JPS6329481B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はバツテリフオークリフトなどのような
電気車の制御装置に係り、特に力行から回生ブレ
ーキへの切換えに好適な制御装置に関する。

従来バツテリフオークリフトにおいては、電気
ブレーキとしてプラギングを行なうことが一般化
している。これは電気ブレーキを行なうために特
に主回路をつなぎ変える必要がないことと、電気
ブレーキ終了後そのまま連続して逆転運転に移行
できることが、プラギングを採用する理由になつ
ている。しかし、プラギングはブレーキエネルギ
ー全てをモータ電機子の内部抵抗で熱として消費
させるため効率が悪く、また電機子の発熱が大き
くなるため、絶縁劣化、冷却特の問題によりモー
タは高価なものになつてしまう欠点がある。この
ような理由からバツテリフオークリフトにおいて
も鉄道車両等で採用されている回生ブレーキを行
う方式が注目されている。

ところで、一般に鉄道車両等では運転席に前進
又は後進を選択する切換レバーとモータの駆動力
並びにブレーキ力を可変する主レバーと力行又は
回生ブレーキを選択する切換レバーが設置されて
おり、運転者が前後進切換レバーと力行回生ブレ
ーキ切換レバーを操作すると、その選択位置によ
り主回路が後進又は前進の力行回路またはブレー
キ回路に切換えられ、その後運転者は主レバーに
よつて所要の駆動力またはブレーキ力を加減する
ようになつている。すなわち、鉄道車両等では前
進走行あるいは後進走行状態からの回生ブレーキ
回路への切換は人為的に行なわれるようになつて
いる。

一方、バツテリフオークリフトでは、運転席に
前進または後進を選択する切換レバーと、駆動力
並びにブレーキ力を可変するアクセルペタルが設
置されているだけで力行または回生ブレーキを選
択するレバーは設置されていない。これは、前後
進切換レバーの切換が頻繁で、力行回生ブレーキ
切換レバーの操作を行う時間的余裕がないためで
あり、力行から回生ブレーキへの回路切換を人為
的に行なうことができない。

本発明は、この点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、簡単な回路構成により回生ブレーキ可
能状態を検出して確実に回生ブレーキへの切換え
を行い得る電気車制御装置を提供するにある。

この目的を達成するため、本発明は、正転逆転
切換手段の切換動作によつて一旦プラギング回路
を構成し、プラギング回路が構成された状態での
チヨツパの通流率を通流率検出手段で検出し、そ
の値が所定値以下になつたときに、回生ブレーキ
制御手段により力行回生ブレーキ切換手段を回生
ブレーキ側に切換動作させるようにしたことを特
徴とする。

以下、本発明の実施例を図面について詳細に説
明する。

第１図は本発明の一実施例を示すバツテリフオ
ークリフトの力行回生ブレーキ切換回路である。

第１図において、バツテリＢと力行回生ブレー
キ切換コンタクタC_Bを介してモータ電機子Ｍと
前進後進コンタクタC_F，C_Rを介してモータ界磁
ＦとチヨツパCHが直列接続されている。コンタ
クタC_Bのノーマルオープン接点（ａ接点）とモ
ータ界磁Ｆとの間には回生ブレーキ時の予備励磁
電流を制限する予備励磁抵抗r_Rが接続されてい
る。また、モータ電機子Ｍとプラギングダイオー
ドD_PとコンタクタC_Bのノーマルクローズ接点
（ｂ接点）の閉回路、電機子ＭとコンタクタC_F，
C_Rを介した界磁Ｆとフリーホイールダイオード
D_FとコンタクタC_Bのｂ接点の閉回路並びに電機
子ＭとコンタクタC_F，C_Rを介した界磁Ｆとチヨ
ツパCHと逆流阻止ダイオードD_Sの閉回路がそれ
ぞれ構成されている。チヨツパCHはモータ電流
I_Mを分流器SHで帰還し、ゲート制御回路GCCに
よつて指令値（アクセルペタルの踏量を電気変換
したもの）との偏差に応じて通流期間が制御され
ている。RBCはコンタクタC_Bの励磁コイルCC_Bを
制御する回生ブレーキ検知回路であり、回路状態
を検出して力行回生ブレーキ切換を行う作用をす
る。

