JPS6353515A - Transducer array for surface acoustic wave - Google Patents

Transducer array for surface acoustic wave

Info

Publication number
JPS6353515A
JPS6353515A JP19737886A JP19737886A JPS6353515A JP S6353515 A JPS6353515 A JP S6353515A JP 19737886 A JP19737886 A JP 19737886A JP 19737886 A JP19737886 A JP 19737886A JP S6353515 A JPS6353515 A JP S6353515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
idt
frequency
surface acoustic
acoustic wave
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19737886A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Nakamura
憲司 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP19737886A priority Critical patent/JPS6353515A/en
Priority to US07/087,410 priority patent/US4798987A/en
Publication of JPS6353515A publication Critical patent/JPS6353515A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To obtain uniform surface acoustic wave intensity over a wide frequency range with low power consumption, by individually providing amplifiers to be used for driving transducers. CONSTITUTION:High-frequency signals produced by a variable frequency oscillator 11 are distributed by a distributing circuit 16 and inputted to transducers (IDT) 3-6 through variable phase shifters 14 and amplifiers 17-20, respectively. Since each IDT has its own center frequency and natural frequency band width, only one or two IDTs are driven and caused to produce surface acoustic waves (SAW). When the resistance of the electrode finger of each IDT is reduced and, at the same time, the impedance inside the natural frequency band is matched to a signal source side, high-frequency signals are reflected from the IDTs 3, 5, and 6, whose input high-frequency signals are outside the natural frequency bands, and respectively returned to the amplifiers 17, 19, and 20. Since the reflected high-frequency signals hardly returns to the distributor 16 through the variable phase shifters 14, appearance of ripples is eliminated and characteristic deterioration hardly takes place.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は先導波型音響光学(Acoustooptic
 。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a leading wave acousto-optic
.

以下AOと記す)装置に利用され得る弾性表面波(Su
rface acoustic wave 、以下SA
Wと記す)トランスデユーサ−アレーに関し、特に駆動
回路の改良された弾性表面波トランスデユーサ−アレー
に関する。
Surface acoustic wave (Su
rface acoustic wave, hereinafter SA
The present invention relates to transducer arrays (referred to as W), and in particular to surface acoustic wave transducer arrays with improved drive circuits.

[従来の技術] 光偏向器、スペクトラムアナライザー、相関器等の光導
波型AO装はの構成要素として用いられるトランスデユ
ーサ−として次第に広帯域のものが要求される様になっ
ている。広帯域のSAWトランスデューサーを作製する
方法は既にいくつか知られている。その中で互いに異な
る中心周波数を持つ複数のくし型トランスデユーサ−(
IDT)を導波光に対しそれぞれブラッグ条件を満足す
るように異なる傾角にて配置してなるマルティブル働テ
ィルテッド11SAWトランスデユーサ−アレー(MT
Sアレー)は構成が簡単であり、トランスデユーサ−作
製後の電気的調整が回部であるという利点がある。
[Prior Art] Broadband transducers are increasingly required to be used as components of optical waveguide type AO equipment such as optical deflectors, spectrum analyzers, and correlators. Several methods are already known for making broadband SAW transducers. A plurality of comb-shaped transducers (with different center frequencies)
A multi-working tilted 11 SAW transducer array (MT
The advantage of the S array is that it has a simple structure and that electrical adjustment after fabrication of the transducer is done in a circuit.

この様なMTSアレーにより光導波路に弾性表面波を励
振し該光導波路内を伝搬する導波光との間に所望のAO
効果を生ぜしめるためには、各よりTに特定の周波数及
び電力をもった高周波信号を印加する必要がある。かか
る高周波信号は、−般に電気回路によって生ぜしめられ
増幅された後にIDTに入力される。これらの電気回路
はIDTの駆動回路と呼ばれる。
Such an MTS array excites surface acoustic waves in an optical waveguide, and creates a desired AO between the guided light propagating in the optical waveguide.
In order to produce the effect, it is necessary to apply a high frequency signal with a specific frequency and power to each T. Such high frequency signals are generally generated and amplified by an electrical circuit before being input to the IDT. These electric circuits are called IDT drive circuits.

