明する。
本例の加速度センサ１は、ＩＣ基板１０の直交２辺に沿って規定したＸ軸１０ａ、Ｙ軸１０ｂに沿って作用する加速度を、それぞれ検出する２基の検知ユニット２ｂ、２ａのほかに、Ｘ軸１０ａに沿う磁気感度方向を有する周辺磁界検出ユニット４３と、Ｙ軸１０ｂに沿う磁気感度方向を有する周辺磁界検出ユニット４４とを備えている。

検知ユニット２ａ、２ｂを構成する磁気検出ヘッド部２３と、周辺磁界検出ユニット４３、４４とは、電磁コイル２５、４５の巻回方向が相違しているほかは、同一の仕様のものである。そのため、加速度センサ１に作用する加速度がゼロであるとき、周辺磁界検出ユニット４３、４４は、対応する磁気検出ヘッド部２３と正負逆で大きさが略一致した誘起電圧を発生する。

本例の加速度センサ１では、検知ユニット２ａの磁気検出ヘッド部２３の電磁コイル２５と、周辺磁界検出ユニット４３の電磁コイル４５とを、導電パターン１０１を介して直列に接続してある。また、検知ユニット２ｂの磁気検出ヘッド部２３の電磁コイル２５と、周辺磁界検出ユニット４４の電磁コイル４５とを、同様に直列に接続してある。そのため、加速度センサ１では、検知ユニット２ａ（２ｂ）の磁気検出ヘッド部２３が出力する誘起電圧から周辺磁界検出ユニット４３（４４）が出力する誘起電圧を減算した出力信号がＩＣチップ１２に入力される。

周辺磁界検出ユニット４３、４４の電磁コイル４５には、周辺磁界の磁界強度に応じた大きさの誘起電圧が発生する。また、磁気検出ヘッド部２３の電磁コイル２５には、磁石体２１による磁界強度と、周辺磁界の磁界強度との総和に応じた大きさの誘起電圧が発生する。ここで、周辺磁界検出ユニット４３、４４と磁気検出ヘッド部２３とでは、上述したように、周辺磁界に対して正負逆の誘起電圧を発生する。それ故、磁気検出ヘッド部２３の電磁コイル２５と周辺磁界検出ユニット４３、４４の電磁コイル４５とを直列接続した本例の加速度センサ１では、周辺磁界の磁界強度による成分を相殺することができる。

なお、その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
さらに、図１９に示すごとく、検知ユニット２ａ、２ｂにおける磁石体２１の磁化方向Ｍが同方向となるように構成すれば、各磁気検出ヘッド部２３におけるアモルファスワイヤ２４の軸方向を略一致させることができる。この場合には、共通の周辺磁界検出ユニット４３を用いて、各検知ユニット２ａ、２ｂの出力信号を補正することができる。

（実施例４）
本例は、実施例３の加速度センサを基にして、Ｚ軸方向の加速度を検出する検知ユニット２ｃを追加した例である。この内容について、図２０を用いて説明する。
本例の加速度センサ１は、ＩＣ基板１０の直交２辺に沿って規定したＸ軸１０ａ、Ｙ軸１０ｂに沿う加速度を、それぞれ検出するための検知ユニット２ｂ、２ａと、Ｘ軸１０ａに沿う磁界強度を検出する周辺磁界検出ユニット４３と、Ｙ軸に沿う磁界強度を検出する周辺磁界検出ユニット４４とに加えて、ＩＣ基板１０の法線方向であるＺ軸１０ｃに沿う加速度を検出する検知ユニット２ｃを有する。

検知ユニット２ｃは、ＩＣ基板１０の表面に対して、両側面が略平行となるように配設した平板状のカンチレバー２２と、該カンチレバー２２の一方の側面に配設した磁石体２１と、該磁石体２１の磁気を検出する磁気検出ヘッド部２３とを有する。磁石体２１は、カンチレバー２２の軸方向に沿って隣接して配置され、カンチレバー２２を貫通する互いに逆方向の磁化方向Ｍを呈する第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとよりなる。そして、磁気検出ヘッド部２３は、検知ユニット２ｂのものと全く同一の仕様のものである。

なお、本例の加速度センサ１におけるＩＣチップ１２では、各磁気検出ヘッド部２３及び周辺磁界検出ユニット４３、４４全てを、時分割で制御するように構成してある。すなわち、本例のＩＣチップ１２では、実施例１のＩＣチップにおける電子スイッチ（図９ａ中、符号１２８）を５チャンネル化してある。
なお、その他の構成及び作用効果については実施例３と同様である。

（実施例５）
本例は、図２１〜図２８に示すごとく、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとの間に、非磁化領域２００を介在させた例である。
即ち、図２２に示すごとく、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを離隔した状態で、カンチレバー２２に固定している。そして、上記非磁化領域２００には、磁化されていない樹脂からなる非磁化部材２０１を配設してある。

そして、図２１に示すごとく、上記カンチレバー２２の固定端２２１は、支持部材２８０を介してＩＣ基板１０に固定されている。図２２に示すごとく、上記支持部材２８０は、上記固定端２２１を接合した基体部２８１と、上記カンチレバー２２との間に間隙２８９を設けつつ基体部２８１からカンチレバー２２の自由端２２２側へ延設された延設部２８２とを有する。

また、磁石体２１の大きさや配置の寸法は、例えば以下のようにすることができる。
即ち、上記非磁化領域２００の長さＧは、例えば０．６ｍｍ以下、磁石体２１の長さＬは、０．２〜０．６ｍｍ、幅Ｗは０．２〜０．８ｍｍ、高さＨは０．０５〜０．２ｍｍとすることができる。ここで、長さとは、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとの配列方向に沿った長さであって、カンチレバー２２の固定端２２１から自由端２２２へ向かう方向に沿った長さである。また、上記幅Ｗは、上記長さＬの方向に直交すると共にカンチレバー２２の表面に平行となる方向についての幅である。また、上記高さＨは、カンチレバー２２の表面に直交する方向の高さである。