第２図は本発明に係る回生ブレーキ検知回路
RBCの一実施例を示す図である。ゲート制御回
路GCCは指令回路１とテヨツパ通流率制御回路
２から成り、指令値I_Pと帰還電流I_M′の偏差に応
じてチヨツパCHの通流率γを制御する。回生ブ
レーキ検知回路RBCは、チヨツパCHの通流率γ
を検出する通流率検出回路３と、指令値I_Pをチヨ
ツパ通流率γに変換する指令値通流率変換回路４
と、その出力を比較する通流率比較器５と、比較
器５の出力を記憶するメモリ回路６と、その出力
により力行回生ブレーキ切換コンタクタC_Bの励
磁コイルCC_Bを励磁するトランジスタTRと、回
生ブレーキ終了時にメモリ回路６をリセツトする
回生ブレーキ解除回路７で構成されている。

以下回生ブレーキへの切換動作について説明す
る。

前進力行時には、第１図のコンタクタC_B，C_F，
C_Rは図示方向でチヨツパCHが動作している。コ
ンタクタC_Bがｂ接点にある理由を次に説明する。
第２図の指令値通流率変換回路４の特性を第３図
の実線で示すか、モータを回転しないようにロツ
クした状態の指令値I_P対通流率γの特性γ_lをわず
かに下回る特性γ_l′となつている。特性γ_lはほぼγ_l
＝I_M・R_M／V_B（R_M：モータ回路抵抗，I_M∝I_P，
V_B：バツテリ電圧）で表わされ、最大指令値
（I_P）max時の通流率は（γ_l）maxとなり、V_B＝
48Vのモータで（γ_l）maxは0.3〜0.4程度である。
ところで、力行時はモータ誘起電圧E_Mが第１図
の方向に発生しているめ、チヨツパの通流率γは
ほぼγ＝（E_M＋I_MR_M）／V_Bで表わされ、同一指
令値に対してγ＞γ_lとなる。これより力行時は、
通流率検出回路３の出力γが指令値通流率変換回
路４の出力γ_l′を常に上回る値であるため、通流
率比較器５を第４図の如く演算増幅器OPで構成
すれば、メモリ回路６に入力が与えられないの
で、トランジスタTRがオフでコンタクタC_Bの励
磁コイルCC_Bが励磁されない。

前進力行中に一旦チヨツパCHをオフし、コン
タクタC_Fを下側、コンタクタC_Rを上側に切換え
て再びチヨツパCHを動作させると、モータは前
進方向に回転した情態で電機子Ｍには力行時と同
じ向きの、界磁Ｆには力行時と逆向きの電流が流
れて逆転制動、いわゆるプラギングとなる。プラ
ギング状態ではモータ誘起電圧E_Mが第１図と逆
向きに発生し、プラギングダイオードD_Pが導通
する。すなわち、プラギング時はモータ回路のイ
ンピーダンスが見かけ上きわめて低くなるため、
チヨツパCHの通流率γはきわめて小さく、第３
図に示した駆動モータロツク時通流率γ_lよりはる
かに小さな値となる。そのため、プラギングにな
ると、通流率検出回路３の出力γより指令値通流
率変換回路４の出力γ_l′が大きくなるので、第４
図に示した通流率比較器５が出力し、メモリ回路
６が出力してトランジスタTRがオンし、励磁コ
イルCC_Bが励磁される。すなわち、第１図のコン
タクタC_Bは図示と逆のａ接点に接続される。こ
の状態では、チヨツパCHを動作させるのに伴つ
て、バツテリＢ→コンタクタC_B→予備励磁抵抵r_R
→コンタクタC_R→界磁Ｆ→コンタクタC_F→チヨ
ツパCHの回路で予備励磁電流が流れ、モータ誘
起電圧E_Mをプラギング時と同じく図示と逆向き
に発生させる。モータ誘起電圧E_Mが図示と逆向
きに発生すると、チヨツパCHがオン時には、電
機子Ｍ→コンタクタC_R→界磁Ｆ→コンタクタC_F
→チヨツパCH→逆流阻止ダイオードD_S→電機子
Ｍの回路でモータ電流I_Mが流れる。一方、チヨツ
パがオフ時には、電機子Ｍ→コンタクタC_R→界
磁Ｆ→コンタクタC_F→フリーホイールダイオー
ドD_F→バツテリＢ→逆流阻止ダイオードD_S→電
機子Ｍの回路でモータ電流I_Mが流れ、これが回生
電流となつて回生ブレーキがかかる。ところで、
第２図においてメモリ回路６に一度入力が与えら
れると、以後メモリ回路６は回生ブレーキ解除回
路７の出力によつてリセツトされない限り出力を
出し続けるので、通流率比較器５の入出力がどの
ように変ろうと励磁コイルCC_Bは励磁され続け
る。第５図はメモリ回路６の一般的な例で、演算
増幅器OPで構成され、基準値は通流率比較器５
の出力値より小さく設定されている。

