JPS63314165A - Load driving device - Google Patents

Load driving device

Info

Publication number
JPS63314165A
JPS63314165A JP62148443A JP14844387A JPS63314165A JP S63314165 A JPS63314165 A JP S63314165A JP 62148443 A JP62148443 A JP 62148443A JP 14844387 A JP14844387 A JP 14844387A JP S63314165 A JPS63314165 A JP S63314165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mosfet
circuit
control signal
control
signal generation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62148443A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Koshin
博昭 小新
Yoshiyasu Sakaguchi
阪口 善保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP62148443A priority Critical patent/JPS63314165A/en
Publication of JPS63314165A publication Critical patent/JPS63314165A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To reduce switching loss, by performing a control signal generation circuit to charge the current into capacitors with MOSFET periodically tuned OFF and by applying the voltage developed across this capacitor to each power source end of gate controlling circuits on the positive electrode. CONSTITUTION:A load drive circuit is equipped with transistor bridges composed of N-channel type MOSFET Q1-Q4, gate controlling circuits G1-G4 to control each FET Q1-Q4 and a control signal generation circuit CG. To the output terminal of this circuit a motor M1 is connected to supply drive current in normal and reverse directions. On this occasion, the control signal generation circuit CG is formed so that the capacitors C1-C2 are periodically charged through counterflow blocking diodes D1 and D2 with the FET Q1 & Q3 and Q2 & Q4 periodically turned OFF, while the voltage developed across these capacitors C1 and C2 is applied as a control power supply to the power source terminal of the gate controlling circuits G1 and G3. The control power supply can thereby be ensured at all times.

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、直流電源にてトランジスタブリッジを介しで
モータのような負荷を駆動する負荷駆動装置に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a load driving device that drives a load such as a motor using a DC power supply via a transistor bridge.

[背景技術] 従来、直流?′It源にてトランジスタブリフジを介し
てモータのような負荷を駆動するこの種の負荷駆動装置
としては、第7図に示すような負荷駆動装置があった。
[Background technology] Conventionally, direct current? As a load drive device of this type in which a load such as a motor is driven by an It source via a transistor bridge, there is a load drive device as shown in FIG.

すなわち、Pチャンネル型のMOSFETQ、’、Q、
’およりNチャンネル型(7)MOS F E T Q
 2 、Q 4にで構成されたトランジスタブリッジと
、各MOSFETQ+’、Q3’、Q2.Q、を制御す
るゲート制御回路G、〜04と、各ゲート制@ Qn 
18G 、 〜G 、に入力される制御ffi号を発生
する制御信号発生回路CGとを具備し、トランジスタブ
リッジの入力端に直流電源Vinを接続するとともに出
力端にモータM1を接続し、各MOSFETQ、’、Q
、’、Q、、Q、のオン、オフ制御を適当に行うことに
よりモータM1に正方向電流、あるいは逆方向電流を任
意に流し得るように制御信号発生回路CGを形成してい
た。しかしながら、このような従来例にあっては、トラ
ンクスタブリッツの正極側のスイッチ素子としてPチャ
ンネル型のMOSFETQ1”、Q3’を用いているの
で、ゲート制御回路G1.G、およびその給電系の構成
が簡単になるという利点があるものの、Pチャンネル型
のMOSFETQ、’、Q、’のスイッチング速度が遅
り、シかもソース、ドレイン間のオン抵抗が大きいので
、各M OS F E T Q l’、Qz’、Q2.
Q。
That is, P-channel type MOSFETQ,',Q,
'Oori N-channel type (7) MOS FET Q
2, Q4, and each MOSFET Q+', Q3', Q2. Gate control circuit G,~04 that controls Q, and each gate control @Qn
18G, ~G, and a control signal generation circuit CG that generates a control signal ffi input to the transistor bridge, a DC power supply Vin is connected to the input end of the transistor bridge, and a motor M1 is connected to the output end of each MOSFETQ, ',Q
,',Q, ,Q, were appropriately controlled to turn on and off the control signal generating circuit CG, so that a forward current or a reverse current could be arbitrarily passed through the motor M1. However, in such a conventional example, since P-channel type MOSFETs Q1'' and Q3' are used as switching elements on the positive side of the trunk stabilization, the configuration of the gate control circuit G1.G and its power supply system is Although it has the advantage of simplifying the process, the switching speed of the P-channel MOSFETQ,',Q,' is slow and the on-resistance between the source and drain is large. , Qz', Q2.
Q.

