JPS63281342A - 電子ビ−ム発生装置 - Google Patents
電子ビ−ム発生装置Info
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- JPS63281342A JPS63281342A JP62116357A JP11635787A JPS63281342A JP S63281342 A JPS63281342 A JP S63281342A JP 62116357 A JP62116357 A JP 62116357A JP 11635787 A JP11635787 A JP 11635787A JP S63281342 A JPS63281342 A JP S63281342A
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Links
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は電子ビームアニーリングなどに使用する電子
ビーム発生装置に関する。
ビーム発生装置に関する。
（従来の技術）
従来のこの種電子ビーム発生装置は、第３図のように構
成されるのを普通としている。同図において、１は電子
を放射する陰極、２は電子放射をコントロールする制御
電極、３は電子を加速する陽極、４は電子ビーム５を細
く絞るのに使用する収束レンズ、６はアニーリング処理
される試料、７は加速用の直流電源である。
成されるのを普通としている。同図において、１は電子
を放射する陰極、２は電子放射をコントロールする制御
電極、３は電子を加速する陽極、４は電子ビーム５を細
く絞るのに使用する収束レンズ、６はアニーリング処理
される試料、７は加速用の直流電源である。
ところでこのような構成の装置において、試料６に電子
ビームを照射するとき、その表面からの深さ方向に沿う
、エネルギー損失量は、加速電圧によって大きく変化す
ることが知られている。
ビームを照射するとき、その表面からの深さ方向に沿う
、エネルギー損失量は、加速電圧によって大きく変化す
ることが知られている。
第４図はそのエネルギー損失分布の一例を示し、試料６
としてシリコンウェハーを対象としたときの、試料の表
面からの深さ方向に沿うエネルギー損失量を、各加速電
圧毎に求めたものである。
としてシリコンウェハーを対象としたときの、試料の表
面からの深さ方向に沿うエネルギー損失量を、各加速電
圧毎に求めたものである。
これによると加速電圧が低い場合は、試料表面にエネル
ギー損失が集中し、しかもそのピーク値は極端に大きい
。加速電圧が大きくなってくると、深さ方向に沿って次
第に深い個所までエネルギー損失が分布するようになる
が、そのピーク値が次第に小さくなついく。
ギー損失が集中し、しかもそのピーク値は極端に大きい
。加速電圧が大きくなってくると、深さ方向に沿って次
第に深い個所までエネルギー損失が分布するようになる
が、そのピーク値が次第に小さくなついく。
照射された電子は、試料中でエネルギーを失うことによ
って試料を加熱し、アニーリングするのであるが、第４
図から理解されるようにエネルギー損失分布は、試料の
深さ方向に沿って一様ではなく、したがってその温度分
布も一様ではないため、均一なアニーリング処理を行な
うことはできない。
って試料を加熱し、アニーリングするのであるが、第４
図から理解されるようにエネルギー損失分布は、試料の
深さ方向に沿って一様ではなく、したがってその温度分
布も一様ではないため、均一なアニーリング処理を行な
うことはできない。
また加速電圧を大きくした場合、たとえば第４図の例で
は３０ＫｅＶの場合、エネルギー損失量が平坦になるの
で、それだけ温度分布が一様に近づいていくことになり
好都合であるが、しかし試料の奥深くまで加熱されてし
まうようになるため具合が悪い。
は３０ＫｅＶの場合、エネルギー損失量が平坦になるの
で、それだけ温度分布が一様に近づいていくことになり
好都合であるが、しかし試料の奥深くまで加熱されてし
まうようになるため具合が悪い。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は被照射試料をその深さ方向に沿って、電子ビ
ームによる均一な加熱を図ることを目的とする。
ームによる均一な加熱を図ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明は電子ビーム加速用の直流電圧に、周波数およ
び振幅を可変とする高周波電圧を重畳し、加速電圧を高
速で振動および振幅変調させて、試料の深さ方向に沿っ
て均一な加熱を可能としたことを特徴とする。
び振幅を可変とする高周波電圧を重畳し、加速電圧を高
速で振動および振幅変調させて、試料の深さ方向に沿っ
て均一な加熱を可能としたことを特徴とする。
（作用）
照射電子の試料内の深さ方向に沿うエネルギー損失は、
加速電圧の大きさに依存して大きく変化する。したがっ
て加速電圧を高速で変化させたとき、その各加速電圧に
対応したエネルギー損失分布が瞬時に重ね合わされ、こ
れによって実質的に新しい分布が試料内部で生ずるよう
になる。
加速電圧の大きさに依存して大きく変化する。したがっ
て加速電圧を高速で変化させたとき、その各加速電圧に
対応したエネルギー損失分布が瞬時に重ね合わされ、こ
れによって実質的に新しい分布が試料内部で生ずるよう
になる。
そしてこの加速電圧の振幅を適当に変調すれば、その新
しい分布は一様とすることが可能となる。
しい分布は一様とすることが可能となる。
これによって試料を均一な温度分布で加熱することがで
きるようになる。
きるようになる。
（実施例）
この発明の実施例を第１図によって説明する。
なお第３図と同じ符号を付した部分は、同一または対応
する部分を示す。この発明にしたがい加速電圧を高速で
振動および振幅変調させる。具体的には加速用の直流電
源７に、高周波電源１０、振幅変調器１１および周波数
変調器１２を直列に接続する。また試料６は絶縁物１３
を介し電極１４の表面に載せられる。絶縁物１３は試料
６から電極１４に電流が流れないようにするためのもの
である。
する部分を示す。この発明にしたがい加速電圧を高速で
振動および振幅変調させる。具体的には加速用の直流電
源７に、高周波電源１０、振幅変調器１１および周波数
変調器１２を直列に接続する。また試料６は絶縁物１３
を介し電極１４の表面に載せられる。絶縁物１３は試料
６から電極１４に電流が流れないようにするためのもの
である。
直流電源７の電圧に高周波電源１０の高周波電圧が重畳
されて、電極１４より試料６に印加される。このときの
高周波電圧は、振幅変調器１１および周波数変調器１２
によって、周波数および振幅が適宜調整される。
されて、電極１４より試料６に印加される。このときの