第3図は従来の弾性表面波トランスデユーサ−アレーの
よりT駆動回路をも含む構成の一例を示す概略図である
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a configuration of a conventional surface acoustic wave transducer array that also includes a T drive circuit.

第3図において、1は〒i拡散LiNh03等からなる
先導波路であり、2は該光導波路を伝搬する導波光(入
射光)である、3,4,5.6はそれぞれ異なる中心周
波数をもち且つ導波光2に対しそれぞれ異なる傾角をも
って配とされたIDTであり、7は該IDTから励振さ
れ光導波路1を伝搬するSAWであり、8は該SAWに
より入射光2が回折せしめられて生じた回折光であり、
9は非回折光である。
In FIG. 3, 1 is a leading waveguide made of 〒i diffused LiNh03, etc., 2 is guided light (incident light) propagating through the optical waveguide, and 3, 4, and 5.6 have different center frequencies, respectively. In addition, the IDTs are arranged at different inclination angles with respect to the guided light 2, 7 is a SAW that is excited from the IDT and propagates through the optical waveguide 1, and 8 is a SAW generated when the incident light 2 is diffracted by the SAW. It is diffracted light,
9 is undiffracted light.

周波数可変発振器11において生ぜしめられた高周波信
号は増幅器12により所望の電力まで増幅された上で電
力分配器13により分配され、それぞれ可変移相器14
及び整合回路15を介してIDT3,4,5.6に入力
せしめられる。各IDTはそれぞれ異なる中心周波数及
び固有周波数帯域幅をもつので、実質上4つのIDTの
うちの1つあるいはせいぜい2つのIDTのみが駆動さ
れ、SAWを発生させる。第3図は、トランスデユーサ
−アレーの駆動周波数がSAWがIDT4からのみ励振
される様な周波数である場合について描かれている。I
DT4によって励振された5AW7は入射光2に対して
移動する回折格子として作用し、入射光の2の一部はブ
ラッグ回折され回折光8となり、一部はそのまま透過し
非回折光9となる0回折光8は非回折光9から分離され
、信号処理、記録等に用いられる。
The high frequency signal generated by the variable frequency oscillator 11 is amplified to a desired power by an amplifier 12, and then distributed by a power divider 13, and then distributed by a variable phase shifter 14.
and is input to the IDTs 3, 4, 5.6 via the matching circuit 15. Since each IDT has a different center frequency and natural frequency bandwidth, effectively only one or at most two of the four IDTs are driven to generate a SAW. FIG. 3 depicts the case where the drive frequency of the transducer array is such that the SAW is excited only from IDT 4. I
The 5AW7 excited by the DT4 acts as a diffraction grating that moves with respect to the incident light 2, and a part of the incident light 2 undergoes Bragg diffraction and becomes the diffracted light 8, and a part passes through as is and becomes the undiffracted light 9. The diffracted light 8 is separated from the undiffracted light 9 and used for signal processing, recording, etc.

尚、可変移相器14は互いに隣接する2つのよりTのク
ロスオーバー周波数において各IDTによる回折光間の
位相差を補償して該2つのIDTからのSAWが互いに
強めあう様に各SAWの位相を調整するものである。各
IDTの配列を適宜設定することにより、上記の様な可
変移相器を省略して同様の効果を得ることもできる(特
開昭58−117527号公報参照)。
In addition, the variable phase shifter 14 compensates for the phase difference between the diffracted lights by each IDT at the crossover frequency of two adjacent strands T, and adjusts the phase of each SAW so that the SAWs from the two IDTs strengthen each other. This is to adjust the By appropriately setting the arrangement of each IDT, the same effect can be obtained by omitting the variable phase shifter as described above (see Japanese Patent Laid-Open No. 117527/1983).

[発明が解決しようとする問題点1 以上の様な突米のトランスデユーサ−アレーにおいて、
駆動回路の消費電力を低減するためには、可変移相器と
整合回路に関しては挿入損を低減すればよく、またID
Tに関しては電極指抵抗を低減し且つ固有の通過周波数
帯域内におけるインピーダンスを信号源側と整合させれ
ばよい。
[Problem to be solved by the invention 1 In the above-described transducer array,
In order to reduce the power consumption of the drive circuit, it is sufficient to reduce the insertion loss of the variable phase shifter and matching circuit, and
Regarding T, it is sufficient to reduce the electrode finger resistance and match the impedance within the specific pass frequency band with the signal source side.

