JPS63282262A - Method for controlling sputtering device - Google Patents

Method for controlling sputtering device

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Publication number
JPS63282262A
JPS63282262A JP11503387A JP11503387A JPS63282262A JP S63282262 A JPS63282262 A JP S63282262A JP 11503387 A JP11503387 A JP 11503387A JP 11503387 A JP11503387 A JP 11503387A JP S63282262 A JPS63282262 A JP S63282262A
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JP
Japan
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target
electromagnets
permanent magnet
area
electromagnet
Prior art date
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Pending
Application number
JP11503387A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masanori Samejima
正憲 鮫島
Hiroshi Takeuchi
寛 竹内
Kazuhisa Matsumoto
和久 松本
Hideyuki Tanigawa
秀之 谷川
Kazuo Ogata
一雄 緒方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63282262A publication Critical patent/JPS63282262A/en
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Abstract

PURPOSE:To enlarge and erosion region and to form a film having uniform thickness by controlling a combination of the actions of the respective electromagnets of a cathode made up of plural electromagnets placed on the rear of a flat target to change the magnetic field on the front of the target by simple device and driving mechanism. CONSTITUTION:Seven electrodes 2, for example, are arranged on the rear of a backing plate 3 in an row at regular intervals in the direction of the major axis of the target 4, and fixed to a nonmagnetic plate 11. The lead wires taken out from the electrodes of the respective electromagnets 2 are brought out through a pipe 12, and connected to a switching power source on the outside. A DC or AC power is impressed between the cathode made up of the electromagnets 2 and the substrate 10 in opposition thereto. The plasma in he glow discharge of the device is highly densified by the turning on and off the seven electromagnets, and he inversion of the generated magnetic poles is carried out by the operation of the external switching power source.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マグネトロン型スパッタリング装置に関する
ものであり、特にスパッタリング源の侵食領域を増大す
る方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to magnetron sputtering apparatus, and more particularly to a method for increasing the erosion area of a sputtering source.

従来の技術 従来のマグネトロン型スパッタリング装置の電極部分を
第6図に示す。カソードボックス1内にΣ型の断面形状
を持つ永久磁石15が配置されている。前記永久磁石1
6は図中には示さないが、駆動機構によって矢印の方向
に移動可能である。
2. Description of the Related Art FIG. 6 shows an electrode portion of a conventional magnetron type sputtering apparatus. A permanent magnet 15 having a Σ-shaped cross section is arranged inside the cathode box 1 . The permanent magnet 1
6 is not shown in the figure, but is movable in the direction of the arrow by a drive mechanism.

前記永久磁石15の上方にバッキングプレート3を介し
て成膜材料であるターゲット4が取り付けられている。
A target 4, which is a film forming material, is attached above the permanent magnet 15 via a backing plate 3.

6.7は前記ターゲット4の加熱を防止するための冷却
水を給排するためのパイプである。5はアノードであり
、゛通常はケーシング8に取り付けられ、アース電位と
なっている。9は絶縁物であシ、前記カソードボックス
1と前記ケーシング8の間を絶縁している。前記カソー
ドボックス1は高圧の負電位が印加される。10は前記
ターゲット4に平行に置かれた被成膜基板である。
6.7 is a pipe for supplying and discharging cooling water to prevent the target 4 from being heated. 5 is an anode, which is usually attached to the casing 8 and has a ground potential. Reference numeral 9 is an insulator, which insulates between the cathode box 1 and the casing 8. A high negative potential is applied to the cathode box 1. 10 is a substrate on which a film is to be formed, which is placed parallel to the target 4.