高周波電圧は、振幅変調器１１および周波数変調器１２
によって、周波数および振幅が適宜調整される。
いま最初に成る加速電圧によって電子ビームを照射した
とき、エネルギー損失が第２図中の曲線Ａのように分布
したとする。次にこの加速電圧よりも高い加速電圧で再
び電子ビームを照射したときは、曲線Ｂのようにさきの
照射時よりも奥深く、しかもピーク値が低いエネルギー
損失の分布となる。このことはさきに説明した第４図の
特性から容易に理解されよう。
とき、エネルギー損失が第２図中の曲線Ａのように分布
したとする。次にこの加速電圧よりも高い加速電圧で再
び電子ビームを照射したときは、曲線Ｂのようにさきの
照射時よりも奥深く、しかもピーク値が低いエネルギー
損失の分布となる。このことはさきに説明した第４図の
特性から容易に理解されよう。
ここで第２回目の照射にあたり、その照射時間を、周波
数変調器１２の調整によって第１回目の照射時間より大
きくすると、そのときのエネルギ一損失の分布は、曲線
Ｃのようにピーク値が高くなる。
数変調器１２の調整によって第１回目の照射時間より大
きくすると、そのときのエネルギ一損失の分布は、曲線
Ｃのようにピーク値が高くなる。
また高周波電源１０の周波数を大きくして、最初の照射
によって加熱された試料の熱が放散される以前に、第２
回目の照射を行なうようにする。
によって加熱された試料の熱が放散される以前に、第２
回目の照射を行なうようにする。
これによって再照射による発熱が互いに重畳され、曲線
りに示すように試料の深さ方向に沿ってエネルギー損失
の分布はほぼ平坦となる。この平坦な分布を呈する深さ
およびその長さは、直流電源７の電圧を調整すること、
および振幅変調器１１を調整することにより可変となる
。
りに示すように試料の深さ方向に沿ってエネルギー損失
の分布はほぼ平坦となる。この平坦な分布を呈する深さ
およびその長さは、直流電源７の電圧を調整すること、
および振幅変調器１１を調整することにより可変となる
。
以上のようにして、試料の任意の深さ方向にわたって、
発熱温度を均一にすることができ、したがって均一な温
度分布が得られるようになり、しかもその発熱量も任意
に調整可能となる。
発熱温度を均一にすることができ、したがって均一な温
度分布が得られるようになり、しかもその発熱量も任意
に調整可能となる。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、電子ビームの照
射による試料の加熱にあたり、試料内部における深さ方
向に沿って一様な温度分布とすることができ、したがっ
て均一な加熱処理を行なう＝６− ことができるといった効果を奏する。
射による試料の加熱にあたり、試料内部における深さ方
向に沿って一様な温度分布とすることができ、したがっ
て均一な加熱処理を行なう＝６− ことができるといった効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図、第２図は動
作説明用のエネルギー損失分布特性図、第３図は従来例
の回路図、第４図はエネルギー損失分布特性図である。 １・・・陰極、２・・制御電極、３・・・陽極、４・・
・収束レンズ、６・・・試料、７・・・加速用の直流電
源、１０・・・高周波電源、１１・・・振幅変調器、１
２・・・周波数変調器、 一一一一一＝
作説明用のエネルギー損失分布特性図、第３図は従来例
の回路図、第４図はエネルギー損失分布特性図である。 １・・・陰極、２・・制御電極、３・・・陽極、４・・
・収束レンズ、６・・・試料、７・・・加速用の直流電
源、１０・・・高周波電源、１１・・・振幅変調器、１
２・・・周波数変調器、 一一一一一＝
Claims (1)
- 電子ビームを発生する陰極、前記電子ビームを加速する
ための直流電源とを備えた電子ビーム発生装置において
、前記直流電源の電圧に重畳されて前記電子ビームの加
速電圧とされる高周波電圧を発生する高周波電源を設け
、前記電子ビームが照射される加熱対象の試料の内部に
、その任意の深さの個所において、均一な加熱温度が分
布されるように、前記高周波電圧の振幅と周波数とを可
変自在としてなる電子ビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116357A JPS63281342A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 電子ビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116357A JPS63281342A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 電子ビ−ム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63281342A true JPS63281342A (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=14684959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116357A Pending JPS63281342A (ja) | 1987-05-13 | 1987-05-13 | 電子ビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63281342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024515A1 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a discharge tube |
-
1987
- 1987-05-13 JP JP62116357A patent/JPS63281342A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1024515A1 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a discharge tube |
| US6487878B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a discharge tube |
| US6568216B2 (en) | 1999-01-27 | 2003-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a discharge tube |
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