JPWO2004086467A1 - 極端紫外光源及び極端紫外光源用ターゲット - Google Patents
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- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 229910003439 heavy metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 claims 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical class OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- TWRYZRQZQIBEIE-UHFFFAOYSA-N tetramethoxystannane Chemical compound [Sn+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C TWRYZRQZQIBEIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical group [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
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Abstract
Description
この極短紫外光の光源には、単に前記波長領域の光が発光可能なことのみならず、その波長領域の光を選択的に発光可能なこと(他の波長領域の発光を抑えること)、該波長領域の光を高い効率で発光可能なこと、装置の汚染源となるものを発生しないこと等が求められる。
このような条件を満たす光源の候補として、レーザプラズマ方式の光源が検討されている。レーザプラズマ方式は、ターゲットにレーザ光を照射してプラズマを形成し、このプラズマから放射される極端紫外光を利用するものである。このターゲットの材料としては、気体・液体・固体や元素の異なる様々なものが検討されている。このうち、気体から成るターゲットにはキセノンガスを用いたもの等がある。所定の領域に気体を噴射することにより形成される気体のターゲットは、該所定領域にレーザ光を照射して用いる。固体から成るターゲットとしては、重金属やその化合物を用いたものが検討されている。例えば、特開平10−208998号公報には、Sn(スズ)にTh(トリウム)を10%固溶させて作製されたターゲットが記載されている。
しかし、従来のターゲットにおいては、以下のような問題があった。この問題について、従来の固体ターゲットにおけるターゲット表面近傍の空間位置と電子温度との関係を示す第1図を例に用いて説明する。第1図の横軸において、1×104μmの位置が固体ターゲットの表面15の位置であり、それよりも横軸の値が大きい方がターゲット内部である。レーザ光は、ターゲットの表面15に向かって図中の矢印13の向きに照射される。第1図では、レーザ光の波長λLは1064nm、集光強度ILは1×1012W/cm2である。図中の符号11で示される領域は形成されたプラズマがレーザ光のエネルギを吸収する領域(レーザ吸収領域)であり、符号12で示される領域は形成されたプラズマが極端紫外光を発光する領域(極端紫外光発光領域)である。ターゲットにレーザ光が照射されると、レーザ光のエネルギがレーザ吸収領域11で吸収され、該エネルギがレーザ吸収領域11から極端紫外光発光領域12に輸送され、そのエネルギにより極端紫外光発光領域12から極端紫外光が発光する。ここで、レーザ吸収領域11から極端紫外光発光領域12にエネルギが輸送される間に該エネルギの損失が生じる。即ち、吸収されたエネルギーの一部が熱に変換されたり所望の波長領域以外の光の割合が高くなり、発光スペクトルがブロードな分布を持つようになって発光効率が低下する。
更に、固体や液体のターゲットにレーザ光を照射すると、ターゲットの一部がプラズマ化せずに粒子となってターゲットから飛散する。この飛散粒子(デブリ)は、光学系等に付着したり光学系等を破損させることにより、装置の精度を低下させる恐れがある。
本発明はこのような課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、高い発光効率で極端紫外光を発光することができ、デブリの発生を抑えることができる極端紫外光源、及びこの極端紫外光源に用いるターゲットを提供することにある。
上記極端紫外光源用ターゲットにおいて、前記レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を空間的に一致させることが望ましい。