従来の構造の電極では、前記永久磁石15が前記ターゲ
ット4の表面に13に示すようなトンネル状の閉磁界を
形成する。そのため、前記ターゲット4から飛び出した
電子は、前記アノード5と、前記ターゲット4間の電界
と磁界によって閉じ込められ、前記ターゲット4の表面
付近のガスを高密度にイオン化する。その結果、前記タ
ーゲット4を多くのイオンで衝撃するため、はじき出さ
れる成膜材料も増加し、前記基板10上に高速度で成膜
が行われる6ところで前述の通り、電子は前記表面磁界
13及び電界に直交する領域に閉じ込められるため、ガ
スが高密度にプラズマ化する領域もこの範囲に限られる
。そのため、前記ターゲット4のスパッタを受ける領域
も、前記高密度プラズマの存在する領域に対応したとこ
ろに限定される。スパッタを受ける領域は、エロージョ
ン領域と呼ばれている。前記永久磁石15の極上のター
ゲット付近の表面はスパッタされないため、エロージョ
ン領域は、永久磁石の極間上の部分に形成される。
In the conventional electrode structure, the permanent magnet 15 forms a tunnel-like closed magnetic field as shown at 13 on the surface of the target 4. Therefore, the electrons ejected from the target 4 are confined by the electric and magnetic fields between the anode 5 and the target 4, and ionize the gas near the surface of the target 4 at high density. As a result, since the target 4 is bombarded with many ions, the amount of film-forming material that is ejected also increases, and the film is formed on the substrate 10 at a high speed.6 However, as described above, electrons are absorbed by the surface magnetic field 13 and Since the gas is confined in a region perpendicular to the electric field, the region where the gas becomes plasma at high density is also limited to this range. Therefore, the area of the target 4 that receives sputtering is also limited to the area where the high-density plasma exists. The area that receives sputtering is called an erosion area. Since the surface near the target on the pole of the permanent magnet 15 is not sputtered, an erosion region is formed on the part between the poles of the permanent magnet.

ところで、前述の通ジ、従来のマグネトコンスバッタリ
ング装置では、エロージョン領域が前記永久磁石の形状
によって限定されてしまい、前記ターゲットを有効に消
耗できないという問題がある。この問題を解決するため
に、前記ターゲット表面上に存在する磁界の分布を変え
る考案がさね、その手段として、前記第6図に示したよ
うな永久磁石の位置を機械的に移動してエロージョン領
域を拡大する方法や、永久磁石の外側に第2の永久磁石
を設置し、前記第2の永久磁石を機械的に動かす方法等
が考えられている。
By the way, as mentioned above, in the conventional magnetoconsbattering device, the erosion region is limited by the shape of the permanent magnet, so there is a problem that the target cannot be consumed effectively. In order to solve this problem, some ideas have been devised to change the distribution of the magnetic field existing on the target surface, and as a means to do so, mechanically moving the position of the permanent magnet as shown in FIG. A method of enlarging the area, a method of installing a second permanent magnet outside the permanent magnet, and a method of mechanically moving the second permanent magnet are considered.

第7図a、bは、このような従来法によるターゲット表
面の二ローション領域を示したものである。図中、点線
で囲んだエロージョン領域14は、前記永久磁石を静止
した場合であり、一点鎖線で囲んだエロージョン領域1
4は前記永久磁石を矢印の方向に移動した場合である。
FIGS. 7a and 7b show two lotion areas on the target surface according to such a conventional method. In the figure, an erosion region 14 surrounded by a dotted line is when the permanent magnet is stationary, and an erosion region 1 surrounded by a dashed line
4 is a case where the permanent magnet is moved in the direction of the arrow.

