JPS6329846B2 - - Google Patents

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JPS6329846B2
JPS6329846B2 JP56126309A JP12630981A JPS6329846B2 JP S6329846 B2 JPS6329846 B2 JP S6329846B2 JP 56126309 A JP56126309 A JP 56126309A JP 12630981 A JP12630981 A JP 12630981A JP S6329846 B2 JPS6329846 B2 JP S6329846B2
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JP
Japan
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emitter
amplifier
stage
stage amplifier
base
Prior art date
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Application number
JP56126309A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5827408A (en
Inventor
Yasushi Koyama
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP56126309A priority Critical patent/JPS5827408A/en
Publication of JPS5827408A publication Critical patent/JPS5827408A/en
Publication of JPS6329846B2 publication Critical patent/JPS6329846B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、低入力インピーダンス型広帯域前
置増幅器の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to improvements in low input impedance broadband preamplifiers.

出力インピーダンスが小さく容量の大きい信号
源からの信号を広い周波数帯域にわたつて増幅す
る場合、一般には低入力インピーダンス型広帯域
前置増幅器が用いられる。この増幅器に関して
は、発明者は先に特願昭56−73926で(特開昭57
−188117号公報)、一対の相逆性トランジスタを
2組使用することで温度変化に対する安定化を図
ることができ、しかも、消費電力が少なく入力イ
ンピーダンスの極めて低い広帯域で低雑音の前置
増幅器を開示した。
When amplifying a signal from a signal source with low output impedance and large capacity over a wide frequency band, a low input impedance wideband preamplifier is generally used. Regarding this amplifier, the inventor previously filed Japanese Patent Application No. 56-73926.
-188117 Publication), by using two pairs of phase-reversing transistors, it is possible to achieve stability against temperature changes, and also to create a wide-band, low-noise preamplifier with low power consumption and extremely low input impedance. Disclosed.

ところが、この前置増幅器は、最終段にエミツ
タ・ホロワを設けて、その出力インピーダンスを
低く保持するようにしたものであり、かかる低出
力インピーダンスの出力信号を必要としないもの
に適用する場合には、そのエミツタ・ホロワが不
必要なものとならざるを得ない。
However, this preamplifier is equipped with an emitter follower at the final stage to keep its output impedance low, and when applied to something that does not require an output signal with such a low output impedance, , the emitsuta holowa has no choice but to become unnecessary.

この発明は、かかるエミツタ・ホロワを用いず
に、増幅器全体の温度変化に対する安定化を図る
ことができ、しかも、その増幅特性が先願に対し
て勝るとも劣らない低入力インピーダンス型広帯
域前置増幅器を提供することを目的とする。
The present invention is a low input impedance type wideband preamplifier that can stabilize the entire amplifier against temperature changes without using such an emitter follower, and whose amplification characteristics are superior to those of the prior application. The purpose is to provide

すなわち、この発明は、ベース接地増幅器を初
段に、エミツタ接地増幅器を第2段と最終段とに
順次直接結合してなり、初段の増幅器をNPN型
トランジスタで、第2段と最終段との増幅器を
PNP型トランジスタでそれぞれ構成し、第2段
増幅器のエミツタ回路にバイアス供給を兼ねた温
度補償素子を組込むとともに、最終段増幅器のエ
ミツタを初段増幅器のエミツタに直結して、最終
段増幅器のコレクタから出力信号を得るようにし
てなる低入力インピーダンス型広帯域前置増幅器
にかかるものである。
That is, in this invention, a common-base amplifier is directly coupled to the first stage, a common-emitter amplifier is directly coupled to the second stage and the final stage, and the first stage amplifier is an NPN transistor, and the second stage and final stage amplifiers are directly coupled to each other. of
Each is composed of PNP type transistors, and a temperature compensation element that also serves as a bias supply is incorporated into the emitter circuit of the second stage amplifier, and the emitter of the final stage amplifier is directly connected to the emitter of the first stage amplifier, and the output is output from the collector of the final stage amplifier. The present invention relates to a low input impedance type wideband preamplifier for obtaining a signal.

この発明は、前記先願における最終段のエミツ
タ・ホロワを省いて、その直前の第3段増幅器か
ら直接出力信号を得るようにし、この最終段のエ
ミツタ・ホロワを省くことによる回路全体の熱的
安定度の低下は、第2段増幅器にバイアス供給を
兼ねた温度補償素子を組込むことによつて補償す
るようにしたものである。
This invention eliminates the emitter follower at the final stage in the prior application and obtains an output signal directly from the third stage amplifier immediately before it, and by eliminating the emitter follower at the final stage, the thermal effect of the entire circuit is reduced. The decrease in stability is compensated for by incorporating a temperature compensation element that also serves as a bias supply into the second stage amplifier.