本発明に係る極端紫外光源用ターゲットでは、レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を空間的に接近させることにより、ターゲットにレーザ光が照射された時にレーザ吸収領域で吸収されたエネルギが極端紫外光発光領域に輸送される際のエネルギの損失を低減することができる。これにより、極端紫外光の発光効率を高めることができる。更に、レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を空間的に一致させれば、照射レーザ強度、ひいては投入エネルギーが小さくなり、極端紫外光の発光効率を高めることができる。
レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を従来のターゲットよりも接近させ、あるいは両者を一致させる方法として、本発明者らは、ターゲットの密度を調整する方法を想到した。プラズマにレーザ光を照射したとき、レーザ光のエネルギーは、プラズマの密度が照射レーザ光の波長に対応した所定範囲内にある時にプラズマに吸収される。ターゲットにレーザ光を照射したときに生成されるプラズマの密度は、ターゲットの密度に依存する。従って、ターゲットの密度を調整することにより、プラズマ密度が前記所定範囲内となる空間領域、即ちレーザ吸収領域を移動させることができる。一方、極端紫外光はプラズマが所定の電子温度の範囲にある空間領域で発光し、ターゲット密度の変化によっては所定の電子温度条件は変化しない。従って、ターゲットの密度を適切に設定することにより、レーザ吸収領域を極端紫外光発光領域に近づけ、更には一致させることができる。
第1図の例では、レーザ吸収領域11を極端紫外光発光領域12に近づけるために、ターゲットの密度を小さくすればよい。これにより、生成されるプラズマ密度が小さくなり、レーザ吸収領域11がレーザ光の照射された側から見て奥の方、即ち表面15側に移動する。一方、レーザ吸収領域11よりも表面15寄りにある極端紫外光発光領域12は、前記のようにレーザ光が照射されても移動しない。従って、ターゲットの密度を小さくすることにより、レーザ吸収領域11が極端紫外光発光領域12に近づく。
レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を空間的に接近又は一致させるために極端紫外光源用ターゲットの密度を調整する方法としては、例えば以下のような方法をとることができる。
第1の態様は、重金属又は重金属化合物ターゲットを使用する場合、その重金属密度又は重金属化合物の密度を、該重金属又は重金属化合物の結晶密度の0.5%〜80%とする。
第2の態様は、気体ターゲットを使用する場合、その気体より、固体密度の0.5%〜80%の密度を有するフロストを生成して、それをターゲットとする。
上記第1の態様の極端紫外光源用ターゲットについて詳しく説明する。このターゲットは重金属又は重金属化合物から成る固体ターゲットであり、それらの結晶の密度よりも小さい密度を有するものである。
上記重金属には、Ge(ゲルマニウム)、Zr(ジルコニウム)、Mo(モリブデン)、Ag(銀)、Sn(スズ)、La(ランタン)、Gd(ガドリニウム)、W(タングステン)のいずれかを用いることが望ましい。なお、これらの重金属酸化物、重金属錯体、有機重金属化合物等の化合物も用いることができる。
本ターゲットにレーザ光を照射することにより、そのターゲットが含有する重金属のプラズマが生成され、その重金属の種類に応じた所定の波長の極端紫外線がこのプラズマから放射される。例えば、上記重金属がGeの場合には波長31.9nm、Zrの場合には波長22.4nm、Moの場合には波長20.4nm、Agの場合には波長16.0nm、Snの場合には波長13.6nm、Laの場合には波長9.2nm、Gdの場合には波長6.8nm、Wの場合には波長5.0nmの極端紫外線が、生成されるプラズマから放射される。
本ターゲットでは、上記の理由により従来のターゲットよりもレーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を近づけることができる。そして、ターゲットの密度が重金属又は重金属化合物の結晶の密度の0.5%〜80%の時、両者を一致させることができる。
重金属又は重金属化合物の結晶密度の0.5%〜80%の密度を有するターゲットには、例えば重金属又は重金属化合物の固体中に気泡を含ませたものや、ゾル−ゲル法により作製されるエアロゲル等がある。
本ターゲットの密度を1%とした場合について、ターゲット表面近傍の空間位置と電子温度との関係を示すグラフを第2図に示す。横軸の定義、レーザ光の照射方向17、及びターゲット表面18の位置は前記第1図の場合と同様である。照射されたレーザ光の波長λLは350nm、強度ILは1×1012W/cm2である。第2図において領域16で示された領域がレーザ吸収領域及び極端紫外光発光領域であって、レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域は一致している。