しかしながら、IDTにおいて電極指抵抗を低減し且つ
通過周波数帯域内におけるインピーダンスを信号源側と
整合させると、該通過周波数帯域外においては該IDT
は高インピーダンスとなり、該IDTに入力せしめられ
た高周波信号は殆ど撰失なく信号源側に反射する。該反
射信号は整合回路工5及び可変移相器14を通過するが
、これらの電気回路としては一般に受動相反回路が用い
られるので、上記の様にこれらの回路の挿入損を低減し
た場合には上記IDT側からの反射高周波信号は殆ど急
損失にて通過し再び電力分配器13へと戻り、増幅器1
2から該分配器13への入力信号と干渉を起す。
However, if the electrode finger resistance in the IDT is reduced and the impedance within the pass frequency band is matched with the signal source side, the IDT
becomes a high impedance, and the high frequency signal input to the IDT is reflected back to the signal source side with almost no loss. The reflected signal passes through the matching circuit 5 and the variable phase shifter 14, but since passive reciprocal circuits are generally used as these electric circuits, when the insertion loss of these circuits is reduced as described above, The reflected high frequency signal from the IDT side passes through with almost no steep loss and returns to the power divider 13 again, and is then connected to the amplifier 1.
2 to the distributor 13.

たとえば、第3図に示される様に周波数可変発振器11
からの高周波信号がIDT4の中心周波数付近の信号の
場合には、該高周波信号はIDT3.5.6の周波数帯
域外であるので、これらよりTで反射された高周波信号
は電力分配器13へと戻り、増幅器12から該分配器1
3への入力信号と干渉を起す、各IDTで反射されて電
力分配器13へ戻る高周波信号の位相は周波数によって
異なるため、これらと干渉してIDT4に入力する高周
波信号の周波数特性には激しいリップルが生ずる。
For example, as shown in FIG.
If the high frequency signal from T is a signal near the center frequency of IDT 4, the high frequency signal is outside the frequency band of IDT 3.5.6, so the high frequency signal reflected from T is sent to power divider 13. Return, from the amplifier 12 to the distributor 1
Since the phase of the high-frequency signal that is reflected by each IDT and returns to the power divider 13, which interferes with the input signal to IDT 3, differs depending on the frequency, the frequency characteristics of the high-frequency signal that interferes with these and input to IDT 4 has severe ripples. occurs.

第4図は以上の様なリップル発生のシミュレーション結
果を示すグラフである。このシミュレーションにおいて
は、トランスデユーサ−を構成するIDTが3つで、各
IDTは電極指対数がいづれも5対であり、中心周波数
は第1のIDTが360MHz、第2のIDTが400
MHz、第3のIDTが440MHzであり、各IDT
はそれぞれインダクタを用いて信号源50Ωに整合され
ているとし、またIDT配列を適宜設定することにより
可変移相器の使用を省略して同様の効果を得ているもの
とした。
FIG. 4 is a graph showing the simulation results of ripple occurrence as described above. In this simulation, there are three IDTs making up the transducer, each IDT has five pairs of electrode fingers, and the center frequency is 360 MHz for the first IDT and 400 MHz for the second IDT.
MHz, the third IDT is 440MHz, and each IDT
are respectively matched to a signal source of 50Ω using inductors, and the same effect can be obtained by omitting the use of a variable phase shifter by appropriately setting the IDT arrangement.

第4図において、#1 、#2 、#3はそれぞれ上記
第15第2.第3のIDTを示す、破線は3つのIDT
をそれぞれ個別に駆動した場合の結果を示し、実線は上
記第3図に示されると同様にして3つのIDTを並列に
駆動した場合の結果を示す、第4図から、上記第3図の
様な駆動回路構成とすることにより他のIDTからの反
射高周波信号のために周波数帯域内に顕著なリップルが
生じていることが分る。
In FIG. 4, #1, #2, #3 are respectively the fifteenth second . The dashed line indicates the third IDT.
The solid line shows the results when three IDTs were driven in parallel in the same manner as shown in FIG. 3 above. From FIG. It can be seen that due to the drive circuit configuration, significant ripples occur within the frequency band due to reflected high frequency signals from other IDTs.

