JPS6327087A - コリメ−ト光源素子 - Google Patents
コリメ−ト光源素子Info
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- JPS6327087A JPS6327087A JP61169757A JP16975786A JPS6327087A JP S6327087 A JPS6327087 A JP S6327087A JP 61169757 A JP61169757 A JP 61169757A JP 16975786 A JP16975786 A JP 16975786A JP S6327087 A JPS6327087 A JP S6327087A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コリメート光を発光する光源素子に係り、特
にファクシミリ、レーザビームプリンタおよび光学読取
ヘッドなどの情報機器用に好適なコリメート光源素子に
関する。
にファクシミリ、レーザビームプリンタおよび光学読取
ヘッドなどの情報機器用に好適なコリメート光源素子に
関する。
近年、情報機器用の光源として半導体レーザが広く用い
られるようになってきているが、このような光源として
は、例えば、日立評論、第65巻。
られるようになってきているが、このような光源として
は、例えば、日立評論、第65巻。
AI O(1983−10)の第691頁ないし第69
6頁に記載されている光学ヘッドなどに示されているよ
うに、半導体レーザかもの発散光をビーム整形したコリ
メーション光(平行ビーム光)を用いろようになってい
るものが多い。
6頁に記載されている光学ヘッドなどに示されているよ
うに、半導体レーザかもの発散光をビーム整形したコリ
メーション光(平行ビーム光)を用いろようになってい
るものが多い。
ところで、このようなコリメーション光を得るために、
従来は、半導体レーザや発光ダイオードなどの光源にコ
リメーションレンズを別体として組合わせていた。
従来は、半導体レーザや発光ダイオードなどの光源にコ
リメーションレンズを別体として組合わせていた。
上記従来技術では、コリメーション光を得るために、光
源に対して独立したビーム整形用のコリメーションレン
ズを組合わせているため、光源光学系が複雑化し、かつ
、正しいコリメート光を得るためには光学系を組立た後
、調整を要するという問題点があった。
源に対して独立したビーム整形用のコリメーションレン
ズを組合わせているため、光源光学系が複雑化し、かつ
、正しいコリメート光を得るためには光学系を組立た後
、調整を要するという問題点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点に対処し、
別個にコリメーションレンズの組付を要せず、そのまま
でコリメーション光を発生するコリメート光源素子を提
供することにある。
別個にコリメーションレンズの組付を要せず、そのまま
でコリメーション光を発生するコリメート光源素子を提
供することにある。
本発明によれば、上記目的は、平面発光型の固体発光素
子を用い、この素子の発光面に透明板を直接接着し、こ
の透明板にレンズ作用を行なわせるようにして達成され
る。
子を用い、この素子の発光面に透明板を直接接着し、こ
の透明板にレンズ作用を行なわせるようにして達成され
る。
コリメートレンズを平面板で形成した上、平面発光型の
半導体レーザや発光ダイオードなどの固体発光素子に直
接接着して一体化しているため、光源素子から直接、コ
リメート光を得ることができ、組立や調整が工費で小型
化が容易に得られる。
半導体レーザや発光ダイオードなどの固体発光素子に直
接接着して一体化しているため、光源素子から直接、コ
リメート光を得ることができ、組立や調整が工費で小型
化が容易に得られる。
以下、本発明によるコリメート光源素子について、図示
の実施例により詳細に説明する。
の実施例により詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例で、図において、1は透明板
、2は接合面、5は平面発光型の半導体レーザ、6は接
着剤層、7はペース部である。
、2は接合面、5は平面発光型の半導体レーザ、6は接
着剤層、7はペース部である。
透明板1は例えばナトリウム(Na)、 リチウム(
Li )、 鉛(pb)などの金属のイオンを含むガラ
ス等の含金属透明材料で作られ、その一方の面にはマイ
クロレンズ111が形成されている。