発明が解決しようとする問題点 二ローションの領域及び形状を変えてターゲットの消耗
を有効に行うことを目的とした従来のマグネトロン型ス
パッタリング装置、例えば前記永久磁石を機械的に動か
す方法や前記永久磁石の外側の第2の永久磁石を操作す
る方法では、駆動機構が複雑であり、装置も大型化する
という問題がある。また、ターゲット全面の消耗を効率
よく行うには、さらに複雑な駆動機構が必要となるため
、現状における前記永久磁石の動き方は、単純なものに
ならざるをえない。その結果、二ローション領域の制御
が不十分になるという問題がある。例えば、第7図に示
したエロージョン領域14のように、前記永久磁石上の
ターゲットはいつまでも侵食されずに残る場合が多い。
Problems to be Solved by the Invention 2. Conventional magnetron type sputtering equipment that aims to effectively consume the target by changing the region and shape of the lotion, such as a method of mechanically moving the permanent magnet, and a method of mechanically moving the permanent magnet. In the method of operating the second permanent magnet on the outside of the magnet, there are problems in that the drive mechanism is complicated and the device becomes large. Further, in order to efficiently consume the entire surface of the target, a more complicated drive mechanism is required, so the current method of moving the permanent magnet must be simple. As a result, there is a problem that control of the two lotion areas becomes insufficient. For example, as in the erosion region 14 shown in FIG. 7, targets on the permanent magnet often remain uneroded forever.

本発明はこのような問題点を填決するもので、簡単な装
置及び駆動機構を用いて、前記ターゲット表面の磁界を
変化させ、エロージョン領域を拡大するとともに、均一
な膜を形成することを目的とする。
The present invention solves these problems, and aims to expand the erosion area and form a uniform film by changing the magnetic field on the target surface using a simple device and drive mechanism. do.

問題点を解決するための手段 このような従来技術の問題点に鑑みて、本発明は、平板
ターゲット及びその裏面に設置されたマグネットで構成
した陰極と、この陰極と対向する基板との間に直流又は
交流電力を印加し、がっスパッタリング源の侵食速度を
増大するために発生したプラズマの集中領域を磁気的に
移動させる機能を備え、前記マグネットを複数個の電磁
石で構成し、各電磁石の動作の組み合せを制御すること
によってターゲット上の磁束密度分布を変化させるもの
である。
Means for Solving the Problems In view of the problems of the prior art, the present invention provides a structure in which a cathode consisting of a flat plate target and a magnet installed on the back surface of the target is provided, and a substrate facing the cathode. It has a function of applying DC or AC power to magnetically move a concentrated area of generated plasma to increase the erosion rate of the sputtering source, and the magnet is composed of a plurality of electromagnets, and each electromagnet is The magnetic flux density distribution on the target is changed by controlling the combination of operations.

作用 本発明で用いる電磁石は前記カソードボックス内に十−
分に収まる大きさであり、電極の取り出しは容易に行え
る。従って、動作させる前記電磁石自体を機械的に動か
すのではなく、設置した複数個の電磁石中の電圧を印加
する電磁石の数及び印加電圧の切り換えを、外部スイッ
チで電気的に行うだけで前述のように、永久磁石を機械
的に動かす方法で得られる効果と同等の効果が得られる
Function The electromagnet used in the present invention is placed in the cathode box.
It is small enough to fit within a minute, and the electrodes can be easily removed. Therefore, instead of mechanically moving the electromagnets themselves to be operated, the number of electromagnets to which voltage is applied and the applied voltage among the plurality of installed electromagnets can be electrically switched using an external switch, as described above. In addition, the same effect as that obtained by mechanically moving a permanent magnet can be obtained.

しかも装置は何ら大型化しない。Moreover, the device does not become larger in any way.

実施例 以下本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。Example An embodiment of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の電極部分の断面図である
。2はバッキングプレート3の裏面に設置した電磁石で
あり、本実施例では、合計7個の電磁石をターゲット4
の長軸方向に一列に等間隔で並べである。11は前記電
磁石を取り付ける非磁性体板である。12は前記7個の
電磁石の電極から取り出したリード線をカソードボック
ス外部への取り出し用のパイプであり、このパイプ12
から取り出した前記リード線は外部のスイッチング電源
に接続さnる。他は第4図と同一部分については同一番
号を付している。
FIG. 1 is a sectional view of an electrode portion of an embodiment of the present invention. 2 is an electromagnet installed on the back surface of the backing plate 3, and in this embodiment, a total of seven electromagnets are installed on the target 4.
They are arranged in a row at equal intervals in the long axis direction. 11 is a non-magnetic plate to which the electromagnet is attached. 12 is a pipe for taking out the lead wires taken out from the electrodes of the seven electromagnets to the outside of the cathode box;
The lead wire taken out from the is connected to an external switching power source. Other parts that are the same as those in FIG. 4 are given the same numbers.

