JPS63244614A - Plasma treatment system - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体加工装置であるプラズマ処理装置、
特に電子サイクロトロン共鳴を用いてプラズマを発生さ
せ、広い領域にわたって基板に均一なプラズマ処理を可
能どするプラズマ処理装置に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a plasma processing apparatus which is a semiconductor processing apparatus;
In particular, the present invention relates to a plasma processing apparatus that generates plasma using electron cyclotron resonance and enables uniform plasma processing over a wide area of a substrate.
第６図は例えば特開昭５７−７９６２１号公報に記載さ
れた従来のプラズマ処理装置を示す断面構成図であり、
図において、１はプラズマ発生部、２はステージ、３は
基板、４は導波管、５はマグネトロン、６は駆動電源、
７はソレノイドコイル、８はプラズマ反応部、９はガス
供給管、１０は排気管、１１はプラズマ発生用ガラス管
、１２は直流電源、１３はプラズマ流である。FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram showing a conventional plasma processing apparatus described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-79621.
In the figure, 1 is a plasma generation part, 2 is a stage, 3 is a substrate, 4 is a waveguide, 5 is a magnetron, 6 is a drive power source,
7 is a solenoid coil, 8 is a plasma reaction section, 9 is a gas supply pipe, 10 is an exhaust pipe, 11 is a glass tube for plasma generation, 12 is a DC power supply, and 13 is a plasma flow.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
プラズマ発生部１は、軸方向に不均一な静磁場を発生さ
せるソレノイドコイル７と、軸方向に垂直な高周波電場
を導入する高周波導波管４と、プラズマ発生用ガラス管
１１とを有しており、高周波導波管４への高周波電力の
供給はマグネトロン５により行なわれ、プラズマ発生用
ガラス管１１へのガスの供給はガス供給管９を通して行
なわれるようになっている。The plasma generation unit 1 includes a solenoid coil 7 that generates a non-uniform static magnetic field in the axial direction, a high frequency waveguide 4 that introduces a high frequency electric field perpendicular to the axial direction, and a glass tube 11 for plasma generation. High frequency power is supplied to the high frequency waveguide 4 by a magnetron 5, and gas is supplied to the plasma generating glass tube 11 through a gas supply pipe 9.
プラズマの形成は電子サイクロトロン共鳴により行なわ
れるが、次に電子サイクロトロン共鳴について説明する
。Plasma is formed by electron cyclotron resonance, which will be explained next.
今、軸方向（２方向とする）の不均一な静磁場の強度を
Ｂ （Ｚ）とする、マグネトロン５により高周波導波管
４内に供給される高周波は、その高周波の周波数に応じ
て共振するように作られた形状のプラズマ発生部１内に
不均一な高周波電場Ｅ ｒ ｆ （ｚ）を形成する。プ
ラズマ発生部１内で高周波電場Ｅｒ ｆ （Ｚ）と電子
サイクロトロン共鳴を起こす２方向の静磁場の強度は、
プラズマ発生部１内で第７図に示す領域である。即ち、
点Ａから点Ｂへの曲線はＺ方向の静磁場強度ＢＺ（Ｚ）
が高周波電場Ｅｒｆ（ｚ）と共鳴を起こす磁場強度の点
を結んだものである。Now, the strength of the non-uniform static magnetic field in the axial direction (assuming two directions) is B (Z), and the high frequency wave supplied into the high frequency waveguide 4 by the magnetron 5 resonates according to the frequency of the high frequency wave. A non-uniform high frequency electric field E r f (z) is formed within the plasma generating section 1 which is shaped to do so. The strength of the static magnetic field in two directions that causes electron cyclotron resonance with the high-frequency electric field Er f (Z) in the plasma generation section 1 is as follows:
This is the area shown in FIG. 7 within the plasma generating section 1. That is,
The curve from point A to point B is the static magnetic field strength BZ (Z) in the Z direction.
is a connection between points of magnetic field strength that cause resonance with the high-frequency electric field Erf(z).