Li )、 鉛(pb)などの金属のイオンを含むガラ
ス等の含金属透明材料で作られ、その一方の面にはマイ
クロレンズ111が形成されている。
半導体レーザ5は、GaAs (ガリウムひ素)基部5
0.n形りラッド層51.活性層52.それにp形りラ
ッド層団の積層構造で構成され、活性層52の中心部に
発光部521がある。そして、この発光部521から発
光した光が効率良く外部へ取り出されるようにするため
、基部間の一部が微細加工技術により除去され、凹部5
01が形成されている。なお、この半導体レーザ5は平
面発光型の固体発光素子を構成するものであるから、他
にも発光ダイオードなどを用いることができる。
0.n形りラッド層51.活性層52.それにp形りラ
ッド層団の積層構造で構成され、活性層52の中心部に
発光部521がある。そして、この発光部521から発
光した光が効率良く外部へ取り出されるようにするため
、基部間の一部が微細加工技術により除去され、凹部5
01が形成されている。なお、この半導体レーザ5は平
面発光型の固体発光素子を構成するものであるから、他
にも発光ダイオードなどを用いることができる。
ペース部7はシートシンクとしての機能をもはたし、適
当な接着剤からなる接着剤N6を介して半導体レーザ5
の下面(図において)に接合されている。
当な接着剤からなる接着剤N6を介して半導体レーザ5
の下面(図において)に接合されている。
透明板10マイクロレンズ111は第2図に示すように
フレネルレンズとして形成され、上記したように含金属
ガラス板からなる透明板1の一方の面に、三角断面の円
周状の溝(グレーティング)を複数本、同心円状に刻ん
で形成したもので、このとき、n番目の溝の半径をR口
とすれば、これは、 Rn = r77T n:自然数 λ:光源からの光の波長 f:レンズの焦点距離 で与えられる。
フレネルレンズとして形成され、上記したように含金属
ガラス板からなる透明板1の一方の面に、三角断面の円
周状の溝(グレーティング)を複数本、同心円状に刻ん
で形成したもので、このとき、n番目の溝の半径をR口
とすれば、これは、 Rn = r77T n:自然数 λ:光源からの光の波長 f:レンズの焦点距離 で与えられる。
ところで、この溝の加工には、電子ビーム描画とホトリ
ソグラフィ技術によるものやイオンミ/す/グ等による
微細加工技術が用いられ、これにより外径が0.1〜1
.0mm程度の小さい平板状のマイクロレンズ111を
容易に製作することができる。
ソグラフィ技術によるものやイオンミ/す/グ等による
微細加工技術が用いられ、これにより外径が0.1〜1
.0mm程度の小さい平板状のマイクロレンズ111を
容易に製作することができる。
こうしてマイクロレンズ111が形成された透明&1と
半導体レーザ5とは、マイクロレンズ111と発光部5
21とが芯合わせ(光軸合わせ)された状態で接合面2
において直接接着される。そして、この実施例では、こ
の接合面2での接着法として、含金属ガラス板からなる
透明板1中での金属イオンの存在を利用し、このイオン
によるイオン聞方を用いて接着力を発揮させるようKし
た静′NIJ接合法を用いている。また、この実施例で
は、鴛産上の観点から、ウェハ状性で接着した後、ペレ
タイズしており、この結果、透明板1のマイクロレンズ
111と半導体レーザ5の発光部521との正確な芯合
わせと1強度の大きい接着とが容易に得られるようにし
ている。
半導体レーザ5とは、マイクロレンズ111と発光部5
21とが芯合わせ(光軸合わせ)された状態で接合面2
において直接接着される。そして、この実施例では、こ
の接合面2での接着法として、含金属ガラス板からなる
透明板1中での金属イオンの存在を利用し、このイオン
によるイオン聞方を用いて接着力を発揮させるようKし
た静′NIJ接合法を用いている。また、この実施例で
は、鴛産上の観点から、ウェハ状性で接着した後、ペレ
タイズしており、この結果、透明板1のマイクロレンズ
111と半導体レーザ5の発光部521との正確な芯合
わせと1強度の大きい接着とが容易に得られるようにし
ている。
従って、この実施例によれば、半導体レーザ5の発光部
521から放射された発散光は透明板1に形成されてい
るマイクロレンズ111によってコリメートされ、平行
光ビームとして矢印方向に出射されることになり、別途
、コリメーションレンズを組合わせることなく、ユニッ
ト化された小型の光源素子から直接、平行光ビームを得
ることができる。
521から放射された発散光は透明板1に形成されてい
