JPS63211674A - トランジスタ - Google Patents
トランジスタInfo
- Publication number
- JPS63211674A JPS63211674A JP4428187A JP4428187A JPS63211674A JP S63211674 A JPS63211674 A JP S63211674A JP 4428187 A JP4428187 A JP 4428187A JP 4428187 A JP4428187 A JP 4428187A JP S63211674 A JPS63211674 A JP S63211674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- base
- layer
- thin films
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 6
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタに関し、特にシリコンバイポーラ
トランジスタの構造に関する。
トランジスタの構造に関する。
従来、シリコンバイボー２トランジスタは、Ｐ導電型と
Ｎ導電型のシリコン層を交互に積層したＰＮＰまたはＮ
ＰＨの３層構造をもっているのが一搬である。
Ｎ導電型のシリコン層を交互に積層したＰＮＰまたはＮ
ＰＨの３層構造をもっているのが一搬である。
上述した従来のバイポーラトランジスタにおいて、エミ
ッタ接地電流増幅率ｈＦｇを大きくするためには、ベー
スの不純物濃度を低くする必要があった。しかし、ベー
スの不純物濃度を下げると、ベース抵抗ｒｂが増大し、
トランジスタの周波数特性が悪くなるという問題があっ
た。
ッタ接地電流増幅率ｈＦｇを大きくするためには、ベー
スの不純物濃度を低くする必要があった。しかし、ベー
スの不純物濃度を下げると、ベース抵抗ｒｂが増大し、
トランジスタの周波数特性が悪くなるという問題があっ
た。
そこで、この問題を解決するために発明されたヘテロジ
ャンクションバイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと略
す）においては、バンドギヤ、プＥｇがベース部分のＥ
ｇよシも大きな半導体によってエミッタ部分を形成する
。これによってベースからエミッタへのホールの流入を
著しく減少させることが可能とな９、ベース抵抗ｒｂを
小さく保ったままエミッタ接地電流増幅率ｈＦＫを大き
くすることを可能とした。しかし、エミッタとベースを
それぞれ形成する半導体の格子定数、結晶構造が異なる
と、エミッタ・ベース接合を形成することが困難なこと
から、ＨＢＴを構成することが可能な半導体の組み合せ
は限られる。例えば、（ｊａＡｓとＡＩ（ｊａＡｓなど
の格子定数の近いＩ−Ｖ族化合物半導体の組み合せなど
があるが、これらの物質はシリコンに比べ、小口径のウ
ェハしか得られない等の製造上未解決の問題点が多く、
特に、集積回路を志向する場合、歩留９の点でシリコン
バイポーラトランジスタに比べ著しく劣り、結果的にコ
スト高になるという問題がある。
ャンクションバイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと略
す）においては、バンドギヤ、プＥｇがベース部分のＥ
ｇよシも大きな半導体によってエミッタ部分を形成する
。これによってベースからエミッタへのホールの流入を
著しく減少させることが可能とな９、ベース抵抗ｒｂを
小さく保ったままエミッタ接地電流増幅率ｈＦＫを大き
くすることを可能とした。しかし、エミッタとベースを
それぞれ形成する半導体の格子定数、結晶構造が異なる
と、エミッタ・ベース接合を形成することが困難なこと
から、ＨＢＴを構成することが可能な半導体の組み合せ
は限られる。例えば、（ｊａＡｓとＡＩ（ｊａＡｓなど
の格子定数の近いＩ−Ｖ族化合物半導体の組み合せなど
があるが、これらの物質はシリコンに比べ、小口径のウ
ェハしか得られない等の製造上未解決の問題点が多く、
特に、集積回路を志向する場合、歩留９の点でシリコン
バイポーラトランジスタに比べ著しく劣り、結果的にコ
スト高になるという問題がある。
上記問題点に対し本発明のトランジスタは、シリコンよ
りバンドギャップの小さいＰまたはＮの一導電型半導体
の薄膜と、同じ導電型のシリコンの薄膜とを交互に積層
して形成したベース層と、このベース層を間にはさんで
形成した前記−導′亀型と反対導電型シリコンのコレク
タ層とエミッタ層とを備えている。
りバンドギャップの小さいＰまたはＮの一導電型半導体
の薄膜と、同じ導電型のシリコンの薄膜とを交互に積層
して形成したベース層と、このベース層を間にはさんで
形成した前記−導′亀型と反対導電型シリコンのコレク
タ層とエミッタ層とを備えている。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
同図において、ｌはＰ形にドープさｎたシリコン基板、
２はＮ形にドープされたシリコンのコレクタ層、５はＡ
Ｉなどの金属よシなるコレクタ電極、３ａはＰ形にドー
プされたシリコン薄膜、３ ｂはＰ形にドープされたゲ
ルマニウム薄膜で、シリコン薄膜３ａとゲルマニウム薄
ａ３ｂとは交互に１０段に積み重なってベース層３を構
成する。６はベース電極、４はＮ形にドープされたシリ
コンのエミッタ層、７はエミッタ電極である。
２はＮ形にドープされたシリコンのコレクタ層、５はＡ
Ｉなどの金属よシなるコレクタ電極、３ａはＰ形にドー
プされたシリコン薄膜、３ ｂはＰ形にドープされたゲ
ルマニウム薄膜で、シリコン薄膜３ａとゲルマニウム薄
ａ３ｂとは交互に１０段に積み重なってベース層３を構
成する。６はベース電極、４はＮ形にドープされたシリ
コンのエミッタ層、７はエミッタ電極である。
第１図のような構造を用いることによって、ベース層の
バンドギヤ、ブＥｇをエミッタ層のバンドギャップＥｇ
よすも小さくすることが可能とな９、ベースからエミッ
タへのホールの流入を減少させることによってベース抵
抗ｒｂを小さく保ったまま、エミッタ接地電流増幅率ｈ
ＦＥを大きくすることが可能となる。
バンドギヤ、ブＥｇをエミッタ層のバンドギャップＥｇ
よすも小さくすることが可能とな９、ベースからエミッ
タへのホールの流入を減少させることによってベース抵
抗ｒｂを小さく保ったまま、エミッタ接地電流増幅率ｈ
ＦＥを大きくすることが可能となる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２図において、これを第１図の第１の実施例と比べる
と、本実施例は、Ｐ型シリコン基板１．Ｎ型コレクタ層
２．Ｐ型のゲルマニウム薄膜３ａ。
と、本実施例は、Ｐ型シリコン基板１．Ｎ型コレクタ層
２．Ｐ型のゲルマニウム薄膜３ａ。
Ｐ型のシリコン薄膜３ｂの積層体からなるＰ型代−ス層
３、Ｎ型シリコンのエミッタ層４は第１図の例と同様の
ものであるが、コレクタ電極８とベース電極９は２個形
成されているので、ベース抵抗およびコレクタ抵抗が第
１実施例より小さくなっている。
３、Ｎ型シリコンのエミッタ層４は第１図の例と同様の
ものであるが、コレクタ電極８とベース電極９は２個形
成されているので、ベース抵抗およびコレクタ抵抗が第
１実施例より小さくなっている。
なお、上記実施例ではベース層を作るシリコンよりもバ
ンドギヤ、プの小さな半導体としてゲルマニウムを用い
ているが、勿論ゲルマニウム薄膜らず他の半導体を用い
ることができるのは当然である。
ンドギヤ、プの小さな半導体としてゲルマニウムを用い
ているが、勿論ゲルマニウム薄膜らず他の半導体を用い
ることができるのは当然である。
以上説明したように本発明は、シリコンバイポーラトラ
ンジスタのベース部分を、シリコン薄膜とシリコンより
もバンドギャップの小さな半導体薄膜を交互に複数層積
み重ねることによって形成し、化合物半導体によるＨＢ