IDTに入力せしめられる高周波信号の周波数特性に以
上の様なリップルが生ずると、第3図の導波光2を回折
するためのSAWの強度が周波数によって変動し、その
結果として回折光8の強度が周波数によって変動するこ
とになる。従って、第3図に示される様な従来のトラン
スデユーサ−アレーでは、各回路部分を低損失化して消
費電力を低減しようとすれば、5AW7を励振するため
の高周波信号の周波数の変化に対して、回折光8の強度
が−様にできないという問題点があった。
When such ripples occur in the frequency characteristics of the high-frequency signal input to the IDT, the intensity of the SAW for diffracting the guided light 2 shown in FIG. 3 changes depending on the frequency, and as a result, the intensity of the diffracted light 8 changes. It will vary depending on the frequency. Therefore, in a conventional transducer array as shown in Fig. 3, if you try to reduce the loss of each circuit part and reduce power consumption, it is difficult to respond to changes in the frequency of the high-frequency signal used to excite the 5AW7. Therefore, there was a problem that the intensity of the diffracted light 8 could not be made uniform.

そこで、本発明は、以上の様な従来の弾性表面波トラン
スデユーサ−アレーにおける問題点を解決し、低消費電
力で且つ広い周波数範囲において−様な弾性表面波強度
の得られる弾性表面波トランスデユーサ−アレーを提供
することを目的とする。
Therefore, the present invention solves the problems in the conventional surface acoustic wave transducer array as described above, and provides a surface acoustic wave transformer that can obtain a similar surface acoustic wave intensity in a wide frequency range with low power consumption. The purpose of the present invention is to provide a deuser array.

[問題点を解決するための手段] 本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして
、複数の弾性表面波トランスデユーサ−を有してなる弾
性表面波トランスデユーサ−アレーにおいて、各トラン
スデユーサ−を駆動するための増幅器が個別に設けられ
ていることを特徴とする、弾性表面波トランスデユーサ
−アレーが提供される。
[Means for Solving the Problems] According to the present invention, in order to achieve the above objects, in a surface acoustic wave transducer array comprising a plurality of surface acoustic wave transducers, A surface acoustic wave transducer array is provided, characterized in that an amplifier is individually provided for driving each transducer.

[実施例] 以下、図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説明
する。
[Example] Hereinafter, specific examples of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明による弾性表面波トランスデユーサ−ア
レーの第1の実施例を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of a surface acoustic wave transducer array according to the present invention.

第1図において、lは〒i拡散LiNbO3等からなる
先導波路であり、2は該光導波路を伝搬する導波光(入
射光)である、3,4,5.6はそれぞれ異なる中心周
波数をもち且つ導波光2に対しそれぞれ異なる傾角をも
って配置されたIDTであり、7は該IDTから励振さ
れ光導波路1を伝搬するSAWであり、8は該SAWに
より入射光2が回折せしめられて生じた回折光であり、
9は非回折光である。17.18,19.20はIDT
駆動のための増幅器であり、可変移相器14と各IDT
との間に介在している。
In FIG. 1, l is a leading waveguide made of diffused LiNbO3, etc., 2 is a guided light (incident light) propagating through the optical waveguide, and 3, 4, and 5.6 each have a different center frequency. In addition, the IDTs are arranged at different inclination angles with respect to the guided light 2, 7 is a SAW that is excited from the IDT and propagates through the optical waveguide 1, and 8 is the diffraction generated when the incident light 2 is diffracted by the SAW. is light,
9 is undiffracted light. 17.18, 19.20 is IDT
It is an amplifier for driving, and includes the variable phase shifter 14 and each IDT.
It is interposed between.