るマイクロレンズ111によってコリメートされ、平行
光ビームとして矢印方向に出射されることになり、別途
、コリメーションレンズを組合わせることなく、ユニッ
ト化された小型の光源素子から直接、平行光ビームを得
ることができる。
第3図は透明板1の他の一実施例で、透明板1の一方の
面にマイクロレンズ111を形成した上で、さらに他方
の面にもマイクロレンズ112を形成したものである。
面にマイクロレンズ111を形成した上で、さらに他方
の面にもマイクロレンズ112を形成したものである。
この実施例によれば、平面発光型固体発光素子からの発
散光はマイクロレンズ111ヲ通過した後、次のマイク
ロレンズ112に入射されることになり。
散光はマイクロレンズ111ヲ通過した後、次のマイク
ロレンズ112に入射されることになり。
マイクロレンズ111で平行光ビーム化した後で、次の
マイクロレンズ112によって出射光ビームに所望の集
光特性を与えるようにすることができる。
マイクロレンズ112によって出射光ビームに所望の集
光特性を与えるようにすることができる。
なお、この第3図の実施例では、2段レンズ系となって
いるが、さらに多段化してもよいことは言うまでもなく
、これによりビームスプリッタ−などのさらに別の機能
を付与することが可能になる。
いるが、さらに多段化してもよいことは言うまでもなく
、これによりビームスプリッタ−などのさらに別の機能
を付与することが可能になる。
ところで1以上の実施例では、マイクロレンズ111.
112として透明板10表面加工によるフレネルレンズ
構成のものを用いているが、本発明はこれに限らず実施
可能なことは言うまでもない。
112として透明板10表面加工によるフレネルレンズ
構成のものを用いているが、本発明はこれに限らず実施
可能なことは言うまでもない。
そこで、第4図に、透明板1に対するレンズ機能の付与
を、屈折率分布型レンズ構成によって得るようにした1
本発明の他の一実施クリを示す。
を、屈折率分布型レンズ構成によって得るようにした1
本発明の他の一実施クリを示す。
この第4図において、11はレンズ部を表わし、その他
の部分は第1図の場合と同じである。なお、透明板1と
してはナトリウム(Na)を含有したガラス板が用いら
れる。
の部分は第1図の場合と同じである。なお、透明板1と
してはナトリウム(Na)を含有したガラス板が用いら
れる。
レンズ部11は透明板1の中に含まれているNaイオン
をAg (銀)イオンで置換させることにより、この透
明板1の中に局部的に屈折率分布を形成させることによ
り作られる。
をAg (銀)イオンで置換させることにより、この透
明板1の中に局部的に屈折率分布を形成させることによ
り作られる。
イオンの置換は拡散によって行なうことができ、表面加
工が不要なので実施条件によってはそれなりの利点が得
られる。
工が不要なので実施条件によってはそれなりの利点が得
られる。
なお、この第4図の実施例では、レンズ部11カ半導体
レーザ5に対する透明板1の接合面2とは反対側の面に
形成しであるので、レンズ部11の径を第1図の実施例
の場合よりも大きくできる。
レーザ5に対する透明板1の接合面2とは反対側の面に
形成しであるので、レンズ部11の径を第1図の実施例
の場合よりも大きくできる。
次に、レンズ部11における屈折率分布の形成は、上記
のような金属イオンの置換に限らず、透明板1の所定の
部分に局部的な熱歪を与え、これにより応力を残し、こ
の応力てよる光弾性効果によって屈折率分布が与えられ
るようにしてもよい。なお、このときの熱歪は、所定の
波長のレーザ光の照射によって与えられるようにすれば
よい。
のような金属イオンの置換に限らず、透明板1の所定の
部分に局部的な熱歪を与え、これにより応力を残し、こ
の応力てよる光弾性効果によって屈折率分布が与えられ
るようにしてもよい。なお、このときの熱歪は、所定の
波長のレーザ光の照射によって与えられるようにすれば
よい。
ここで接合面2(第1図及びgg4図)における接着に
ついて詳しく説明する。
ついて詳しく説明する。
ここでの接着は、上記した実施例では静電接着法が用い
られているが、この方法は、例えば透明板1としてはう
けい酸ガラスなどの含金属ガラスを用い、これを半導体
レーザ5に息ね合わせた上で所定の温度に刀口熱し、レ
ーザチップ側に十電位を、そして透明板1側に一軍位を
それぞれ印加し、これにより透明板1内の金属イオンを
移動させ、両者の界面に生じるイオン間結合力を利用し
