JPS63206384A - 単結晶の育成装置 - Google Patents
単結晶の育成装置Info
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- JPS63206384A JPS63206384A JP3346787A JP3346787A JPS63206384A JP S63206384 A JPS63206384 A JP S63206384A JP 3346787 A JP3346787 A JP 3346787A JP 3346787 A JP3346787 A JP 3346787A JP S63206384 A JPS63206384 A JP S63206384A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seed crystal
- crystal
- liquid
- melt
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- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 6
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は原料融液に種結晶を接触させて単結晶を育成す
る装置、特に、種結晶の保持手段に特徴を有し、液体封
止型チョクラルスキー法（ＬｌｌｉＣ法）や横型ブリッ
ジマン法ＣＨＢ 法） ’に適用可能な単結晶育成装置
に関する。
る装置、特に、種結晶の保持手段に特徴を有し、液体封
止型チョクラルスキー法（ＬｌｌｉＣ法）や横型ブリッ
ジマン法ＣＨＢ 法） ’に適用可能な単結晶育成装置
に関する。
従来、ＬＢＣ法では種結晶を単結晶引上軸下端の支持体
にワイヤー等で固定していた。支持体には種結晶の外形
に沿った溝を堀〕、その溝に種結晶を添わせて固定した
。種結晶には必要に応じて支持体から露出する部分に横
方向に切欠きを入れ、ワイヤーをその切欠きに掛けて固
定を確かなものにしていた。
にワイヤー等で固定していた。支持体には種結晶の外形
に沿った溝を堀〕、その溝に種結晶を添わせて固定した
。種結晶には必要に応じて支持体から露出する部分に横
方向に切欠きを入れ、ワイヤーをその切欠きに掛けて固
定を確かなものにしていた。
また、ＨＢ法では横型原料ボートの一端に種結晶を載置
する支持体部を設け、種結晶の端がボート本体内の原料
融液に接するようになっていた。
する支持体部を設け、種結晶の端がボート本体内の原料
融液に接するようになっていた。
これらの装置は、種結晶と支持体との接触が十分でなく
、種結晶を通して原料融液の熱を十分逃散させることが
できなかった。その結果、成長結晶の固液界面が凹にな
夛易く、結晶成長を不安定なものとし、多結晶化を招く
ことにも彦っていた。
、種結晶を通して原料融液の熱を十分逃散させることが
できなかった。その結果、成長結晶の固液界面が凹にな
夛易く、結晶成長を不安定なものとし、多結晶化を招く
ことにも彦っていた。
本発明は、上記問題点を解消し、種結晶を介して原料融
液の熱の逃散を確実なものとし、その結果成長結晶の固
液界面を平坦、若しくは凸にして、単結晶を安定して育
することを可能とした単結晶の育成装置を提供しようと
するものである。
液の熱の逃散を確実なものとし、その結果成長結晶の固
液界面を平坦、若しくは凸にして、単結晶を安定して育
することを可能とした単結晶の育成装置を提供しようと
するものである。
本発明は、原料融液に種結晶を接触させて単結晶を育成
する装置において、種結晶支持体にＢ！０３を収容する
液留めを設け、種結晶の一部をＢ２Ｏ３融液に浸漬する
ように種結晶を支持体に設置することを特徴とする単結
晶の育成装置である。
する装置において、種結晶支持体にＢ！０３を収容する
液留めを設け、種結晶の一部をＢ２Ｏ３融液に浸漬する
ように種結晶を支持体に設置することを特徴とする単結
晶の育成装置である。
第１図は単結晶引上軸下端の種結晶支持体の構造を示し
た断面図でアシ、本発明をＬＥＣ法に適用するときの引
上軸の１例を示したものである。
た断面図でアシ、本発明をＬＥＣ法に適用するときの引
上軸の１例を示したものである。
引上軸の下端部に取付けた支持体１に、はＢｘＯｓ３を
収容する液留を設け、この液留に下方より種結晶２を挿
入して液密にするとともに支持体の下方突出部にワイヤ
ー４で種結晶２を固定する。液留めにはＢｘＯｓのかけ
らを入れてお、けば、単結晶の引上げに際してＢ、Ｏｓ
は溶融し、図のようになシ、種結晶と支持体、引上軸と
の間の熱伝導を確かなものにし、原料融液の熱の逃散に
寄与する。液留め中の馬Ｏｓ融液上方空間は熱伝導をよ
くするために狭くすることが望ましい。
収容する液留を設け、この液留に下方より種結晶２を挿
入して液密にするとともに支持体の下方突出部にワイヤ
ー４で種結晶２を固定する。液留めにはＢｘＯｓのかけ
らを入れてお、けば、単結晶の引上げに際してＢ、Ｏｓ
は溶融し、図のようになシ、種結晶と支持体、引上軸と
の間の熱伝導を確かなものにし、原料融液の熱の逃散に
寄与する。液留め中の馬Ｏｓ融液上方空間は熱伝導をよ
くするために狭くすることが望ましい。
第２図は、横型原料ボー）の断面図であシ、本発明をＨ
Ｂ法に適用するときのボートの１例を示したものである
。
Ｂ法に適用するときのボートの１例を示したものである
。
ボートは原料融液８を満すボート本体６と、該ボー）本
゛体の一端に取付けた迅Ｏｓ融液３の液溜めとからなシ
、該一端のボート側壁に種結晶２を挿入し液密を形成す