上記加速度センサ１は、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとの互いの位置関係を固定するための固定手段を有する。該固定手段は、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを一体化する手段であり、本例においては、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂと上記非磁化部材２０１とを互いに固定して一体化している。

なお、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂと非磁化部材２０１とは、一体の磁石用材料からなるものとすることもできる。この場合、上記第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとは、未着磁の状態の一体の磁石用材料の一端と他端とを、それぞれ互いに反対の磁化方向となるように着磁することにより得ることができる。また、上記磁石用材料の一端と他端との間の中間部分を着磁しないことにより、非磁化領域２００（非磁化部材２０１）を得ることができる。

また、上記カンチレバー２２は、Ｎｉ−Ｐ合金からなり、上記支持部材２８０はセラミックスからなる。
図２８に示すごとく、支持部材２８０とカンチレバー２２の固定端２２１との間には、複数の金属層からなる多層金属層３１が介在している。
多層金属層３１は、上記支持部材２８０に隣接する第１金属層３１１と、上記カンチレバー２２に隣接する第２金属層３１２とからなる。第１金属層３１１は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌの少なくとも一種以上からなり、上記第２金属層３１２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇの少なくとも一種以上からなる。

また、上記支持部材２８０は、上記延設部２８２におけるカンチレバー２２との対抗面に導電層３２を設けてなり、該導電層３２は、上記カンチレバー２２と電気的に導通している。
なお、上記導電層３２は、ＩＣ基板１０に形成した電気回路のグランド（接地）に接続することが好ましい。また、導電層３２は、上記対抗面の全面に形成されていることが好ましいが、一部に形成されていてもよい。

また、上記磁石体２１は、樹脂磁石、或いは上記カンチレバーとの接合面に樹脂層を形成してなるものからなる。そして、上記カンチレバー２２は、磁石体２１との接合面に、安定した不動態化皮膜を形成する金属層（不動態化皮膜形成用金属層３３）を配置してなる。
この不動態化皮膜形成用金属層３３は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉのいずれかからなる。
なお、上記磁石体２１が例えば焼結磁石等である場合には、カンチレバー２２との接合面に樹脂層を形成してある。一方、磁石体２１が樹脂磁石である場合には、カンチレバー２２に形成した不動態化膜形成用金属層３３に直接、磁石体２１を形成する。

次に、本例の加速度センサ１における、磁石体２１とカンチレバー２２と支持部材２８０との結合体である加速度感知部品２０の製造方法の一例を、図２３〜図２８を用いて説明する。
まず、図２３に示すごとく、セラミックス製のＬ字状の支持部材２８０を作製する。支持部材２８０の寸法は、幅ｗが０．６ｍｍ、長さａ１が２．０ｍｍであり、基体部２８１の高さｈ１が０．４ｍｍ、延設部２８２の高さｈ２が０．３ｍｍであり、基体部２８１の長さａ２が０．４ｍｍである。

次いで、図２４に示すごとく、支持部材２８０のＬ字の段部２８８の面上、即ち、支持部材２８０の延設部２８２における、カンチレバー２２と対向することとなる面と、これに連続する基体部２８１の側面に、Ｃｒをスパッタリングし、厚み０．１μｍの導電層３２を形成する。

さらに、図２５に示すごとく、Ｌ字の段部２８８に、導電層３２の上から、後に除去することとなる犠牲層３４を載せ、全体で直方体とする。
その後、犠牲層３４と支持部材２８０の基体部２８１により形成される面上に、スパッタリング工程により、厚み０．０７μｍのＴｉ層をスパッタリングし、更に真空下で、厚み０．３μｍのＣｕ層をスパッタリングすることにより、第１金属層３１１と第２金属層３１２とからなる多層金属層３１を形成する。
更にその上に、図２６に示すごとく、Ｎｉ−Ｐのカンチレバー２２をパターンメッキにより作製する。その寸法は、厚さ３μｍ、幅０．５ｍｍ、長さ１．９ｍｍである。

次いで、図２７に示すごとく、磁石体２１を配置すべき領域に、Ｃｒをスパッタリングすることにより、不動態化皮膜形成用金属層３３を配置する。
上記のスパッタリング工程は、これに代えて、他のＰＶＤ、ＣＶＤ等の公知の成膜手段を用いてもよい。
その後、不動態化皮膜形成用金属層３３上に、ＳｍＦｅＮ（７５重量％）とエポキシ樹脂（２５重量％）とからなるインク磁石原料２１９を、所定の位置に印刷する。また、非磁化部材２０１としての感光性樹脂を所定の位置に塗布する。使用する樹脂は、エポキシ系樹脂その他の公知の樹脂を使用することができる。

次いで、上記インク磁石原料２１９をカンチレバー２２に対して得たい方向の磁場で配向し、ある程度、エポキシ樹脂を硬化させたのち、目的の磁化方向に着磁を行う。これにより、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを得る。なお、上記の配向は、上記インク磁石原料２１９が異方性材料の場合に必要となる工程であり、等方性材料を用いる場合には不要な工程である。

その後、図２８に示すごとく、犠牲層３４と、その上のＴｉ層及びＣｕ層とをエッチングにより除去する。カンチレバー材をＮｉ−Ｐ単層とするためである。
さらに、加速度感知部品２０を１００℃以上で加熱することにより、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂを熱処理する。
そして、得られた加速度感知部品２０を、図２１に示すごとく、ＩＣ基板１０上の所定の位置に固定する。