ｗｅＢ／ｍで表わされる（ただし、ｍは電子の質量であ
る）、プラズマ発生部１内の高周波電場Ｅｒｆ（ｚ）の
角周波数をωとし、ω−ωＣのサイクロトロン共鳴条件
′が成立すれば、高周波のエネルギーは電子に連続的に
供給されて電子のエネルギーが増大する。If the angular frequency of the high-frequency electric field Erf (z) in the plasma generation section 1, expressed as weB/m (where m is the mass of the electron), is ω, and the cyclotron resonance condition of ω-ωC is satisfied, then High-frequency energy is continuously supplied to the electrons, increasing the energy of the electrons.
このようなサイクロトロン共鳴条件下で、ガス供給管９
内に適当なガス圧のガスを導入すると、予備放電状態で
発生した電子は、高周波から連続的にエネルギーを供給
されて高いエネルギー状態になり、衝突過程を通してプ
ラズマが発生し、この発生したプラズマにさらに共鳴条
件のもとて高周波電力が注入される。Under such cyclotron resonance conditions, the gas supply pipe 9
When gas at an appropriate gas pressure is introduced into the chamber, the electrons generated in the pre-discharge state are continuously supplied with energy from the high frequency and become in a high energy state. Through the collision process, plasma is generated, and this generated plasma Furthermore, high frequency power is injected under resonance conditions.
従って、例えばガス供給管９に導入するガスをＳｉＨ４
とすると、ガスの圧力以外に高周波の電力を適当に調整
することにより、Ｓ ｉ” ＊ Ｓ Ｉ Ｈ” 。Therefore, for example, the gas introduced into the gas supply pipe 9 is SiH4
Then, by appropriately adjusting the high frequency power in addition to the gas pressure, S i" * S I H" can be obtained.
ＳｉＨ２”、ＳｉＨ３十などのイオンおよびそれぞれの
イオンの種類、濃度あるいはそのエネルギーを制御でき
ると同時に、Ｓｘ、５ｔＨｘなとのラジカルの種類、濃
度あるいはそのエネルギーを制御できる。It is possible to control the type, concentration or energy of ions such as SiH2'' and SiH30, and at the same time to control the type, concentration or energy of radicals such as Sx and 5tHx.
一方、不均一な静磁場Ｂ （Ｚ）と不均一な電場Ｅｒｆ
（Ｚ）の間では、電子には次式で与えられるような軸方
向の力Ｆｚが作用し、電子は軸方向に加速される。On the other hand, the non-uniform static magnetic field B (Z) and the non-uniform electric field Erf
(Z), an axial force Fz given by the following equation acts on the electron, and the electron is accelerated in the axial direction.
ただし、μは磁気モーメント、ω０は電子の円運動のエ
ネルギー、ＢＯはプラズマ発生部での磁束密度、Ｍはイ
オンの質量である。Here, μ is the magnetic moment, ω0 is the energy of circular motion of electrons, BO is the magnetic flux density at the plasma generation part, and M is the mass of the ions.
従って、第６図のプラズマ発生部１で発生したプラズマ
中の電子がプラズマ反応部８に向は軸方向に加速され、
このためにプラズマ中にはイオンを加速する静電場ＥＯ
（Ｚ）が軸方向に形成される。Therefore, electrons in the plasma generated in the plasma generation section 1 of FIG. 6 are accelerated in the axial direction toward the plasma reaction section 8,
For this reason, there is an electrostatic field EO in the plasma that accelerates ions.
(Z) is formed in the axial direction.
この静電場ＥＱ（Ｚ）によってプラズマは全体として軸
方向に加速されることになり、プラズマ反、応部８に軸
方向←沿うプラズマ流１３が発生する。ソレノイドコイ
ル７によってつくられた磁力謙が、プラズマ反応部８で
はｒ方向成分をもつようになるので、プラズマ流１３は
磁力線に沿って拡がってゆ（。The plasma as a whole is accelerated in the axial direction by this electrostatic field EQ(Z), and a plasma flow 13 is generated in the plasma reaction section 8 in the axial direction. Since the magnetic force generated by the solenoid coil 7 has an r-direction component in the plasma reaction section 8, the plasma flow 13 spreads along the magnetic lines of force.