を高いスイッチ周波数でオン、オフしてPWM制御を行
う場合においてスイッチング損失が大きくなって効率が
悪くなるという問題があった。
When performing PWM control by turning on and off at a high switching frequency, there is a problem in that switching loss increases and efficiency deteriorates.

そこで、このような問題点を解決するために、第8図に
示すように、Nチャンネル型のMOSFETQ、〜Q4
のみでトランジスタブリッジを構成したものがあった。
Therefore, in order to solve such problems, as shown in FIG.
There was one in which a transistor bridge was constructed using chisel.

ところで、このように第7図従来例のPチャンネル型の
MOSFETQ、°tQi1に代えてNチャンネル型の
MOSFETQ1.Q。
By the way, in place of the P-channel type MOSFETQ, °tQi1 of the conventional example shown in FIG. 7, an N-channel type MOSFETQ1. Q.

を用いた場合において、ゲート制御回路G + = G
 3の給電系が複雑になるとともに、損失が大きくなる
という問題があった。すなわち、直流電源V i nの
正極側のM OS F E T Q + 、Q 3を制
御するゲート制御回路G、、G、に給電する制御電源の
グランドラインは、トランクスタブリッツの出力端に設
定する必要がある。したがって、従来例では、逆流阻止
用ダイオードD + −D 2および抵抗R8を介して
直流電源Vinから常に充電されるコンデンサC1、C
2を設け、このコンデンサC+ 、C2の両端電圧を制
御電源としてゲート制御回路G、、G、に印加すること
によりトランジスタブリッジの出力端をグランドライン
とした制御電源を得るようになっていた。
In the case of using gate control circuit G + = G
There was a problem that the power supply system of No. 3 became complicated and the loss increased. That is, the ground line of the control power supply that supplies power to the gate control circuits G, , G, which control the MOS FET Q + , Q 3 on the positive side of the DC power supply V in is set at the output end of the trunk stabilization. There is a need to. Therefore, in the conventional example, the capacitors C1 and C are constantly charged from the DC power supply Vin via the reverse current blocking diode D + -D2 and the resistor R8.
By applying the voltage across the capacitors C+ and C2 as a control power source to the gate control circuits G, , G, a control power source is obtained with the output end of the transistor bridge as a ground line.

しかしながら、このような従来例にあっては、コンデン
サC,,C2の充電経路を常に確保するために抵抗R1
,R2を設けていたので、回路構成が複雑になるととも
に、どの抵抗R+ 、R2にコンデ:zlC+tC2の
充電電流I O+* I cztJよI/MOSFET
Q、、Q3のゲート電流が流れるので、抵抗R8゜R2
による電力損失が多くなって大きな発熱が生じる上、形
状も大型化するという問題があった。
However, in such a conventional example, in order to always ensure a charging path for the capacitors C, C2, the resistor R1 is
, R2, the circuit configuration becomes complicated, and the charging current of zlC+tC2 is connected to which resistor R+ and R2.
Since the gate current of Q, Q3 flows, the resistance R8゜R2
There was a problem in that the power loss caused by this increased and a large amount of heat was generated, and the shape also became larger.