なお、上記磁石体２１の製造形態は、公知のいずれの形態でもよく、上記のごとく、例えば、インク磁石を用いることが好ましい。
製造方法としては、例えば、印刷方式、ディスペンサー方式、貼り付け、ディップ方式、気相蒸着法（ＰＶＤ、ＣＶＤ）等を用いることができる。

また、焼結磁石、ボンド磁石等を用いることもできる。磁石原料としては、フェライト系、アルニコ磁石等の金属磁石、ＳｍＣｏ系、ＳｍＦｅＮ系、ＮｄＦｅＢ系等の公知の磁石を使用することができる。
ボンド磁石の場合は、樹脂として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ナイロン系樹脂等を使用することができる。
磁石用材料の配向状態も、等方性、異方性のどちらでも使用できる。

また、磁石体として異方性磁石を使用した場合、等方性磁石にくらべて、より高い信号磁界を形成することができる。
製造方法としては、例えば、印刷した磁石粉末と樹脂との混合体に、配向磁場を印加し、その後着磁することにより行う。

また、磁石体の保磁力としては、例えば、加速度感知部品２０をＩＣ基板１０に組み込む時のはんだ付け温度が１８０〜３００℃であるので、０．６４ＭＡ／ｍ以上が必要となる。
ただし、使用される磁石体は、上記の内容に限られない。
なお、本例の加速度センサ１における上記加速度検知部品２０以外の構成については、実施例１と同様である。

次に、本例の作用効果につき説明する。
図２２に示すごとく、上記第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとの間には、非磁化領域２０１が介在しているため、磁石体２１から多くの磁束を広い範囲で発生させることができる。それ故、上記磁気検出ヘッド部２３における磁束の検知が容易となる。これにより、カンチレバー２２の変位を磁気検出ヘッド部２３により検出し易くなり、感度の高い加速度センサ１を得ることができる。

また、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとの互いの位置関係が固定されている。そのため、地磁気等の周辺磁界によって第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂに互いに反対方向のトルクがかかっても、両者が固定されていることにより、カンチレバー２２が変形することを防ぐことができる。

カンチレバー２２自体は、変形しやすさが必要とされており、カンチレバー２２に対する磁石体２１の配置方法、カンチレバー２２の材質、形状、磁石材質、形状等によっては、加速度センサ１の検出精度を確保することが困難となるおそれがある。即ち、カンチレバー２２に、単に互いに逆向きの磁化方向を有する第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを配置するのみでは、両磁石体２１に反対方向の回転トルクが働くことによって、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂの間を中心にカンチレバー２２が変形してしまう場合がある。この場合には、加速度が無い状態でも、地磁気等の周辺磁界によりカンチレバー２２の変位が生じ、見かけ上加速度が検出され、センサの誤差となる。
そこで、上記構成をとることにより、このセンサの誤差を大幅に低減できる。

また、その固定手段は、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂと非磁化部材２０１とを一体化する手段であるため、これらの結合体が剛体に近似した状態となることにより、上記の互いに反対方向のトルクがカンチレバー２２にかかること自体を防ぎ、その変形を防ぐことができる。

また、上記支持部材２８０は、上記基体部２８１と延設部２８２とを有するため、上記カンチレバー２２を固定した支持部材２８０（加速度感知部品２０）を、ＩＣ基板１０に取付ける際における、加速度感知部品２０の取り扱いを容易にすることができる。即ち、加速度感知部品２０を取り扱う際には、カンチレバー２２の変形を防止するため、それ以外の部分、即ち、支持部材２８０を把持することが好ましい。そこで、支持部材２８０の形状を上記の形状とすることにより、支持部材２８０を把持しやすくし、加速度感知部品２０の取扱いを容易にすることができる。
なお、上記支持部材２８０の長さａ１をカンチレバー２２の長さよりも若干（例えば０．１ｍｍ程度）長くすることにより、支持部材２８０の長手方向の両端部を把持したとき、カンチレバー２２に触れないようにすることが容易となる。

また、上記カンチレバー２２は、Ｎｉ−Ｐ合金からなるため、ばね特性として、弾性率が低く、弾性変形が可能な領域が広いものとし、かつ破壊強度が高いものとすることができる。これにより、加速度の検出精度が高く、耐久性に優れたカンチレバー２２を得ることができる。
なお、カンチレバー２２の材料としては、これと同等以上の特性を有するものであれば、他の材料を用いることもできる。

また、図２８に示すごとく、支持部材２８０とカンチレバー２２の固定端２２１との間に、多層金属層３１が介在しているため、支持部材２８０とカンチレバー２２との密着性を向上させることができる。
即ち、多層金属層３１をＴｉ、Ｃｒ、Ａｌの少なくとも一種以上からなる第１金属層３１１と、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇの少なくとも一種以上からなる第２金属層３１２とによって構成している。そのため、第１金属層３１１が支持部材２８０との接合性を確保し、第２金属層３１２がカンチレバー２２との接合性を確保することにより、支持部材２８０とカンチレバー２２との密着性を、より向上させることができる。

また、支持部材２８０は上記導電層３２を設けてなるため、支持部材２８０の延設部２８２におけるカンチレバー２２との対抗面が帯電することを防ぎ、静電気力によるカンチレバー２２の変位を防止することができる。これにより、より精度の高い加速度センサ１を得ることができる。