更に、ターゲットの密度を小さくすることにより、ターゲットがプラズマ化せずに粒子として飛散することを抑制し、デブリの発生を抑えることができる。
次に、上記第2の態様の極端紫外光源用ターゲットについて説明する。このターゲットは、気体を急冷することにより生じるフロストから成る。フロストを構成する元素によって、1個のイオンから出る電子数が異なるため適切なフロストの密度は異なるが、固体密度の0.5%〜80%であればほとんどの元素でレーザ吸収領域と極端紫外光発光領域をほぼ一致させることができる。
フロストは、従来、気体ターゲットとして用いられてきた気体から生成し、その種類は特に限定されない。例えば、キセノン、水素、酸素、窒素、アルゴン、クリプトン等、及びそれらの水素、ヘリウムとの混合物等を用いることができる。用いる元素により、発光する極端紫外光の波長が異なる。例えば、上記気体がキセノンの場合には波長11nm及び13nm等、アルゴンの場合には波長8〜12nm及び26nm等、クリプトンの場合には波長10nm等、窒素の場合には波長2〜3nm等、酸素の場合には波長2〜3nm等の極端紫外線が放射される。
本発明に係る極端紫外光源用ターゲットを使用した極端紫外光源は、本ターゲットと、このターゲットにレーザ光を照射するレーザ光源とを備えるものである。このレーザ光源には、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザ光源又はエキシマレーザ光源を好適に用いることができる。照射するレーザ光は、これらのレーザ光源が発する基本波に限らず、高調波であってもよい。
上記第1の態様の極端紫外光源用ターゲットは常温で固体であるため、ターゲットを極端紫外光源の装置に固定するために特に工夫をする必要はない。一方、第2の態様の極端紫外光源用ターゲットは、低温で生成され、その温度で使用される。そのため、第2の態様のターゲットを使用した極端紫外光源は、
a)フロストを排出可能な排出口を有するホッパと、
b)ホッパを冷却するための冷凍機と、
c)ホッパの壁面を断続的に加熱しうるヒータと、
d)ホッパの周囲を真空に保つための真空室であって、外部からのレーザ光を前記排出口付近に案内する第1の窓と、極端紫外光を取り出すための第2の窓とを有する真空室と、
を備えるものであることが望ましい。
この装置において、冷凍機により、フロストの原料となる気体の凝固点以下の温度にホッパを冷却しながら該ホッパに該気体を注入すると、ホッパの内壁面で気体が凝固して、それが内壁面に付着する。この状態でホッパの壁面をヒータで加熱すると、凝固した原料が昇華して高密度の気体になる。そこですぐにヒータを切ることにより、該高密度気体が急冷されて雪状態のフロストとなる。このヒータのON/OFFを断続的に行うことにより、フロストは断続的に生成される。生成されたフロストはホッパ内に堆積し、それが排出口よりホッパ外に排出される。フロストの生成は連続的ではないが、フロストをいったんホッパ内に堆積させることにより、ホッパ外へは連続的に供給することができる。第1の窓からレーザ光を入射させ、排出されたフロストに照射する。これにより、極端紫外光を発生させることができる。得られた極端紫外光は、第2の窓から取り出される。なお、第1の窓をレンズにして集光器を兼ねるようにしてもよい。
前記ヒータを高周波放電(無電極グロー放電)を原理とするものとすることにより、放電によって急激に前記高密度気体が生成され、放電停止と共に急冷されるため、フロストの生成にとって好ましい。この場合、ヒータの放電電極を複数対設けることにより、ある組の放電電極で放電させて高密度気体を生成している間に、他の組の放電電極の放電を停止させて固化層を形成することができる。従って、連続してフロストを生成することができるため好ましい。
この装置は更に、前記ホッパの排出口直前に回転可能に固定され、径方向に放射状に突出する複数の羽根を有する羽根車を備え、前記ホッパは、排出口の直前で羽根車を包囲するように排出口付近が羽根車とほぼ円筒状に形成されていることが望ましい。こうすることで、羽根車の回転と共に適量のフロストがホッパ外に排出される。なお、羽根車の回転軸を中空にして、その中にも冷媒を通しておくと、フロストの昇華が抑制されるので好ましい。
第2図 本発明に係る極端紫外光源用ターゲットにおけるレーザ吸収領域と極端紫外光発光領域との関係を示すグラフ。
第3図 本発明に係る第1態様の極端紫外光源用ターゲットの一実施例である低密度SnO2ターゲットの第2の製造方法を示す縦断面図。
第4図 低密度SnO2ターゲットを用いて得られた極端紫外光の発光スペクトルの一例を示すグラフ。
第5図 本発明に係る第2態様の極端紫外光源用ターゲットを用いた極端紫外光源の第1実施例を示す縦断面図。
第6図 本発明に係る第2態様の極端紫外光源用ターゲットを用いた極端紫外光源の第2実施例を示す縦断面図。
第7図 第6図のAA断面図。