次に本実施例のスパッタリング装置の動作方法を続開す
る。本実施例より成るスパッタリング装置のグロー放電
中のプラズマの高密度化は前記7個の電磁石のON、O
FF、また、発生磁極の逆転を、外部スイッチング電源
の操作で行う。動作例を第2図〜第4図に示す。これら
の図では前記7個の電磁石に1〜7の番号をつけて、個
々の電磁石を区別している。第2図1は1〜7すべての
電磁石を1.3,6.7がN極、2,4.eがS極にな
るように動作した場合に、前記ターゲット表面に表生ず
る磁界を示しており、第2図すはこの時のエロージョン
領域をあられしている。この時、前記電磁石1〜7すべ
ての真上のターゲットはスパッタされずに残っている。
Next, the method of operating the sputtering apparatus of this embodiment will be continued. The densification of plasma during glow discharge in the sputtering apparatus according to this embodiment is achieved by turning on and off the seven electromagnets.
The FF and the reversal of the generated magnetic pole are performed by operating an external switching power supply. Examples of operation are shown in FIGS. 2 to 4. In these figures, the seven electromagnets are numbered 1 to 7 to distinguish them from each other. In Figure 2, all electromagnets 1 to 7 are connected: 1.3, 6.7 are N poles, 2, 4. Fig. 2 shows the magnetic field that appears on the surface of the target when it operates so that e becomes the south pole, and Fig. 2 shows the erosion area at this time. At this time, the targets directly above all of the electromagnets 1 to 7 remain without being sputtered.

第3図aは1゜5をN極、3,7をS極とし、他の電磁
石は動作させない場合である。この時の二ローション領
域は第3図すのようになり、第2図すでスパッタされず
に残った2、4.6の電磁石上のターゲットは、スパッ
タされる。さらに第4図aは1,7をN極、4をS極と
し、他の電磁石は動作させない場合である。今度は、第
3図&でスパッタされなかった3、4の電磁石上のター
ゲットがスパッタされる。このように使用する電磁石及
びその極性を適時切り換えながらスパッタすることによ
り、スパッタされずに残るターゲットの領域を減少させ
ることができる。
Figure 3a shows the case where 1°5 is the N pole, 3 and 7 are the S poles, and the other electromagnets are not operated. At this time, the second lotion area becomes as shown in Figure 3, and the targets on the electromagnets 2 and 4.6 that remained unsputtered in Figure 2 are sputtered. Furthermore, FIG. 4a shows the case where 1 and 7 are N poles, 4 is S pole, and the other electromagnets are not operated. This time, the targets on the three and four electromagnets that were not sputtered in FIG. 3 & are sputtered. By performing sputtering while appropriately switching the electromagnet and its polarity, the area of the target that remains unsputtered can be reduced.

また、第4図aの動作のみを用いてスパッタする場合に
較べて、第2図、第3図の動作も組み合せてスパッタす
る方がエロージョン領域が使用するターゲット全面に均
等に分布するため、より均一な膜を形成できる。
Furthermore, compared to sputtering using only the operation shown in Figure 4a, it is better to perform sputtering by combining the operations shown in Figures 2 and 3 because the erosion area is evenly distributed over the entire surface of the target used. A uniform film can be formed.