本発明の一実施例によれば、プラギングが行な
われた回路状態の検出により確実に回生ブレーキ
への切換えを行ない得る効果がある。

第６図は第２図の指令値通流率変換回路４の特
性を変えた実施例である。

第２図において、指令値I_Pと帰還電流I_M′の偏
差に対するチヨツパCHの通流率γの特性を第７
図に示す。すなわち、あるモータ速度においては
指令値I_P1に対して帰還電流I_M′がI_M1となり通流率
γはγAとなるが、モータ速度が高くなるに従つ
て帰還電流I_M′が減少して通流率γが次第に大き
くなる。そして、帰還電流I_M′がI_P0点まで小さく
なると通流率γが最大値γ_naxに達し、モータ電流
I_Mが指令値I_P1に比例しなくなつてモータは自由
加速状態となる。これがモータ電流I_Mを指令値IP
に比例して制御する電流制御装置の基本である。

ところで、第１図においてコンタクタC_Bがａ
接点側になり、界磁Ｆに予備励磁抵抗r_Rを介して
予備励磁電流を流している期間において、指令値
I_Pが第７図のI_P0より大きいI_P2の場合は、帰還電
流I_M′が零であるから、チヨツパ通流率γは最大
値γ_naxとなり、界磁Ｆに十分な予備励磁電流を流
すことができる。そのためにモータ誘起電圧E_M
（第１図と逆向き）が発生し易くなり、容易に回
生ブレーキに成り得る。しかし、指令値I_PがI_P0よ
り小さいI_P3のような場合には、チヨツパ通流率
が最大値γ_naxにならないので、予備励磁電流が
γ_nax時に比べて小さくなる。そのためにモータ誘
起電圧E_Mを十分大きくできないので、回生ブレ
ーキとはならず、電気ブレーキが作用しない状態
が生ずる。

そこで、第６図の実線特性γ_l′₂では、指令値I_P
が第７図のI_P0より大きい範囲で第３図の特性γ_l′₁
を出力するようにしている。これより、指令値I_P
がI_P0以下で第１図のコンタクタC_F，C_Rを切換え
てプラギングにした時は、第２図の通流率検出回
路３の出力が指令値通流率変換回路４の出力より
大きく、通流率比較器５が出力されないので、第
１図のコンタクタC_Bはａ接点側に切換えられな
い。すなわち、このような場合には電気ブレーキ
としてプラギングとなる。

第６図の実線特性γ_l′₂の実止例では、第３図の
特性で得られる効果の他に電気ブレーキが作用し
ない状態を生じさせない効果がある。

第６図の一点鎖線特性γ_l′₃は他の実施例を示す
ものである。一般にプラギング時のチヨツパ通流
率はγ_lの特性以下であるのはもちろん、きわめて
小さな値で、一例を示せば（γ_l）_nax＝30〜40％の
もので10％以下程度のことが多い。そこで、特性
γ_l′₃のように指令値I_PがI_P0以上で、I_P0のときのモ
ータロツク時通流率γ_l0が出力するように、指令
値通流率変換回路４を構成しても実用上ほとんど
問題ない。

第８図は特性γ_l′₃と等価な出力を得る実施例で
あり、指令値I_PがI_P0以上であることを検出するレ
ベル比較器CP_Pと、通流率検出回路３の通流率γ
がγ_l0以上であることを検出するレベル比較器CP〓
と、両者が共に出力したときに出力するアンド回
路ANDから構成され、アンド回路ANDの出力が
メモリ回路６に与えられる。