て接着を行なうものである。なお、この静電接着法につ
いては、例えば米国特許第3397278号明細書に開
示がある。勿論、この接合面2での接着方法としては、
上記した静電接着法に限らず、比較的接着温度の高いA
u−8i ’F Au−Geなどの共晶合金を用いたろ
う付性を用いてもよいのは言うまでもない。
られているが、この方法は、例えば透明板1としてはう
けい酸ガラスなどの含金属ガラスを用い、これを半導体
レーザ5に息ね合わせた上で所定の温度に刀口熱し、レ
ーザチップ側に十電位を、そして透明板1側に一軍位を
それぞれ印加し、これにより透明板1内の金属イオンを
移動させ、両者の界面に生じるイオン間結合力を利用し
て接着を行なうものである。なお、この静電接着法につ
いては、例えば米国特許第3397278号明細書に開
示がある。勿論、この接合面2での接着方法としては、
上記した静電接着法に限らず、比較的接着温度の高いA
u−8i ’F Au−Geなどの共晶合金を用いたろ
う付性を用いてもよいのは言うまでもない。
また、上記実施例では、半導体レーザ、発光夕′イオー
ドなどの固体発光素子とマイクロレ/ズとをそれぞれ等
しいピッチでウエノ・状態に作り、これらを位置合わせ
して重ね合わせ、ウェハ状態のままで接着した後、ペレ
タイズして製造することができ、この結果、同時に数百
@整位での製造が可能になり、を産効果を充分に活か丁
ことができる。
ドなどの固体発光素子とマイクロレ/ズとをそれぞれ等
しいピッチでウエノ・状態に作り、これらを位置合わせ
して重ね合わせ、ウェハ状態のままで接着した後、ペレ
タイズして製造することができ、この結果、同時に数百
@整位での製造が可能になり、を産効果を充分に活か丁
ことができる。
次に、本発明のさらに別の一実施例’を第5図に示す。
この第5図の実施例はペース部7にホトダイオードを形
成させ、発光量のモニタを可能にしたもので、図におい
て、71は8i0.からなる絶縁層、72はi層、73
はn層、74は溝、531は穴であり、その他は第1図
の実施例と同じである。なお、接着剤層6は導電性を有
する材料で作られていてフォトダイオードの一万の′醸
極t−構成し、ペース部7はフォトダイオードを構成す
るため、シリコン(8i)で作られている。
成させ、発光量のモニタを可能にしたもので、図におい
て、71は8i0.からなる絶縁層、72はi層、73
はn層、74は溝、531は穴であり、その他は第1図
の実施例と同じである。なお、接着剤層6は導電性を有
する材料で作られていてフォトダイオードの一万の′醸
極t−構成し、ペース部7はフォトダイオードを構成す
るため、シリコン(8i)で作られている。
0層73は1層72とペースs7とでpinホトダイオ
ードを形成し、発光部521から穴531ヲ通って全光
量のうちの数%の光量で漏出されてくる光を受け【光検
出信号を発生し、光量モニタ機能をはたす。
ードを形成し、発光部521から穴531ヲ通って全光
量のうちの数%の光量で漏出されてくる光を受け【光検
出信号を発生し、光量モニタ機能をはたす。
ペース部7に設け℃ある酵74は放熱を良くする働きを
し、必要に応じて強制空冷や水冷を行なうことができる
。また、ペース部7はシリコンの他、熱伝導率の高い炭
化シリコン(8iC)を用いて放熱効果を高めることが
でき、このときには、このSiCのベース部7上にa−
8iを形成させ、その上にホトダイオードを形成させる
ようにすればよい。
し、必要に応じて強制空冷や水冷を行なうことができる
。また、ペース部7はシリコンの他、熱伝導率の高い炭
化シリコン(8iC)を用いて放熱効果を高めることが
でき、このときには、このSiCのベース部7上にa−
8iを形成させ、その上にホトダイオードを形成させる
ようにすればよい。
従って、この第5図の実施例によれば、コリメート光ビ
ーム出力の安定化と、高出力化を容易に図ることができ
る。なお、特に説明しなかったが、透明板1の接合面2
側の面には、予め、反射防止膜を形成しておくのが望ま
しく、さらに、凹部501の形状としては、発光部52
1から出射した光が効率良く取り出されるような配慮の
もとで決定するのが望ましいのは百うまでもない。
ーム出力の安定化と、高出力化を容易に図ることができ
る。なお、特に説明しなかったが、透明板1の接合面2
側の面には、予め、反射防止膜を形成しておくのが望ま
しく、さらに、凹部501の形状としては、発光部52
1から出射した光が効率良く取り出されるような配慮の
