JPS6377376A - Overcurrent protective system - Google Patents

Overcurrent protective system

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Publication number
JPS6377376A
JPS6377376A JP22087786A JP22087786A JPS6377376A JP S6377376 A JPS6377376 A JP S6377376A JP 22087786 A JP22087786 A JP 22087786A JP 22087786 A JP22087786 A JP 22087786A JP S6377376 A JPS6377376 A JP S6377376A
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JP
Japan
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voltage
transistor
capacitor
resistor
overcurrent
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Application number
JP22087786A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeji Nakamichi
中道 武治
Yasuo Watanabe
泰夫 渡辺
Shinsuke Shiraki
白木 伸介
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PFU Ltd
Original Assignee
PFU Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6377376A publication Critical patent/JPS6377376A/en
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Abstract

PURPOSE:To inhibit the value of overcurrents, and to contract the maximum current standards of each device by providing a control means focussing the operating point of overcurrent protection at a point without being subject to the effect of input voltage. CONSTITUTION:Voltage proportional to input voltage is generated in a capacitor C1, and voltage proportional to output voltage through a coil 33 is generated in a capacitor C2. These voltage is applied to resistors R2, R3 and a control means for a Zener diode DZ1, thus adjusting base voltage where a transistor Q2 is brought to an ON state. Accordingly, a current value under the state of overcurrents is reduced to a drooping type without being subject to the effect of input voltage, thus focussing the operating point of overcurrent protection at a point.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概  要〕 本発明はトランジスタのスイッチングにより一次側の直
流入力を変圧器により絶縁された二次側の直流電圧に変
換するDC−DCコンバータの一つであるリンギングチ
ョークコンバータ(RCC)の電源回路−にかかり、特
に、出力電流の過電流時において入力電圧の変動に影響
せずに正常時の出力電圧値から前記過電流の動作点にお
ける低電圧まで過電流の電流値が増加しないまま減少さ
せる過電流保護方式に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a ringing choke, which is a type of DC-DC converter that converts a DC input on the primary side into a DC voltage on the secondary side isolated by a transformer by switching transistors. The overcurrent current applied to the power supply circuit of the converter (RCC) is increased from the normal output voltage value to the low voltage at the overcurrent operating point without affecting input voltage fluctuations, especially when the output current is overcurrent. This invention relates to an overcurrent protection method that reduces the value without increasing it.

RCC方式のコンバータでは、一般に一次側のスイッチ
ング用のトランジスタがオンの時、二次側のコイルに電
圧を発生させ、これを平滑化して出力電圧を得る。この
とき、前記トランジスタのコレクタ・エミッタ間に流れ
た電流がエミッタに接続された抵抗に流れることにより
電圧に変わる。この電圧により前記トランジスタのベー
ス電流を制御し、コレクタ電流がある一定値以上に増加
したとき、前記トランジスタをオフさせる過電流保護方
式が利用される。
In an RCC type converter, generally when a switching transistor on the primary side is turned on, a voltage is generated in a coil on the secondary side, and this is smoothed to obtain an output voltage. At this time, the current flowing between the collector and emitter of the transistor flows through a resistor connected to the emitter and is converted into a voltage. An overcurrent protection method is used in which the base current of the transistor is controlled by this voltage and the transistor is turned off when the collector current increases above a certain value.

本発明では、入力直流電圧に比例した電圧を第1のコン
デンサに発生させ、出力電圧に比例した電圧を第2のコ
ンデンサに発生させる。そして入力電圧が、上昇または
減少した場合に、前記第1のコンデンサの電圧を上昇ま
たは減少させその変動電圧により、過電流時に前記トラ
ンジスタに流れるコレクタ電流の変動を小さくする制御
手段を抵抗とツェナーダイオードを用いて形成している
In the present invention, a voltage proportional to the input DC voltage is generated in the first capacitor, and a voltage proportional to the output voltage is generated in the second capacitor. A resistor and a Zener diode are used as control means for increasing or decreasing the voltage of the first capacitor when the input voltage increases or decreases, and using the fluctuating voltage to reduce fluctuations in the collector current flowing through the transistor at the time of overcurrent. It is formed using

この制御手段により入力電圧の変動に無関係に過電流時
の動作点を一点にしぼり込むことが可能となる。
This control means makes it possible to narrow down the operating point at the time of overcurrent to one point, regardless of fluctuations in input voltage.

本発明は入力電圧の変動に無関係に過電流の動作点を一
点にしぼりこむことにより、過電流の値を抑制でき、各
ディバイスにおける最大電流規格を小さくすることがで
き、各ディバイスとして小型なものを使用できる。そし
て、全体の電流も小さくできるので、熱の発生量も小さ
く、従って、小型な放熱板等を利用でき、実装的にも小
型の電源を構成できるという効果がある。
By confining the overcurrent operating point to one point regardless of input voltage fluctuations, the present invention can suppress the overcurrent value, reduce the maximum current specification for each device, and make each device smaller. can be used. In addition, since the overall current can be reduced, the amount of heat generated is also small, and therefore a small heat sink etc. can be used, and there is an effect that a compact power supply can be constructed in terms of packaging.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はトランジスタのスイッチングにより直流入力を
絶縁された他の直流電圧に変換するDC−DCコンバー
タの一種であるリンギングチョーク(RCC’)の回路
構成に係る。そして、特に、出力を短絡され出力電流が
過電流状態になった場合、その過電流の値を抑制し、過
電流保護の動作点を入力電圧の変動の影響を受けずに一
点に巻き込むことを可能とする過電流保護方式に関する
The present invention relates to a circuit configuration of a ringing choke (RCC'), which is a type of DC-DC converter that converts a DC input into an isolated DC voltage by switching transistors. In particular, when the output is short-circuited and the output current becomes overcurrent, it is possible to suppress the overcurrent value and keep the overcurrent protection operating point at a single point without being affected by input voltage fluctuations. This invention relates to an overcurrent protection method that makes it possible.

〔従 来 技 術〕[Traditional technique]