第６図の一点鎖線特性γ_l′₃、すなわち第８図の
実施例でも、電気ブレーキが作用しない状態を生
じさせない効果がある。

さらに、第６図の特性γ_l′₂，γ_l′₃の実施例では、
さらに次のような効果が得られる。第１図に示し
た予備励磁方法では回生ブレーキになつた後もチ
ヨツパCHの通流率に応じて予備励磁抵r_Rに電流
が流れ続けるので、予備励磁抵抗r_Rのワツトロス
が大きくなる。このような理由から、第９図に示
すように、第２図のメモリ回路６の出力を遅延時
間回路８を介して一定時間トランジスタTR_rをオ
ン状態にして予備励磁電流I_rを流すようにした予
備励磁回路９を用いる場合がある。第１０図は第
９図の動作波形図で、メモリ回路６の出力V_Mと
予備励磁電流I_rの関係を示している。このような
予備励磁回路の構成で、指令値I_Pが第７図のI_P0よ
り小さいI_P3でコンタクタC_Bがａ接点になると、
予備励磁中のチヨツパ通流率γが小さく回生ブレ
ーキがかからない状態で、第１０図の時点t₁にな
るとトランジスタTR_rがオフし、予備励磁電流I_r
が零になる。この状態では、フリホイールダイオ
ードD_F，プラギングダイオードD_P並びにトラン
ジスタTR_rにより、チヨツパCHにはバツテリ電
圧が印加されないことになる。ところで、一般に
チヨツパCHの転流コンデンサにはバツテリＢか
ら抵抗を介して充電電流を流す補充電回路を有し
ているが、この回路の充電時定数はチヨツパ動作
周期に比してきわめて大きな値である。そのた
め、チヨツパCHに主回路からバツテリ電圧が印
加されない状態でゲートパルスを与えるとチヨツ
パが転流失敗することになる。すなわち、第６図
によればこのような転流失敗が生じない効果があ
る。

これまでの実施例では、チヨツパCHの端子で
通流率γの検出を行つているが、これに限らずチ
ヨツパCHに流れる電流、チヨツパCHのゲート
信号等で検出しても作用、効果は同等である。

第１１図は本発明の他の実施例を示すもので、
第１図並びに第２図と同一部分は同一符号で示
す。第２図と異なるのは、プラギングダイオード
D_Pを流れる電流を電流検出器SH_Pで検出して回
生ブレーキ検出回路RBCのメモリ回路６の入力
にしていることである。

第１１図においてコンタクタC_B，C_F，C_Rが図
示方向で前進力行中はプラギングダイオードD_P
に電流が流れないので、メモリ回路６（この場合
には第５図の基準値が零に設定されている。）の
入力が零であり、トランジスタTRがオフで励磁
コイルCC_Bが励磁されず、コンタクタC_Bはｂ接点
のままである。前進力行中に一旦チヨツパCHを
オフし、コンタクタC_F，C_Rを切換えて再びチヨ
ツパCHを動作させると、プラギングとなり、プ
ラギングダイオードD_Pに電流が流れる。この電
流を電流検出器SH_Pで検出するのでメモリ回路６
に入力が与えられ、メモリ回路６が出力してトラ
ンジスタTRがオンし、励磁コイルCC_Bが励磁さ
れてコンタクタC_Bがａ接点側となり、回生ブレ
ーキ回路が構成される。

この実施例でも第４図と同等の効果が得られ
る。なお、第１１図においても第６図で説明した
と同様に、指令値I_PがI_P0を超えているときのみメ
モリ回路６に入力が与えられるようにすることに
より、第６図と同様の効果を得ることができる。

さらに、第１１図はプラギングダイオードD_P
の電流を検出する場合であるが、プラキングダイ
オードD_Pの順電圧降下を検出した場合でも作用、
効果は同等である。

これまでの実施例では、前進後進コンタクタ
C_F，C_Rにより界磁Ｆの電流方向を切換えるよう
にした場合であつたが、電機子Ｍの電流方向を切
換えるようにした場合でも作用、効果は同等であ
る。

