JPS63308989A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63308989A JPS63308989A JP14578787A JP14578787A JPS63308989A JP S63308989 A JPS63308989 A JP S63308989A JP 14578787 A JP14578787 A JP 14578787A JP 14578787 A JP14578787 A JP 14578787A JP S63308989 A JPS63308989 A JP S63308989A
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- groove
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
-
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、同一下地上にレーザ発振器と、該レーザ発
振器の出力光を増幅するための光増幅器とを具えた半導
体レーザ装＝に関するものである。
振器の出力光を増幅するための光増幅器とを具えた半導
体レーザ装＝に関するものである。
（従来の技術）
情報伝達の有力な手段として、光通信に対する期待は非
常に大きい。そして、半導体Ｉ７−ザは、このような光
通信用の光源としても非常に好適なものてあつ、これに
ついての研究か従来から精力的になされている。
常に大きい。そして、半導体Ｉ７−ザは、このような光
通信用の光源としても非常に好適なものてあつ、これに
ついての研究か従来から精力的になされている。
このような半導体レーザとしては、例えば文献（電子通
信学会研究資料０ＱＥ８６−３２（１９８６年６月２７
日））に開示されているＶ 工Ｐ Ｓ （Ｖ−ｑｒｏｏ
ｖｅｄｊｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）ａｓｅｒｓ ｏｎ
２−１１１Ｐ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ）型のものかある
。
信学会研究資料０ＱＥ８６−３２（１９８６年６月２７
日））に開示されているＶ 工Ｐ Ｓ （Ｖ−ｑｒｏｏ
ｖｅｄｊｎｎｅｒ ５ｔｒｉｐｅ ）ａｓｅｒｓ ｏｎ
２−１１１Ｐ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ）型のものかある
。
第３図は、この文献に開示されているＶＩＰＳ型の半導
体レーザ（レーザ発振器と称することもある。）の構造
を概略的に示す図てあつ、この半導体レーザをレーザス
トライプと直交する方向に切って示した断面図である。
体レーザ（レーザ発振器と称することもある。）の構造
を概略的に示す図てあつ、この半導体レーザをレーザス
トライプと直交する方向に切って示した断面図である。
尚、図面か祷惟化することを回避するため、第３図は断
面を示すハツチングを一部省略して示しである。
面を示すハツチングを一部省略して示しである。
この半導体レーザは、ｐ型ＩｎＰ基板１１上にｐ型Ｉｎ
Ｐ層１３、ｎ型ＩｎＰ層１５及びｐ型Ｉ ｎ Ｐ １１
１７ヲ順次に具えていると共（こ、ストライブ方向か＜
１１０＞方向であってその方向と直交する方向にとった
断面形状かＶ字の、ｐ型ＩｎＰ層１７上がらｐ型工ｎＰ
層１３に至る溝１９と、この溝１９ヲ含むｐ型ＩｎＰ層
１７上に順次に設けられたｐ型ＩｎＰ下側りラット層２
１、■ｎＧａＡｓＰ活・１層２３及びｎ型丁ｎＰ上側ク
ラット層２５とを具えている。ざらに、この半導体レー
ザはｐ型ＩｎＰ基板１１下側面にｎ側電極２７を具え、
上側クラット層２５上にキヤ・ンブ層２９及びｎ側電極
３１を順次に具えでいる。このようなＶＩＰＳ型の半導
体レーザは、高出力動作か可能という特徴を有しでいて