入力電源として直流電源を使う場合、あるいは、はパー
ソナルコンピュータ、マイクロコンピュータ、ミニコン
ピユータ等において集積回路素子への直流電圧の電力供
給の場合、100Vの交流電圧を一度高い直流電圧に変
換し、トランジスタのスイッチングによりその直流電圧
を変換器を介して他の直流電圧に変換するDC−DCコ
ンバータが利用される。このDC−DCコンバータはト
ランジスタのスイッチングにより高い直流電圧を瞬間約
に交流電圧に変換した後、変圧器を用いて二次側に変圧
し、整流平滑化するものである。このコンバータは、変
圧器が利用できるので一次側と二次側が直流的に絶縁さ
れるばかりでなく、変圧器の巻き数を適当に選択するこ
とにより任意の電圧に変換できる利点がある。さらにト
ランジスタのオンかオフの状態で使用するため、損失も
少なく、効率も一般的に高い。半導体技術の進歩により
スイッチング用のトランジスタは高速で高耐圧化され、
大電流のパワートランジスタも周波数が高く、大容量で
小型化なものが実用化されている。DC−DCコンバー
タの基本回路にはプッシュプル型やハーフブリッジある
いはフルブリッジ型等のいろいろなものがあるが、リン
ギングチョーク(RCC)方式は極めて簡単な回路であ
るという利点を持つ。しかし、一般にこのRCC方式は
出力の電流変動による電圧変化があるため、負荷変動の
大きい場合には低電圧精度がやや悪いという欠点を有し
ている。
When using a DC power source as an input power source, or when supplying DC voltage to integrated circuit elements in personal computers, microcomputers, minicomputers, etc., the 100V AC voltage is first converted to a high DC voltage, and then the transistor A DC-DC converter is used that converts the DC voltage into another DC voltage via a converter by switching. This DC-DC converter instantaneously converts a high direct current voltage into an alternating current voltage by switching transistors, then transforms the voltage to the secondary side using a transformer, and performs rectification and smoothing. Since this converter can use a transformer, it has the advantage that not only the primary side and the secondary side are DC isolated, but also that it can convert to any voltage by appropriately selecting the number of turns of the transformer. Furthermore, because the transistor is used with the transistor on or off, there is little loss and the efficiency is generally high. Advances in semiconductor technology have made switching transistors faster and with higher voltage resistance.
High-current power transistors also have high frequencies, large capacity, and miniaturized transistors that have been put into practical use. There are various basic circuits of DC-DC converters, such as push-pull type, half-bridge type, and full-bridge type, but the ringing choke (RCC) type has the advantage of being an extremely simple circuit. However, in general, this RCC method has a drawback that low voltage accuracy is somewhat poor when load fluctuations are large, since voltage changes occur due to output current fluctuations.

第9図は従来のRCC型の過電流保護方式に従う回路で
ある。
FIG. 9 shows a circuit according to the conventional RCC type overcurrent protection system.

端子2は零電位であり、交流電圧からAC−DCコンバ
ータを介して、例えば130 Vの直流電圧が端子1に
供給される。トランジスタQ1はスイッチング用のトラ
ンジスタである。トランジスタQ、がオンしている状態
では変圧器3の一次側のコイル30を介して、NPN 
)ランジスタQ、のコレクタからエミッタに電流が流れ
る。トランジスタQ、がオン時に磁気エネルギーが変圧
器3の鉄心32に蓄積され、二次側のダイオード4によ
り半波整流された電圧が平滑コンデンサ5により一定な
直流電圧に変換され、出力負荷抵抗6に供給される。ト
ランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間に電流が流れる
とエミッタ側に接続された抵抗RflETの接地端子で
ない他端A点に電圧が発生する。A点はNPNトランジ
スタQ2のベースに抵抗20を介して接続され、トラン
ジスタQ2のエミッタは接地点2に接続されているため
、A点に発生した電圧によりトランジスタQ2のベース
電圧がベース・エミッタ間電圧降下VBE(0,6ボル
ト〜0.8ボルト)になれば、トランジスタQ2はアク
ティブ状態または飽和状態になる。出力の負荷抵抗6が
ある大きさを持ち、負荷抵抗6に正常な直流電圧(例え
ば5V)を充分供給している場合には、A点に発生され
た電圧はそれほど大きくはなく、トランジスタQzはオ
フ状態となっている。この場合には、トランジスタQ、
がオン状態に変圧器3の一次側に接続されたコイル33
から検出される電圧によりコンデンサCを介してトラン
ジスタQ、のベース電流が制御される。そしてトランジ
スタQ、のコレクタ電流がある値以上増加すると、トラ
ンジスタQ、がオフとなり、変圧器3に蓄積された磁気
エネルギーが二次側のコイル31を介して放出される。
Terminal 2 is at zero potential, and a DC voltage of, for example, 130 V is supplied to terminal 1 from an AC voltage via an AC-DC converter. Transistor Q1 is a switching transistor. When the transistor Q is on, the NPN
) Current flows from the collector to the emitter of transistor Q. When the transistor Q is on, magnetic energy is accumulated in the iron core 32 of the transformer 3, and the voltage half-wave rectified by the diode 4 on the secondary side is converted to a constant DC voltage by the smoothing capacitor 5, and the voltage is applied to the output load resistor 6. Supplied. When a current flows between the collector and emitter of the transistor Q, a voltage is generated at the other end, point A, which is not the ground terminal of the resistor RflET connected to the emitter side. Since point A is connected to the base of NPN transistor Q2 via resistor 20, and the emitter of transistor Q2 is connected to ground point 2, the voltage generated at point A causes the base voltage of transistor Q2 to become the base-emitter voltage. As VBE drops (0.6 volts to 0.8 volts), transistor Q2 becomes active or saturated. If the output load resistance 6 has a certain size and a sufficient normal DC voltage (for example, 5V) is supplied to the load resistance 6, the voltage generated at point A is not so large, and the transistor Qz It is in the off state. In this case, the transistor Q,
The coil 33 connected to the primary side of the transformer 3 is turned on.
The base current of the transistor Q is controlled via the capacitor C by the voltage detected from the capacitor C. When the collector current of the transistor Q increases beyond a certain value, the transistor Q is turned off and the magnetic energy stored in the transformer 3 is released via the secondary coil 31.

このように、正常に動作している場合には、トランジス
タQ1のオン、オフは一定な周期毎に繰り返す。
In this manner, when operating normally, the transistor Q1 is turned on and off at regular intervals.

ところが、負荷抵抗6の値が非常に小さく、出力が短絡
状態になった場合には、二次側の回路において負荷抵抗
6に過電流が流れる。この過電流は二次側のコイル31
か゛ら磁気エネルギーとじて一次側のコイル30に伝わ
り、二次側の過電流に対応する電流が発生し、この電流
がトランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間に流れる。
However, if the value of the load resistor 6 is very small and the output is short-circuited, an overcurrent will flow through the load resistor 6 in the secondary circuit. This overcurrent is caused by the secondary coil 31
The magnetic energy is transmitted to the coil 30 on the primary side, and a current corresponding to the overcurrent on the secondary side is generated, and this current flows between the collector and emitter of the transistor Q.

この電流によりA点の電圧は正常時の電圧に比べてかな
り高い値となる。この電圧は、トランジスタQ2のベー
スに抵抗20を介して供給されるため、トランジスタQ
2がオン状態となる。トランジスタQ2がオン状態にな
ると、トランジスタQ2のコレクタには端子1から抵抗
21を介して電流がながれコレクタ電位が低くなる。そ
して、このコレクタはトランジスタQ1のベースに接続
されているため、トランジスタQ、のベース電圧が下が
り、トランジスタQ、が強制的にオフ状態になる。トラ
ンジスタQlがオフ状態になると、コレクタ・エミッタ
間には電流が流れなくなり、A点の電位は0■に下がる
。A点の電位がO■に下がると、トランジスタQ2のベ
ース電圧がVB!よりも低くなり、トランジスタQ2が
オフ状態となる。トランジスタQ2がオフ状態になると
トランジスタQ。
Due to this current, the voltage at point A becomes a much higher value than the normal voltage. This voltage is supplied to the base of transistor Q2 through resistor 20, so transistor Q
2 is turned on. When the transistor Q2 is turned on, a current flows to the collector of the transistor Q2 from the terminal 1 through the resistor 21, and the collector potential becomes low. Since this collector is connected to the base of the transistor Q1, the base voltage of the transistor Q is lowered, and the transistor Q is forcibly turned off. When the transistor Ql is turned off, no current flows between the collector and emitter, and the potential at point A drops to 0. When the potential at point A drops to O■, the base voltage of transistor Q2 becomes VB! , and the transistor Q2 is turned off. When transistor Q2 turns off, transistor Q.