周波数可変発振器11において生ぜしめられた高周波信
号は分配回路16により分配され、それぞれ可変移相器
14と上記増幅器17〜20を介してIDT3〜6に入
力せしめられる。各IDTはそれぞれ異なる中心周波数
及び固有周波数帯波幅をもつので、4つのIDTのうち
の1つあるいはせいぜい2つのIDTのみが駆動され、
SAWを発生させる。第1図は、上記第3図と同様に、
トランスデユーサ−アレーの駆動周波数がSAWがI 
DT4からのみ励振される様な周波数である場合につい
て描かれている。IDT4によって励振された5AW7
は入射光2に対して移動する回折格子として作用し、入
射光の2の一部はブラッグ回折され回折光8となり、一
部はそのまま透過し非回折光9となる0回折光8は非回
折光9から分離され、信号処理、記録等に用いられる。
The high frequency signal generated by the variable frequency oscillator 11 is distributed by a distribution circuit 16 and input to the IDTs 3 to 6 via the variable phase shifter 14 and the amplifiers 17 to 20, respectively. Since each IDT has a different center frequency and natural frequency band width, only one or at most two of the four IDTs are driven;
Generate SAW. Figure 1 is similar to Figure 3 above,
The drive frequency of the transducer array is SAW I
The case where the frequency is such that it is excited only from DT4 is depicted. 5AW7 excited by IDT4
acts as a diffraction grating that moves with respect to the incident light 2, a part of the incident light 2 undergoes Bragg diffraction and becomes diffracted light 8, and a part passes through as is and becomes undiffracted light 9. 0 Diffracted light 8 is undiffracted It is separated from the light 9 and used for signal processing, recording, etc.

以上の様な本実施例において、各EDTの電極指抵抗を
低減し且つ固有周波数帯域内インピーダンスを信号源側
と整合させた場合に、入力高岡波信号が固有周波数帯域
外にあるIDT3,5.6からは該高周波信号が反射さ
れてそれぞれ増幅器17.19.20へと戻る。しかし
て、一般に増If!g器は出力側から信号が入力した場
合に入力側に信号が伝達される割合即ちアイソレーショ
ンは容易に一20dB程度とすることが可能である。
In this embodiment as described above, when the electrode finger resistance of each EDT is reduced and the impedance within the natural frequency band is matched with the signal source side, the input Takaoka wave signal is outside the natural frequency band of the IDTs 3, 5, . 6, the high frequency signals are reflected back to amplifiers 17, 19 and 20, respectively. However, in general, increase If! When a signal is input from the output side, the ratio of the signal transmitted to the input side of the G-device, that is, the isolation, can be easily set to about -20 dB.

従って、IDT3,5.6から反射された高周波信号は
殆ど可変移相器14を通過して分配器16へと戻る様な
ことがないので、上記第3図に関し説明した様な上記第
4図の周波数特性のグラフにおける実線の様なリップル
の出現はなくなり、か゛〈シて特性劣化が殆どなくなる
Therefore, the high frequency signals reflected from the IDTs 3, 5.6 hardly pass through the variable phase shifter 14 and return to the distributor 16, so that the high frequency signals reflected from the IDTs 3, 5. The appearance of ripples like the solid line in the graph of frequency characteristics disappears, thus almost no characteristic deterioration occurs.

第2図は本発明による弾性表面波トランスデユーサ−ア
レーの第2の実施例を示す概略構成図である。第2図に
おいては上記第1図におけると同様の構成部分には同一
の符号が付されている。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a second embodiment of the surface acoustic wave transducer array according to the present invention. In FIG. 2, the same components as in FIG. 1 are given the same reference numerals.