、光通信システムの品質改善に寄与することは勿論のこ
と、各種ファイバセンサ、医療用、空間伝送用等に応用
出来るものであった。
Ｐ層１３、ｎ型ＩｎＰ層１５及びｐ型Ｉ ｎ Ｐ １１
１７ヲ順次に具えていると共（こ、ストライブ方向か＜
１１０＞方向であってその方向と直交する方向にとった
断面形状かＶ字の、ｐ型ＩｎＰ層１７上がらｐ型工ｎＰ
層１３に至る溝１９と、この溝１９ヲ含むｐ型ＩｎＰ層
１７上に順次に設けられたｐ型ＩｎＰ下側りラット層２
１、■ｎＧａＡｓＰ活・１層２３及びｎ型丁ｎＰ上側ク
ラット層２５とを具えている。ざらに、この半導体レー
ザはｐ型ＩｎＰ基板１１下側面にｎ側電極２７を具え、
上側クラット層２５上にキヤ・ンブ層２９及びｎ側電極
３１を順次に具えでいる。このようなＶＩＰＳ型の半導
体レーザは、高出力動作か可能という特徴を有しでいて
、光通信システムの品質改善に寄与することは勿論のこ
と、各種ファイバセンサ、医療用、空間伝送用等に応用
出来るものであった。
（発明か解決しようとする問題点）
しかしなから、第３図を用いで説明したような従来の半
導体レーザては、これをパルス動作させたり、或は振幅
変調動作させたりする場合、変調のための電流の振幅か
大きくなるという欠点があった。又、この半導体レーザ
を高出力か得られるように動作ざぜながら変調を行なお
うとした場合には、動作電流のダイナミ・ンクレンジは
非常に大きくなるため、高速変調が困難となり、よって
、所望とする高速変調を行なうことが難しいという問題
点があった。
導体レーザては、これをパルス動作させたり、或は振幅
変調動作させたりする場合、変調のための電流の振幅か
大きくなるという欠点があった。又、この半導体レーザ
を高出力か得られるように動作ざぜながら変調を行なお
うとした場合には、動作電流のダイナミ・ンクレンジは
非常に大きくなるため、高速変調が困難となり、よって
、所望とする高速変調を行なうことが難しいという問題
点があった。
この発明の目的は、上述した問題点を解決し、高速変調
か可能であって然も高出力を得ることが出来る半導体レ
ーザ装薗を提供することにある。
か可能であって然も高出力を得ることが出来る半導体レ
ーザ装薗を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明の半導体１ノーザ
装百によれば、 共通な下地にＶＩＰＳ型のレーザ発振器と、前述のレー
ザ発振器の活性層の一方の端面に一方のウララド層が接
するＤ Ｈ構造を有すると共に前述のレーザ発振器と接
する端面とは反対側の端面が前記活性層端面と非平行と
なっている前述のレーザ発振器用の光増幅器と、 前記レーザ発振器及び前記光増幅器を個々に駆動するた
めの個別の電極と を具えたことを特徴とする。
装百によれば、 共通な下地にＶＩＰＳ型のレーザ発振器と、前述のレー
ザ発振器の活性層の一方の端面に一方のウララド層が接
するＤ Ｈ構造を有すると共に前述のレーザ発振器と接
する端面とは反対側の端面が前記活性層端面と非平行と
なっている前述のレーザ発振器用の光増幅器と、 前記レーザ発振器及び前記光増幅器を個々に駆動するた
めの個別の電極と を具えたことを特徴とする。
（作用）
この発明の半導体レーザ装薗によれば、共通な下地上に
設けられたレーザ発振器と、このレーザ発振器の出力光
を増幅する光増幅器とをそれぞれ個別に駆動することか
出来るから、レーザ発振器をわすかな電流で駆動し、そ
の出力光を光増幅器で増幅して外部に出力することも可
能になる。
設けられたレーザ発振器と、このレーザ発振器の出力光
を増幅する光増幅器とをそれぞれ個別に駆動することか
出来るから、レーザ発振器をわすかな電流で駆動し、そ
の出力光を光増幅器で増幅して外部に出力することも可
能になる。
又、光増幅器のレーザ発振器と投する端面とは反対側の
端面（出射面）は、レーザ共振器の活′ｉ層端面と非平
行な面としであるから、光増幅器の戻り光かレーザ発振