本発明の低密度SnO2ターゲットの第1の製造方法について説明する。まず、SnCl4(四塩化スズ)1.0gを脱水メタノール(水を不純物として含有しないメタノール)20.0gに加えて攪拌した。これにより、メタノールの水酸基がスズ(IV)に置換されたスズ(IV)メトキシドのメタノール溶液を得た。この溶液に純水50mlを混合する。これにより、スズ(IV)メトキシドが加水分解した、SnO2を含むゲルを得た。このゲルをガラス基板上にコートした後、乾燥させ、厚さが100μm、密度が0.05g/cm3の低密度SnO2ターゲットを得た。なお、このターゲットの密度の値は、SnO2結晶の密度(6.95g/cm3)の0.7%である。
また、上記ガラス基板の代わりにポリエチレンテレフタラート等から成るテープ状の薄膜を基板としてもよい。このようにすればテープ状の低密度SnO2ターゲットを得ることができる。このテープ状ターゲットを用いると、テープを容易に移動させることができ、これによりレーザ光照射位置に常に新しい照射面を露出することにより、光源の連続運転が可能になる。また、円盤状又は円筒状の基板上に低密度SnO2ターゲットを作製すれば、この円板状又は円筒状ターゲットを回転させながらレーザ光を照射することにより、前記テープ状ターゲットと同様に光源の連続運転を行うことができる。
低密度SnO2ターゲットの第2の製造方法について第3図を用いて説明する。第1の製造方法と同様に、SnCl41.0gを脱水メタノール20.0gに加えて攪拌した後、これに純水50mlを混合してSnO2を含むゲル21を得た。次に、このSnO2含有ゲル21を、ナノパーティクルポリスチレン22を充填した容器23に入れ、SnO2含有ゲル21とナノパーティクルポリスチレン22を混合した。ここで、ナノパーティクルポリスチレン22は、粒径数μmの微小なポリスチレン粒子である。これを240℃に加熱することにより、ナノパーティクルポリスチレン22が気化して、SnO224のみが残存した(c)。このように、密度がSnO2結晶の24%である低密度SnO2ターゲット25を得た。
なお、上記実施例では脱水メタノールを用いたが、脱水エタノール等の他の脱水アルコールを用いることもできる。また、SnO2以外の重金属酸化物から成る低密度ターゲットも、前記と同様の方法により製造することができる。
これらの製造方法によって作製されるターゲットの重金属酸化物密度は、原料の重金属塩化物、アルコール、水の量を適切に設定することにより、重金属酸化物結晶の0.5%〜80%となるようにすることができる。
第2の製造方法において、SnO2含有ゲル21とナノパーティクルポリスチレン22の混合物を加熱する温度は、ナノパーティクルポリスチレン22が気化する下限温度である240℃以上、重金属酸化物の分解温度以下とする。
第4図に、上記第2の製造方法により作製された極端紫外光源用ターゲット(密度:SnO2結晶の24%)を用いて得られた極端紫外光の発光スペクトルの一例を示す。この発光スペクトルは、Nd−YAGレーザ光源から得られた3倍高調波(波長350nm)のレーザ光を上記第2の製造方法により作製された低密度SnO2ターゲットに照射することにより得られたものである。比較のため、Snから成る密度100%のターゲットに同様のレーザ光を照射することにより得られたスペクトルを併せて示す。
半導体装置の製造に用いられるリソグラフィーにおいては、波長13〜14nmの領域に大きい強度を有する極端紫外光を得ることが求められる。本実施例及び比較例において得られたスペクトルは共にこの波長範囲内の13.5nm付近にピークを有するが、このピーク強度は本実施例の方が比較例よりも大きい。このピーク強度の増加は、低密度ターゲットを用いることにより発光の強度自体が従来よりも大きくなっていることに加え、ピークの形状がより尖鋭となって前記波長領域における発光の割合が増加していることによる。
次に、第2の態様のフロストから成るターゲットを用いた極端紫外光発生装置の第1実施例について説明する。第5図は、本実施例の極端紫外光発生装置の縦断面図である。この装置は、冷凍機31、ガス注入管32、ヒータ33、ホッパ34、押出棒35、監視器36、真空室37、高出力パルスレーザ光発生器38及び波長変換器39を備える。
ホッパ34は、真空室37内に固定されており、上部が円筒状の胴部34a、下部が円錐状のガイド部34bから成る。胴部34a、ガイド部34bはいずれもガラス、セラミックス等の絶縁材料からなる。ホッパ34の下端に、フロストを排出可能な排出口41を設ける。また、ホッパ34の周囲には壁面に沿って冷媒、例えば液体ヘリウムが循環する配管42を設ける。配管42は真空室37を気密に貫通して冷凍機31に接続される。ヒータ33は高周波放電を原理とするものであり、一対の放電電極33a、33b及び高周波電源33cから成る。放電電極33a及び33bは胴部34aの壁の内面に設けられている。なお、壁の厚さや材質によっては放電電極を壁の外面に設けてもよい。押出棒35は、ホッパ34内で鉛直に立てられ、真空室37の外側から遠隔操作により上下動可能に設定されている。