もとで決定するのが望ましいのは百うまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、コリメート5’
eをユニット化した光源素子から得ろことができるので
、従来技術の問題点に充分に対処でき、光学シC取ヘッ
ドなど情報慎器への組込に際して。
eをユニット化した光源素子から得ろことができるので
、従来技術の問題点に充分に対処でき、光学シC取ヘッ
ドなど情報慎器への組込に際して。
別途、コリメーション光学系の組付を要せず、組立が容
易で、調整が少くて済み、小型化、ローコスト化が容易
なコリメート光源素子を提供できろ。
易で、調整が少くて済み、小型化、ローコスト化が容易
なコリメート光源素子を提供できろ。
第1図は本発明によるコリメート光源素子の一実施例を
示す断面図、第2図は第1図の実施例における透明板の
断面図、第3図は透明板の他の一実施例を示す断面図、
第4図は本発明の他の一実施例を示す断面図、第5図は
本発明のさらに別の一実施例を示す断面図である。 1・・・・・・透明板、2・・・・・・接合面、5・・
・・・・半導体レーザ、6・・・・・・接着剤層、7・
・・・・・ペース部、50・・・・・・基部、51・・
・・・・n形りラッド層、52・・・・・・粘性層、5
3・・・・・・p形りラッド層、111・・・・・・発
光部、501・・・・・・凹部、521・・・・・・発
光部。 第1図 1:ノL明4叉 1118マイ20.ンス・
7:入゛−p炉 第2図 第3図
示す断面図、第2図は第1図の実施例における透明板の
断面図、第3図は透明板の他の一実施例を示す断面図、
第4図は本発明の他の一実施例を示す断面図、第5図は
本発明のさらに別の一実施例を示す断面図である。 1・・・・・・透明板、2・・・・・・接合面、5・・
・・・・半導体レーザ、6・・・・・・接着剤層、7・
・・・・・ペース部、50・・・・・・基部、51・・
・・・・n形りラッド層、52・・・・・・粘性層、5
3・・・・・・p形りラッド層、111・・・・・・発
光部、501・・・・・・凹部、521・・・・・・発
光部。 第1図 1:ノL明4叉 1118マイ20.ンス・
7:入゛−p炉 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、平面発光型の固体発光素子を用いてコリメート光を
得るようにしたコリメート光源素子において、上記固体
発光素子の主発光面に直接接着した透明板を設け、該透
明板に光ビーム整形用のレンズ機能を与えたことを特徴
とするコリメート光源素子。 2、特許請求の範囲第1項において、上記固体発光素子
が半導体レーザ又は発光ダイオードのいずれかで構成さ
れていることを特徴とするコリメート光源素子。 3、特許請求の範囲第1項において、上記透明板が上記
固体発光素子に対して静電接合法によつて接着されてい
ることを特徴とするコリメート光源素子。 4、特許請求の範囲第1項において、上記透明板による
レンズ機能が、該透明板の表面に対するグレーテイング
の形成により付与されるように構成したことを特徴とす
るコリメート光源素子。 5、特許請求の範囲第1項において、上記透明板による
レンズ機能が、該透明板内での屈折率分布の形成により
付与されるように構成したことを特徴とするコリメート
光源素子。 6、特許請求の範囲第5項において、上記透明板内での
屈折率分布の形成が、該透明板内における金属イオン濃
度の変化によつて与えられるように構成したことを特徴
とするコリメート光源素子。 7、特許請求の範囲第5項において、上記透明板内での
屈折率分布の形成が、該透明板の一部に残存させた歪に
よつて与えられるように構成したことを特徴とするコリ
メート光源素子。 8、特許請求の範囲第1項において、上記固体発光素子
が、その主発光面の裏面側にヒートシンクを備えている
ことを特徴とするコリメート光源素子。 9、特許請求の範囲第8項において、上記ヒートシンク
がシリコン又は炭化シリコンで作られていることを特徴
とするコリメート光源素子。 10、特許請求の範囲第8項において、上記シートシン
クは、その表面に放熱溝が形成されていることを特徴と
するコリメート光源素子。 11、特許請求の範囲第1項において、上記固体発光素
子が、発光光量モニタ用の受光素子を備えていることを