器に再入射されることを防止出来る。
端面（出射面）は、レーザ共振器の活′ｉ層端面と非平
行な面としであるから、光増幅器の戻り光かレーザ発振
器に再入射されることを防止出来る。
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の半導体レーザ装薗の一
実施例につき説明する。尚、以下の説明に用いる各図は
、この発明か理解出来る程度に概略的に示しであるにす
ぎず、従って、各構成成分の寸法、形状、及び配百関係
は図示例のみに限定されるものでないことは理解された
い。又、説明に用いる各図において同様な構成成分につ
いでは同一の符号を付して示しである。
実施例につき説明する。尚、以下の説明に用いる各図は
、この発明か理解出来る程度に概略的に示しであるにす
ぎず、従って、各構成成分の寸法、形状、及び配百関係
は図示例のみに限定されるものでないことは理解された
い。又、説明に用いる各図において同様な構成成分につ
いでは同一の符号を付して示しである。
半１体レーザ２１の擾゛告
先ず、この発明の半導体レーザ装置の構造につき説明す
る。第１図（△）はその半導体レーザ製画の一構造例を
概略的に示す斜視図であり、第１図（Ｂ）はこの半導体
装薗を第１図（Ａ）に示すＩ−Ｉ線に；８って切って示
した断面図である。
る。第１図（△）はその半導体レーザ製画の一構造例を
概略的に示す斜視図であり、第１図（Ｂ）はこの半導体
装薗を第１図（Ａ）に示すＩ−Ｉ線に；８って切って示
した断面図である。
尚、第１図ＣＢ）においては、図面が複雑化することを
回避するため、断面を示すハツチングを一部省略しであ
る。
回避するため、断面を示すハツチングを一部省略しであ
る。
第１図（△）及び（Ｂ）にあいで、４１は共通の下地と
しての例えばｐ型ＩｎＰ基板を示す。この実施例の場合
、このＩｎＰ基板４１上にＶＩＰＳ型のレーザ共振器と
、このレーザ共振器の出力光を増幅するための光増幅器
とを以下に説明するように設けである。
しての例えばｐ型ＩｎＰ基板を示す。この実施例の場合
、このＩｎＰ基板４１上にＶＩＰＳ型のレーザ共振器と
、このレーザ共振器の出力光を増幅するための光増幅器
とを以下に説明するように設けである。
ｐ型ＩｎＰ基板４１上には、ｐ型ＩｎＰバッファ層４３
、ｎ型ＩｎＰ層４５及びｐ型ＩｎＰ層４７とを基板４１
側から順次に具える。ざらに、このｐ型工。
、ｎ型ＩｎＰ層４５及びｐ型ＩｎＰ層４７とを基板４１
側から順次に具える。ざらに、このｐ型工。
Ｐ層４７には、溝幅かＷｌからＷ２ （Ｗｌ ＞Ｗ２
）に途中で変化するストライブ状の溝であって、溝幅
かＷ、の部分では溝深ざかｄ１溝幅かＷ２の部分では溝
深ざかｄ２ （ｄ＋ ＞ｃ１２）になっておりいずれも
ｐ型ＩｎＰ層４７表面からｎ型工ｎＰ層に至る深さの溝
であって、然も、ストライブ方向と直交する方向にとっ
た断面形状かＶ字形状の溝を具える。第１図（Ａ）にお
いでは、溝幅かＷｌの溝部分のみか表されており、番号
４９ａ ％付しで示しである。尚、ｐ型工ｎＰ層４３、
ｎ型ＩｎＰ層４５及びｐ型工ｎＰ層４７の積層体の溝両
側に残存する部分は電流狭窄層として機能する。
）に途中で変化するストライブ状の溝であって、溝幅
かＷ、の部分では溝深ざかｄ１溝幅かＷ２の部分では溝
深ざかｄ２ （ｄ＋ ＞ｃ１２）になっておりいずれも
ｐ型ＩｎＰ層４７表面からｎ型工ｎＰ層に至る深さの溝
であって、然も、ストライブ方向と直交する方向にとっ
た断面形状かＶ字形状の溝を具える。第１図（Ａ）にお
いでは、溝幅かＷｌの溝部分のみか表されており、番号
４９ａ ％付しで示しである。尚、ｐ型工ｎＰ層４３、
ｎ型ＩｎＰ層４５及びｐ型工ｎＰ層４７の積層体の溝両
側に残存する部分は電流狭窄層として機能する。
さらに、上述した溝内及びｎ型ＩｎＰ層４７上に下側ウ
ラット層としてのｐ型ＩｎＰ層５１、活゛け層としての
ＩｎＧａＡｓＰ層５３及び上側ウラット層としてのｎ型
ＩｎＰ層５５のＤＨ（ダブルへテロ）構造と、キャップ