のベース電圧が上がるためトランジスタQ、がオン状態
になる。Q、がオンが状態になれば、A点の電位が上が
り、Qtがオン状態となる。従って、出力の負荷抵抗6
が0すなわち出力が短絡状態まで過電流が流れ、その間
は、トランジスタQ1とQtは一方がオンのとき他方が
オフになるようにオン、オフを繰り返すことになる。こ
のオン、オフの操り返しにより負荷抵抗6に供給してい
る出力電圧は徐々に下がることになる。すなわち、従来
方式の過電流方式では、過電流の状態では、トランジス
タQ2をオンさせることによりトランジスタQ1をオフ
させ、トランジスタQ、に流れるコレクタ電流を抑制す
るが、Qlを常にオフ状態にするのではなく、オン、オ
フを繰り返しながら過電流の保護を行っている。従って
、従来の過電流保護方式に従う回路の二次側の出力電圧
と出力電流の特性は第10図に示すようになる。負荷抵
抗6がある値をもっている場合には出力電圧は正常な5
■を保っているが、負荷抵抗6が小さくなると、過電流
状態になり、出力が短絡状態になるまで、過電流が徐々
に増えながら出力電圧が徐々に落ちるような特性となる
。さらに、この従来の過電流保護方式に従う第9図の回
路において、端子1.2の間に供給される直流電圧に変
換される前の交流電圧(A C)に多少の変動があり、
例えば、100vから90Vに下がったり、110■に
上がった場合には、第10図に示すように、入力の変動
によって出力の電圧電流特性が異なる開きを生じる。特
に、負荷抵抗6が0オームになり、出力が短絡状態にな
った究極点において、この開きは大きく、過電流保護の
動作点すなわち出力が短絡状態になった究極の動作点が
入力の変動の影響を受ける。
Since the base voltage of Q increases, the transistor Q turns on. When Q is turned on, the potential at point A increases and Qt is turned on. Therefore, the output load resistance 6
An overcurrent flows until the output is 0, that is, the output is short-circuited, and during that time, the transistors Q1 and Qt are repeatedly turned on and off so that when one is on, the other is off. By repeating this turning on and off, the output voltage supplied to the load resistor 6 gradually decreases. That is, in the conventional overcurrent method, in an overcurrent state, transistor Q1 is turned off by turning on transistor Q2, and the collector current flowing through transistor Q is suppressed. However, it is not possible to keep Ql in an off state all the time. It protects against overcurrent by repeatedly turning on and off. Therefore, the characteristics of the output voltage and output current on the secondary side of the circuit according to the conventional overcurrent protection method are as shown in FIG. If the load resistance 6 has a certain value, the output voltage will be normal 5.
However, when the load resistance 6 becomes smaller, an overcurrent state occurs, and the output voltage gradually decreases while the overcurrent gradually increases until the output becomes short-circuited. Furthermore, in the circuit of FIG. 9 according to this conventional overcurrent protection method, there is some variation in the alternating current voltage (A
For example, when the voltage drops from 100V to 90V or rises to 110V, as shown in FIG. 10, the voltage-current characteristics of the output vary depending on the fluctuation of the input. In particular, at the ultimate point where the load resistance 6 becomes 0 ohm and the output becomes short-circuited, this difference is large, and the operating point of the overcurrent protection, that is, the ultimate operating point where the output becomes short-circuited, is due to input fluctuations. to be influenced.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このように、従来の過電流保護方式に従う回路ではトラ
ンジスタQ2をオン状態にすることによりトランジスタ
Q、をオフさせ、過電流を抑制するが、その後、トラン
ジスタQ、及びQtがオンとオフを繰り返しながら過電
流の保護を行うため、二次側の出力電圧と出力電流の過
電流状態での特性は、過電流が増えながら出力電圧が落
ちる形となり、究極の過電流保護の動作点において、入
力の変動によりその特性が異なる。そのため、結果とし
て、過電流値が大きく、しかも入力電圧の変動の影響を
受けることになり、各ディバイスとして電流規格の大き
なものが必要となる。このことは、各ディバイスの大き
さを小さくすることができず、また全体の電流も大きく
熱の発生により大きな放熱板等が必要になることを意味
する。従って、実装技術としても大きな電源となる欠点
を有していた。本発明はこのような従来の欠点を除去し
、入力電圧の変動に無関係に過電流保護の動作点を一点
に絞り込み、さらに、過電流時における出力電圧と出力
電流の特性を垂下型にすることを可能とする過電流保護
方式を提供する。
In this way, in a circuit that follows the conventional overcurrent protection method, by turning on transistor Q2, transistor Q is turned off and overcurrent is suppressed. To provide overcurrent protection, the characteristics of the output voltage and output current on the secondary side in an overcurrent state are such that the output voltage drops while the overcurrent increases, and at the ultimate overcurrent protection operating point, the input voltage Its characteristics differ depending on the fluctuation. As a result, the overcurrent value is large and is affected by input voltage fluctuations, so each device needs to have a large current rating. This means that the size of each device cannot be reduced, and that the overall current is large and that a large heat sink or the like is required due to the generation of heat. Therefore, as a mounting technology, it has the disadvantage of requiring a large power supply. The present invention eliminates such conventional drawbacks, narrows down the operating point of overcurrent protection to one point regardless of input voltage fluctuation, and further makes the characteristics of output voltage and output current drooping at the time of overcurrent. Provides an overcurrent protection method that enables

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の過電流保護方式に従う回路を第1図に示す。第
1図の回路において、トランジスタQI。
A circuit according to the overcurrent protection method of the present invention is shown in FIG. In the circuit of FIG. 1, transistor QI.

Qtは第9図に示される従来の過電流保護方式に従う回
路のトランジスタQ、、Q2にそれぞれ対応する。同様
に、コイル33及びコンデンサCも第1図のコイル33
とコンデンサCに対応する。
Qt corresponds to transistors Q, , Q2 of the circuit according to the conventional overcurrent protection scheme shown in FIG. 9, respectively. Similarly, the coil 33 and capacitor C are also connected to the coil 33 in FIG.
and corresponds to capacitor C.