このようなプラズマ処理装置はプラズマエツチング、プ
ラズマＣＶＤ、プラズマ酸化をはじめとする各種表面処
理に応用でき、これらの処理を効果的に行うことができ
る。Such a plasma processing apparatus can be applied to various surface treatments such as plasma etching, plasma CVD, and plasma oxidation, and can effectively perform these treatments.
従来の電子サイクロトロン共鳴を使ったプラズマ処理装
置は以上のように構成されているので、高周波電場Ｅ
ｒ ｆ （ｚ）と共鳴を起こす静磁場のＺ方向成分Ｂｚ
（ｚ）は、第７図に示されるようにプラズマ発生部の径
方向全般を覆っていないため、プラズマＣＶＤによる成
膜を例にとれば、第８図に示すようにその膜厚分布が不
均一になる等、一般にプラズマ処理の均一性が得られに
くいという問題点があった。Since the conventional plasma processing apparatus using electron cyclotron resonance is configured as described above, the high-frequency electric field E
Z-direction component Bz of the static magnetic field that resonates with r f (z)
(z) does not cover the entire radial direction of the plasma generation area as shown in FIG. 7, so if we take film formation by plasma CVD as an example, the film thickness distribution will be uneven as shown in FIG. There has been a problem in that it is generally difficult to obtain uniformity in plasma processing, such as uniformity.
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、大口径の基板にプラズマ処理が均一に行なえる
プラズマ処理装置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus that can uniformly perform plasma processing on a large-diameter substrate.
この発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマ発生部の
周囲に電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマを形
成するためのソレノイドコイルを配置し、このソレノイ
ドコイルより基板側に、かつプラズマ発生部の周囲に永
久磁石を配置し、この永久磁石をプラズマ発生部の周囲
を回転させるようにしたものである。The plasma processing apparatus according to the present invention has a solenoid coil for forming plasma using electron cyclotron resonance arranged around a plasma generation part, and a permanent part on the substrate side of the solenoid coil and around the plasma generation part. A magnet is arranged, and this permanent magnet is rotated around the plasma generation part.
この発明におけるプラズマ発生部の周囲に配置された永
久磁石は、回転することにより回転磁場を形成し、プラ
ズマ流をこの回転磁場と共に回転させ、プラズマを広い
領域に引き出すことを可能にする。The permanent magnets arranged around the plasma generating section in this invention rotate to form a rotating magnetic field, causing the plasma flow to rotate together with this rotating magnetic field, thereby making it possible to draw out the plasma over a wide area.
（実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１４はプラズマ発生部１の周囲に配置され
た永久磁石、１５は永久磁石１４を載置して回転する歯
車、１６は歯車１５を回転させる歯車、１７は回転軸、
１日は回転駆動機である。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be explained with reference to the drawings.
In the figure, 14 is a permanent magnet placed around the plasma generation part 1, 15 is a gear that rotates with the permanent magnet 14 placed thereon, 16 is a gear that rotates gear 15, 17 is a rotating shaft,
The 1st is a rotary drive machine.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
プラズマ発生部１は、軸方向に不均一な静磁場を発生さ
せるソレノイドコイル７と、プラズマ発生部１の周囲を
回転する永久磁石１４と、プラズマ発生用ガラス管１１
とを有しており、高周波導波管４への高周波電力の供給
はマグネトロン５により行なわれ、プラズマ発生用ガラ
ス管１１へのガスの供給はガス供給管９を通して行なわ
れるようになっている。The plasma generation section 1 includes a solenoid coil 7 that generates a static magnetic field that is nonuniform in the axial direction, a permanent magnet 14 that rotates around the plasma generation section 1, and a glass tube 11 for plasma generation.
High frequency power is supplied to the high frequency waveguide 4 by a magnetron 5, and gas is supplied to the plasma generating glass tube 11 through a gas supply pipe 9.
プラズマの形成は電子サイクロトロン共鳴により行なわ
れるが、電子サイクロトロン共鳴は高周波電場Ｅｒｆ（
ｚ）と、ソレノイドコイル７と永久磁石１４とによりつ
くられる合成磁場Ｂ ＴＺ）により生ずる。Plasma formation is carried out by electron cyclotron resonance, which is generated by the high-frequency electric field Erf (
z) and a composite magnetic field B TZ) created by the solenoid coil 7 and the permanent magnet 14.