層としてのｎ型Ｇａ工ｎＡｓＰ層５７とを溝側から順次
に具える。尚、このとき、溝幅がＷｌて溝深さかｄｌの
溝部分４９ａ（以下、第−溝４９ａと称することもある
）内の活性層と、溝幅かＷ２で溝深ざかｄ２の溝部分（
以下、第二溝と称することもある）内の活′Ｉ′Ｉ層と
は、半導体層の積層方向において互いに異なる位ゴにな
っている。具体的に説明すれば、この実施例の場合、第
−溝と、第二溝との境界位置においては、第二溝内の活
性層は第一溝内の上側クラット層からなるエピタキシャ
ル層に按しでいる。又、溝深ざか浅い第二溝の第−溝と
接する側と反対の側の端部においでは、ｐ型ＩｎＰ基板
４１からｎ型Ｉ ｎＧａ△ｓＰキャップ層５７まての各
層はレーザ発振に供する端面５９となるように例えば襞
間等による加工かなされている。
ラット層としてのｐ型ＩｎＰ層５１、活゛け層としての
ＩｎＧａＡｓＰ層５３及び上側ウラット層としてのｎ型
ＩｎＰ層５５のＤＨ（ダブルへテロ）構造と、キャップ
層としてのｎ型Ｇａ工ｎＡｓＰ層５７とを溝側から順次
に具える。尚、このとき、溝幅がＷｌて溝深さかｄｌの
溝部分４９ａ（以下、第−溝４９ａと称することもある
）内の活性層と、溝幅かＷ２で溝深ざかｄ２の溝部分（
以下、第二溝と称することもある）内の活′Ｉ′Ｉ層と
は、半導体層の積層方向において互いに異なる位ゴにな
っている。具体的に説明すれば、この実施例の場合、第
−溝と、第二溝との境界位置においては、第二溝内の活
性層は第一溝内の上側クラット層からなるエピタキシャ
ル層に按しでいる。又、溝深ざか浅い第二溝の第−溝と
接する側と反対の側の端部においでは、ｐ型ＩｎＰ基板
４１からｎ型Ｉ ｎＧａ△ｓＰキャップ層５７まての各
層はレーザ発振に供する端面５９となるように例えば襞
間等による加工かなされている。
このような構造においては、第二溝内の活性層は、スト
ライブ方向において端面５９（この場合、（１１０）面
か又はその面と等価な面）と、第−溝の上側クラッド層
との間に挟まれることになワノァブリベロー共振器か構
成され、よって、第二溝の部分に第３図を用いて既に説
明したようなＶＩＰＳ型のレーザ共振器６１ヲ構成する
ことか出来る。又、第−溝に連続する第二溝の部分に、
このレーザ共振器の出力光を増幅するための光増幅器６
３を構成することか出来、第二溝の第−溝と接する側と
反対の側の端部がレーザ光の出射面６５ということにな
る。
ライブ方向において端面５９（この場合、（１１０）面
か又はその面と等価な面）と、第−溝の上側クラッド層
との間に挟まれることになワノァブリベロー共振器か構
成され、よって、第二溝の部分に第３図を用いて既に説
明したようなＶＩＰＳ型のレーザ共振器６１ヲ構成する
ことか出来る。又、第−溝に連続する第二溝の部分に、
このレーザ共振器の出力光を増幅するための光増幅器６
３を構成することか出来、第二溝の第−溝と接する側と
反対の側の端部がレーザ光の出射面６５ということにな
る。
尚、実施例の光増幅器６３の出射面６５は、ｐ型ＩｎＰ
層４３、ｎ型ＩｎＰ層４５、ｐ型ＩｎＰ層４７と、下側
クラッド層５１、活性層５３、上側クラッド層５５及び
キャップ層５ｔの各層を、キャップ層５７表面から基板
４１に至るまで除去した面で構成されているが、この面
で反射された光がレーザ発振器６１に戻ることかないよ
うにするため、この面がレーザ発振器６１の端面５９と
等価な結晶面５９ａに対し角度ｅを有するようになって
いる。このθで示される角度は、反射率を零に抑えるこ
とか出来るブルースター角度か望ましくこの場合その角
度は７４度どなる。しかしなから、θで示される角度は
必すしもブルースター角度である必要はなく、１ｏ度以
上になるようにすれば戻り光の影響はほとんどなくなる
。又、この出射面は基板面（こ対して垂直であることか
好ましく、このようにしておけば、レーザ光を基板面と
平行な方向に放射させることか出来る。