るような穴７を設け、該穴により種結晶を保持するとと
もに一０３融液の流出も防いでいる。このような構成を
採用することにより、種結晶と）０３融液さらにＢ！０
３融液溜めとの間熱伝導を確か麦ものとし、種結晶を介
しての原料融液の熱の逃散を促進する。
゛体の一端に取付けた迅Ｏｓ融液３の液溜めとからなシ
、該一端のボート側壁に種結晶２を挿入し液密を形成す
るような穴７を設け、該穴により種結晶を保持するとと
もに一０３融液の流出も防いでいる。このような構成を
採用することにより、種結晶と）０３融液さらにＢ！０
３融液溜めとの間熱伝導を確か麦ものとし、種結晶を介
しての原料融液の熱の逃散を促進する。
第１図の単結晶引上軸を用い、ＬＥＣ法でＳ１ド一プＧ
ａ人Ｓ単結晶の育成を行なった。
ａ人Ｓ単結晶の育成を行なった。
得られた〇ａＡｓ単結晶を縦割シスライスしてＸ線トポ
像を撮ってストリエーションを観察すると第３図のよう
に固液界面が凸を示していたことが判シ、結晶は下方ま
で単結晶であることが確認された。
像を撮ってストリエーションを観察すると第３図のよう
に固液界面が凸を示していたことが判シ、結晶は下方ま
で単結晶であることが確認された。
また、Ｂ！０３融液の液留めを設けない、従来の引上軸
を用いて、同様の単結晶の育成を行ない、得られた単結
晶の縦割スライスのＸｔａ）ボ像を第４図に示す。スト
リエーションを観察すると固液界面は凹であ〕、途中か
ら粒界が生じ多結晶化していることが判シ、結晶成長が
不安定であったことを物語っている。
を用いて、同様の単結晶の育成を行ない、得られた単結
晶の縦割スライスのＸｔａ）ボ像を第４図に示す。スト
リエーションを観察すると固液界面は凹であ〕、途中か
ら粒界が生じ多結晶化していることが判シ、結晶成長が
不安定であったことを物語っている。
本発明は上記構成を採用するととにより、種結晶を通し
て原料融液の熱の逃散を良くシ、成長結晶の固液界面の
凹化を防ぎ、安定した結晶成長を可能にし、単結晶の歩
留シ向上に寄与した。
て原料融液の熱の逃散を良くシ、成長結晶の固液界面の
凹化を防ぎ、安定した結晶成長を可能にし、単結晶の歩
留シ向上に寄与した。
第１図は、本発明に係る単結晶引上軸の断面図、第２図
は本発明に係る横型原料ボートの断面図である。第３図
及び第４図は、実施例と比較例で得た単結晶の縦割リス
ライスのＸ線トポ像の模式図である。
は本発明に係る横型原料ボートの断面図である。第３図
及び第４図は、実施例と比較例で得た単結晶の縦割リス
ライスのＸ線トポ像の模式図である。
Claims (3)
- （１）原料融液に種結晶を接触させて単結晶を育成する
装置において、種結晶支持体にＢ＿２Ｏ＿３収容液留め
を設け、種結晶の一部をＢ＿２Ｏ＿３融液に浸漬するよ
うに種結晶を支持体に設置することを特徴とする単結晶
の育成装置。 - （２）単結晶引上軸下端の種結晶支持体に、種結晶を下
方より挿入して液密を形成するＢ＿２Ｏ＿３液留めを設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置
。 - （３）横型原料ボートの一端にＢ＿２Ｏ＿３液留めを設
け、種結晶の下面及び、又は側面をＢ＿２Ｏ＿３融液に
浸漬するように種結晶を設置することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3346787A JPS63206384A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 単結晶の育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3346787A JPS63206384A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 単結晶の育成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63206384A true JPS63206384A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12387351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3346787A Pending JPS63206384A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 単結晶の育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63206384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010285342A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Siltronic Ag | シリコン単結晶の引き上げ方法 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP3346787A patent/JPS63206384A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010285342A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Siltronic Ag | シリコン単結晶の引き上げ方法 |
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