特徴とするコリメート光源素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61169757A JPS6327087A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | コリメ−ト光源素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61169757A JPS6327087A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | コリメ−ト光源素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6327087A true JPS6327087A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15892284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61169757A Pending JPS6327087A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | コリメ−ト光源素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6327087A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63283174A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Omron Tateisi Electronics Co | 発光ダイオ−ド |
EP0399684A2 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-28 | Tektronix Inc. | Laser pigtail assembly and method of manufacture |
US5241847A (en) * | 1990-04-03 | 1993-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Rolling control method and apparatus |
US7026657B2 (en) | 2000-04-19 | 2006-04-11 | Osram Gmbh | High radiance led chip and a method for producing same |
KR100618977B1 (ko) * | 1999-09-28 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 표면광 레이저를 채용한 근접장 기록재생용 광헤드 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61169757A patent/JPS6327087A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63283174A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Omron Tateisi Electronics Co | 発光ダイオ−ド |
EP0399684A2 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-28 | Tektronix Inc. | Laser pigtail assembly and method of manufacture |
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KR100618977B1 (ko) * | 1999-09-28 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 표면광 레이저를 채용한 근접장 기록재생용 광헤드 |
US7026657B2 (en) | 2000-04-19 | 2006-04-11 | Osram Gmbh | High radiance led chip and a method for producing same |
US7306960B2 (en) | 2000-04-19 | 2007-12-11 | Osram Gmbh | High radiance LED chip and a method for producing same |
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