JPS639880A - 放射線検出素子 - Google Patents
放射線検出素子Info
- Publication number
- JPS639880A JPS639880A JP61154758A JP15475886A JPS639880A JP S639880 A JPS639880 A JP S639880A JP 61154758 A JP61154758 A JP 61154758A JP 15475886 A JP15475886 A JP 15475886A JP S639880 A JPS639880 A JP S639880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystals
- layer
- transparent conductive
- conductive film
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、シンチレータを用いた放射線を検出する素子
に関する。
に関する。
口、従来の技術
従来１次元解像力を有するＸ線検出器としてＸｅチャン
バーがある。これは圧縮したＸｅガスに高い電圧を印加
して、Ｘ線が入射した時に発生するイオンを検出する装
置であるが、この装置の場合に電極間隔が狭いので特別
な高耐圧対策が必要となり、また分解能は検出用電極の
ピッチ間隔で決定されるが、加工上ｌａｗ程度が限度で
ある。また第３図に示すように半導体光検出器１１とシ
ンチレータ材料１を接合したＸ線検出器があるが、光検
出器（フォトダイオード）とシンチレータとを別体で製
作し、これを接着するので、高解像度を得ようとする場
合、一画素分の材料が余りにも微細なために作業が難し
く、接合には熟練技術を必要とし、加工時間も長時間を
要する。また５分解能を上げるためにピッチ間隔を狭く
すると素子が益々微細となり、益々接合が難しくなると
云う問題がある。
バーがある。これは圧縮したＸｅガスに高い電圧を印加
して、Ｘ線が入射した時に発生するイオンを検出する装
置であるが、この装置の場合に電極間隔が狭いので特別
な高耐圧対策が必要となり、また分解能は検出用電極の
ピッチ間隔で決定されるが、加工上ｌａｗ程度が限度で
ある。また第３図に示すように半導体光検出器１１とシ
ンチレータ材料１を接合したＸ線検出器があるが、光検
出器（フォトダイオード）とシンチレータとを別体で製
作し、これを接着するので、高解像度を得ようとする場
合、一画素分の材料が余りにも微細なために作業が難し
く、接合には熟練技術を必要とし、加工時間も長時間を
要する。また５分解能を上げるためにピッチ間隔を狭く
すると素子が益々微細となり、益々接合が難しくなると
云う問題がある。
ハ０発明が解決しようとする問題点
本発明は、上述した製造上の難点を解消し、安価で高感
度、高画像分解能を得るに適したＸ線検出器を得ること
を目的とする。
度、高画像分解能を得るに適したＸ線検出器を得ること
を目的とする。
二１問題点解決のための手段
シンチレータ結晶の底面に光子が通過しやすい透明な電
極層を形成し、他の表面には絶縁性光反射膜を形成し、
上記環ｇ１！Ｂの上面に光電感光層例えばアモルファス
Ｓｉを形成し、更にその光電感光層の上面に電極層を形
成する。
極層を形成し、他の表面には絶縁性光反射膜を形成し、
上記環ｇ１！Ｂの上面に光電感光層例えばアモルファス
Ｓｉを形成し、更にその光電感光層の上面に電極層を形
成する。
ホ１作用
本発明は、シンチレータ結晶によってＸ線を可視光の光
子に変換し、これを太陽電池層等の光電変換層によって
電気的に検出することにより、入射Ｘ線を検出しようと
するものである。従来はシンチレータ結晶と半導体光検
出素子とを別々に製作して、これらを手作業で接着剤を
使用して接合していたが、両者の接合位１がずれると光
子の光検出素子への入射効率が変化するから、位置を正
確に規制する必要があるのに、素子が微細なために規準
に適合するように接合することが困難であったが、本発
明はシンチレータ結晶を基板として、その上に光電変換
用素子部分を構成する種々の層を順次形成して行くもの
である。このようにして作成すれば通常の半導体素子製
造技術が適用でき、手作業に比し、品質一定な放射線検
出素子を量産的に安価で作成することができる。
子に変換し、これを太陽電池層等の光電変換層によって
電気的に検出することにより、入射Ｘ線を検出しようと
するものである。従来はシンチレータ結晶と半導体光検
出素子とを別々に製作して、これらを手作業で接着剤を
使用して接合していたが、両者の接合位１がずれると光
子の光検出素子への入射効率が変化するから、位置を正
確に規制する必要があるのに、素子が微細なために規準
に適合するように接合することが困難であったが、本発
明はシンチレータ結晶を基板として、その上に光電変換
用素子部分を構成する種々の層を順次形成して行くもの
である。このようにして作成すれば通常の半導体素子製
造技術が適用でき、手作業に比し、品質一定な放射線検
出素子を量産的に安価で作成することができる。
へ、実施例
第１図に本発明の一実施例を示す、第１図において、１
はシンチレータ結晶、２は透明導電膜でシンチレータ結
晶１の底面にＩＴＯ，５ｎ０２ 。
はシンチレータ結晶、２は透明導電膜でシンチレータ結
晶１の底面にＩＴＯ，５ｎ０２ 。
ＩｎＯ２等をスパッタ、蒸着等で薄い膜として形成し、
信号出力電極とする。３はアモルファスＳｉ膜で透明導
電膜２の上面（図では下になっている）にプラズマＣＶ
Ｄ法により薄い膜として形成する。この膜３は形成する