このような従来の回路に加えて、本発明では、直流電圧
に比例した電圧を発生する第1のコンデンサCIと、コ
イル33を介して出力電圧に比例した電圧を発生する第
2のコンデンサC2と、トランジスタQ2がオン状態に
なった場合にオフする2つのダイオードD、、D、と、
人力の電圧が上昇または減少した場合に前記第1のコン
デンサC1の電圧を上昇または減少させ、その変動電圧
により過電流時におけるQtのコレクタ電流の変動を小
さくするために挿入された抵抗R2とツェナーダイオー
ドDZ、が存在する。更に、過電流状態でない場合には
、ある値の出力電圧を保持するコンデンサC2の一端α
の負電位とA点の正電位との分割電位をトランジスタQ
2のベースに与え、過電流時において出力電圧が減少し
た場合にはその分割電位が小さくなるように回路が動作
するために抵抗R3が付加される。すなわち、本発明で
は抵抗R2+ ツェナーダイオードDZ、、抵抗R1に
よりトランジスタQ2がオン状態になるべきベース・エ
ミッタ間電圧VIIEに達するためのA点の電圧を調整
し、入力電圧の影響を受けずに過電流保護の動作点を一
点に絞り込む制御手段を形成する。
In addition to such a conventional circuit, the present invention includes a first capacitor CI that generates a voltage proportional to the DC voltage, and a second capacitor C2 that generates a voltage proportional to the output voltage via the coil 33. , two diodes D, , D, which turn off when transistor Q2 turns on,
A resistor R2 and a zener are inserted to increase or decrease the voltage of the first capacitor C1 when the voltage of the human power increases or decreases, and to reduce the fluctuation of the collector current of Qt at the time of overcurrent due to the fluctuating voltage. There is a diode DZ. Furthermore, when there is no overcurrent state, one end α of the capacitor C2 that holds the output voltage at a certain value
The divided potential of the negative potential of point A and the positive potential of point A is divided by the transistor Q
The resistor R3 is added in order to operate the circuit so that the divided potential becomes smaller when the output voltage decreases during overcurrent. That is, in the present invention, the voltage at point A is adjusted by resistor R2 + Zener diode DZ, and resistor R1 to reach the base-emitter voltage VIIE that should turn on transistor Q2, and the voltage at point A is adjusted to reach the voltage VIIE between the base and emitter that should turn on transistor Q2. A control means is formed to narrow down the operating point of current protection to one point.

〔作   用〕[For production]

本発明は、第1図の回路において、コンデンサC2には
入力電圧に比例した電圧を発生させ、コンデンサC2に
は出力電圧に比例した電圧を発生させ、これらの電圧を
抵抗R2、ツェナーダイオードDZ、及び抵抗R3の制
御手段に与えることよりトランジスタQ2をオン状態に
するベース電圧を調整し、第2図の出力特性に示すよう
に、入力電圧の影響を受けずに、過電流状態での電流値
を垂下型に減少させ、しかも、過電流保護の動作点Pを
一点に絞り込む。
In the circuit shown in FIG. 1, the present invention generates a voltage proportional to the input voltage in the capacitor C2, generates a voltage proportional to the output voltage in the capacitor C2, and connects these voltages to the resistor R2, the Zener diode DZ, and the control means of resistor R3 to adjust the base voltage that turns on transistor Q2, and as shown in the output characteristics in Figure 2, the current value in the overcurrent state is adjusted without being affected by the input voltage. To reduce the overcurrent protection to a drooping type, and narrow down the operating point P of overcurrent protection to one point.

〔実  施  例〕〔Example〕

次に本発明の過電流保護方式に従う回路を図面を参照し
て説明する。
Next, a circuit according to the overcurrent protection method of the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は、本発明の過電流保護方式に従う制御回路の構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a control circuit according to the overcurrent protection method of the present invention.

まず、第3図を用いて、入力電圧の変動に無関係に過電
流保護の動作点を一点Pに絞り込むために挿入された抵
抗R1とツェナーダイオードD Z +の働きを説明す
る。第3図は第1図の回路のトランジスタQ、及びQ2
の周囲の回路である。トランジスタQ、のエミンタ端子
をA点、出力電圧に比例した電圧を保持するコンデンサ
C2の接地点2でない他端をαとし、入力電圧に比例し
た電圧を保持するコンデンサC1の接地点2でない、他
端をβとして第3図に示されている。そして、A点と接
地点2には、抵抗RDI?が接続され、A点とトランジ
スタQ2のベースとの間に抵抗R2が接続されている。
First, with reference to FIG. 3, the functions of the resistor R1 and Zener diode D Z + inserted to narrow down the operating point of overcurrent protection to one point P regardless of input voltage fluctuations will be explained. Figure 3 shows transistors Q and Q2 of the circuit in Figure 1.
This is the circuit around the . The emitter terminal of transistor Q is point A, the other end of capacitor C2 that holds a voltage proportional to the output voltage, which is not ground point 2, is α, and the other end of capacitor C1, which holds a voltage proportional to the input voltage, is not ground point 2, etc. The end is shown in FIG. 3 as β. And between point A and ground point 2, there is a resistor RDI? A resistor R2 is connected between the point A and the base of the transistor Q2.

そのベース端子とβ点との間に抵抗RXとツェナーダイ
オードDZ、の直列回路が接続されている。また、トラ
ンジスタQ2のベースとα点には抵抗R1が接続されて
いる。
A series circuit of a resistor RX and a Zener diode DZ is connected between the base terminal and point β. Further, a resistor R1 is connected between the base of the transistor Q2 and the point α.

従来の回路では、第9図に示すように、R2とR3の抵
抗もなければツェナーダイオードDZ。
In the conventional circuit, as shown in FIG. 9, if there are no resistors R2 and R3, there is a Zener diode DZ.

もない。抵抗R1はあるが、抵抗R2とツェナーダイオ
ードDZ、かない場合には、出力の負荷抵抗が小さくな
り、過電流状態に入った場合には、過電流時における出
力特性は第4図に示すように、右にずれる。このことを
まず説明する。
Nor. There is a resistor R1, but if the resistor R2 and Zener diode DZ are not present, the output load resistance will be small, and if an overcurrent condition occurs, the output characteristics during overcurrent will be as shown in Figure 4. , shift to the right. This will be explained first.