すなわち、この種の負荷駆動装置においては、負荷が重
くなると、正極側のMOSFETQ、あるいはQ3が常
にオンして最大電流を流すようにしていたので、抵抗R
l−R2を設けなかった場合には、長期間に亘ってコン
デンサC+ −C2の充電が行なわれなくなる場合があ
り、ゲート回路Glt6つの制御電源が正常に得られな
くなってしまうという不都合が生じる。したがって、上
述の場合にあっても充電経路を確保し、常に制御電源が
得られるようにするために、従来例にあっては、コンデ
ンサ充電用の抵抗R1あるいはR2を付加していたが、
回路構成が複雑になる上、この抵抗R11R2に電流が
流れ続けることによる無駄な消費電力が発生するという
問題があり、さらに、抵抗R2,R2として大容量のも
のを使用する必要があるので、装置サイズが大型化する
とともにコストアップになるという問題があった。
In other words, in this type of load drive device, when the load becomes heavy, the positive side MOSFET Q or Q3 is always turned on to allow the maximum current to flow, so the resistance R
If l-R2 is not provided, the capacitor C+-C2 may not be charged for a long period of time, resulting in the inconvenience that control power for the six gate circuits Glt cannot be obtained normally. Therefore, in the conventional example, a resistor R1 or R2 for capacitor charging was added in order to secure a charging path and always obtain control power even in the above case.
In addition to complicating the circuit configuration, there is a problem that current continues to flow through the resistors R11R2, resulting in wasted power consumption.Furthermore, it is necessary to use large capacity resistors R2 and R2, so the device There was a problem in that as the size increased, the cost also increased.

[発明の目的] 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、回路構成が簡単で、しかも電力損失
および発熱が少なく小型化も容易にできる負荷駆動装置
を提供することにある。
[Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above points, and its purpose is to provide a load driving device that has a simple circuit configuration, has low power loss and heat generation, and can be easily miniaturized. Our goal is to provide the following.

[発明の開示1 (構 成) 本発明は、Nチャンネル型のMOSFETにて構成され
たトランジスタブリッジと、各MO6FETを制御する
ゲート制御回路と、各ゲート制御回路に入力される制御
信号を発生する制御信号発生回路とを具備し、トランジ
スタブリッジの入力端に直流電源を接続するととらに出
力端にモータのような負荷を接続し、各MOSFETの
オン、オフ制御を適当に行うことにより負荷に正方向電
流、あるいは逆方向電流を任意に流し得るように制御信
号発生回路を形成してなる負荷駆動装置において、直流
電源の正極側の各MOSFETにそれぞれ逆流阻止用ダ
イオードとコンデンサの直列回路を並列接続し、直流電
源に対して並列接続されたMOSFET直列回路の正極
側のMOSFETが定期的にオフされるとともに負極側
のMOSFETが定期的にオフされてコンデンサが逆流
阻止用ダイオードを介して定期的に充電されるようにf
ilJ御信号発信号発生回路するとともに、該コンデン
サの両端電圧を正極側のMOSFETを制御′するゲー
ト制御回路の電源端に制御電源として印加することによ
り、回路構成が簡単で、しかも電力損失および発熱が少
なく小型化も容易にできる負荷駆動装置を提供するもの
である。
[Disclosure of the Invention 1 (Structure) The present invention includes a transistor bridge composed of N-channel MOSFETs, a gate control circuit that controls each MO6FET, and a control signal that is input to each gate control circuit. A DC power supply is connected to the input end of the transistor bridge, and a load such as a motor is connected to the output end of the transistor bridge. In a load drive device formed with a control signal generation circuit so that a directional current or a reverse current can flow arbitrarily, a series circuit of a reverse current blocking diode and a capacitor is connected in parallel to each MOSFET on the positive side of a DC power supply. However, the positive side MOSFET of the MOSFET series circuit connected in parallel to the DC power supply is periodically turned off, and the negative side MOSFET is also periodically turned off, and the capacitor is periodically turned off via the reverse current blocking diode. f to be charged
By applying the voltage across the capacitor as a control power source to the power supply terminal of the gate control circuit that controls the positive side MOSFET as well as the ilJ control signal generation circuit, the circuit configuration is simple, and power loss and heat generation are reduced. The object of the present invention is to provide a load driving device that has less noise and can be easily miniaturized.