真空室37の壁面には、排出口41と同じ高さに、レンズから成る第1の窓43を設け、第1の窓43に対向して第2の窓44を設ける。そして、真空室37の外側には、第1の窓43に波長変換器39及びレーザ光発生器38を順に接続する。ガス注入管32は真空室37の側面及び胴部34aを気密に貫通し、外部からガスをホッパ34内に注入可能にしている。真空室37には監視器36も貫通しており、監視器36の先端は排出口41に接近している。
第1の窓43を構成するレンズは、その焦点が排出口41の直下に位置するように合わせられ、集光器を兼ねている。従って、レーザ光発生器38より発せられたパルスレーザ光は、波長変換器39でフロストに対する吸収率の高い高調波に変換され、第1の窓43で屈折して排出口41の直下に集光される。
本実施例の装置の動作を、キセノンXeをターゲットとする場合を例にして説明する。まず冷凍機31を立ち上げて、常圧でXeが固化する温度である161K以下までホッパ34を冷却する。そして、Xeガスをガス注入管32よりホッパ34内に注入すると、ホッパ34の内壁面にXeの固化層が形成される。そこで、高周波電源33cにより放電電極33a、33b間に高周波放電させ、ホッパ34の内壁面にいったん形成された固化層の表面を局部加熱して蒸気を発生させる。すぐに高周波放電を停止すると、蒸気となったガスは急速に冷却されてフロストとなる。生成されたフロストはホッパ34のガイド部34bに堆積する。これを押出棒35で排出口41から押し出すことにより、棒状のターゲットが形成される。
得られたターゲットは、固相、液相、気相が同時に存在する三重点の温度よりも低く、固相と気相が同時に存在しうる温度条件及び密度条件下で、2×1020〜8×1021個/cm3の粒子密度を有する。これは固体Xeの質量密度3.5g/cm3,Xeの原子量131.3及びアボガドロ数6.02×1023から求めた数密度1.6×1022個/cm3のほぼ0.5%〜80%に相当する。従って、このターゲットに例えばYAGレーザ光が照射されることにより、該ターゲットが加熱されて電離し、2×1020〜8×1021個/cm3のイオン密度,1020〜1023個/cm3の電子密度を有するプラズマが発生する。電子密度の上限がイオンも都度の上限のほぼ10倍であるのは、1つのイオンが10〜15個の電子を放出するためであり、下限が10倍とならないのは加熱されたプラズマが速やかに膨張するためである。こうして発生したプラズマが波長13〜14nmの極端紫外光を発光する。このターゲット全体の密度が極端紫外光発光温度において例えばYAGレーザの基本波長光を吸収可能な臨界密度よりわずかに小さいため、発光限界である黒体放射に近い高効率で発光する。また、本実施例の装置によれば、発光に寄与しない部分をレーザ光で無駄に加熱することがないので、エネルギ損失を最小限に抑制することができ、また、デブリの発生も抑制できる。
第2の態様のフロストから成るターゲットを用いた極端紫外光発生装置の第2実施例の縦断面図を第6図に示す。また、第6図に示したAA断面の図を第7図に示す。
この装置は冷凍機31、ガス注入管32、ヒータ33、ホッパ34、監視器36、真空室37、高出力パルスレーザ光発生器38及び波長変換器39を備え、ヒータ33とホッパ34を除く構成要素については第1実施例の極端紫外光発生装置と同様である。また、これらの構成要素に加えて羽根車51を備える。以下、羽根車51、ヒータ33及びホッパ34のみ詳述する。
ヒータ33は3対の放電電極331a−331b、332a−332b、333a−333bを有し、放電電極331aと331b、332aと332b、333aと333bがそれぞれ対向するように、ホッパ4の胴部34aの壁面に固着されている。
ホッパ34は、ガイド部34bの下に胴部34aと直交する円筒状のハウジング34cを一体的に有し、ハウジング34cの下端に排出口41が設けられている。羽根車51は、このハウジング34cと同心で、ハウジング34c内で回転可能に固定され、径方向に放射状に突出する複数(図面では8枚)の羽根52を有する。羽根52の先端は、ハウジング34cの内周面と微小間隔を介して対向している。また、羽根車51の中心にも胴部34aの周囲の冷媒と同じ冷媒が循環している。
この装置によれば、1対の放電電極(例えば331a−331b)に通電して固化層から上記と同様に蒸気を発生させている間に、残りの放電電極の放電を停止して注入ガスを冷却固化させ、新たな固化層を形成することができる。従って、フロストを連続して生成することができる。生成されたフロストは、羽根52の間に堆積し、羽根車51が回転することにより排出口41に臨んだ適量のフロストのみが排出口41から順次排出される。前記と同様に、排出されたフロストにレーザ光を照射することにより、極端紫外光が発生する。
Claims (17)
- 密度を調整することによりレーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を空間的に接近させたことを特徴とする極端紫外光源用ターゲット。