Ｔと同様に低ベース抵抗で高エミッタ接地電流増幅率の
トランジスタをより低コストで作製できる効果がある。
ンジスタのベース部分を、シリコン薄膜とシリコンより
もバンドギャップの小さな半導体薄膜を交互に複数層積
み重ねることによって形成し、化合物半導体によるＨＢ
Ｔと同様に低ベース抵抗で高エミッタ接地電流増幅率の
トランジスタをより低コストで作製できる効果がある。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の第１および第２
実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｎ型
コレクタ層、３・・・・・・Ｐ型代−ス層、３ａ・・・
・・・Ｐｆｉシリコン薄膜、３ｂ・・・・・・Ｐ型ゲル
マニウム薄膜、４・・・・・・Ｎ型エミッタ層、５，８
・・°・・・コレクタ電極、６，９・・・・・・ベース
電極、７・・・・・・エミッタ電極。
実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・・・・Ｎ型
コレクタ層、３・・・・・・Ｐ型代−ス層、３ａ・・・
・・・Ｐｆｉシリコン薄膜、３ｂ・・・・・・Ｐ型ゲル
マニウム薄膜、４・・・・・・Ｎ型エミッタ層、５，８
・・°・・・コレクタ電極、６，９・・・・・・ベース
電極、７・・・・・・エミッタ電極。
Claims (1)
- ＰまたはＮの一導電型シリコンのコレクタ層と、このコ
レクタ層の上にシリコンよりもバンドギャップの小さな
反対導電型半導体の薄膜と、同じ反対導電型シリコンの
薄膜とを交互に積重ねて形成されたベース層と、このベ
ース層の上に形成された一導電型シリコンのエミッタ層
と、前記コレクタ、ベース、エミッタの各層からそれぞ
れ取り出された電極とを備えたことを特徴とするバイポ
ーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4428187A JPS63211674A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4428187A JPS63211674A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211674A true JPS63211674A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12687126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4428187A Pending JPS63211674A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63211674A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237035A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5241197A (en) * | 1989-01-25 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Transistor provided with strained germanium layer |
| US5323032A (en) * | 1991-09-05 | 1994-06-21 | Nec Corporation | Dual layer epitaxtial base heterojunction bipolar transistor |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP4428187A patent/JPS63211674A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241197A (en) * | 1989-01-25 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Transistor provided with strained germanium layer |
| JPH02237035A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5323032A (en) * | 1991-09-05 | 1994-06-21 | Nec Corporation | Dual layer epitaxtial base heterojunction bipolar transistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3969747A (en) | Complementary bipolar transistors with IIL type common base drivers | |
| JPS63211674A (ja) | トランジスタ | |
| JPH04225238A (ja) | ラテラルトランジスタ及びそれを用いたカレントミラー回路 | |
| JP2648027B2 (ja) | Ｉｉｌ型半導体装置 | |
| JPH0462931A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59149045A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0587187B2 (ja) | ||
| JP2932076B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02276271A (ja) | バイポーラ・ｃｍｏｓ半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6185863A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH01196869A (ja) | バイポーラ型半導体装置 | |
| JPH03196669A (ja) | ＢｉＣＭＯＳ集積回路 | |
| JPH0410471A (ja) | 高電子移動度複合トランジスタ | |
| JPH01228157A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04323864A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6327051A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS62143453A (ja) | モノリシツク・ダ−リントン接続トランジスタの製造方法 | |
| JPS62189752A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03245562A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2000077420A (ja) | バイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS60119770A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05267311A (ja) | バイポ−ラトランジスタ | |
| JPH0227734A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62122166A (ja) | バイポ−ラトランジスタ集積回路 | |
| KR20060129050A (ko) | 저항 내장 바이폴라 트랜지스터 |