また、電子に作用する軸方向の力Ｆｚは、合成磁場Ｂ
（Ｚ）が不均一な磁場であれば作用するので、の力が働
く、従って、第１図のプラズマ発生部１で発生したプラ
ズマ中の電子がプラズマ反応部８に向は軸方向に加速さ
れ、このためにプラズマ中にはイオンを加速する電場Ｅ
ｏ（ｚ）が軸方向に形成される。この電場ＥＯ（Ｚ）に
よってプラズマは全体として軸方向に加速されることに
なり、プラズマ反応部８に軸方向に沿うプラズマ流１３
が発生する。Moreover, the axial force Fz acting on the electron is the resultant magnetic field B
(Z) acts if it is a non-uniform magnetic field, so a force is exerted. Therefore, the electrons in the plasma generated in the plasma generation section 1 in Fig. 1 are accelerated toward the plasma reaction section 8 in the axial direction. , for this reason, there is an electric field E in the plasma that accelerates the ions.
o(z) is formed in the axial direction. The plasma as a whole is accelerated in the axial direction by this electric field EO (Z), and the plasma flow 13 along the axial direction is generated in the plasma reaction section 8.
occurs.
第２図は本実施例による永久磁石の回転する機構を示す
平面構成図であり、永久磁石１４がプラズマ発生部１の
周囲を回転する０回転駆動機１８を駆動させると、回転
軸１７によって連結されている歯車１６が回転を行ない
、その回転運動は歯車１５に伝えられる。永久磁石１４
は歯車１５上に載置されているので、歯車１５の回転と
共に回転運動を行ない、プラズマ発生部１内には回転磁
場が生ずる。FIG. 2 is a plan configuration diagram showing the mechanism in which the permanent magnet rotates according to this embodiment. When the permanent magnet 14 drives the 0-rotation drive machine 18 that rotates around the plasma generation section 1, it is connected by the rotation shaft 17. The gear 16 rotates, and its rotational motion is transmitted to the gear 15. Permanent magnet 14
Since it is placed on the gear 15, it rotates with the rotation of the gear 15, and a rotating magnetic field is generated in the plasma generating section 1.
第４図は、ソレノイドコイル７に電流を流した状態で永
久磁石１４が回転しないときの、第３図に示したプラズ
マ発生部１内の点Ｐのところでの磁界の強さと方向を示
すものである０点Ｐでの磁界の強さＨは、ソレノイドコ
イル７によってつくられたＺ軸方向の磁界の強さＨｚ、
ｒ方向の磁界の強さＨｒと永久磁石１４によってつくら
れたｒ方向の磁界の強さＨＲの合成磁界になる。永久磁
石１４が存在しないときに比べ、永久磁石１４が存在す
るときは、磁界の向きは永久磁石１４によるｒ方向成分
ＨＦＩ が加わる分だけｒ方向に向くようになる。ここ
では、永久磁石１４が回転しないときの点Ｐでの磁界の
強さＨについて説明したが、永久磁石１４によってつく
られた磁界ＨＲが存在する領域では、上述した磁界の合
成による磁力線の向きの変化が生ずる。第５図は、永久
磁石１４によって磁力線がｒ方向に曲げられ磁力線分布
が変化していることを示している。永久磁石１４を回転
させると、永久磁石１４によってつくられる磁界Ｈ＾も
回転するので磁力線の向きの変化が生ずる部分もそれに
ともなって回転し、磁力線分布も回転する。FIG. 4 shows the strength and direction of the magnetic field at point P in the plasma generation section 1 shown in FIG. 3 when the permanent magnet 14 does not rotate with current flowing through the solenoid coil 7. The strength H of the magnetic field at a certain 0 point P is the strength Hz of the magnetic field in the Z-axis direction created by the solenoid coil 7,
This becomes a composite magnetic field of the r-direction magnetic field strength Hr and the r-direction magnetic field strength HR created by the permanent magnet 14. Compared to when the permanent magnet 14 is not present, when the permanent magnet 14 is present, the direction of the magnetic field is oriented in the r direction by the addition of the r-direction component HFI caused by the permanent magnet 14. Here, we have explained the strength H of the magnetic field at point P when the permanent magnet 14 does not rotate, but in the region where the magnetic field HR created by the permanent magnet 14 exists, the direction of the magnetic field lines due to the combination of the magnetic fields described above is Change occurs. FIG. 5 shows that the lines of magnetic force are bent in the r direction by the permanent magnet 14, and the distribution of the lines of magnetic force changes. When the permanent magnet 14 is rotated, the magnetic field H created by the permanent magnet 14 also rotates, so the portion where the direction of the magnetic force lines changes also rotates, and the magnetic force line distribution also rotates.