以下、この発明の具体的な構成を図面に基づい
て詳細に説明する。
Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail based on the drawings.

図は、この発明にかかる増幅器の一実施例の回
路構成を示したもので、この増幅器は、直結3段
増幅器として構成され、その初段にはベース接地
増幅器10が、第2段と最終段にはエミツタ接地
増幅器20,30が用いられる。そして、各増幅
器10〜30を構成するトランジスタQ1〜Q3は、
初段がNPN型で第2段と最終段とがPNP型でそ
れぞれ構成され、また、トランジスタQ2のエミ
ツタにはバイアス供給を兼ねたツエナーダイオー
ド等からなる温度補償素子D1が接続される。こ
れは、NPN型とPNP型のいわゆる相逆性トラン
ジスタを用いることによつて、温度変化によるこ
れら一対のトランジスタのコレクタ電流の変動を
相殺させ、また、残る1つのPNP型トランジス
タに対しては、温度補償素子D1でもつてそのコ
レクタ電流の変動を相殺させ、回路全体として温
度変化に対する直流出力電圧の安定化を図るよう
にしたものである。この場合において、特に初段
にNPN型を配し、第2段と最終段とにPNP型を
配したのは、後述する電流帰還回路Fを形成する
ことによる回路全体の作動条件からくる限定であ
り、その詳細については、前記先願において詳述
した。
The figure shows the circuit configuration of an embodiment of the amplifier according to the present invention. This amplifier is configured as a direct-coupled three-stage amplifier, with a common base amplifier 10 in the first stage and a common base amplifier 10 in the second and final stages. Grounded emitter amplifiers 20 and 30 are used. The transistors Q 1 to Q 3 constituting each amplifier 10 to 30 are
The first stage is of the NPN type, and the second and final stages are of the PNP type, and the emitter of the transistor Q2 is connected to a temperature compensating element D1 consisting of a Zener diode or the like which also serves as a bias supply. By using so-called phase-reversible transistors of NPN type and PNP type, fluctuations in the collector current of these pair of transistors due to temperature changes are canceled out, and for the remaining PNP type transistor, The temperature compensating element D1 also cancels out fluctuations in its collector current, so that the entire circuit stabilizes the DC output voltage against temperature changes. In this case, the reason why the NPN type is used in the first stage and the PNP type is used in the second and final stages is due to the limitations imposed by the operating conditions of the entire circuit due to the formation of the current feedback circuit F, which will be described later. , the details of which were explained in detail in the earlier application.

この電流帰還回路Fは、初段のトランジスタ
Q1のエミツタと最終段のトランジスタQ3のエミ
ツタとを直結することによつて形成される。これ
は、初段増幅器10への入力電流を総て最終段増
幅器30のエミツタ電流として取り込むように作
動させるためであり、これによつて、入力端子1
1から見た入力インピーダンスを一層低減させ、
広帯域にわたる増幅と高信号対低雑音比を達成さ
せることができる。
This current feedback circuit F is the first stage transistor.
It is formed by directly connecting the emitter of Q1 and the emitter of the final stage transistor Q3 . This is to operate so that all the input current to the first stage amplifier 10 is taken in as the emitter current of the final stage amplifier 30, and thereby, the input terminal 1
The input impedance seen from 1 is further reduced,
Broadband amplification and high signal-to-noise ratio can be achieved.

各トランジスタQ1〜Q3は、負荷抵抗R1〜R5
ツエナーダイオードD1とを介して2電源V1,V2
から電流帰還方式でもつて所定電圧値にバイアス
される。
Each transistor Q 1 to Q 3 is connected to two power supplies V 1 and V 2 via a load resistor R 1 to R 5 and a Zener diode D 1 .
It is biased to a predetermined voltage value using a current feedback method.

すなわち、トランジスタQ1のコレクタはR1
介して、また、エミツタはR2を介してそれぞれ
バイアスされ、その時のベースエミツタ間は、ベ
ースが接地されていることによりトランジスタ固
有のベースエミツタ間電圧値に保持される。
In other words, the collector of transistor Q 1 is biased through R 1 , and the emitter is biased through R 2 , and the base-emitter voltage at that time is maintained at the transistor-specific base-emitter voltage value because the base is grounded. be done.