また、上記カンチレバー２２は、磁石体２１との接合面に、上記不動態化皮膜用金属層３３を配置してなる。これにより、不動態化皮膜と樹脂との親和性が高いため、上記カンチレバー２２と上記磁石体２１との密着性を向上させることができる。
即ち、上記不動態化皮膜は、その表面において、酸素基、水酸化基等の結合手が出ており、樹脂との親和性が高い。そして、安定した不動態化皮膜においては、均一に酸素基、水酸基等の結合手が出ており、より樹脂との親和性が高くなる。このように、Ｎｉ−Ｐ合金と樹脂との化学的結合力を増すことにより、カンチレバー２２と磁石体２１との接合力を向上することができる。
また、上記不動態化皮膜形成用金属層３３は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉのいずれかからなるため、特に安定した不動態化皮膜を形成することができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

（実施例６）
本例は、図２９、図３０に示すごとく、カンチレバー２２のうち第１の磁石体２１ａ及び第２の磁石体２１ｂを固定した磁石固定領域（自由端２２２）の剛性を、該磁石固定領域よりカンチレバー２２における固定端２２１側の部分の剛性よりも大きくした例である。
即ち、カンチレバー２２における上記磁石固定領域に、補強層２２３を重ねて形成してある。そして、補強層２２３に不動態皮膜形成用金属層３３を介して磁石体２１が配設されている。
また、カンチレバー２２の固定端２２１にも補強層２２４が形成されている。
これらの補強層２２３、２２４は、例えば、３〜１００μｍの厚みを有する。

また、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとの間の非磁化領域２００には、特に物質を介在させていない。即ち、非磁化領域２００は空気によって構成されている。これは、上記補強層２２３によりカンチレバー２２に剛性を付与していることから、第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂとを特に一体化する必要がないためである。

本例の加速度センサ１における加速度感知部品２０の製造方法としては、基本的には、実施例５に示した方法と同様の方法を採用できる。
ただし、本例の場合は、カンチレバー２２をパターンメッキした後、カンチレバー２２における磁石固定領域（自由端２２２）及び固定端２２１の所定部分に、さらに、Ｎｉ−Ｐ層を２０μｍの厚みにパターンメッキする。これにより、上記補強層２２３、２２４を形成する。
また、上述のごとく、実施例５において示した「非磁化部材」（図２２の符合２０１参照）の配設は行わない。
その他は、実施例５と同様である。

本例の場合には、カンチレバー２２における磁石固定領域の剛性を高めることにより、地磁気等の周辺磁場によって反対方向のトルクがカンチレバー２２にかかっても、これに対する剛性を充分に有することにより、カンチレバー２２の変形を防ぐことができる。
また、カンチレバー２２の中間部分については、補強層２２３、２２４を形成しないため、加速度によるカンチレバー２２の弾性変形を充分に許容することができる。
その他、実施例５と同様の作用効果を有する。

（実施例７）
本例は、図３１、図３２に示すごとく、カンチレバー２２に開口部２２５を形成した例である。
上記開口部２２５は、固定端２２１と磁石体２１との間に形成されている。
図３１は、実施例５の加速度感知部品２０のカンチレバー２２に開口部２２５を設けたものを示し、図３２は、実施例６の加速度感知部品２０のカンチレバー２２に開口部２２５を設けたものを示す。
図３２に示す加速度感知部品２０においては、カンチレバー２２における補強部２２３、２２４が形成されていない領域に、開口部２２５を設けている。
その他は、実施例５又は６と同様である。

本例の場合には、カンチレバー２２の弾性率を部分的に小さくすることができるため、一定の加速度に対するカンチレバー２２の弾性変形量を大きくすることができる。それ故、より感度の高い加速度センサ１を得ることができる。
その他、実施例５又は６と同様の作用効果を有する。

（実施例８）
本例は、図３３〜図３７に示すごとく、第１の磁石体２１ａ及び第２の磁石体２１ｂの大きさや配置の寸法と、磁気検出ヘッド部２３に生ずる磁束密度の大きさとの関係につき調べた例である。
まず、長さＬ、高さＨ、幅Ｗを変化させた種々の磁石体２１を用意した。そして、カンチレバー２２に対して、同じ大きさ及び形状の磁石体２１（第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂ）を固定した。そのときの２つの磁石体２１のギャップ、即ち非磁化領域２２０の長さＧを、０〜１．０ｍｍの間で変動させた。
これらの長さＬ、高さＨ、幅Ｗ、及び長さＧの規定方法は、実施例５に示した規定方法（図２２参照）に準ずる。また、磁石体２１の配置等も、その寸法関係以外は実施例５に準ずる。

図３３に示すごとく、第２の磁石体２１ｂと磁気検出ヘッド部２３との距離が０．１ｍｍとなるように、加速度感知部品２０を配置する。
そして、磁気検出ヘッド部２３が第２の磁石体２１ｂの高さ方向の中心から、図３３におけるＺ方向に１０μｍ変位したときにおける、磁気検出ヘッド部２３が検知するＸ軸方向の磁束密度を測定した。この磁束密度をＢｘとする。
また、第２磁石体２１ｂを一個だけ配置した場合に、上記と同様の方法で検知される磁束密度をＢ０とする。
そして、この二つの磁束密度の比Ｂｘ／Ｂ０を特性値として、２つの磁石体２１の配置等による磁束密度の変化を評価した。

なお、磁石体２１の種類についても、実施例５における「加速度感知部品２０の製造方法の一例」において紹介した樹脂磁石を用いており、ＳｍＦｅＮ（７５重量％）からなる磁粉とエポキシ樹脂（残部）とからなるものを用いた。そして、その磁石体２１の最大エネルギー積ＢＨmaxは９．６ｋＪ／ｍ^３である。また、磁気検出ヘッド部２３の測定範囲を３Ｇ以下とした。