従って、プラズマ発生部１で発生したプラズマは、上述
した電場ＥＯ（Ｚ）によってプラズマ反応部８に引き出
されるが、プラズマ反応部８ではプラズマ流１３は永久
磁石１４で形成される磁場の影響を受け、第１図に示し
たようにプラズマ流１３の中心はソレノイドコイル７の
中心軸から逸脱する。永久磁石１４により形成される磁
界は回転するので、プラズマ流１３も磁界の回転と同じ
直径。Therefore, the plasma generated in the plasma generation section 1 is drawn to the plasma reaction section 8 by the above-mentioned electric field EO (Z), but in the plasma reaction section 8, the plasma flow 13 is influenced by the magnetic field formed by the permanent magnet 14. , the center of the plasma flow 13 deviates from the central axis of the solenoid coil 7, as shown in FIG. Since the magnetic field formed by the permanent magnet 14 rotates, the plasma flow 13 also has the same diameter as the rotation of the magnetic field.
速度でもってＺ軸を中心に回転を行なう。この動作は、
プラズマ流１３が広い範囲にわたってプラズマ処理を行
なうことを可能にし、また均一なプラズマ処理を行なう
ことを可能にする。Rotate around the Z axis with speed. This operation is
The plasma flow 13 makes it possible to perform plasma processing over a wide range, and also makes it possible to perform uniform plasma processing.
従って、例えばガス供給管９に導入するガスをＳｉＨ４
とすると、電子サイクロトロン共鳴によりＳｉ＋、Ｓｉ
Ｈ＋、５ｚ−ｔ２＋、ＳｉＨ３＋なネ
どのイオンおよび５ｉ、５ｔＨｘなどのラジカルがプラ
ズマ発生部１で生じ、そのプラズマは上述した電場ＥＱ
（Ｚ）によって軸方向に加速され、さらに回転磁場によ
りプラズマ流１３は回転するので、プラズマ反応部８で
は大口径な基板３の上に均一な膜厚分布をもったアモル
ファス・シリコン膜が形成される。Therefore, for example, the gas introduced into the gas supply pipe 9 is SiH4
Then, due to electron cyclotron resonance, Si+, Si
Ions such as H+, 5z-t2+, and SiH3+ and radicals such as 5i and 5tHx are generated in the plasma generation section 1, and the plasma is generated by the electric field EQ described above.
(Z) and further rotates the plasma stream 13 due to the rotating magnetic field, so that an amorphous silicon film with a uniform thickness distribution is formed on the large-diameter substrate 3 in the plasma reaction section 8. Ru.
本実施例によるプラズマ処理装置は、プラズマエツチン
グ、プラズマＣＶＤ、プラズマ酸化をはじめとする各種
表面処理に応用でき、広範囲に均一な処理を行なうこと
ができる。The plasma processing apparatus according to this embodiment can be applied to various surface treatments such as plasma etching, plasma CVD, and plasma oxidation, and can perform uniform treatment over a wide range.
なお、上記実施例では永久磁石を回転させるのに、２つ
の歯車１５．１６を用いる場合を示したが、第９図に示
すように２つの回転板１９．２０をベルト２１によって
連結し、回転板１９に載置された永久磁石１４を回転さ
せるようにしてもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。In the above embodiment, two gears 15, 16 are used to rotate the permanent magnet, but as shown in FIG. 9, two rotating plates 19, 20 are connected by a belt 21, The permanent magnet 14 placed on the plate 19 may be rotated, and the same effect as in the above embodiment can be achieved.