- 前記レーザ吸収領域と極端紫外光発光領域を空間的に一致させたことを特徴とする請求の範囲1に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 重金属又は重金属化合物から成り、その重金属密度又は重金属化合物密度が該重金属又は重金属化合物の結晶密度の0.5%〜80%であることを特徴とする請求の範囲1又は2に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 前記重金属がGe、Zr、Mo、Ag、Sn、La、Gd、Wのいずれかであること、又は前記重金属化合物がGe、Zr、Mo、Ag、Sn、La、Gd、Wのいずれかの化合物であることを特徴とする請求の範囲3に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 前記重金属がSnであること、又は前記重金属化合物がSnO2であることを特徴とする請求の範囲4に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- ターゲットの形状をテープ状としたことを特徴とする請求の範囲1〜5のいずれかに記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 固体密度の0.5%〜80%の密度を有する、気体ターゲットのフロストから成ることを特徴とする請求の範囲1又は2に記載の極端紫外光源用ターゲット。
- 請求の範囲1〜7のいずれかに記載の極端紫外光源用ターゲットにレーザ光を照射することを特徴とする極端紫外光発光方法。
- 請求の範囲1〜7のいずれかに記載の極端紫外光源用ターゲットと、該ターゲットにレーザ光を照射するレーザ光源とを備えることを特徴とする極端紫外光源。
- 前記レーザ光源がYAGレーザ又はエキシマレーザの基本波又は高調波を発する光源であることを特徴とする請求の範囲9に記載の極端紫外光源。
- a)フロストを排出可能な排出口を有するホッパと、
b)ホッパを冷却するための冷凍機と、
c)ホッパの壁面を断続的に加熱しうるヒータと、
d)ホッパの周囲を真空に保つための真空室であって、外部からのレーザ光を前記排出口付近に案内する第1の窓と、極端紫外光を取り出すための第2の窓とを有する真空室と、
を備えることを特徴とする極端紫外光源。 - 前記ヒータが高周波放電を原理とするものであることを特徴とする請求項11に記載の極端紫外光源。
- 前記ヒータの放電電極がホッパの外周に複数対設けられていることを特徴とする請求項12に記載の極端紫外光源。
- 更に、前記ホッパの排出口直前に回転可能に固定され、径方向に放射状に突出する複数の羽根を有する羽根車を備え、
前記ホッパは、排出口の直前で羽根車を包囲するように排出口付近が羽根車とほぼ円筒状に形成されていることを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の極端紫外光源。 - a)重金属塩化物を脱水アルコールに溶解させた後に、これに水を混合することにより重金属酸化物を含むゲルを生成するゲル生成工程と、
b)前記ゲルを乾燥させる乾燥工程と、
によりターゲットの重金属酸化物密度を該重金属酸化物結晶密度の0.5%〜80%となるようにすることを特徴とする極端紫外光源用ターゲットの製造方法。 - a)重金属塩化物を脱水アルコールに溶解させた後に、これに水を混合することにより重金属酸化物を含むゲルを生成するゲル生成工程と、
b)前記ゲルをナノパーティクルポリスチレンに混合した後、240℃以上且つ重金属酸化物の分解温度以下に加熱するターゲット形成工程と、
によりターゲットの重金属酸化物密度を該重金属酸化物結晶密度の0.5%〜80%となるようにすることを特徴とする極端紫外光源用ターゲットの製造方法。 - 前記重金属塩化物がSnCl4であることを特徴とする請求項15又は16に記載の極端紫外光源用ターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003085584 | 2003-03-26 | ||
JP2003085584 | 2003-03-26 | ||
PCT/JP2003/016947 WO2004086467A1 (ja) | 2003-03-26 | 2003-12-26 | 極端紫外光源及び極端紫外光源用ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004086467A1 true JPWO2004086467A1 (ja) | 2006-06-29 |