第2図において、21,22,23.24は周波数帯域
濾波器であり、分配回路16と各可変移相器14との間
に介在している。これら各周波数帯域濾波器はそれぞれ
IDT3,4,5.6の固有通過周波数帯域と同じかあ
るいはそれよりも若干広い帯域の高周波数信号を通過さ
せそれ以外の信号を通過させない様なものである。この
様な周波数帯域濾波器を用いると、不通過帯域の信号が
入力した場合に該濾波器で該信号の反射が生ずるおそれ
があるが、通過周波数帯域での挿入損の若干の増加を許
容すれば、不通過帯域の周波数の信号が入射した場合に
該濾波器から入力側に該信号が実質上反射しない様にす
ることは実現可鮨であり、本実施例においてはこの様な
濾波器を用いる。
In FIG. 2, reference numerals 21, 22, 23, and 24 indicate frequency band filters, which are interposed between the distribution circuit 16 and each variable phase shifter 14. Each of these frequency band filters passes a high frequency signal having a band that is the same as or slightly wider than the natural pass frequency band of the IDTs 3, 4, and 5.6, and does not allow other signals to pass. When such a frequency band filter is used, if a signal in the non-pass band is input, there is a risk that the signal will be reflected in the filter, but it is necessary to allow a slight increase in insertion loss in the pass frequency band. For example, when a signal with a frequency in the non-pass band is incident, it is possible to substantially prevent the signal from being reflected from the filter to the input side, and in this embodiment, such a filter is used. use

また、各可変移相器14と各IDT3〜6との間にはそ
れぞれ増幅器25.26.27.28が介在している。
Furthermore, amplifiers 25, 26, 27, and 28 are interposed between each variable phase shifter 14 and each IDT 3 to 6, respectively.

該増幅器はB級または0級の増幅動作を行なうものであ
るのが好ましい。
Preferably, the amplifier performs class B or class 0 amplification operation.

以上の様な本実施例においては、周波数可変発振器11
において生ぜしめられた高周波信号は、該信号の周波数
が周波数帯域濾波器の通過周波数帯域内にある場合のみ
当該癌波器を通過して増幅器に入力される。
In this embodiment as described above, the variable frequency oscillator 11
The high frequency signal generated in the filter passes through the band filter and is input to the amplifier only when the frequency of the signal is within the pass frequency band of the frequency band filter.

B級または0級の動作を行なう#14112器はバイア
ス電流を流さないので無信号時には電力消費量が極めて
小さい、また、一般に89115幅器またはC級増幅器
は入力信号に対し高調波成分も付加されて出力されるが
、上記の様にIDTは固有周波数のlii!l囲がある
ので、高調波成分はSAWに変換されることがなく、実
質上動作には問題はない。
The #14112 amplifier, which performs class B or class 0 operation, does not flow bias current, so its power consumption is extremely small when there is no signal.In addition, the 89115 amplifier or class C amplifier generally does not add harmonic components to the input signal. However, as mentioned above, the IDT uses the natural frequency lii! Since there is a range of 1, harmonic components are not converted to SAW, and there is virtually no problem in operation.

この様に、本実施例においては駆動高周波信号の周波数
の属しない固有周波数帯域をもつIDTに関する増幅器
は全て非動作状態となるので、上記第1の実施例に比べ
て消費電力を小さくすることが可f駈である。
In this way, in this embodiment, all the amplifiers related to the IDT having a natural frequency band to which the frequency of the driving high-frequency signal does not belong are in a non-operating state, so that power consumption can be reduced compared to the first embodiment. It is a fair canter.

以上の第l及び第2の実施例においては、可変移相器を
用いてクロスオーバー周波数で2つのよりTからのSA
Wが互いに強めあう様にしているが、本発明においては
この様な可変移相器を用いずに、上記の特開昭58−1
17527号公報に記載の様に各IDTの配列を適正に
設定することにより同様の効果を実現することも可能で
ある。
In the first and second embodiments described above, the SA from two twists T at the crossover frequency is achieved using a variable phase shifter.
However, in the present invention, without using such a variable phase shifter,
Similar effects can also be achieved by appropriately setting the arrangement of each IDT as described in Japanese Patent No. 17527.

この場合、上記第1の実施例では増幅器17〜20の位
相推移量を考慮して、また上記第2の実施例では周波数
帯域濾波器21〜24と増幅器25〜28の位相推移量
とを考慮して、各IDTのクロスオーバー周波数にて回
折光が強めあう様に配列を決めればよい。
In this case, in the first embodiment, the amount of phase shift of the amplifiers 17 to 20 is taken into consideration, and in the second embodiment, the amount of phase shift of the frequency band filters 21 to 24 and the amplifiers 25 to 28 is taken into consideration. Then, the arrangement may be determined so that the diffracted lights are strengthened at the crossover frequency of each IDT.