(実施例) 第1図は本発明一実施例を示すもので、Nチャンネル型
のMOSFETQI〜Q4にて構成されたトランジスタ
ブリツノと、各MOSFETQ、〜Q4を制御するゲー
ト制御回路61〜G4と、各ゲート制御回路01〜G、
に入力される制御信号を発生する制御信号発生回路CG
とを具備し、トランジスタブリツノの入力端に直流電源
Vinを接続するとともに出力端にモータM、を接続し
、各MOSFETQ、〜Q、のオン、オフ制御を適当に
行うことにより負荷M1に正方向電流、あるいは逆方向
電流を任意に流し得るように制御信号発生回路CGを形
成しでなる第8図従来例と同様の負荷駆動装置において
、直流電源Vinの正極側の各MOSFETQ1−Q3
にそれぞれ逆流阻止用ダイオードD、、D2とコンデン
サC+ 、C2の直列回路を並列接続し、直流電源Vi
nに対して並列接続されたMOSFET直列回路の正極
側のMOSFETQ、。
(Embodiment) FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, which includes a transistor britsuno composed of N-channel MOSFETs QI to Q4, and gate control circuits 61 to G4 that control each MOSFETQ, to Q4. , each gate control circuit 01-G,
Control signal generation circuit CG that generates control signals input to
By connecting the DC power supply Vin to the input terminal of the transistor Blitzno, and connecting the motor M to the output terminal, and appropriately controlling the on and off of each MOSFET Q, ~Q, the load M1 can be properly connected. In a load driving device similar to the conventional example shown in FIG. 8, in which a control signal generating circuit CG is formed so that a directional current or a reverse current can flow arbitrarily, each MOSFET Q1-Q3 on the positive side of the DC power supply Vin
A series circuit of reverse current blocking diodes D, D2 and capacitors C+ and C2 are connected in parallel to the DC power supply Vi.
MOSFET Q on the positive side of the MOSFET series circuit connected in parallel to n.

Q、が定期的にオフされるとともに負極側のM 08F
ETQ2.Q、が定期的にオフされてコンデンサC,,
C,が逆流阻止用ダイオードDI、D2を介して定期的
に充電されるように制御信号発生回路CGを形成すると
ともに、該コンデンサC,,C2の両端電圧を正極側の
M OS F E T Q + 、Q 3を制御するゲ
ート制御回路G、、G、の電源端に制御電源として印加
したものである。
Q is periodically turned off and M08F on the negative electrode side
ETQ2. Q is periodically turned off and capacitor C,,
The control signal generating circuit CG is formed so that the capacitors C and C are periodically charged via the reverse blocking diodes DI and D2, and the voltage across the capacitors C and C2 is connected to the positive side MOSFET Q. +, Q3 is applied as a control power source to the power terminals of the gate control circuits G, , G, which control the gate control circuits G, , G,.

以下、実施例の動作について具体的に説明する。The operation of the embodiment will be specifically explained below.

いま、基本的な動作は従来例と同41であり、fit!
Ill信号発生回路CGは、MOSFETQ、〜Q4を
オン、オフ制御するPWM制御信号を発生しており、各
ゲート制御回路G、〜G4から出力されMO8FE T
 Q I−Q 4のゲートに印加されるゲート電圧Vg
1〜Vg<は、第2図に示すような波形となっている。
Now, the basic operation is the same as the conventional example, and it fits!
The Ill signal generation circuit CG generates a PWM control signal that turns on and off the MOSFETQ, ~Q4, and is output from each gate control circuit G, ~G4 to MO8FET.
Gate voltage Vg applied to the gate of Q I-Q 4
1 to Vg< has a waveform as shown in FIG.

ここに、ゲート電圧vg、、vg4が”H″のときには
M OS F E T Q 5.Q 4がオンしてモー
タM、に、  矢印Aのような正方向電流が流れ、ゲー
ト電圧Vg2.Vgコが”H″のときにはMOSFET
QztQxがオンして矢印Bのような逆方向電流が流れ
る。
Here, when the gate voltages vg, , vg4 are "H", MOS FET Q5. When Q4 is turned on, a positive current as shown by arrow A flows through motor M, and gate voltage Vg2. MOSFET when Vg is “H”
QztQx turns on and a reverse current as shown by arrow B flows.