さらに、これまでの実施例によれば、次のよう
な波及効果が得られる。

すなわち、一般にモータは界磁電流を零にして
も界磁磁束は零にならず残留磁束があるため、電
機子には残留電圧が発生しており、前進走行中に
チヨツパCHをオフしても誘起電圧E_Mは図示方向
のままである。そこで、コンタクタC_Bをａ接点
側に、コンタクタC_Fを下側、コンタクタC_Rを上
側に切換えて再びチヨツパ動作させた回生ブレー
キ当初はバツテリＢ、予備励磁梯抗r_R、コンタク
タC_R、界磁Ｆ、コンタクタC_F、チヨツパCHを通
して流れる予備励磁電流によつて発生させる界磁
磁束は、モータ誘起電圧E_Mの方向を図示と逆向
きにし、その大きさをチヨツパCHとダイオード
D_Sの順電圧降下以上発生させるだけの大きさが
必要である。第１２図は界磁Ｆの磁束φ_Fを示す
もので、前進走行中にφ_F1の磁束が発生していて
チヨツパCHをオフすると界磁磁束φ_Fはφ_F2の残
留磁束となる。今、回生ブレーキにするため必要
な誘起電圧を発生させ得る界磁磁束φ_Fがφ_F3であ
るとすると、予備励磁電流はΔφ_F1だけ界磁磁束
φ_Fを移動させるだけの値が必要となり、予備励
磁梯抗r_Rの消費電力が大きくなる。また、界磁電
流を流すことによつて生ずる界磁磁束には一般に
一次遅れがあるため、磁束変化量が大きいとφ_F3
になるまでに要する時間も長くなり、迅速な回生
ブレーキができない。これにより、迅速な回生ブ
レーキを行うためには、φ_F3に達する時間を短縮
する必要があり、この点からも予備励磁電流が大
きくなつて予備励磁抵抗r_Rの消費電力が増大す
る。ところが、これまでの実施例では、回生ブレ
ーキ以前に一旦プラギングが行なわれるので、こ
の間にモータ誘起電圧を第１図と逆向きにし、界
磁磁束を反転させて、予備励磁電流を少なくする
ことができる。

これを、第１３図および第１４図についてさら
に詳細に説明する。

第１３図において、スイツチSWはバツテリフ
オークリフトの運転席に設けられた前進後進コン
タクタC_F，C_Rの切換を行なう切換スイツチで、
このスイツチSWを介して励磁コイルCC_F，CC_R
が接続されている。ダイオードD₁，D₂は励磁コ
イルCC_F，CC_Rが励磁されたことを検出するもの
で、この出力とメモリ回路６の出力を論理積回路
１０の入力として、論理積回路１０の出力を遅延
時間回路１１を介してトランジスタTRをオン
し、力行回生ブレーキ切換コンタクタC_Bの励磁
コイルCC_Bを励磁するようになつている。

第１図において、コンタクタC_Bがｂ接点側、
コンタクタC_Fが上側、コンタクタC_Rが下側の前
進走行ではスイツチSWがＦ位置になつている。
前進走行中にスイツチSWをＮ位置にすると、チ
ヨツパCHがオフし、コンタクタC_Fが下側とな
る。そこで、スイツチSWをＲ位置にすると、励
磁コイルCC_Rが励磁され、コンタクタC_Rが上側と
なる。これと同時にダイオードD₂が導通し、メ
モリ回路６が出力を出して論理積回路１０が出力
し遅延時間回路１１に与えられる。遅延時間回路
１１は入力に対して一定時間遅れて出力されるの
で、トランジスタTRはすぐにはオンとならず、
力行回生ブレーキ切換コンタクタC_Bはｂ接点側
のままである。そこで、第１図のチヨツパCHを
動作させると、界磁Ｆには右から左向きに電流が
流れ、モータ誘起電圧E_Mは図示と逆向きで下側
が正、上側が負となり、プラギングダイオード
D_Pを通して電機子電流が流れてプラギングとな
る。プラギングが一定時間続いている間に第１３
図の遅延時間回路１１が出力するので、トランジ
スタTRがオンし、励磁コイルCC_Bが励磁されて
コンタクタC_Bがａ接点側となり、回生ブレーキ
回路が構成される。コンタクタC_Bがａ接点側に
なり、チヨツパCHが動作を続けると、予備励磁
抵抗r_Rを介して界磁Ｆに右から左に向つて予備励
磁電流が流れ、モータ誘起電圧E_Mはプラギング
のときと同方向の下側が正、上側が負の電圧が発
生し、モータは自励発電機となつて回生ブレーキ
になる。