このような回路では、抵抗R2とツェナーダイオードD
Z、がないので、第3図の回路において、入力電圧に比
例した電圧はトランジスタQ2のベース電圧に帰還され
ない。今、出力電力が一定とすれば、変圧器3の一次側
と二次側の電力は必ず等しいので、もし、入力電圧が上
昇すれば、電カ一定であるためには、変圧器3の一次側
のコイル30に流れる電流■は小さくなる。すなわち、
入力電圧が、例えば、ioo vから110■に上昇し
た場合に、電流■は小さくなる。この電流■はトランジ
スタQ1のエミッタ側に接続された抵抗RDtTに与え
られのでA点の電圧は小さくなる。すると、トランジス
タQ2のベース電圧は小さくなるので、トランジスタQ
2がオン状態に進む速度が遅くなる。トランジスタQ2
がまだオフ状態であるということはトランジスタQ、が
オン状態であるので、入力電圧が上昇したとき、Q、が
オフ状態に進む速度が遅い分だけトランジスタQ、に流
れるコレクタ電流Iを抑えるることができない。従って
、出力側の電流も抑える ことができず、過電流時にお
いては、第4図に示すように、入力電圧が上昇すると、
・過電流点が右にずれることになる。すなわち、入力電
圧が100Vの時の過電流保護の動作点をPとすれば、
入力電圧が110vに上昇した場合には、過電流保護の
動作点はP′で、このP′はPよりも右にずれる。
In such a circuit, resistor R2 and Zener diode D
Since Z is absent, in the circuit of FIG. 3, a voltage proportional to the input voltage is not fed back to the base voltage of transistor Q2. Now, if the output power is constant, the power on the primary and secondary sides of the transformer 3 is always equal, so if the input voltage increases, in order to keep the power constant, the power on the primary side of the transformer 3 must be equal. The current () flowing through the side coil 30 becomes smaller. That is,
When the input voltage increases from, for example, ioo v to 110 s, the current s becomes small. Since this current (2) is applied to the resistor RDtT connected to the emitter side of the transistor Q1, the voltage at point A becomes small. Then, the base voltage of transistor Q2 becomes smaller, so transistor Q
2 progresses to the on state at a slower rate. Transistor Q2
The fact that it is still in the off state means that the transistor Q is in the on state, so when the input voltage rises, the collector current I flowing through the transistor Q is suppressed by the slow speed at which Q goes to the off state. I can't. Therefore, the current on the output side cannot be suppressed, and in the event of overcurrent, as shown in Figure 4, when the input voltage increases,
・The overcurrent point will shift to the right. In other words, if the operating point of overcurrent protection when the input voltage is 100V is P, then
When the input voltage increases to 110V, the operating point of the overcurrent protection is P', and this P' is shifted to the right of P.

第4図の出力特性の曲線は抵抗R1の存在によりすでに
過電流値における曲線が内側に巻き込む形になっている
が、R2とツェナーダイオードDZI及びR3がない従
来の回路では、入力電圧が上昇した場合に過電流が右に
ずれるばかりでなく、出力特性は第10図に示すように
、右斜め下に順次下がる曲線となる。
The output characteristic curve in Figure 4 already has a shape in which the curve at the overcurrent value wraps inward due to the presence of the resistor R1, but in the conventional circuit without R2 and the Zener diodes DZI and R3, the input voltage increases. In this case, not only does the overcurrent shift to the right, but the output characteristic becomes a curve that gradually descends diagonally downward to the right, as shown in FIG.

本発明では、同じ第3図に示すように、抵抗R2とツェ
ナーダイオードDZ、及び抵抗R3が挿入されている。
In the present invention, as shown in FIG. 3, a resistor R2, a Zener diode DZ, and a resistor R3 are inserted.

これらの素子の挿入により、第2図または第5図の出力
特性に示すように、過電流保護の動作点が入力電圧の変
動に無関係に一点Pに絞り込むことができる。すなわち
、本発明では、第1のコンデンサCIの一端のβ点に入
力電圧に比例した電圧を発生させ、コンデンサC2には
出力電圧に比例した電圧をα点に発生し、これらの電圧
を抵抗Rz、ツェナーダイオードDZ+及び抵抗R3に
よりトランジスタQ2のベース電圧に帰還させ、その量
を調整することにり、入力電圧の影響を受けずにしかも
過電流保護の動作点Pに向かって過電流の特性を一点に
絞り込むことが可能となる。この場合、抵抗R2と、ツ
ェナーダイオードDZ、の働きは主に負荷が短絡状態に
なった究極の点即ち過電流保護の動作点Pが入力電圧の
変動に無関係に一点に絞り込むように制御し、抵抗R1
は過電流に入る前の電流値に比べて、過電流に入って究
極の過電流保護の動作点Pになるまでの過電流の値が小
さくなり、出力特性が過電流状態において内側に巻き込
むように制御する。
By inserting these elements, the operating point of overcurrent protection can be narrowed down to one point P, regardless of input voltage fluctuations, as shown in the output characteristics of FIG. 2 or FIG. 5. That is, in the present invention, a voltage proportional to the input voltage is generated at the point β at one end of the first capacitor CI, a voltage proportional to the output voltage is generated at the α point in the capacitor C2, and these voltages are connected to the resistor Rz. By feeding back the voltage to the base voltage of the transistor Q2 using the Zener diode DZ+ and the resistor R3 and adjusting the amount, the overcurrent characteristics can be adjusted toward the operating point P of the overcurrent protection without being affected by the input voltage. It becomes possible to narrow it down to one point. In this case, the function of the resistor R2 and the Zener diode DZ is mainly controlled so that the ultimate point at which the load becomes short-circuited, that is, the operating point P of overcurrent protection, is narrowed down to one point regardless of input voltage fluctuations. Resistance R1
Compared to the current value before entering the overcurrent, the value of the overcurrent until it reaches the ultimate overcurrent protection operating point P is smaller, and the output characteristics are such that it curls inward in the overcurrent state. to control.

まず、抵抗R2とツェナーダイオードDZ+の働きによ
り、入力電圧が変動しても過電流保護の動作点Pが一点
に絞り込む理由を以下に説明する。
First, the reason why the operating point P of the overcurrent protection is narrowed down to one point even if the input voltage fluctuates due to the function of the resistor R2 and the Zener diode DZ+ will be explained below.

第3図の回路において、点βの電圧V3は入力電圧に比
例した電圧で第1のコンデンサC1の一端βに発生した
電圧である。今、入力電圧が100■から110vに上
昇した場合を考える。入力電圧が上昇すれば、当然その
入力電圧に比例した電圧であるV3は上昇する。電圧V
3により、抵抗R2とツェナーダイオードDZ、には電
流が流れる。
In the circuit of FIG. 3, the voltage V3 at point β is a voltage proportional to the input voltage and is the voltage generated at one end β of the first capacitor C1. Now, consider the case where the input voltage increases from 100V to 110V. If the input voltage increases, V3, which is a voltage proportional to the input voltage, naturally increases. Voltage V
3, a current flows through the resistor R2 and the Zener diode DZ.

この場合、ツェナーダイオードD Z + の両端はツ
ェナーダイオードの働きにより一定電圧である。
In this case, both ends of the Zener diode D Z + are at a constant voltage due to the action of the Zener diode.