層４３、ｎ型ＩｎＰ層４５、ｐ型ＩｎＰ層４７と、下側
クラッド層５１、活性層５３、上側クラッド層５５及び
キャップ層５ｔの各層を、キャップ層５７表面から基板
４１に至るまで除去した面で構成されているが、この面
で反射された光がレーザ発振器６１に戻ることかないよ
うにするため、この面がレーザ発振器６１の端面５９と
等価な結晶面５９ａに対し角度ｅを有するようになって
いる。このθで示される角度は、反射率を零に抑えるこ
とか出来るブルースター角度か望ましくこの場合その角
度は７４度どなる。しかしなから、θで示される角度は
必すしもブルースター角度である必要はなく、１ｏ度以
上になるようにすれば戻り光の影響はほとんどなくなる
。又、この出射面は基板面（こ対して垂直であることか
好ましく、このようにしておけば、レーザ光を基板面と
平行な方向に放射させることか出来る。
さらに、ｐ型ＩｎＰ基板４１の下側面には、レーザ発振
器６１及び光増幅器６３用の共通ｐ Ｉｌｌ電極６７を
、キャップ層５７のレーザ発振器に対応する部分上には
レーザ発振器用の個別ｎ側電極６９ａを、キャップ層５
７の光増幅器に対応する部分上には光増幅器用の個別ｎ
側電極６９ｂ ￥Ｅそれぞれ具えている。
器６１及び光増幅器６３用の共通ｐ Ｉｌｌ電極６７を
、キャップ層５７のレーザ発振器に対応する部分上には
レーザ発振器用の個別ｎ側電極６９ａを、キャップ層５
７の光増幅器に対応する部分上には光増幅器用の個別ｎ
側電極６９ｂ ￥Ｅそれぞれ具えている。
゛ レーザ、 の制゛告−法
次に、この発明の半導体レーザ装＝の理Ｍｕ深めるため
、第２図（Ａ）〜（Ｃ）及び第１図（ハ）を参照して上
述した半導体レーザ装ゴの製造方法の一例につき簡単に
説明する。尚、第２図（ハ）〜（Ｃ）はその製造工程図
てあつ、製造工程中の主な工程におけるウニハの状態を
斜視図で示したものである。
、第２図（Ａ）〜（Ｃ）及び第１図（ハ）を参照して上
述した半導体レーザ装ゴの製造方法の一例につき簡単に
説明する。尚、第２図（ハ）〜（Ｃ）はその製造工程図
てあつ、製造工程中の主な工程におけるウニハの状態を
斜視図で示したものである。
ｐ型ＩｎＰ基板４１の（コＯ○）面上にｐ型工ｎＰバッ
フ２層４３、ｎ型ＩｎＰ層４５及びｐ型ＩｎＰ層４７を
基板４１側がら順次にエピタキシャル成長させる。次に
、ｐ型ＩｎＰ層４７上に、この層の一部７８＜１１０＞
方向にストライブ状に露出する窓であって窓の幅かＷｌ
からＷ２ （Ｗｌ ＞Ｗ２ ）に途中で変化する窓７
１ａを有するマスク層７１を形成する（第２図（Ａ））
。このマスク層７１を構成する材料としでは例えば８１
０２等を用いることが出来る。又、このマスク層７１の
形成は従来公知の成膜技術及びフォトエツチング技術を
用いで行なうことか出来る。
フ２層４３、ｎ型ＩｎＰ層４５及びｐ型ＩｎＰ層４７を
基板４１側がら順次にエピタキシャル成長させる。次に
、ｐ型ＩｎＰ層４７上に、この層の一部７８＜１１０＞
方向にストライブ状に露出する窓であって窓の幅かＷｌ
からＷ２ （Ｗｌ ＞Ｗ２ ）に途中で変化する窓７
１ａを有するマスク層７１を形成する（第２図（Ａ））
。このマスク層７１を構成する材料としでは例えば８１
０２等を用いることが出来る。又、このマスク層７１の
形成は従来公知の成膜技術及びフォトエツチング技術を
用いで行なうことか出来る。
次に、好適なエツチング液を用い、窓７１ａから露出し
でいるｐ型ＩｎＰ層４７の部分表面からｐ型ＩｎＰバッ
ファ層４３に至るまでエツチングを行なう。このエツチ
ングにおいでは、息の幅か広いＷｌの部分は、窓の幅か
侠いＷ２の部分よつも深くエツチングされ、溝深ざｄ、
の部分（既に説明した第−溝４９ａ（ご該当する部分）
と溝深ざｄ２の部分（第二溝４９ｂ）とを有するストラ
イブ状の溝であってストライブ方向と直交する方向にと
った断面かＶ字形状の溝４９を容易に得ることか出来る
。次に、好適な方法によってマス／７層７１ヲ除去する
（第２図（Ｂ））。