一方、ゲート制御回路G + −04の電源端に制御電
源を供給するためのコンデンサC1の充電は、MOSF
ETQlが、t7L、MOSFETQzが2ンしている
T3期間にダイオードD、を介して行なわれ、コンデン
サC2の充電は、MOSFETQ3がオフし、MOSF
ETQ4がオンしているT2期間にダイオードD2を介
して行なわれるようになっている6図中、ICps I
 e2はコンデンサC,,C2の充電電流を示しており
、I g3.I gzはゲート制御回路G + −G 
3に流れるコンデンサCI、C2からの放電電流を示し
ている。実施例にあっては、正極側のMOSFETQ、
、Q3が定期的にオフされるとともに負極側のMOSF
ETQ、−Q4が定期的にオフされてコンデンサC1−
C2が逆流阻止用ダイオードD、、D、を介して定期的
に充電されるように制御信号発生回路CGを形成し、ゲ
ート制御回路G、、G、の制御電源が常に確保されるよ
うにしているので、第8図従来例のように抵抗R+ 、
R2を必要とせず、回路構成が簡単になるとともに、電
力損失および発熱を少なくすることができ、小型化も容
易にできることになる。なお、実施例では、負荷が重く
なった場合にあっても、PWM制御による制御状態が1
00%制御あるいは0%制御(オンデユーテイが100
%あるいは0%)にならないようにし、M OS F 
E T Q + ” Q 4のオン、オフ状態が長期間
連続しないようにしてコンデンサC,,C2の定期的充
電期間を確保してゲート制御回路G、、G、の制御電源
を確保するようになっている。
On the other hand, charging of the capacitor C1 for supplying control power to the power supply terminal of the gate control circuit G+-04 is performed using the MOSFET.
ETQl is performed via the diode D during the T3 period when MOSFETQz is on at t7L, and the capacitor C2 is charged when MOSFETQ3 is turned off and the MOSFETQz is turned off.
In Figure 6, ICps I
e2 indicates the charging current of capacitors C, , C2, and I g3. I gz is the gate control circuit G + -G
3 shows the discharge current from capacitors CI and C2 flowing through the capacitors CI and C2. In the example, the positive electrode side MOSFETQ,
, Q3 is periodically turned off and the negative side MOSF
ETQ, -Q4 is periodically turned off and capacitor C1-
The control signal generating circuit CG is formed so that C2 is periodically charged via the reverse current blocking diodes D, , D, so that the control power source for the gate control circuits G, , G is always secured. Therefore, as in the conventional example shown in Fig. 8, the resistor R+,
Since R2 is not required, the circuit configuration becomes simple, power loss and heat generation can be reduced, and miniaturization can be easily achieved. In addition, in the embodiment, even when the load becomes heavy, the control state by PWM control remains at 1.
00% control or 0% control (on duty is 100
% or 0%), and MOS F
E T Q + " Q4 is not kept on or off for a long period of time to ensure a regular charging period for the capacitors C, , C2 and to secure the control power for the gate control circuits G, , G. It has become.

以下、直流モータM1をPWM制御によって定速回松さ
せる場合の動作にういて具体的に説明する。いま、トラ
ンジスタブリッジの各MOSFETQ、〜Q4には、第
3図に示すように、ソース、ドレイン間に寄生ダイオー
ドI)o+〜D 04が存在しており、ゲート制御回路
G1〜G4から出力されるゲート信号vg、、vg、、
 vg2.vg、が、第4図(a)(b)に示すような
信号となっている場合において、モータM、に流れる電
流ILは第4図(c)に示すようになる。すなわち、M
 OS F E T Q 1−Q4がオン、M OS 
F E T Q 2− Q sがオフしている状態にお
いては、実線で示す経路でモータM、に電流■Lが流れ
、次に、M OS F E T Q l−Q 4 カ2
7すると、モータM、の逆起電流(図中斜線で示す部分
の滅貨電流)が点線で示す経路で流れる。この逆起電流
が寄生ダイオードを介して流れている間は、M OS 
F E T Q sのソース、ドレイン間は逆バイアス
になっているので、ゲート信号VDがH″になっている
にも拘わらずMOSFETQ3はオンしない。次に、逆
起電流が減衰して0になると、MOSFETQ3のソー
ス、ドレイン間に順バイアスが印加されるので、MOS
FETQ、がオンしてM OS F E T Q 2−
 Q 3を介して電流が流れ、モータM、に流れる電流
ILの方向が逆転する。
Hereinafter, the operation of rotating the DC motor M1 at a constant speed by PWM control will be specifically explained. Now, as shown in Fig. 3, in each MOSFETQ, ~Q4 of the transistor bridge, there is a parasitic diode I) o+~D04 between the source and drain, and the output from the gate control circuit G1~G4 is Gate signal vg,,vg,,
vg2. When vg is a signal as shown in FIGS. 4(a) and 4(b), the current IL flowing through the motor M is as shown in FIG. 4(c). That is, M
OS FET Q 1-Q4 are on, M OS
When FETQ2-Qs is off, current ■L flows through the motor M along the path shown by the solid line, and then MOS FETQl-Q4
7, the back electromotive current of the motor M (the dead current shown in the shaded area in the figure) flows along the path shown by the dotted line. While this back electromotive current flows through the parasitic diode, the MOS
Since the source and drain of FETQs are reverse biased, MOSFETQ3 does not turn on even though the gate signal VD is high.Next, the back electromotive current attenuates to 0. Then, a forward bias is applied between the source and drain of MOSFETQ3, so the MOS
FETQ turns on and MOS FETQ2-
Current flows through Q3, and the direction of current IL flowing through motor M is reversed.