今、トランジスタQ2がオン状態になった時のベース電
圧をvIIEとする。入力電圧が上昇し、■3が上昇す
ればトランジスタQ2のベース電圧も上昇する。従って
、入力電圧が上昇した場合には、トランジスタQ2がオ
ン状態になる速度は速(なる。、トランジスタQ2がオ
ン状態になると、トランジスタQ1がオフ状態になって
、Q、に流れる電流Iが小さくなる。すると、A点の電
圧V、が小さくなり、トランジスタQ2のベース電圧が
下がる。即ち、入力電圧が上昇すれば、トランジスタQ
2のベース電圧が上昇するが、Q、がオフ状態になるこ
とにより、Q2のベース電圧が下がることになる。しか
し、そのトランジスタQ2のベース電圧が下がった分は
実は、入力電圧の上昇によって補正されている。結果と
して、入力に変動電圧があっても、過電流時のトランジ
スタQ1に流れるコレクタ電流Iの変動を小さくする。
Now, let vIIE be the base voltage when transistor Q2 is turned on. When the input voltage increases and (3) increases, the base voltage of the transistor Q2 also increases. Therefore, when the input voltage increases, the speed at which transistor Q2 turns on becomes faster. When transistor Q2 turns on, transistor Q1 turns off, and the current I flowing through Q becomes smaller. Then, the voltage V at point A decreases, and the base voltage of transistor Q2 decreases.In other words, if the input voltage increases, the voltage V at point A decreases.
The base voltage of Q2 increases, but as Q is turned off, the base voltage of Q2 decreases. However, the decrease in the base voltage of transistor Q2 is actually compensated for by the increase in input voltage. As a result, even if there is a fluctuating voltage at the input, fluctuations in the collector current I flowing through the transistor Q1 at the time of overcurrent are reduced.

本発明では、入力端子が100■から110■に上昇し
ても、トランジスタQ2をオンさせるためのベース電圧
VB!にする速度は、入力電圧が100vの場合と変わ
らない。このことは、入力電圧が100Vから90Vに
下がった場合でも同様で、入力電圧が下がった場合には
、v3が下がり、トランジスタQ2のベース電位が下が
りトランジスタQlがオン状態になり、A点の電位が上
がる。この上がった電位によりトランジスタQ2のベー
ス電位が上がるが入力電圧の減少によりキャンセルされ
る。従って、入力電圧が100Vから90Vに下がった
場合でも、トランジスタQ2がオン状態になるためのベ
ース電位■1までの速度は、本発明では、入力の電圧が
100■、90V、110■の場合すべて同じとなる。
In the present invention, even if the input terminal voltage increases from 100■ to 110■, the base voltage VB! to turn on the transistor Q2! The speed at which the input voltage is applied is the same as when the input voltage is 100V. This is the same even when the input voltage drops from 100V to 90V. When the input voltage drops, v3 drops, the base potential of transistor Q2 drops, and transistor Ql turns on, and the potential at point A goes up. This increased potential causes the base potential of transistor Q2 to rise, but this is canceled by the decrease in input voltage. Therefore, even if the input voltage drops from 100V to 90V, the speed at which the transistor Q2 reaches the base potential 1 for turning on is as follows: It will be the same.

このことを、出力特性でみれば、第2図または第5図に
示すように、入力電圧が90Vや110■の場合でも、
100Vの場合と同じように過電流保護の動作点Pは一
点で交わることを意味している。以上、説明したように
、抵抗R2とツェナーダイオードDZ、の働きは、入力
電圧の変動を抑えるためのものである。
If we look at this in terms of output characteristics, as shown in Figure 2 or Figure 5, even when the input voltage is 90V or 110V,
This means that the operating points P of overcurrent protection intersect at one point, as in the case of 100V. As explained above, the function of the resistor R2 and the Zener diode DZ is to suppress fluctuations in the input voltage.

第2図あるいは第5図に示すように入力電圧が90V、
100V、あるいは110 V(7)それぞれにおいて
、過電流状態の電流最大値に比べて過電流保護の動作点
Pに対応する過電流値が小さく、出力特性が内側に絞り
こまれる理由は抵抗R5の働きによる。このことを、第
6図、第7図及び第8図を用いて次に説明する。
As shown in Figure 2 or Figure 5, the input voltage is 90V,
At 100 V or 110 V (7) respectively, the overcurrent value corresponding to the overcurrent protection operating point P is smaller than the maximum current value in the overcurrent state, and the reason why the output characteristics are narrowed inward is due to the resistance R5. By works. This will be explained next using FIGS. 6, 7, and 8.

第6図と第7図は同じ回路構成であるが、第6図におい
ては、出力負荷抵抗6がある値を持っており、過電流保
護の動作点Pに入る前の過電流状態であり、出力電圧が
過電流保護の動作点Pに対応する低い出力電圧になる前
の状態である。この状態では、出力電圧は0ではない値
を持っているものとする。
6 and 7 have the same circuit configuration, but in FIG. 6, the output load resistance 6 has a certain value and is in an overcurrent state before entering the operating point P of overcurrent protection. This is a state before the output voltage reaches a low output voltage corresponding to the operating point P of overcurrent protection. In this state, it is assumed that the output voltage has a value other than zero.

コンデンサC2の接地点2でない一端αは、第1図の回
路のコイル33に発生された出力電圧を蓄える。これは
、コンデンサC2、ダイオードDt及びコイル33から
構成される閉ループによって、ダイオードD2がオン時
において、コイル33の黒点に入り込む方向に電流が流
れてコンデンサC2に負電圧が発生するからである。即
ち、α点の電位は負であり、これが−■2であるとする
One end α of the capacitor C2, which is not the ground point 2, stores the output voltage generated in the coil 33 of the circuit of FIG. This is because when the diode D2 is on, a current flows into the black spot of the coil 33 due to the closed loop composed of the capacitor C2, the diode Dt, and the coil 33, and a negative voltage is generated in the capacitor C2. That is, it is assumed that the potential at point α is negative and is -■2.

トランジスタQ2のベース電圧が、もし、ベースエミッ
タ間の順方向電圧■、になった時、トランジスタQ2が
オン状態となり、トランジスタQlがオフ状態となる。
If the base voltage of the transistor Q2 reaches the base-emitter forward voltage (2), the transistor Q2 is turned on and the transistor Ql is turned off.

即ち、トランジスタQ2がオンとなる時のA点の電位■
8とα点の電位−V2の電位が問題となる。
In other words, the potential at point A when transistor Q2 is turned on is ■
8 and the potential of -V2, which is the potential at point α, becomes a problem.