まず、図３４に示すごとく、磁石体２１の長さＬをそれぞれ０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．６ｍｍとした場合の、非磁化領域２００の長さＧと磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０との関係を調べた。このとき、磁石体２１の高さＨは０．０８ｍｍ、幅Ｗは０．５ｍｍとした。
また、図３５に示すごとく、磁石体２１の高さＨをそれぞれ０．０８ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．２２ｍｍとした場合の、非磁化領域２００の長さＧと磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０との関係を調べた。このとき、磁石体２１の長さＬは０．４ｍｍ、幅Ｗは０．５ｍｍとした。
また、図３６に示すごとく、磁石体２１の幅Ｗをそれぞれ０．２ｍｍ、０．５ｍｍ、０．７ｍｍとした場合の、非磁化領域２００の長さＧと磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０との関係を調べた。このとき、磁石体２１の長さＬは０．４ｍｍ、高さＨは０．０８ｍｍとした。

図３４〜図３６から分かるように、非磁化領域２００の長さＧを大きくすることにより、磁束密度Ｂｘは大きくなり、長さＧを０．６ｍｍ以上とすることにより、磁束密度ＢｘはＢ０と略一致して飽和する。
また、図３５、図３６に示すごとく、磁石体２１の高さＨ或いは幅Ｗは、非磁化領域２００の長さＧと磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０との関係にほとんど影響を与えない。ところが、図３４に示すごとく、磁石体２１の長さＬについては、非磁化領域２００の長さＧと磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０との関係に影響を与えており、長さＬが長いほど、非磁化領域２００の長さＧを広げることによる磁束密度Ｂｘ向上の効果が高まる。

そこで、図３７に示すごとく、磁束密度比Ｂｘ／Ｂ０が０．９５を確保するための、磁石体２１の長さＬと非磁化領域２００の長さＧとの関係を、上記の試験結果から抽出してみた。図３７から分かるように、長さＬが小さい場合には、長さＧが小さくてもよく、長さＬが大きい場合には、長さＧを大きくする必要がある。そして、この関係は、略線形の関係にあり、Ｇ＝０．３８Ｌ＋０．１６ｍｍの関係を有する。そして、図３７において、この直線よりも上側となる条件の場合、Ｂｘ／Ｂ０が０．９５を超える。

従って、上記非磁化領域２００の長さＧと、該非磁化領域２００に隣接する単位磁石体（第１の磁石体２１ａと第２の磁石体２１ｂ）の長さＬとは、Ｇ≧０．３８Ｌ＋０．１６ｍｍの関係を有することが好ましいことが分かる。
ただし、カンチレバー２２における磁石体２１の形成領域の確保や、カンチレバー２２の小型化等の観点から、非磁化領域２００の長さＧはなるべく小さい方がよい。
それ故、上記非磁化領域の長さＧは、上記不等式を満たしつつなるべく小さい値を選択することが好ましい。例えば長さＧは０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
なお、本例の試験結果は、少なくとも上記実施例５において示した磁石体の大きさや配置の寸法（Ｌ、Ｈ、Ｗ、Ｇ）（図２２参照）の範囲においては成立すると考えられ、少なくともこの範囲において、Ｇ≧０．３８Ｌ＋０．１６ｍｍを満たすことが適切であるといえる。

（実施例９）
本例は、図３８、図３９に示すごとく、磁気検出ヘッド部２３に作用する周辺磁界を検出する周辺磁界検出部２３０を配設すると共に、磁気検出ヘッド部２３の出力電圧から周辺磁界検出部２３０の出力電圧を減算する減算回路５１を有する加速度センサ１の例である。
周辺磁界検出部２３０は、磁気検出ヘッド部２３と同様に、感磁体２４０と該感磁体２４０の外周側に巻回した電磁コイル２５０とを含むＭＩ素子よりなる。ＭＩ素子については、実施例１において説明したとおりである。
また、上記磁気検出ヘッド部２３の感磁体２４と周辺磁界検出部２３０の感磁体２４０とは互いに平行に配置されている。

上記減算回路５１は、例えば図３９に示すような電子回路５に組み込まれる。即ち、該電子回路５は、信号発生器５２と磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０と信号処理部５３と上記減算回路５１とからなる。
信号発生器５２から発生させたパルス信号は、磁気検出ヘッド部２３及び周辺磁界検出部２３０の感磁体２４、２４０にそれぞれ入力される。上記信号処理部５３は、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０からの出力電圧を、パルス信号の入力に連動して開閉する同期検波５３１を介して取出し、増幅器５３２にて増幅する。
上記信号処理部５３は、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とにそれぞれ対応して２個設けてあり、それぞれの信号処理部５３において処理した出力信号を、上記減算回路５１へ入力する。そして、減算回路５１において、磁気検出ヘッド部２３の出力から周辺磁界検出部２３０の出力を減算処理して、最終的な計測信号として出力する。
その他は、実施例５と同様である。

本例の場合には、上記周辺磁界検出部２３０によって、磁気検出ヘッド部２３に作用する周辺磁界の影響を検出することができる。これにより、磁気検出ヘッド部２３における出力から、周辺磁界の影響分を補正して、より精確な加速度を計測することができる。
そして、上述のごとく、磁気検出ヘッド部２３における出力から、周辺磁界の影響分の出力を、上記減算回路５１上で差引くため、容易かつ正確に加速度を検出することができる。
その他、実施例５と同様の作用効果を有する。

（実施例１０）
本例は、図４０〜図４４に示すごとく、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とを一体化して、差動型ＭＩ素子２９とした例である。
図４０、図４１に示すごとく、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とは、１本の感磁体２４を共有している。この一本の感磁体２４の外周に、電磁コイル２５、２５０を巻回し、電磁コイル２５を巻回した部分が磁気検出ヘッド部２３となり、電磁コイル２５０を巻回した部分が周辺磁界検出部２３０となる。そして、上記磁気検出ヘッド部２３における電磁コイル２５の一端は、上記周辺磁界検出部２３０における電磁コイル２５０の一端と接続されている。