第5図はモータM、に平均電流■L、を流す過程を示す
もので、まず、第5図(a)に示すように、M OS 
F E T Q 1t Q 4のオンデユーテイを10
0%にならないように適当に増やした状態で起動し、徐
々にオンデユーテイを減少させてモータM1に流れる電
流■LがIL+に達した時点でオンデユーテイを50%
に安定させれば、以後モータM1には略一定の平均電流
ILIが流れることになる。なお、同様にしてモータM
1に流れる電流1.が逆の場合にも、PWM制御によっ
て平均電流を制御することができることは言うまでもな
い。
Figure 5 shows the process of passing an average current L through the motor M.First, as shown in Figure 5(a), the MOS
F E T Q 1t Q 4 on duty 10
Start with the on-duty increased appropriately so that it does not reach 0%, and gradually decrease the on-duty until the current ■L flowing through motor M1 reaches IL+, then reduce the on-duty to 50%.
If the current is stabilized, a substantially constant average current ILI will thereafter flow through the motor M1. In addition, in the same way, motor M
Current flowing through 1. It goes without saying that even in the opposite case, the average current can be controlled by PWM control.

第6図は他の実施例を示すもので、3相モ一タM、を負
荷として駆動する負荷駆動装置を示しており、Nチャン
ネル型のMOSFETQ、〜Q6にで構成された3相ト
ランクスタブリツジと、各MO6FETQ、〜Q6を制
御するゲート制御回路G1〜G、と、制御信号発生回路
CGと、MOSFET Q + −Q y −Q sの
両端に並列接続され逆流阻止用ダイオードD、−D、を
介して充電されるコンデンサC,−C,とで構成されて
いる。なお、動作については前記実施例と同様であるの
で説明を省略する。
FIG. 6 shows another embodiment, showing a load drive device that drives a three-phase motor M as a load, and shows a three-phase trunk stub consisting of N-channel MOSFETs Q, ~Q6. gate control circuits G1 to G that control each MO6FETQ, ~Q6, a control signal generation circuit CG, and reverse current blocking diodes D, -D connected in parallel to both ends of MOSFET Q + -Q y -Q s. It is composed of capacitors C, -C, and charged via . Note that since the operation is the same as that of the previous embodiment, the explanation will be omitted.

また、上記実施例では、負荷としてモータM1゜M3を
接続した例を示しているが、負荷としてトランスを接続
してスイッチング電源を構成することも可能である。
Further, although the above embodiment shows an example in which motors M1 to M3 are connected as loads, it is also possible to connect a transformer as a load to configure a switching power supply.