今、仮に、トランジスタQ1がオン状態であり、しかも
過電流が最大となる電流が流れていると仮定し、出力特
性の電圧最大値は■、に相当するとする。この■1は抵
抗RDErに発生される電圧であるから、正電圧である
。一方、抵抗R3の一端αの電圧は出力電圧に比例した
ーv2の負電圧である。抵抗R3とR3は共通にトラン
ジスタQ2のベース端子に接続されているので、トラン
ジスタQ2をオン状態にするべきベース電圧VIEの電
圧は、正なる電圧V、と負なる電圧−v2を抵抗R+ 
+ Rs      ・・・(1)(1)式において、
■2はOではないと仮定している。即ち、過電流状態で
あっても、究極の過電流の動作点Pには到らず、出力電
圧は正常時の5■に近い値であり、その時の過電流に対
応するコレクタ電流IがトランジスタQ1に流れている
。このような状態から、出力の負加抵抗6が0Ω、即ち
、短絡状態に陥って過電流保護の動作点Pになったとす
れば、出力電圧は殆どOになる。このとき、コンデンサ
C2に蓄えられていた電圧は−V2から−v2に変わる
。この状態即ち、負荷が短絡されている場合の状態が第
7図の回路である。
Assume now that the transistor Q1 is in the on state and that a current with the maximum overcurrent is flowing, and that the maximum voltage value of the output characteristic corresponds to (2). Since this voltage (1) is a voltage generated across the resistor RDEr, it is a positive voltage. On the other hand, the voltage at one end α of the resistor R3 is a negative voltage of −v2 proportional to the output voltage. Since the resistors R3 and R3 are commonly connected to the base terminal of the transistor Q2, the base voltage VIE that should turn on the transistor Q2 is the positive voltage V, and the negative voltage -v2 is connected to the resistor R+.
+ Rs...(1) In formula (1),
■It is assumed that 2 is not O. In other words, even in an overcurrent state, the ultimate overcurrent operating point P is not reached, the output voltage is close to the normal value of 5, and the collector current I corresponding to the overcurrent at that time is It is flowing to Q1. In such a state, if the output negative resistor 6 becomes 0Ω, that is, becomes short-circuited and reaches the overcurrent protection operating point P, the output voltage becomes almost O. At this time, the voltage stored in the capacitor C2 changes from -V2 to -v2. This state, ie, the state when the load is short-circuited, is the circuit shown in FIG.

このときトランジスタQ1に流れる電流IによってA点
に発生される電圧をVl となる。この回路状態でトラ
ンジスタQ2のベース電圧がVIEになるトランジスタ
Q2がオン状態にするべきベース電圧は、(1)式にお
いて、vlがV l 、V Zがv2に変わった式で与
えられる。出力が短絡状態になるので、v2は殆ど0で
ある。v2がOである場合の(1)式は次の(2)式で
与えられる。
At this time, the voltage generated at point A by the current I flowing through the transistor Q1 is Vl. In this circuit state, the base voltage of the transistor Q2 becomes VIE. The base voltage at which the transistor Q2 should be turned on is given by the equation (1) in which vl is changed to V l and V Z is changed to v2. Since the output is shorted, v2 is almost zero. Equation (1) when v2 is O is given by the following equation (2).

(1)式の■、と(2)式の■1は共にトランジスタQ
2をオン状態にするためのベース電圧であり、これは一
定で0.6■から0.8V位の値である。(2)式を変
形すると次の(3)式になる。
■ in equation (1) and ■1 in equation (2) are both transistor Q
This is the base voltage for turning on the circuit 2, and this is a constant value of about 0.6V to 0.8V. When formula (2) is transformed, it becomes the following formula (3).

一方、(1)式を変形すると、次の(4)式になる。On the other hand, when formula (1) is transformed, the following formula (4) is obtained.

・ ・ ・(4) (3)式と(4)式より、■1とV、の大小関係はVl
 >v、            ・・・(5)となる
・ ・ ・(4) From equations (3) and (4), the magnitude relationship between ■1 and V is Vl
>v, ...(5).

このことは、第8図の出力特性に示すように、過電流が
一番大きくなった時の電圧■、よりも、出力が短絡され
、過電流保護の動作点PにおけるR DErの電圧v1
が小さいこと善意味する。即ち、トランジスタQ2をオ
ンさせるためのベース電圧■1のオン電圧に至るための
Rtillの電圧は■1よりもV、のほうが小さい為、
動作点Pでは、電流値Iは小さい時点で動作することに
なる。言しかえれば、vlが小さいということはVl”
RIIET×Iであるから、■が小さいところで動作す
る。
As shown in the output characteristics of Fig. 8, this means that the voltage of R DEr at the operating point P of overcurrent protection when the output is short-circuited is higher than the voltage when the overcurrent becomes the largest.
Small means good. That is, since the base voltage for turning on the transistor Q2 and the Rtill voltage to reach the on-voltage of ■1 is smaller than ■1, V is smaller.
At the operating point P, the current value I is small. In other words, if vl is small, it means that vl is small.
Since RIIET×I, it operates when ■ is small.

このことは、出力特性が内側に絞りこまれるという理由
になる。
This is the reason why the output characteristics are narrowed inward.

このように、本発明では、抵抗R2とツェナーダイオー
ドDZ+ により入力電圧の影響を受けずに過電流の動
作点Pが一点になり、抵抗R3により過電流の出力特性
がそのP点まで内側に絞りこまれることになる。
In this way, in the present invention, the overcurrent operating point P is set to one point by the resistor R2 and the Zener diode DZ+ without being affected by the input voltage, and the overcurrent output characteristic is narrowed inward to the P point by the resistor R3. It will be complicated.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は入力電圧の変動に無関係に過電流の動作点が一
点にしぼりこむことを可能とするので、過電流の値を抑
制でき、各ディバイスにおける最大電流規格を小さくす
ることができ、各ディバイスとして小型なものを使用で
きる。そして、全体の電流も小さくできるので、熱の発
生量も小さく、従って、小型な放熱板等を利用でき、実
装的にも小型の電源を構成できるという効果がある。
The present invention makes it possible to narrow down the overcurrent operating point to a single point regardless of input voltage fluctuations, thereby suppressing the overcurrent value and reducing the maximum current specification for each device. You can use a small one as a. In addition, since the overall current can be reduced, the amount of heat generated is also small, and therefore a small heat sink etc. can be used, and there is an effect that a compact power supply can be constructed in terms of packaging.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の過電流保護方式に従う回路構成図、 第2図は本発明の過電流保護方式に従う出力時第3図は
本発明の過電流保護方式の過電流保護の動作点Pにおけ
る動作を説明する回路図、第4図は第3図で抵抗R2と
ツェナーダイオードDZ、かない場合の出力特性、 第5図は本発明の過電流保護方式の抵抗R2とツェナー
ダイオードDZ、がある場合の出力特性、第6図と第7
図は本発明の過電流保護方式の抵抗R3の働きを説明す
る回路図、 第8図は本発明の過電流保護方式の抵抗R3の働きによ
る出力特性である。 第9図は従来の過電流保護方式に従う回路構成図、 第10図は従来の過電流保護方式に従う出力時%式% 5・・・平滑コンデンサ、 6・・・出力負加抵抗、 20.21・・・抵抗、 30.31.33・・・コイル、 Q、、QZ  ・・・NPN l−ランジスタ、RDE
T、 R1、R2、R:l  ・・・抵抗、D+、Dz
  ・ ・ ・ダイオード、DZI・・・ツェナーダイ
オード、 CI、C2・・・コンデンサ、 A、β、α・・・端子。 特許出願人    パナファコム株式会社本4S哄のメ
■電7几イ呆=五方式に促っ回路、tみ底図第1図 オζヶ6N弓のj尚−電シ穴、イ呆勘しヶ代1ニゲLう
出カ士〜性第2図 お1″rろ初イ千9洸馴する回路図 第3図 出カ亀tt (A ) 第4図 ■ 出n亀毘(A) 朴明の通電流ノ釆ねL与六の抵扼R2とツェデーグイオ
ードOZ+す’CTNろlき4トの出カ牛与ヤ支 第5図 第6図 第7図 畠n電几 、不、弁9月の」配電し光4狡苫耳方弐の低重tR3の
イチカさ1zよる4°′F″b 第9図 従来の過−一1℃イ禾側寥方i文)ニ従う出力着H生第
10図 手続補正書 昭和61年12月lJ日
Figure 1 is a circuit configuration diagram according to the overcurrent protection method of the present invention, Figure 2 is an output according to the overcurrent protection method of the present invention, and Figure 3 is at the operating point P of the overcurrent protection of the overcurrent protection method of the present invention. A circuit diagram explaining the operation. Figure 4 shows the output characteristics when the resistor R2 and Zener diode DZ are not present in Figure 3. Figure 5 shows the output characteristics when the resistor R2 and Zener diode DZ of the overcurrent protection method of the present invention are present. Output characteristics of Figures 6 and 7
The figure is a circuit diagram explaining the function of the resistor R3 in the overcurrent protection system of the present invention, and FIG. 8 shows the output characteristics due to the function of the resistor R3 in the overcurrent protection system of the present invention. Fig. 9 is a circuit configuration diagram according to the conventional overcurrent protection method, and Fig. 10 is a % formula at output according to the conventional overcurrent protection method. ...Resistance, 30.31.33...Coil, Q,,QZ...NPN l-transistor, RDE
T, R1, R2, R:l...Resistance, D+, Dz
・ ・ ・Diode, DZI... Zener diode, CI, C2... Capacitor, A, β, α... Terminal. Patent Applicant: Panafacom Co., Ltd. Book 4S U-Me ■Electricity 7 holes = 5 methods to prompt the circuit, t-bottom diagram Figure 1 Figure 2 Circuit diagram for familiarization Figure 3 Output turtle tt (A) Figure 4 ■ Output turtle bi (A) Park Ming The energizing current, L, resistance R2, and the output of the tzedegion OZ+S'CTN, 5, 6, 7, The power distribution of the valve September is 4°'F''b according to the low weight of the light 4 and the low weight of the tR3. Arrival H student figure 10 procedure amendment document December lJ, 1986