また、磁気検出ヘッド部２３における電磁コイル２５と周辺磁界検出部２３０における電磁コイル２５０とは、逆向きに巻回してある。換言すると、電磁コイル２５の一端と電磁コイル２５０の一端との接続部分が巻回方向転換部２５２であり、この巻回方向転換部２５２を境にコイルの巻回方向が逆転している。この巻回の仕方は、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とのそれぞれに同じ磁界が作用したときに磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とに逆向きの出力電圧が生じるような巻回の仕方となっている。

電磁コイル２５、２５０の形成方法等は、実施例１と同様である。また、電磁コイル２５、２５０の線幅及び線間幅は共に２５μｍである。なお、図４１においては、便宜上線間幅を広く描いてある。
図４２に示すごとく、差動型ＭＩ素子２９は、磁気検出ヘッド部２３側がカンチレバー２２の磁石体２１側を向くように配置される。

また、上記差動型ＭＩ素子２９は、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とを対称性を持たせた状態で形成しており、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とに同じ磁界が作用したときには、連続形成された電磁コイル２５、２５０の両端における電極２５１、２５３には、電位差が生じないように構成されている。

これは、図４４の破線Ｂ１、Ｂ２に示すごとく、周辺磁界が磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とのそれぞれに同様に作用した場合には、同じ大きさであると共に互いに反対符号の出力電圧が生じる。これらの出力電圧（Ｂ１、Ｂ２）は、それぞれ、電極２５１と巻回方向転換部２５２との間、巻回方向転換部２５２と電極２５３との間において生じる電圧である。
ところが、磁気検出ヘッド部２３の電磁コイル２５の一端と周辺磁界検出部２３０の電磁コイル２５０の一端とが接続されているため、上記二つの出力電圧は打ち消し合い、結局、図４４の実線Ｂ０に示すごとく、出力電圧は生じないこととなる。
上述した図７において、実線の曲線と破線の曲線とは、それぞれ一様な磁界が作用したときの磁気検出ヘッド部２３及び周辺磁界検出部２３０の電磁コイル２５、２５０に生ずる出力電圧を表す。

そして、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とに作用する磁界の感磁体２４の軸方向成分に差が生じたとき、電磁コイル２５、２５０の両端の電極２５１、２５３に電位差を生じる。即ち、周辺磁界以外の磁界として、カンチレバー２２の磁石体２１による磁界が、磁気検出ヘッド部２３に作用したとき、差動型ＭＩ素子２９における電磁コイル２５、２５０の両端に電位差を生じる。

上記差動型ＭＩ素子２９は、図４５に示すような電子回路５０に組み込まれる。即ち、該電子回路５０は、差動型ＭＩ素子２９と信号発生器５２と信号処理部５３とからなる。
信号発生器５２から発生させたパルス信号は、差動型ＭＩ素子２９の感磁体２４に入力される。上記信号処理部５３は、差動型ＭＩ素子２９の電磁コイル２５、２５０からの出力電圧を、パルス信号の入力に連動して開閉する同期検波５３１を介して取出し、増幅器５３２にて増幅する。

なお、場合によっては、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０との対称性をあえて崩して、磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とに一様な磁界が作用したときに、電極２５１と電極２５３との間に所定の電圧が生じるように構成することもできる。
その他は、実施例５と同様である。

本例の場合には、より簡易な構成にて、周辺磁界の影響を補正することができ、精確な加速度を検出することができる。
また、上記構成によれば、周辺磁界が大きい場合にも、充分に補正することが可能である。即ち、ＭＩ素子を用いて周辺磁界を検出する場合、直接検出できる周辺磁界の大きさの範囲が限られる。特に、検出感度を高めると検出可能な周辺磁界の大きさの範囲が狭くなる。その結果、ＭＩ素子からなる周辺磁界検出部において出力信号を出した上で、磁気検出ヘッド部の出力から、周辺磁界検出部において出力を減算して補正する場合には、補正可能な周辺磁界の大きさが限られてしまう。

これに対し、本例の構成によれば、周辺磁界に対応する出力電圧を充分に抑制した状態で、磁石体２１による磁界に対応する電圧を出力することとなる。それ故、周辺磁界の大きさに関わらず、精確な加速度を検出することができる。
かかる作用効果は、カンチレバー２２の磁石体２１の微小変位に基づく磁界の微小変化を、精度の高いＭＩ素子によって検出する構成において、極めて重要な意味を有する。
また、磁気検出ヘッド部２３の感磁体２４と周辺磁界検出部２３０の感磁体２４とが一体化されているため、加速度センサ１の小型化、組立部品点数の削減を図ることができる。また、検出精度の高い加速度センサ１を得ることができる。
その他、実施例５と同様の作用効果を有する。

（実施例１１）
本例は、図４６に示すごとく、磁気検出ヘッド部２３の感磁体２４と周辺磁界検出部２３０の感磁体２４０とを別体とし、一直線上に配置した例である。
感磁体２４と感磁体２４０とは、電気的に直列に接続されている。
その他は、実施例１０と同様である。
本例の場合にも、実施例１０と同様の作用効果を得ることができる。

（実施例１２）
本例は、図４７、図４８に示すごとく、磁気検出ヘッド部２３の感磁体２４と周辺磁界検出部２３０の感磁体２４０とを並列配置した例である。
感磁体２４と感磁体２４０とは互いに平行に配置している。また、感磁体２４と感磁体２４０とは、電気的に直列に接続されている。その他は、実施例１０と同様である。
本例の場合にも、実施例１０と同様の作用効果を得ることができる。また、実施例１１に比べて、カンチレバー２２と磁気検出ヘッド部２３と周辺磁界検出部２３０とをコンパクトに配置することができる。