更に、上記実施例では4つのIDTをもつトランスデユ
ーサ−アレーが示されているが、本発明においてはID
Tの数は4つに限定されるものではないことはもちろん
であり、複数のIDTをもつトランスデユーサ−アレー
であれば同様に適用することができる。
Furthermore, although the above embodiment shows a transducer array with four IDTs, in the present invention
Of course, the number of T's is not limited to four, and the present invention can be similarly applied to any transducer array having a plurality of IDTs.

また、上記第1図においては可変移相器を分配回路と増
幅器との間に設けた例が示されているが、該可変移相器
は増幅器とIDTとの間に設けることもできる。同様に
、上記第2図においても可変移相器を分配回路と濾波器
との間や増幅器とIDTとの間に設けることができる。
Further, although FIG. 1 shows an example in which the variable phase shifter is provided between the distribution circuit and the amplifier, the variable phase shifter may also be provided between the amplifier and the IDT. Similarly, in FIG. 2, a variable phase shifter can be provided between the distribution circuit and the filter or between the amplifier and the IDT.

また、上記第1図及び第2図においてはIDTと増幅器
とを直接接続する構成を示したが、増幅器の出力インピ
ーダンスとIDTの入力インピーダンスとが異なる場合
には、上記第3図に示される様に整合回路を挿入して不
整金相を低減させることもできる。
In addition, although FIGS. 1 and 2 above show a configuration in which the IDT and the amplifier are directly connected, if the output impedance of the amplifier and the input impedance of the IDT are different, the configuration shown in FIG. 3 above may be used. It is also possible to insert a matching circuit to reduce the irregular gold phase.

[発明の効果] 以上の様な本発明によれば、IDTの固有周波数帯域外
の周波数の高周波信号が当該IDTに入力した場合でも
該IDTからの反射信号は他のIDTへの入力高周波信
号と干渉することなく増幅器に吸収されてしまうので、
IDTから励振されるSAWの周波数特性におけるリッ
プルの出現を抑制することができ、かくして低消費電力
で広い周波数範囲にわたってSAW強度が−様な弾性表
面波トランスデユーサ−アレーを得ることができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention as described above, even when a high frequency signal with a frequency outside the natural frequency band of an IDT is input to the IDT, the reflected signal from the IDT is not the same as the input high frequency signal to another IDT. Because it is absorbed by the amplifier without interference,
It is possible to suppress the appearance of ripples in the frequency characteristics of the SAW excited from the IDT, and thus it is possible to obtain a surface acoustic wave transducer array in which the SAW intensity is similar over a wide frequency range with low power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は本発明による弾性表面波トランスデ
ユーサ−アレーを示す概略構成図である。 第3図は従来の弾性表面波トランスデユーサ−アレーの
一例を示す概略構成図である。 第4図は弾性表面波トランスデユーサ−アレーにおける
リップル発生のシミュレーション結果を示すグラフであ
る。 1:先導波路、    2二人射光、 3〜6:IDT、   7:SAW、 8:回折光、     9:非回折光、17〜20.2
5〜28:増幅器。 21〜24:濾波器。 代理人  弁理士  山 下 穣 平 第2図 第3図 第手図 ■波数(MHX)
1 and 2 are schematic configuration diagrams showing a surface acoustic wave transducer array according to the present invention. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a conventional surface acoustic wave transducer array. FIG. 4 is a graph showing simulation results of ripple occurrence in a surface acoustic wave transducer array. 1: Guide wavepath, 2 Two-way radiation, 3-6: IDT, 7: SAW, 8: Diffracted light, 9: Non-diffracted light, 17-20.2
5-28: Amplifier. 21-24: Filter. Agent Patent Attorney Jo Taira Yamashita Figure 2 Figure 3 Figure ■ Wave number (MHX)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の弾性表面波トランスデューサーを有してな
る弾性表面波トランスデューサーアレーにおいて、各ト
ランスデューサーを駆動するための増幅器が個別に設け
られていることを特徴とする、弾性表面波トランスデュ
ーサーアレー。
(1) A surface acoustic wave transducer array comprising a plurality of surface acoustic wave transducers, characterized in that an amplifier for driving each transducer is individually provided. Array.
(2)単一の周波数可変発振器から発せられ且つ分配手
段により分配された高周波信号が各増幅器を経て各トラ
ンスデューサーに入力せしめられる、特許請求の範囲第
1項の弾性表面波トランスデューサーアレー。
(2) The surface acoustic wave transducer array according to claim 1, wherein a high frequency signal emitted from a single variable frequency oscillator and distributed by a distribution means is inputted to each transducer via each amplifier.
(3)各増幅器の前段または後段に可変移相器を有する
、特許請求の範囲第1項の弾性表面波トランスデューサ
ーアレー。
(3) The surface acoustic wave transducer array according to claim 1, which has a variable phase shifter before or after each amplifier.
(4)各高周波信号が周波数帯域濾波器を経て増幅器に
入力せしめられる、特許請求の範囲第項の弾性表面波ト
ランスデューサーアレー。
(4) The surface acoustic wave transducer array according to claim 1, wherein each high frequency signal is inputted to an amplifier via a frequency band filter.
(5)増幅器がB級増幅器またはC級増幅器である、特
許請求の範囲第1項の弾性表面波トランスデューサーア
レー。
(5) The surface acoustic wave transducer array according to claim 1, wherein the amplifier is a class B amplifier or a class C amplifier.
(6)各トランスデューサーとその駆動手段との間にイ
ンピーダンス整合手段が介在している、特許請求の範囲
第1項の弾性表面波トランスデューサーアレー。
(6) The surface acoustic wave transducer array according to claim 1, wherein impedance matching means is interposed between each transducer and its driving means.
JP19737886A 1986-08-25 1986-08-25 Transducer array for surface acoustic wave Pending JPS6353515A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19737886A JPS6353515A (en) 1986-08-25 1986-08-25 Transducer array for surface acoustic wave
US07/087,410 US4798987A (en) 1986-08-25 1987-08-20 Surface acoustic wave generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19737886A JPS6353515A (en) 1986-08-25 1986-08-25 Transducer array for surface acoustic wave