次に、前記永久磁石の動作における作用を第6図に基づ
いて述べる。第5図では設置する前記永久磁石の個数を
6個としている。(それぞれの電磁石に1〜5の番号を
つけておシ位置は固定されている。) 第5図aは5個すべての電磁石を動作した場合であυ各
エロージョン領域の間に、第2.3.4の電磁石上のタ
ーゲットが侵食されずに残る。第6図すは、第1.3.
5の電磁石を動作した場合でちゃ、各二ローション領域
の間に第3の電磁石上のターゲットだけが侵食されない
領域として残る。また、第3の電磁石上のターゲットを
二ローション領域にするには、第3の電磁石を動作させ
ずに、第2.4の電磁石を各々N極、S極として動作さ
せる方法が一例として考えられる。このように前記電磁
石の動作位置及び磁界が切シ換わることによって、ター
ゲット上の目的とする領域をエロージョン領域とするこ
とが容易に行われる。
Next, the operation of the permanent magnet will be described based on FIG. 6. In FIG. 5, the number of permanent magnets installed is six. (Each electromagnet is numbered 1 to 5 and its position is fixed.) Figure 5a shows the case where all five electromagnets are operated. The target on the electromagnet in 3.4 remains uneroded. Figure 6 shows Sections 1.3.
If five electromagnets were operated, the target on the third electromagnet between each two lotion areas would remain the only uneroded area. In addition, in order to make the target on the third electromagnet into the two lotion area, one possible method is to operate the second and fourth electromagnets as N and S poles, respectively, without operating the third electromagnet. . By switching the operating position and magnetic field of the electromagnet in this way, it is easy to set a target area on the target as an erosion area.

(永久磁石を用いた構造では、前記永久磁石上のターゲ
ットは全く侵食されない。)さらに、使用する前記電磁
石の位置及び磁界の切り換えのタイミングを細かく制御
できるので、従来の方法に比べても、より均一な膜が得
られる。
(In a structure using permanent magnets, the target on the permanent magnet is not eroded at all.) Furthermore, since the position of the electromagnet used and the timing of switching the magnetic field can be precisely controlled, it is more effective than conventional methods. A uniform film can be obtained.

以上、本発明の構成により、前記ターゲット上を通る磁
界を移動させる機構が簡単になり、しかも移動領域が拡
大されるので、従来の装置の大型化、効率が悪い、膜の
制御が不十分といった問題が解決される。
As described above, the structure of the present invention simplifies the mechanism for moving the magnetic field passing above the target and expands the moving area, which makes conventional devices larger, less efficient, and insufficiently controlled. problem is resolved.