[発明の効果1 本発明は上述のように、Nチャンネル型のMOSFET
にて構成されたトランクスタブリッジと、各MOSFE
Tを制御するゲート制御回路と、各ゲート制御回路に入
力される制御信号を発生する制御信号発生回路とを具備
し、トランジスタブリッジの入力端に直流電源を接続す
るとともに出力端にモータのような負荷を接続し、各M
OSFETのオン、オフ制御を適当に行うことに上り負
荷に正方向電流、あるいは逆方向電流を任意に流し得る
ように制御信号発生回路を形成してなる負荷駆動装置に
おいて、直流電源の正極側の各MOSFETにそれぞれ
逆流阻止用ダイオードとコンデンサの直列回路を並列接
続し、直流電源に対して並列接続されたMOSFET直
列回路の正極側のMOSFETが定期的にオフされると
ともに負極側のMOSFETが定期的にオフされてコン
デンサが逆流阻止用ダイオードを介して定期的に充電さ
れるように制御信号発生回路を形成するとともに、該コ
ンデンサの両端電圧を正極側のMOSFETを制御する
ゲート制御回路の電源端に制御電源として印加したもの
であり、Nチャンネル型のMOSFETを用いてトラン
ジスタブリツノを構成しているので、第7図従来例に比
べてスイッチング損失を少なくすることができ、また、
第8図従来例のように抵抗R+ 、R2を必要としない
ので、回路借成が簡単になるとともに、電力損失お上1
発熱を少なくすることができ、小型化も容易にできると
いう効果がある。
[Effect 1 of the Invention As described above, the present invention provides an N-channel MOSFET.
A trunk bridge configured with and each MOSFE
The transistor bridge is equipped with a gate control circuit that controls the T, and a control signal generation circuit that generates control signals to be input to each gate control circuit.A DC power supply is connected to the input end of the transistor bridge, and a Connect the load, each M
In a load driving device formed with a control signal generation circuit so that a forward current or a reverse current can be arbitrarily applied to the load in order to properly control ON/OFF of the OSFET, the positive terminal of the DC power source is A series circuit of a reverse current blocking diode and a capacitor is connected in parallel to each MOSFET, and the positive side MOSFET of the MOSFET series circuit connected in parallel to the DC power supply is periodically turned off, and the negative side MOSFET is periodically turned off. A control signal generation circuit is formed so that the capacitor is periodically charged via a reverse current blocking diode, and the voltage across the capacitor is connected to the power supply terminal of a gate control circuit that controls the positive side MOSFET. This is applied as a control power source, and since the transistor circuit is configured using an N-channel MOSFET, switching loss can be reduced compared to the conventional example shown in FIG.
Figure 8 Unlike the conventional example, resistors R+ and R2 are not required, making circuit borrowing easier and reducing power loss by 1.
This has the effect of reducing heat generation and making it easier to downsize.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明一実施例の回路図、第2図乃至第5図は
同上の動作説明図、第6図は他の実施例の回路図、第7
図は従来例の回路図、第8図は他の従来例の回路図であ
る。 Q、−Q6はMOSFET、G、〜G6はゲート制御回
路、CGは制御信号発生回路、Vinは直流電源、M、
、M3はモータ、D1〜D3はダイオード、C1〜C1
はコンデンサである。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 第2図 第5図 第6図 第7図 手続補正書(自発) 昭和63年1月16日
Fig. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, Figs. 2 to 5 are explanatory diagrams of the same operation as above, Fig. 6 is a circuit diagram of another embodiment, and Fig. 7 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
The figure is a circuit diagram of a conventional example, and FIG. 8 is a circuit diagram of another conventional example. Q, -Q6 are MOSFETs, G, ~G6 are gate control circuits, CG is a control signal generation circuit, Vin is a DC power supply, M,
, M3 is a motor, D1-D3 are diodes, C1-C1
is a capacitor. Agent Patent Attorney Ishi 1) Ai 7 Figure 2 Figure 5 Figure 6 Figure 7 Procedural Amendment (Voluntary) January 16, 1985