JP4406730B2 JP4406730B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=33095034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004569944A Expired - Lifetime JP4406730B2 (ja) | 2003-03-26 | 2003-12-26 | 極端紫外光源及び極端紫外光源用ターゲット |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7521702B2 (ja) |
EP (1) | EP1612848B1 (ja) |
JP (1) | JP4406730B2 (ja) |
KR (1) | KR101010584B1 (ja) |
CN (1) | CN1759467A (ja) |
AU (1) | AU2003296155A1 (ja) |
WO (1) | WO2004086467A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2874785B1 (fr) * | 2004-08-27 | 2006-12-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation de rayonnement ou de particules par interaction entre un faisceau laser et une cible |
JP4565194B2 (ja) * | 2004-12-17 | 2010-10-20 | 国立大学法人大阪大学 | 極端紫外光・x線源用ターゲット及びその製造方法 |
JP5176037B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2013-04-03 | 国立大学法人大阪大学 | 極端紫外光源用ターゲット |
JP4961529B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2012-06-27 | 国立大学法人大阪大学 | 極端紫外光源用ターゲット |
JP5176052B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2013-04-03 | 国立大学法人大阪大学 | 放射線源用ターゲット生成供給装置 |
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-
2003
- 2003-12-26 AU AU2003296155A patent/AU2003296155A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-26 US US10/550,800 patent/US7521702B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-26 JP JP2004569944A patent/JP4406730B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-26 EP EP03786368.5A patent/EP1612848B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-26 KR KR1020057018018A patent/KR101010584B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-26 WO PCT/JP2003/016947 patent/WO2004086467A1/ja active Application Filing
- 2003-12-26 CN CNA2003801101993A patent/CN1759467A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1612848B1 (en) | 2013-09-25 |
AU2003296155A1 (en) | 2004-10-18 |
US7521702B2 (en) | 2009-04-21 |
EP1612848A4 (en) | 2009-11-11 |
WO2004086467A1 (ja) | 2004-10-07 |
CN1759467A (zh) | 2006-04-12 |
KR20050113250A (ko) | 2005-12-01 |
EP1612848A1 (en) | 2006-01-04 |
KR101010584B1 (ko) | 2011-01-24 |
US20060133574A1 (en) | 2006-06-22 |
JP4406730B2 (ja) | 2010-02-03 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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