（実施例１３）
本例は、図４９〜図５２に示すごとく、Ｎｉ−Ｐからなると共に開口部２２５を有するカンチレバー２２の断面寸法を規定した例である。
即ち、本例のカンチレバー２２は、固定端２２１と自由端２２２との間に開口部２２５を設け、該開口部２２５を挟む状態で固定端２２１と自由端２２２とを連結する一対のフレーム部２２６を有する。該フレーム部２２６は、図５１、図５２に示すごとく、カンチレバー２２の長手方向に直交する平面による断面形状において、最も厚い部分の厚みＨ１と最も薄い部分の厚みＨ２との差をｈとし、幅をＷｆとしたとき、２０μｍ≦Ｗｆ≦１５０μｍ、ｈ／Ｈ２≦０．１５を満たす。

上記カンチレバー２２は、メッキによって形成することができるが、メッキのバラツキにより、図５１、図５２に示すように、フレーム部２２６に、厚みが大きい部分と小さい部分とが生ずる。そして、厚みのバラツキが大きいフレーム部２２６が撓むと、該フレーム部２２６に応力がかかりやすくなる。そこで、フレーム部２２６の厚みバラツキを、上記のように小さくして、フレーム部２２６にかかる応力を抑制する。

また、フレーム部２３における上記厚みＨ１、Ｈ２は２〜５μｍ、カンチレバー２２全体の幅Ｗは３５０〜１０００μｍである。また、開口部２２５の長さＬ０は０．１〜０．８ｍｍである。
その他は、実施例５と同様である。

本例の場合には、柔軟性に優れると共に強度の高いカンチレバー２２を得ることができる。即ち、加速度に対するカンチレバー２２の変位を大きくすることができると共に、耐久性に優れたカンチレバー２２を得ることができる。
特にフレーム部２２６の厚みバラツキを、ｈ／Ｈ２≦０．１５を満たすように小さくすることにより、カンチレバー２２が撓む際の応力を抑制し、カンチレバー２２の折損を防ぐことができる。
その他は、実施例５と同様である。

（実施例１４）
本例は、Ｔｉを３５〜５０重量％含有するＮｉ−Ｔｉ合金によってカンチレバー２２を構成した例である。
また、この場合、カンチレバー２２は、０．１〜６μｍの厚みを有する。また、カンチレバー２２は、スパッタリングによって形成することができる。
その他は、実施例５と同様である。

本例の場合には、形状記憶性に優れたカンチレバー２２を得ることができる。そのため、繰り返し使用した場合にも、カンチレバー２２の自由端２２２の位置がずれることを防ぎ、正確な計測を維持することができる。
また、上記カンチレバー２２の厚みが０．１〜６μｍであるため、柔軟性に優れると共に強度の高いカンチレバー２２を得ることができる。
その他、実施例５と同様の作用効果を有する。

（実施例１５）
本例は、磁石体２１を、ＦｅＰｔ又はＮｄＦｅＢによって構成した例である。
上記磁石体２１は、カンチレバー２２の自由端２２２にスパッタリングすることにより形成することができる。
また、上記磁石体２１の長さＬは０．２〜０．６ｍｍ、幅Ｗは０．０５〜０．８ｍｍ、高さＨは５〜２００μｍとすることができる。ここで、長さＬ、幅Ｗ、高さＨの定義は、実施例５（図２２）に準ずる。
なお、上記磁石体２１の形状寸法の一例としては、Ｌ＝０．４ｍｍ、Ｗ＝０．５ｍｍ、Ｈ＝８０μｍとすることができる。
その他は、実施例５と同様である。

本例の場合には、磁石体２１の磁気性能を確保することができ、精度の高い加速度センサを得ることができる。
また、磁石体２１を小さくすることが可能となるため、部品の小型化を図ることができる。
その他、実施例５と同様の作用効果を有する。

本発明は、上記各実施例を適宜組合わせた態様も可能であり、例えば、上記実施例５と実施例１〜４の何れかとを組合わせたり、実施例１４と実施例１５とを組合わせたりすることもできる。

Claims (24)