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)Nチャンネル型のMOSFETにて構成されたト
ランジスタブリッジと、各MOSFETを制御するゲー
ト制御回路と、各ゲート制御回路に入力される制御信号
を発生する制御信号発生回路とを具備し、トランジスタ
ブリッジの入力端に直流電源を接続するとともに出力端
にモータのような負荷を接続し、各MOSFETのオン
、オフ制御を適当に行うことにより負荷に正方向電流、
あるいは逆方向電流を任意に流し得るように制御信号発
生回路を形成してなる負荷駆動装置において、直流電源
の正極側の各MOSFETにそれぞれ逆流阻止用ダイオ
ードとコンデンサの直列回路を並列接続し、直流電源に
対して並列接続されたMOSFET直列回路の正極側の
MOSFETが定期的にオフされるとともに負極側のM
OSFETが定期的にオフされてコンデンサが逆流阻止
用ダイオードを介して定期的に充電されるように制御信
号発生回路を形成するとともに、該コンデンサの両端電
圧を正極側のMOSFETを制御するゲート制御回路の
電源端に制御電源として印加したことを特徴とする負荷
駆動装置。
(1) A transistor bridge configured with N-channel MOSFETs, a gate control circuit that controls each MOSFET, and a control signal generation circuit that generates a control signal input to each gate control circuit. By connecting a DC power source to the input end of the bridge and connecting a load such as a motor to the output end, and controlling each MOSFET on and off appropriately, a forward current is generated in the load.
Alternatively, in a load drive device formed with a control signal generation circuit so that a reverse current can flow arbitrarily, a series circuit of a reverse current blocking diode and a capacitor is connected in parallel to each MOSFET on the positive side of a DC power supply, and a DC The positive side MOSFET of the MOSFET series circuit connected in parallel to the power supply is periodically turned off, and the negative side MOSFET is turned off periodically.
A gate control circuit forms a control signal generation circuit so that the OSFET is periodically turned off and the capacitor is periodically charged via the reverse current blocking diode, and controls the voltage across the capacitor to the positive side MOSFET. A load driving device characterized in that a control power source is applied to the power source end of the load drive device.
JP62148443A 1987-06-15 1987-06-15 Load driving device Pending JPS63314165A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62148443A JPS63314165A (en) 1987-06-15 1987-06-15 Load driving device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62148443A JPS63314165A (en) 1987-06-15 1987-06-15 Load driving device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63314165A true JPS63314165A (en) 1988-12-22

Family

ID=15452915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62148443A Pending JPS63314165A (en) 1987-06-15 1987-06-15 Load driving device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63314165A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01291679A (en) * 1988-05-19 1989-11-24 Jidosha Kiki Co Ltd Drive circuit for normal and reverse rotation of motor
JPH02125598U (en) * 1989-03-28 1990-10-16
US5218523A (en) * 1990-08-08 1993-06-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Driver circuit for an inverter device with output voltage stabilization during start-up period
WO2000074222A1 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Hitachi, Ltd. H-type bridge circuit and integrated circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01291679A (en) * 1988-05-19 1989-11-24 Jidosha Kiki Co Ltd Drive circuit for normal and reverse rotation of motor
JPH02125598U (en) * 1989-03-28 1990-10-16
US5218523A (en) * 1990-08-08 1993-06-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Driver circuit for an inverter device with output voltage stabilization during start-up period
WO2000074222A1 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Hitachi, Ltd. H-type bridge circuit and integrated circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE8603760D0 (en) CHARGING PUMP CIRCUIT FOR N-CHANGE DRIVE MOS TRANSISTORS
JP4105314B2 (en) DC-DC converter circuit and battery-driven device
JP3097886B2 (en) Step-up chopper type switching power supply
JPS63314165A (en) Load driving device
JPH1175367A (en) Dc/dc converter
EP0312606A1 (en) Pre-drive circuit
JP3327011B2 (en) Power converter
JP2003116279A (en) Synchronous rectifying circuit
JPH0724947Y2 (en) Gate drive circuit
JP3061093B2 (en) Step-down chopper type switching power supply
JP2918006B2 (en) Boost type active filter circuit
JP2882472B2 (en) Power supply circuit using power insulated gate type FET
JPH0518286U (en) Switching Regulator
JP4215408B2 (en) Switching power supply
JPH0631346U (en) Electronics
JPH0430821Y2 (en)
JPS63124767A (en) Power source device using insulated gate type field effect transistor
JPS61230425A (en) Gate drive circuit for mos fet
JP3130357B2 (en) Inverting type switching regulator control IC
JP3657623B2 (en) DC-DC converter circuit
JPH02276465A (en) Charge pump voltage converter
JPH0613586Y2 (en) Power output element protection circuit
SU990060A1 (en) Control device for magnetic amplifier of direct current reversible motor
JPH0720090U (en) Synchronous rectification circuit of DC-DC converter
JPH03183356A (en) Dc-dc converter