発明の効果 以上のように本発明によnば、前記カソードボックス内
に収めた複数個の電磁石のON、OFF及びその極性を
、外部スイッチング電源の操作をするだけで、従来方法
である複雑な駆動機構を用いて永久磁石を動かして得ら
nるのと同等の効果が簡単に得られる。しかも従来の永
久磁石を用いる方法では、必らず存在する非エロージョ
ン領域(永久磁石の極上のターゲット部分)もスパッタ
できるので、ターゲットの使用効率が増加するという効
果が得られる。さらに、前記電磁石の動作パターンを選
ぶことにより、より均一な膜を得ることができるという
効果が得られる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the ON/OFF and polarity of the plurality of electromagnets housed in the cathode box can be controlled simply by operating an external switching power supply, thereby eliminating the complicated conventional method. The same effect as that obtained by moving a permanent magnet using a drive mechanism can be easily obtained. Furthermore, in the conventional method using a permanent magnet, sputtering can be performed even in the non-erosion region (the target portion on the top of the permanent magnet), which necessarily exists, so that the effect of increasing the target usage efficiency can be obtained. Furthermore, by selecting the operation pattern of the electromagnet, it is possible to obtain a more uniform film.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例によるマグネトロン型スパッ
タリング装置の断面図、第2図a、b〜第4図a、bは
本発明の一実施例の各駆動パターン例において、ターゲ
ット上にできる磁界及び二ローション領域を示す説明図
、第6図a、bは電磁石の形成磁界とターゲット上の二
ローション領域を表わす説明図、第6図は従来のマグネ
トロン型スパッタリング装置のスパッタリングtaの断
面図、第7図a、bは従来例のマグネトロン型スパッタ
リング装置の永久磁石及びエロージョン領域を表わす説
明図である。 1・・・・・・カソードボックス、2・・・・・・電磁
石、3・・・・・・バッキングプレート、4・・・・・
・ターゲット、5・・・・・・アノード、e・・・・・
・給水パイプ、了・・・・・・排水パイプ、8・・・・
・・ケーシング、9・・・・・・絶縁物、10・・・・
・・被成膜基板、11・・・・・・非磁性体、12・・
・・・・リード線取り出し用パイプ。 代理人の氏名 弁理壬 中 尾 敏 男 ほか1名!−
−カソード取≠ゲス ?−一覧石彰5 3−一ノY−、キンTブレート 4−−一ターゲ・ソト 5−72−ド 6−一衿水パイプ 7−”j隼月くパイプ。 &−−−ケーシンヶ 9−一抱末象り吻 lθ−一一ネ叉λχ四一連」及 N  −−−j)E万窺社体 第 1 図        12−m−9−ド特Uスリ
出し凧パ4プ第2図 (必2〈b) (cL)                     
               (b)/ 2,7.1
(、fg7 第4図 ((:l)                    
     <bノ12.346;tq 第5図 ((L) (b) 、3   N   S t 23d S 第6図 15 永ス腺局 諦動方句 第7図 (α) (bン
FIG. 1 is a sectional view of a magnetron type sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. An explanatory diagram showing the magnetic field and the two lotion areas, FIGS. 6a and b are explanatory diagrams showing the magnetic field formed by the electromagnet and the two lotion areas on the target, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the sputtering ta of a conventional magnetron sputtering device. FIGS. 7a and 7b are explanatory views showing permanent magnets and erosion areas of a conventional magnetron type sputtering apparatus. 1...Cathode box, 2...Electromagnet, 3...Backing plate, 4...
・Target, 5... Anode, e...
・Water supply pipe, completed... Drainage pipe, 8...
...Casing, 9...Insulator, 10...
...Substrate to be film-formed, 11...Nonmagnetic material, 12...
...Pipe for taking out lead wires. Name of agent: Toshio Nakao and 1 other person! −
−Cathode removal ≠ Guess? - List Ishi Akira 5 3-Ichino Y-, Kin T Brate 4--One Target Soto 5-72-Do 6-One Collar Water Pipe 7-"J Hayatsuki Pipe. &---Keishinga 9-Ippo 12-m-9-do special U slip-out kite 2 2〈b) (cL)
(b)/2,7.1
(, fg7 Figure 4 ((:l)
<bノ12.346; tq Fig. 5 ((L) (b) , 3 N S t 23d S Fig. 6 15 Yongsu gland station resignation direction Fig. 7 (α) (b

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 平板ターゲット及びその裏面に設置されたマグネットで
構成した陰極と、この陰極と対向する基板との間に直流
又は交流電力を印加しかつスパッタリング源の侵食速度
を増大するために発生したプラズマの集中領域を磁気的
に移動させる機能とを備え、ターゲットの裏面に設けた
複数個の電磁石中で電圧を印加する電磁石の数及び印加
電圧の切り換えにより、前記プラズマの集中領域を移動
させることを特徴とするスパッタリング装置の制御方法
A concentrated area of plasma generated to increase the erosion rate of the sputtering source by applying DC or AC power between a cathode consisting of a flat target and a magnet installed on its back surface and a substrate facing the cathode. The plasma concentration area is moved by changing the number of electromagnets that apply voltage and the applied voltage among a plurality of electromagnets provided on the back surface of the target. Control method for sputtering equipment.
JP11503387A 1987-05-12 1987-05-12 Method for controlling sputtering device Pending JPS63282262A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5262030A (en) * 1992-01-15 1993-11-16 Alum Rock Technology Magnetron sputtering cathode with electrically variable source size and location for coating multiple substrates
US5328585A (en) * 1992-12-11 1994-07-12 Photran Corporation Linear planar-magnetron sputtering apparatus with reciprocating magnet-array
US5427665A (en) * 1990-07-11 1995-06-27 Leybold Aktiengesellschaft Process and apparatus for reactive coating of a substrate

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