でいるｐ型ＩｎＰ層４７の部分表面からｐ型ＩｎＰバッ
ファ層４３に至るまでエツチングを行なう。このエツチ
ングにおいでは、息の幅か広いＷｌの部分は、窓の幅か
侠いＷ２の部分よつも深くエツチングされ、溝深ざｄ、
の部分（既に説明した第−溝４９ａ（ご該当する部分）
と溝深ざｄ２の部分（第二溝４９ｂ）とを有するストラ
イブ状の溝であってストライブ方向と直交する方向にと
った断面かＶ字形状の溝４９を容易に得ることか出来る
。次に、好適な方法によってマス／７層７１ヲ除去する
（第２図（Ｂ））。
次に、この溝４９及びｐ型工ｎＰ層４７上に、ｐ型Ｉｎ
Ｐ下側クラ・ンド層５１、ＩｎＧａＡｓＰ活・注層５３
、ｎ型ＩｎＰ上側クラッド層５５及びｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐキヤ・ンブ層５７を順次にエピタキシャル成長させる
と共に、溝４９に対応する部分を平坦化する。このとき
、第−溝４９ａと、第二溝４９ｂとが連続する部分で、
第一溝内の活゛ｉ層か第二溝内の上側クラット層と接す
るような結晶成長条件で各層を成長させる（第２図（Ｃ
））。
Ｐ下側クラ・ンド層５１、ＩｎＧａＡｓＰ活・注層５３
、ｎ型ＩｎＰ上側クラッド層５５及びｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐキヤ・ンブ層５７を順次にエピタキシャル成長させる
と共に、溝４９に対応する部分を平坦化する。このとき
、第−溝４９ａと、第二溝４９ｂとが連続する部分で、
第一溝内の活゛ｉ層か第二溝内の上側クラット層と接す
るような結晶成長条件で各層を成長させる（第２図（Ｃ
））。
次に、第二溝の第−溝と接する側とは反対側において、
ｐ型工ｎＰバッファ層４３、ｎ型工ｎＰ層４５、ｐ型Ｉ
ｎＰ層４７、下側クラッド層５１、活性層５３、上側ク
ラッド層５５及びキャップ層５７から成る積層体の端面
かレーザ共振器端面と等価な結晶面５９ａに対しである
角度θを有するような面にする加工即ち出射面の形成を
、以下に説明するように行なう。ｎ型工ｎＧａＡｓキャ
ップ層５７上に、所定のマスクを形成する。その後、Ｂ
ｒ（ブロム）と、エタノールとを含むエツチング液を用
い、マスクから露出しているキャップ層表面からｐ型Ｉ
ｎＰバッファ層４３に至るまで各層の不用部分を除去す
る。次に、従来公知の成膜技術及びフォトエツチング技
術を用いて、ｐ型ＩｎＰ基板４１の下側面にレーザ発振
器６１及び光増幅器６３用の共通ｐ側電極６７ヲ、キャ
ップ層５７のレーザ発振器に対応する領域上にレーザ発
揚器用の個別ｎ側電極６９ａを、キャップ層５７の光増
幅器に対応する領域上に光増幅器用の個別ｎ側電極６９
ｂ ｔそれぞれ形成して第１図（△）に示したような実
施例の半導体レーザ装百ヲ得ることか出来る。
ｐ型工ｎＰバッファ層４３、ｎ型工ｎＰ層４５、ｐ型Ｉ
ｎＰ層４７、下側クラッド層５１、活性層５３、上側ク
ラッド層５５及びキャップ層５７から成る積層体の端面
かレーザ共振器端面と等価な結晶面５９ａに対しである
角度θを有するような面にする加工即ち出射面の形成を
、以下に説明するように行なう。ｎ型工ｎＧａＡｓキャ
ップ層５７上に、所定のマスクを形成する。その後、Ｂ
ｒ（ブロム）と、エタノールとを含むエツチング液を用
い、マスクから露出しているキャップ層表面からｐ型Ｉ
ｎＰバッファ層４３に至るまで各層の不用部分を除去す
る。次に、従来公知の成膜技術及びフォトエツチング技
術を用いて、ｐ型ＩｎＰ基板４１の下側面にレーザ発振
器６１及び光増幅器６３用の共通ｐ側電極６７ヲ、キャ
ップ層５７のレーザ発振器に対応する領域上にレーザ発
揚器用の個別ｎ側電極６９ａを、キャップ層５７の光増
幅器に対応する領域上に光増幅器用の個別ｎ側電極６９
ｂ ｔそれぞれ形成して第１図（△）に示したような実
施例の半導体レーザ装百ヲ得ることか出来る。
尚、レーザ発振器端面とある角度θを有する出射面６５