際、整流特性を持たせるために雰囲気ガスに少量のＢ’
２ Ｈｂ 、 Ｐ Ｈ３等を順次混入してＰＩＮ型に形
成しである。４はＡρ電極で上記アモルファスＳｉ膜３
の上面にＡＪ２をスパッタ、蒸着等で薄い膜として形成
し、アース電極とする。５は素子を支持する絶縁性の支
持台で下方に端子８と９を突出させる。７は外部リード
線で透明導電膜２と端子９を接続する。端子８は上端部
が支持台５の上面に廻り込んで設けられており、ＡΩ電
極４に導電性接着剤で接合されている。１０はシンチレ
ータの光電感光層を形成していない他の全表面に光子が
素子内から漏出しないように形成した絶縁性反射膜でＴ
ｉ ０２ 、 Ｍｇｏ、ＢａＳＯ４等の白色粉末を塗
着したものである。
信号出力電極とする。３はアモルファスＳｉ膜で透明導
電膜２の上面（図では下になっている）にプラズマＣＶ
Ｄ法により薄い膜として形成する。この膜３は形成する
際、整流特性を持たせるために雰囲気ガスに少量のＢ’
２ Ｈｂ 、 Ｐ Ｈ３等を順次混入してＰＩＮ型に形
成しである。４はＡρ電極で上記アモルファスＳｉ膜３
の上面にＡＪ２をスパッタ、蒸着等で薄い膜として形成
し、アース電極とする。５は素子を支持する絶縁性の支
持台で下方に端子８と９を突出させる。７は外部リード
線で透明導電膜２と端子９を接続する。端子８は上端部
が支持台５の上面に廻り込んで設けられており、ＡΩ電
極４に導電性接着剤で接合されている。１０はシンチレ
ータの光電感光層を形成していない他の全表面に光子が
素子内から漏出しないように形成した絶縁性反射膜でＴ
ｉ ０２ 、 Ｍｇｏ、ＢａＳＯ４等の白色粉末を塗
着したものである。
このような構造のＸ線検出素子は次のような工程で作成
される。所定の寸法に切断したシンチレータ結晶を透明
導電膜２を形成する面を揃えて下向きに保持し、ＩＴＯ
，ＳｎＯ，、ＩｎＯ２等を蒸着させることにより透明導
電膜２を形成する。
される。所定の寸法に切断したシンチレータ結晶を透明
導電膜２を形成する面を揃えて下向きに保持し、ＩＴＯ
，ＳｎＯ，、ＩｎＯ２等を蒸着させることにより透明導
電膜２を形成する。
次にＨ２ガスを添加したＳｉＨ４のガス中に上記結晶を
設置して、同結晶に高周波電圧を印加して、アルモファ
スＳＬ層３を形成させる。同層形成中に少ＩのＢ２ Ｈ
６、ＰＨ１等を順次混入して同層をＰＩＮ型結晶として
整流特性を持たせる。さらに同結晶の上面にＡＪ２を蒸
着させて電Ｉを形成する。このようにして製作された素
子に端子８゜９を設けた支持台５を接合する。この接合
は導電接着剤で端子８とＡＪ２電極４とを電気的に接続
するための接合で、従来素子のシンチレータと光電変換
素子との接合のように、接合の正確さが５度に影響する
ような接合ではないので、作業も比較的楽になる。外部
リード線７を透明導電膜２と端子９にワイヤボンデング
等で接続させる。Ａ Ｊ２Ｔｓ極４と端子８の接続は端
子８を支持台５の上面に設け、支持台５と素子を接合す
る時に同時に接続されるようにする。
設置して、同結晶に高周波電圧を印加して、アルモファ
スＳＬ層３を形成させる。同層形成中に少ＩのＢ２ Ｈ
６、ＰＨ１等を順次混入して同層をＰＩＮ型結晶として
整流特性を持たせる。さらに同結晶の上面にＡＪ２を蒸
着させて電Ｉを形成する。このようにして製作された素
子に端子８゜９を設けた支持台５を接合する。この接合
は導電接着剤で端子８とＡＪ２電極４とを電気的に接続
するための接合で、従来素子のシンチレータと光電変換
素子との接合のように、接合の正確さが５度に影響する
ような接合ではないので、作業も比較的楽になる。外部
リード線７を透明導電膜２と端子９にワイヤボンデング
等で接続させる。Ａ Ｊ２Ｔｓ極４と端子８の接続は端
子８を支持台５の上面に設け、支持台５と素子を接合す
る時に同時に接続されるようにする。
このようにして作成された素子にＸ線が上方から入射さ
れると、Ｘ線は絶縁性反射膜１０を透過してシンチレー
タ結晶に到達する。このシンチレータ結晶１でＸ線は光
子に変換される。この変換された光子をアモルファスＳ
ｔによって電圧信号に変換し、その電圧をＡＪ２電極４
と透明導電膜２の２つの電極によって取出す、なおシン
チレータ内で発生した光子はＡ、Ｒ電極４または絶縁性
反射膜１０によって反射されて、外部に流出しないよう
になっているので、光電変換効率が向上する。
れると、Ｘ線は絶縁性反射膜１０を透過してシンチレー
タ結晶に到達する。このシンチレータ結晶１でＸ線は光
子に変換される。この変換された光子をアモルファスＳ
ｔによって電圧信号に変換し、その電圧をＡＪ２電極４
と透明導電膜２の２つの電極によって取出す、なおシン
チレータ内で発生した光子はＡ、Ｒ電極４または絶縁性
反射膜１０によって反射されて、外部に流出しないよう
になっているので、光電変換効率が向上する。
又、ＡＪ２と導電性接着剤の接続を良好にするため、Ａ
ρ電極４の外部にＣｒ −Ｃｕ −Ａ ｕの電極を蒸着
により形成すると信頼性が向上する。
ρ電極４の外部にＣｒ −Ｃｕ −Ａ ｕの電極を蒸着
により形成すると信頼性が向上する。
ト、効果
本発明によれば、半導体製造技術を用いうるので、高性
能で品質が安定した微小な放射線検出素子が、安価で量
産が可能になった。
能で品質が安定した微小な放射線検出素子が、安価で量
産が可能になった。
第１図は本発明の一実施例の側断面図、第２図は上記正
断面図、第３図は一従来例の正断面図である。 １・・・シンチレータ結晶、２・・・透明導電膜、３・
・・アルモファスＳ１，４・・・Ａρ電極、５支持台、
７・・・外部リード線、８・・・端子、９・・・端子、