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6353515A true JPS6353515A (en) 1988-03-07

Family

ID=16373512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19737886A Pending JPS6353515A (en) 1986-08-25 1986-08-25 Transducer array for surface acoustic wave

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6353515A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0446425U (en) * 1990-08-23 1992-04-20

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0446425U (en) * 1990-08-23 1992-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5296824A (en) Low loss wide bandwidth parallel channel acoustic filter
US6674215B1 (en) Elastic wave device
US6462633B1 (en) Surface acoustic wave device including parallel connected main and sub-filters
US3990023A (en) Elastic surface wave device
US5336957A (en) Surface acoustic wave convolver
US6246150B1 (en) Surface acoustic wave device
US6597262B2 (en) Surface acoustic wave filter and communication apparatus incorporating the same
JPS6353515A (en) Transducer array for surface acoustic wave
US4798987A (en) Surface acoustic wave generator
KR100400426B1 (en) Surface acoustic wave filter
JPS5972214A (en) Elastic surface wave device
US4870376A (en) Monolithic elastic convolver output circuit
CN100456634C (en) Surface acoustic device
JPS6353516A (en) Transducer array for surface acoustic wave
US4663554A (en) Surface acoustic wave device
JP2685537B2 (en) Surface acoustic wave device, manufacturing method thereof, adjusting method thereof, and communication device using the same
JPS6353517A (en) Transducer array for surface acoustic wave
JP2005203996A (en) Transversal saw filter
US4952833A (en) High density surface acoustic waveguide channelizer
JPS59158117A (en) Branching filter using surface acoustic wave filter
RU2308799C1 (en) Saw filter
JP3068035B2 (en) Surface acoustic wave device
JPH04207615A (en) Longitudinal coupling dual mode leaky saw filter
JPS6170813A (en) Surface acoustic wave branching filter
JP2985457B2 (en) Acousto-optic tunable wavelength filter