一方、トランジスタQ2のエミツタはツエナー
ダイオードD1を介して、また、コレクタはR3
介してそれぞれバイアスされ、この時のベースエ
ミツタ間には、Q1のコレクタ電流のR1による電
圧降下と、ツエナーダイオードD1の端子間電圧
との差が供給される。
On the other hand, the emitter of transistor Q 2 is biased through the Zener diode D 1 and the collector is biased through R 3 , and at this time, there is a voltage drop between the base and emitter of the collector current of Q 1 due to R 1 , The difference between the voltage across the terminals of the Zener diode D1 is supplied.

また、トランジスタQ3のコレクタはR5を介し
て、またそのエミツタは、初段のR2を介してそ
れぞれバイアスされ、この時のベースエミツタ間
には、Q2のコレクタ電流のR3による電圧降下VC2
に、Q3のベース電流のR4による電圧降下を加え
た電圧と、Q1のエミツタ電圧との差が供給され
る。
In addition, the collector of transistor Q 3 is biased through R 5 and its emitter is biased through R 2 in the first stage, and at this time, a voltage drop V due to R 3 of the collector current of Q 2 exists between the base and emitter. C2
is supplied with the difference between the base current of Q 3 plus the voltage drop across R 4 and the emitter voltage of Q 1 .

この場合、Q1のエミツタ電位は、前述の通り
定まつているので、Q3のベース電位はそのエミ
ツタ電位よりVBE3だけ低くする必要がある。その
ために負荷抵抗R1,R2,R3の抵抗値は、それに
応ずるように適宜選定される。
In this case, since the emitter potential of Q 1 is fixed as described above, the base potential of Q 3 needs to be lower than its emitter potential by V BE3 . Therefore, the resistance values of the load resistors R 1 , R 2 , and R 3 are appropriately selected accordingly.

このように各トランジスタQ1〜Q3が所定電圧
値にバイアスされた状態においてはQ1のエミツ
タ電流は一定値に安定し、次のように動作する。
In this manner, when each of the transistors Q 1 to Q 3 is biased to a predetermined voltage value, the emitter current of Q 1 is stabilized at a constant value, and the operation is as follows.

すなわち、入力端子11に矢印方向の入力電流
iiが導入されると、このiiのR2の電圧降下によつ
てQ1のエミツタ電位は上昇し、それによつてQ1
のベース電流が減少し、さらにそのコレクタ電流
が減少してコレクタ電位を上昇させるvc1参照)。
この上昇によつてQ2のベースエミツタ間電圧が
減少し、そのベース電流が減少する。これによつ
てQ2のコレクタにはβ(エミツタ接地電流増幅
率)倍増幅されたコレクタ電流が流れ、そのコレ
クタ電位(vc2参照)を降下させる。
In other words, an input current is applied to the input terminal 11 in the direction of the arrow.
When ii is introduced, the voltage drop across R 2 of ii causes the emitter potential of Q 1 to rise, thereby increasing Q 1
The base current of V decreases, which further decreases its collector current and increases the collector potential (see v c1 ).
This increase causes the base-emitter voltage of Q 2 to decrease, and its base current to decrease. As a result, a collector current amplified by β (grounded emitter current amplification factor) flows through the collector of Q2 , causing its collector potential (see v c2 ) to drop.

一方、Q3のエミツタ電位VE3は、Q1のエミツタ
電位と等しくなつているため、その電位VE3は上
昇する(ve3参照)。このため、Q3のベースエミツ
タ間の電位差VBE3は加算的に増大し、Q3のベー
ス電流を増大させる。したがつて、Q3のコレク
タには、さらにβ倍されたコレクタ電流が流れ、
これが出力端子13,14から出力信号として出
力される。この場合、その出力インピーダンス
は、前記先願のものよりも高いことは明らかであ
る。
On the other hand, since the emitter potential V E3 of Q 3 is equal to the emitter potential of Q 1 , the potential V E3 increases (see ve3 ). Therefore, the potential difference V BE3 between the base and emitter of Q 3 increases additively, increasing the base current of Q 3 . Therefore, a collector current multiplied by β flows through the collector of Q 3 ,
This is output as an output signal from output terminals 13 and 14. In this case, it is clear that its output impedance is higher than that of the prior application.

また、Q3のエミツタ電流は、前記電流帰還回
路Fを介して初段増幅器10の入力端に帰還さ
れ、増幅動作の安定化と広帯域にわたる周波数特
性の改善、並びに雑音等の低減が行なわれる。
Further, the emitter current of Q3 is fed back to the input terminal of the first stage amplifier 10 via the current feedback circuit F, thereby stabilizing the amplification operation, improving frequency characteristics over a wide band, and reducing noise.