以上のように、本発明に係るプラズマ処理装置によれば
、プラズマ発生部の周囲にソレノイドコイルより基板側
に永久磁石を配置し、この永久磁石を回転させるように
したので、プラズマ流を回転運動させることができ、大
口径の基板にも均一なプラズマ処理を行なうことができ
る効果がある。As described above, according to the plasma processing apparatus according to the present invention, a permanent magnet is arranged around the plasma generation part closer to the substrate than the solenoid coil, and this permanent magnet is rotated, so that the plasma flow is rotated. This has the effect that uniform plasma processing can be performed even on large-diameter substrates.
第１図は本発明の一実施例によるプラズマ処理装置を示
す断面構成図、第２図は本発明の一実施例に係る永久磁
石の回転機構を示す平面構成図、第３図はプラズマ処理
装置内の１点Ｐを示すための断面図、第４図は点Ｐでの
合成磁界ベクトル図、第５図は本発明の一実施例により
磁力線分布が変化することを示す図、第６図は従来のプ
ラズマ処理装置を示す断面構成図、第７図は従来のプラ
ズマ処理装置において電子サイクロトロン共鳴を起こす
Ｚ軸方向の静磁場強度を示す分布図、第８図は従来のプ
ラズマ処理装置により形成される薄膜の膜厚分布を示す
分布図、第９図は本発明の他の実施例に係る永久磁石の
回転機構を示す平面構成図である。
１・・・プラズマ発生部、３・・・基板、７・・・ソレ
ノイドコイル、８・・・プラズマ反応部、１３・・・プ
ラズマ流、１４・・・永久磁石、１５．１６・・・歯車
、１７・・・−回転軸、１８・・・回転駆動機、１９．
２０・・・回転板、２１・・・ベルト。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan configuration diagram showing a permanent magnet rotation mechanism according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plasma processing apparatus FIG. 4 is a diagram of the composite magnetic field vector at point P, FIG. 5 is a diagram showing that the magnetic field line distribution changes according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 7 is a cross-sectional configuration diagram showing a conventional plasma processing apparatus. FIG. 7 is a distribution diagram showing the static magnetic field strength in the Z-axis direction that causes electron cyclotron resonance in a conventional plasma processing apparatus. FIG. FIG. 9 is a plan configuration diagram showing a permanent magnet rotation mechanism according to another embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Plasma generation part, 3... Substrate, 7... Solenoid coil, 8... Plasma reaction part, 13... Plasma flow, 14... Permanent magnet, 15.16... Gear , 17...-Rotating shaft, 18... Rotating drive machine, 19.
20... Rotating plate, 21... Belt. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (3)
させ、基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
て、 上記プラズマを発生させるプラズマ発生部の周囲に配置
されたソレノイドコイルと、 該ソレノイドコイルより上記基板側に、かつ上記プラズ
マ発生部の周囲に配置されたＮ極、Ｓ極を構成する永久
磁石と、 該永久磁石が上記プラズマ発生部の周囲を回転するよう
にするための磁石回転機構とを備えたことを特徴とする
プラズマ処理装置。(1) In a plasma processing apparatus that generates plasma using electron cyclotron resonance and processes a substrate with plasma, a solenoid coil disposed around a plasma generation section that generates the plasma, and a side of the substrate from the solenoid coil. and a permanent magnet forming an N pole and an S pole arranged around the plasma generation section, and a magnet rotation mechanism for causing the permanent magnet to rotate around the plasma generation section. A plasma processing device featuring:
とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。(2) The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the magnet rotation mechanism includes a gear.
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズ
マ処理装置。(3) The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the magnet rotation mechanism includes a rotating plate and a belt.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7713387A JPS63244614A (en) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Plasma treatment system |
| DE3810197A DE3810197A1 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | PLASMA MACHINING DEVICE |
| US07/173,147 US4947085A (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Plasma processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7713387A JPS63244614A (en) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | Plasma treatment system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244614A true JPS63244614A (en) | 1988-10-12 |
Family
ID=13625306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7713387A Pending JPS63244614A (en) | 1987-03-27 | 1987-03-30 | Plasma treatment system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244614A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156089A (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Shimadzu Corp | Plasma sticking device |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7713387A patent/JPS63244614A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156089A (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Shimadzu Corp | Plasma sticking device |
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