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)トランジスタのスイッチングにより、一次側の直流
入力を変圧器により二次側の直流電圧に変換するコンバ
ータ回路において、 前記変圧器の一次側のコイルに接続されたスイッチング
用の第1のトランジスタと、 前記第1のトランジスタのベース電圧を制御する第2の
トランジスタと、 一次側の前記直流電圧に比例した電圧を保持する第1の
コンデンサと、 二次側の直流電圧に比例した電圧を保持する第2のコン
デンサと、 前記第1のコンデンサの電圧によって前記第2のトラン
ジスタのベース端子の電圧を制御する第1の制御手段と
、 前記第2のコンデンサの電圧と前記第1のトランジスタ
に流れる電流に比例した電圧との分割電圧を前記第2の
トランジスタのベース端子に与える第2の制御手段を有
し、 入力電圧の変動に依らない過電流保護の動作点に過電流
時の出力特性をしぼり込むことを特徴とする過電流保護
方式。 2)前記第1のトランジスタは、そのコレクタ端子は前
記変圧器の一次側のコイルの一端に接続され、エミッタ
端子は検出用抵抗の一端に接続され、前記第2のトラン
ジスタは、そのベース端子は前記第1のトランジスタの
エミッタ端子に第1の抵抗を介して接続され、コレクタ
端子は前記第1のトランジスタのベース端子に接続され
、エミッタ端子は前記検出用抵抗の他端に接続され、前
記第1のコンデンサは、前記変圧器の前記一次側コイル
の他端と前記検出用抵抗の前記他端との間に印加される
直流入力電圧に比例した電圧を一端に発生し、他端が前
記検出用抵抗の前記他端に接続され、 前記第2のコンデンサは、その一端は前記変圧器を介し
て発生された出力電圧に比例した電圧を発生し、他端は
前記検出用抵抗の前記他端に接続され、 前記第1の制御手段は、前記第1のコンデンサの前記一
端と前記第2のトランジスタのベース端子との間に接続
され、第2の抵抗とツェナーダイオードとから成る直列
回路とからなり、 セット第2の制御手段は、前記第2のコンデンサの前記
一端と前記トランジスタQ_2のベース端子に接続され
る第3の抵抗とを有し、 入力電圧が上昇または減少した場合に前記第1のコンデ
ンサの電圧を上昇または減少させ、その変動電圧を前記
直列回路を介して前記第2のトランジスタのベース端子
に与え、かつ、前記第2のコンデンサの電圧も前記第3
の抵抗を介して前記第2のトランジスタのベース端子に
与えることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の過
電流保護方式。
[Claims] 1) In a converter circuit that converts a DC input on a primary side into a DC voltage on a secondary side using a transformer by switching a transistor, a switching circuit connected to a coil on the primary side of the transformer is provided. a first transistor, a second transistor that controls the base voltage of the first transistor, a first capacitor that holds a voltage proportional to the DC voltage on the primary side, and a voltage proportional to the DC voltage on the secondary side. a second capacitor that holds the voltage of the first capacitor; a first control means that controls the voltage of the base terminal of the second transistor based on the voltage of the first capacitor; and a second control means that applies a divided voltage to the base terminal of the second transistor with a voltage proportional to the current flowing through the transistor, and when an overcurrent occurs at an operating point of overcurrent protection independent of fluctuations in input voltage. An overcurrent protection method characterized by narrowing down the output characteristics. 2) The collector terminal of the first transistor is connected to one end of the primary coil of the transformer, the emitter terminal is connected to one end of the detection resistor, and the base terminal of the second transistor is connected to one end of the primary coil of the transformer. The first transistor is connected to the emitter terminal of the first transistor via a first resistor, the collector terminal is connected to the base terminal of the first transistor, the emitter terminal is connected to the other end of the detection resistor, and the first transistor is connected to the emitter terminal of the first transistor via a first resistor. A capacitor No. 1 generates at one end a voltage proportional to the DC input voltage applied between the other end of the primary coil of the transformer and the other end of the detection resistor, and the other end generates a voltage proportional to the DC input voltage applied between the other end of the primary coil of the transformer and the other end of the detection resistor. the second capacitor, one end of which is connected to the other end of the detection resistor, one end of which generates a voltage proportional to the output voltage generated via the transformer, and the other end of which is connected to the other end of the detection resistor The first control means is connected between the one end of the first capacitor and the base terminal of the second transistor, and includes a series circuit comprising a second resistor and a Zener diode. The set second control means has a third resistor connected to the one end of the second capacitor and the base terminal of the transistor Q_2, and when the input voltage increases or decreases, the set second control means The voltage of the second capacitor is increased or decreased, and the fluctuating voltage is applied to the base terminal of the second transistor via the series circuit, and the voltage of the second capacitor is also increased or decreased.
2. The overcurrent protection system according to claim 1, wherein the overcurrent protection method is applied to the base terminal of the second transistor through a resistor.
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