以上、一実施例について述べたが、この発明の
要旨内において種々の変形実施例が考慮され得る
ことは明らかである。例えば、温度補償素子とし
てサーミスタ等を用いることができるし、また、
この実施例に示すような2電源方式に代えて1電
源方式でもつて構成することも可能である。
Although one embodiment has been described above, it is clear that various modified embodiments can be considered within the scope of the invention. For example, a thermistor or the like can be used as the temperature compensation element, and
Instead of the two power supply system as shown in this embodiment, it is also possible to configure the system with one power supply system.

この発明は、以上説明したように、一対の相逆
性トランジスタを1組と、互いに温度特性を打ち
消しあうトランジスタと温度補償素子の1組とを
使用して増幅器を構成したので、増幅器全体の温
度変化に対する直流出力電圧の安定度を良くする
ことができる。また、直結4段増幅器である前記
先願に対し、この発明にかかる増幅器は直結3段
増幅器として構成したので、前記先願のものより
も回路素子数を少なくすることができ、そのIC
化も容易かつ安価に行なうことができる。また、
回路素子数が少なくなつた分だけ前記先願のもの
よりもその消費電力を低減することができる等の
効果を奏する。
As explained above, in this invention, an amplifier is constructed using one set of a pair of reciprocal transistors, one set of transistors whose temperature characteristics cancel each other out, and one set of a temperature compensation element. The stability of the DC output voltage against changes can be improved. In addition, since the amplifier according to the present invention is configured as a direct-coupled three-stage amplifier, unlike the prior application which is a direct-coupling four-stage amplifier, the number of circuit elements can be reduced compared to that of the prior-application, and its IC
It can also be done easily and inexpensively. Also,
Since the number of circuit elements is reduced, the power consumption can be reduced compared to the prior application.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図はこの発明にかかる前置増幅器の一実施例を
示す回路図である。 10……ベース接地増幅器(初段増幅器)、2
0……エミツタ接地増幅器(第2段増幅器)、3
0……エミツタ接地増幅器(最終段増幅器)、D1
……温度補償素子、Q1〜Q3……トランジスタ、
13,14……出力端子、C……帰還コンデン
サ、V1,V2……正負の電源電圧。
The figure is a circuit diagram showing one embodiment of a preamplifier according to the present invention. 10...Base grounded amplifier (first stage amplifier), 2
0... Grounded emitter amplifier (second stage amplifier), 3
0... Grounded emitter amplifier (final stage amplifier), D 1
... Temperature compensation element, Q 1 to Q 3 ... Transistor,
13, 14...Output terminal, C...Feedback capacitor, V1 , V2 ...Positive and negative power supply voltage.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ベース接地増幅器を初段に、エミツタ接地増
幅器を第2段と最終段とに順次直接結合してな
り、初段の増幅器をNPN型トランジスタで、第
2段と最終段との増幅器をPNP型トランジスタ
でそれぞれ構成し、第2段増幅器のエミツタ回路
にバイアス供給を兼ねた温度補償素子を組込むと
ともに、最終段増幅器のエミツタを初段増幅器の
エミツタに直結して、最終段増幅器のコレクタか
ら出力信号を得るようにしてなる低入力インピー
ダンス型広帯域前置増幅器。
1 A common-base amplifier is directly coupled to the first stage, and a common-emitter amplifier is directly coupled to the second and final stages, with the first stage amplifier being an NPN transistor, and the second and final stage amplifiers being PNP transistors. In addition to incorporating a temperature compensation element that also serves as a bias supply into the emitter circuit of the second stage amplifier, the emitter of the final stage amplifier is directly connected to the emitter of the first stage amplifier so that an output signal is obtained from the collector of the final stage amplifier. A low input impedance type wideband preamplifier.
JP56126309A 1981-08-11 1981-08-11 Low input impedance type broad-band preamplifier Granted JPS5827408A (en)

Priority Applications (1)

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JP56126309A JPS5827408A (en) 1981-08-11 1981-08-11 Low input impedance type broad-band preamplifier

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JPS5827408A JPS5827408A (en) 1983-02-18
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010288007A (en) * 2009-06-10 2010-12-24 Hitachi Ltd Variable gain circuit

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010288007A (en) * 2009-06-10 2010-12-24 Hitachi Ltd Variable gain circuit

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JPS5827408A (en) 1983-02-18

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