１０・・・絶縁性反射膜。
断面図、第３図は一従来例の正断面図である。 １・・・シンチレータ結晶、２・・・透明導電膜、３・
・・アルモファスＳ１，４・・・Ａρ電極、５支持台、
７・・・外部リード線、８・・・端子、９・・・端子、
１０・・・絶縁性反射膜。
Claims (1)
- シンチレータ結晶の底面に透明電極層を形成し、その他
の表面を絶縁性反射膜で覆い、上記電極層上に光電感光
層を形成し、その光電感光層の上面に電極層を形成した
ことを特徴とする放射線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154758A JPS639880A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 放射線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154758A JPS639880A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 放射線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639880A true JPS639880A (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=15591254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154758A Pending JPS639880A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 放射線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639880A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172273A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPS59150358A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-28 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154758A patent/JPS639880A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57172273A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Radiation detector |
| JPS59150358A (ja) * | 1983-02-16 | 1984-08-28 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6414315B1 (en) | Radiation imaging with continuous polymer layer for scintillator | |
| JP3375147B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| US4845363A (en) | Device for detecting radioactive rays | |
| JPS639880A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JPS639879A (ja) | 放射線検出素子 | |
| JPH0677526A (ja) | 樹脂封止形光電変換装置及びその製造方法 | |
| JPH0546709B2 (ja) | ||
| JPS62190776A (ja) | 光電変換装置 | |
| CN112985594B (zh) | 一种频率型光电转换器、装置及方法 | |
| JPH0222872A (ja) | 光センサ装置 | |
| JPS6244532Y2 (ja) | ||
| JPS63243780A (ja) | Ｘ線検出装置 | |
| TWI257710B (en) | Low noise thin photo detector device and fabrication method thereof | |
| CN113098477B (zh) | 一种电流型光电转换器、装置及方法 | |
| JPH04250664A (ja) | 光センサおよびその製造方法 | |
| JPH0945952A (ja) | Ｘ線検出器及び二次元ｘ線センサー・マトリックス・アレイ | |
| JPH0579151B2 (ja) | ||
| Kato et al. | Integrated transducer for color distinction | |
| JPH0294670A (ja) | 光センサー | |
| JPS5893292A (ja) | 半導体放射線検出器の製造方法 | |
| JPS6177375A (ja) | カラ−センサ | |
| JPS6012777A (ja) | 光導電素子 | |
| JPS60140879A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58170082A (ja) | フオトカプラ装置 | |
| JP2000241554A (ja) | 放射線検出器 |