1. 片持梁状をなし、基板上に立設された支持部材に固定された固定端を中心として回動するように弾性変形するカンチレバーと、該カンチレバーの自由端に設けた磁石体と、上記カンチレバーの回動領域の外周側に配置された磁気検出ヘッド部とを有する加速度センサにおいて、
   上記磁石体は、互いに逆向きの磁化方向を有する第１の磁石体と第２の磁石体とからなり、
   上記第１の磁石体及び上記第２の磁石体は、それぞれ、一又は複数の単位磁石体からなることを特徴とする加速度センサ。
2. 請求項１において、上記第１の磁石体の磁気モーメントの大きさと、上記第２の磁石体の磁気モーメントの大きさとは、略等しいことを特徴とする加速度センサ。
3. 請求項１又は２において、上記第１の磁石体或いは上記第２の磁石体を構成する上記各単位磁石体は、他の単位磁石体と隣接して隙間なく配置してあることを特徴とする加速度センサ。
4. 請求項１又は２において、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体との間には、非磁化領域が介在していることを特徴とする加速度センサ。
5. 請求項４において、上記非磁化領域の長さＧと、該非磁化領域に隣接する上記単位磁石体の長さＬとは、
   Ｇ≧０．３８Ｌ＋０．１６ｍｍ
   の関係を有することを特徴とする加速度センサ。
6. 請求項１〜５のいずれか１項において、上記加速度センサは、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体との互いの位置関係を固定するための固定手段を有することを特徴とする加速度センサ。
7. 請求項１〜３のいずれか１項において、上記カンチレバーは、平板状を呈し、その両側面が面する方向に上記自由端が変位するように構成してあり、上記第１の磁石体と上記第２の磁石体とは、上記カンチレバーの両側面のうちの一方に、上記カンチレバーにおける上記固定端から上記自由端に向かう軸方向と略直交する方向に隣接して配置してあることを特徴とする加速度センサ。
8. 請求項１又は２において、上記カンチレバーは、平板状を呈し、その両側面が面する方向に上記自由端が変位するように構成してあり、第１の磁石体と上記第２の磁石体とは、上記カンチレバーを挟んで対面するように上記両側面にそれぞれ配置してあることを特徴とする加速度センサ。
9. 請求項１〜８のいずれか１項において、上記磁気検出ヘッド部は、作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する感磁体と該感磁体の外周側に巻回した電磁コイルとを含み、上記感磁体に通電する電流の変化に伴い上記電磁コイルの両端に上記磁界の大きさに応じた電位差を発生するマグネト・インピーダンス・センサ素子よりなることを特徴とする加速度センサ。
10. 請求項９において、上記加速度センサは、上記磁気検出ヘッド部に作用する周辺磁界を検出する周辺磁界検出部を有し、該周辺磁界検出部は、作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する感磁体と該感磁体の外周側に巻回した電磁コイルとを含み、上記感磁体に通電する電流の変化に伴い上記電磁コイルの両端に上記磁界の大きさに応じた電位差を発生するＭＩ素子よりなることを特徴とする加速度センサ。
11. 請求項１０において、上記磁気検出ヘッド部の出力電圧から上記周辺磁界検出部の出力電圧を減算する減算回路を有することを特徴とする加速度センサ。
12. 請求項１０において、上記加速度センサは、上記感磁体を互いに平行に配置した上記磁気検出ヘッド部及び上記周辺磁界検出部とを有し、上記磁気検出ヘッド部における上記電磁コイルの一端は、上記周辺磁界検出部における上記電磁コイルの一端と接続されており、上記磁気検出ヘッド部における上記電磁コイルと上記周辺磁界検出部における上記電磁コイルとは、上記磁気検出ヘッド部と上記周辺磁界検出部とのそれぞれに同じ磁界が作用したときに上記磁気検出ヘッド部と上記周辺磁界検出部とに逆向きの出力電圧が生じるような向きに巻回されていることを特徴とする加速度センサ。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項において、上記加速度センサは、上記カンチレバーと、上記磁石体と、上記磁気検出ヘッド部とを含む検知ユニットを２基有し、該各検知ユニットは、互いに直交する２軸方向に沿って作用する加速度をそれぞれ検出するように構成してあることを特徴とする加速度センサ。
14. 請求項１〜１２のいずれか１項において、上記加速度センサは、上記カンチレバーと、上記磁石体と、上記磁気検出ヘッド部とを含む検知ユニットを３基有し、該各検知ユニットは、互いに直交する３軸方向に沿って作用する加速度をそれぞれ検出するように構成してあることを特徴とする加速度センサ。
15. 請求項１〜１４のいずれか１項において、上記加速度センサは、上記磁気検出ヘッド部の出力信号を補正するための周辺磁界検出ユニットを有することを特徴とする加速度センサ。
16. 請求項１５において、上記磁気検出ヘッド部を制御するための電気回路と、該磁気検出ヘッド部の出力信号を補正するための上記周辺磁界検出ユニットを制御するための電気回路とは、共用のものであることを特徴とする加速度センサ。
17. 請求項１〜１６のいずれか１項において、上記加速度センサは、一体的にモジュール化されたものであることを特徴とする加速度センサ。
18. 請求項１〜１７において、上記支持部材は、上記固定端を接合した基体部と、上記カンチレバーとの間に間隙を設けつつ上記基体部から上記カンチレバーの自由端側へ延設された延設部とを有することを特徴とする加速度センサ。
19. 請求項１８において、上記カンチレバーは、導電体からなり、上記支持部材は、上記延設部における上記カンチレバーとの対抗面に導電層を設けてなり、該導電層は、上記カンチレバーと電気的に導通していることを特徴とする加速度センサ。
20. 請求項１〜１９のいずれか１項において、上記カンチレバーは、Ｎｉ−Ｐ合金からなることを特徴とする加速度センサ。
21. 請求項２０において、上記支持部材はセラミックスからなり、該支持部材と上記カンチレバーの固定端との間には、複数の金属層からなる多層金属層が介在していることを特徴とする加速度センサ。
22. 請求項２０において、上記磁石体は、樹脂磁石、或いは上記カンチレバーとの接合面に樹脂層を形成してなるものからなり、上記カンチレバーは、上記磁石体との接合面に、安定した不動態化皮膜を形成する金属層を配置してなることを特徴とする加速度センサ。
23. 請求項２０〜２２のいずれか一項において、上記カンチレバーは、上記固定端と上記自由端との間に開口部を有すると共に、該開口部を挟む状態で上記固定端と上記自由端とを連結する一対のフレーム部を有し、該フレーム部は、上記カンチレバーの長手方向に直交する平面による断面形状において、最も厚い部分の厚みＨ１と最も薄い部分の厚みＨ２との差をｈとし、幅をＷｆとしたとき、２０μｍ≦Ｗｆ≦１５０μｍ、ｈ／Ｈ２≦０．１５を満たすことを特徴とする加速度センサ。
24. 請求項１〜１９のいずれか一項において、上記カンチレバーは、Ｎｉ−Ｔｉ合金からなると共に、０．１〜６μｍの厚みを有することを特徴とする加速度センサ。

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