ヲ形成することを、Ｒ工Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏ
ｎＥ±ｃｈｉｎｑ ） ’ｉ用いたいわゆるドライエツ
チング法で行なうことも出来る。この方法は、ＩｎＰ系
の材料に対して上述のような出射面６５ヲ形成する際に
侵れた方法であって、基板に対して垂直でかつレーザ発
振器端面に対し任意な角度θの出射面を容易に得ること
が出来る。
ヲ形成することを、Ｒ工Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏ
ｎＥ±ｃｈｉｎｑ ） ’ｉ用いたいわゆるドライエツ
チング法で行なうことも出来る。この方法は、ＩｎＰ系
の材料に対して上述のような出射面６５ヲ形成する際に
侵れた方法であって、基板に対して垂直でかつレーザ発
振器端面に対し任意な角度θの出射面を容易に得ること
が出来る。
尚、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもので
はない。
はない。
実施例においては、光増幅器をＶＩＰＳ型のレーザ増幅
器とした例で説明しているか、この光増幅器５１の構造
はこの発明の目的の達成出来るものであれば他の好適な
ものでも良い。
器とした例で説明しているか、この光増幅器５１の構造
はこの発明の目的の達成出来るものであれば他の好適な
ものでも良い。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体
レーザ装＝によれば、共通な下地上に設けられたレーザ
発振器及びこのレーザ発振器の出力光を増幅する光増幅
器に対しそれぞれ独立に異なる大きざの電流を流すこと
が出来る。従って、レーザ発振器は、高速変調を行なわ
せることに支障のない程度の電流で駆動し、その出力光
を光増幅器で増幅して外部に出力するということも可能
になる。
レーザ装＝によれば、共通な下地上に設けられたレーザ
発振器及びこのレーザ発振器の出力光を増幅する光増幅
器に対しそれぞれ独立に異なる大きざの電流を流すこと
が出来る。従って、レーザ発振器は、高速変調を行なわ
せることに支障のない程度の電流で駆動し、その出力光
を光増幅器で増幅して外部に出力するということも可能
になる。
これかため、高速変調か可能であって然も高出力を得る
ことか可能になる。
ことか可能になる。
第１図（△）は、この発明の実施例の半導体レーザ＠荀
を概略的に示す斜視図、 第１図（Ｂ）は、第１図（Ａ）に示した半導体レーザ装
コを同図中のＩ−Ｉ線に沿って切って示した断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は、第１図に示したこの発明の半
導体レーザ装置の製造方法の一例を示す製造工程図、 第３図は、従来及びこの発明の説明に供する図であって
、ＶＩＰＳ型の半導体レーザ（レーザ発振器）の構造を
概略的に示す断面図である。 ４）・・・下地（ｐ型工ｎＰ基板） ４３・・・バッファ層（ｐ型ＩｎＰ層）４５・ｎ型Ｔｎ
Ｐ層、 ４７−ｏ型工ｎＰ層４９・・・ストライブ状
のＶ溝 ４９ａ・・・第−溝、 ４９ｂ・・・第二溝５１
・・・下側クラット層（ｐ型ＩｎＰ層）５３ ・・・活
性層（ＩｎＧａＡｓＰ層）５５・・・上側ウラット層（
ｎ型工ｎＰ層）５７ ＝−・キャップ層（ｎ型Ｉ ｎＧ
ａＡｓ Ｐ層）５９・・・レーザ発振器の端面 ５９ａ・・・レーザ発振器の端面と等価な結晶面Ｂ１・
・・ＶＩＰＳ型のレーザ発振器 ６３・・・光増幅器、 ６５・・・出射面６７・
・・共通電極 ６９ａ・・・レーザ発振器用の個別電極６９ｂ・・・光
増幅器用の個別電極 ７１・・・マスク層、 ７１ａ・・・窓。 特許出願人 沖電気工業株式会社く ロー
を概略的に示す斜視図、 第１図（Ｂ）は、第１図（Ａ）に示した半導体レーザ装
コを同図中のＩ−Ｉ線に沿って切って示した断面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）は、第１図に示したこの発明の半