第１３図により第１図を制御した時の界磁磁束
φ_Fを示すと第１４図となる。φ_F1は前進力行時の
界磁磁束φ_Fの向きであり、チヨツパCHがオフし
た時の界磁磁束φ_Fは残留磁束φ_F2となる。次にチ
ヨツパCHを動作させてプラギングにすると、界
磁磁束φ_Fの向きは前進力行時とは逆向きで零か
ら下向きに反転し、少なくとも逆向きの残留磁束
φ_F′₂以上になる。回生ブレーキのために必要な誘
起電圧E_Mに対応する界磁磁束φ_Fが第１２図と同
様φ_F3とするならば、コンタクタC_Bをａ接点側に
して回生ブレーキを行うときの予備励磁電流は、
界磁磁束φ_Fを最大でもφ_F3−φ_F′₂の差Δφ_F2だけ発
生させる値でよいことになる。これより、従来の
第１２図に比較して予備励磁電流によつて生じさ
せる界磁磁束φ_Fは第１４図の場合が小さく、そ
れだけ予備励磁電流が小さくでき、予備励磁抵抗
r_Rの消費電力を小さくすることができる。

なお、これまでの実施例で示した回生ブレーキ
解除回路の構成は、特願昭50−138099号にその一
例が示されている。

以上説明したように、本発明によれば、チヨツ
パ通流率という既存の信号を利用して回生ブレー
キ可能状態を検出するので、高価な速度発電機等
の速度検出手段を設けることなく、簡単な回路構
成により回生ブレーキ可能状態を検出して確実に
回生ブレーキへの切換えを行なうことができる。

また、一旦プラギング状態とし、界磁磁束を逆
方向に切換えてから回生ブレーキに切換えるの
で、小さな励磁電流で直ちに回生電圧を立ち上げ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すバツテリフオ
ークリフトの力行回生ブレーキ切換回路の結線
図、第２図は第１図に示した回生ブレーキ検知回
路の一具体列を示すブロツク図、第３図は第２図
に示した指令値通流率変換回路の特性の一例を示
す動作説明図、第４図は第２図に示した通流率比
較器の構成図、第５図は第２図に示したメモリ回
路の構成図、第６図は第２図に示した指令値通流
率変換回路の特性の他例を示す動作説明図、第７
図は指令値と帰還電流の偏差に対するチヨツパの
通流率の特性を示す動作説明図、第８図は第１図
に示した回生ブレーキ検知回路の他の具体例を示
すブロツク図、第９図は本発明の他の実施例を示
す力行回生ブレーキ切換回路の要部結線図、第１
０図は第９図の動作波形図、第１１図は本発明の
さらに他の実施例を示す力行回生ブレーキ切換回
路の結線図、第１２図は従来の力行回生ブレーキ
切換回路におけるモータ界磁磁束を示す動作説明
図、第１３図は本発明の一実施例を示す前進後進
切換回路部分の結線図、第１４図は本発明の実施
例に係る力行回生ブレーキ切換回路のモータ界磁
磁束を示す動作説明図である。 Ｂ……バツテリ、CH……チヨツパ、Ｍ……モ
ータ電機子、C_B……力行回生ブレーキ切換コン
タクタ、C_F，C_R……前後進コンタクタ、RBC…
…回生ブレーキ検出回路、SH_P……電流検出器、
１……指令回路、３……通流率検出回路、４……
指令値通流率変換回路、５……通流率比較器、６
……メモリ回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 直流電源からチヨツパを介して給電される駆
   動モータと、この駆動モータの回転方向を切換え
   る正転逆転切換手段と、この正転逆転切換手段の
   切換動作により構成されるプラギング回路と、力
   行回生ブレーキ切換手段と、この力行回生ブレー
   キ切換手段の切換動作により構成される回生ブレ
   ーキ回路とを備えたものにおいて、上記チヨツパ
   の通流率を検出する通流率検出手段と、上記プラ
   ギング回路が構成された状態での上記チヨツパの
   通流率が所定値以下のとき上記力行回生ブレーキ
   切換手段を回生ブレーキ側に切換動作させる回生
   ブレーキ制御手段とを備えたことを特徴とする電
   気車制御装置。