導体レーザ装置の製造方法の一例を示す製造工程図、 第３図は、従来及びこの発明の説明に供する図であって
、ＶＩＰＳ型の半導体レーザ（レーザ発振器）の構造を
概略的に示す断面図である。 ４）・・・下地（ｐ型工ｎＰ基板） ４３・・・バッファ層（ｐ型ＩｎＰ層）４５・ｎ型Ｔｎ
Ｐ層、 ４７−ｏ型工ｎＰ層４９・・・ストライブ状
のＶ溝 ４９ａ・・・第−溝、 ４９ｂ・・・第二溝５１
・・・下側クラット層（ｐ型ＩｎＰ層）５３ ・・・活
性層（ＩｎＧａＡｓＰ層）５５・・・上側ウラット層（
ｎ型工ｎＰ層）５７ ＝−・キャップ層（ｎ型Ｉ ｎＧ
ａＡｓ Ｐ層）５９・・・レーザ発振器の端面 ５９ａ・・・レーザ発振器の端面と等価な結晶面Ｂ１・
・・ＶＩＰＳ型のレーザ発振器 ６３・・・光増幅器、 ６５・・・出射面６７・
・・共通電極 ６９ａ・・・レーザ発振器用の個別電極６９ｂ・・・光
増幅器用の個別電極 ７１・・・マスク層、 ７１ａ・・・窓。 特許出願人 沖電気工業株式会社く ロー
Claims (1)
- （１）共通な下地にＶＩＰＳ型のレーザ発振器と、前記
レーザ発振器の活性層の一方の端面に一方のクラッド層
が接するＤＨ構造を有すると共に前記レーザ発振器と接
する端面とは反対側の端面が前記活性層端面と非平行と
なっている前記レーザ発振器用の光増幅器と、 前記レーザ発振器及び前記光増幅器を個々に駆動するた
めの個別の電極と を具えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14578787A JPH069276B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14578787A JPH069276B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308989A true JPS63308989A (ja) | 1988-12-16 |
| JPH069276B2 JPH069276B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=15393151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14578787A Expired - Fee Related JPH069276B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069276B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5541950A (en) * | 1994-02-22 | 1996-07-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including groove having variable dimensions |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP14578787A patent/JPH069276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5541950A (en) * | 1994-02-22 | 1996-07-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including groove having variable dimensions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH069276B2 (ja) | 1994-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |