JPS63194375A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS63194375A JPS63194375A JP62028430A JP2843087A JPS63194375A JP S63194375 A JPS63194375 A JP S63194375A JP 62028430 A JP62028430 A JP 62028430A JP 2843087 A JP2843087 A JP 2843087A JP S63194375 A JPS63194375 A JP S63194375A
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- emitting surface
- optical fiber
- light emitting
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Links
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
光取り出し層兼電極コンタクト層としてＩＴＯ膜を設け
る。そうすれＧホ、光ファイバとの結合効率が向上する
。
る。そうすれＧホ、光ファイバとの結合効率が向上する
。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体発光装置に係り、特に、面発光型発光装
置の改善に関する。
置の改善に関する。
光通信用の光源として面発光型の発光ダイオード（Ｌｉ
ｇｈｔ Ｅｎ＋ｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が用いられ
ており、このような発光ダイオードは出来るだけ光ファ
イバとの結合効率の良いことが要望されている。
ｇｈｔ Ｅｎ＋ｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が用いられ
ており、このような発光ダイオードは出来るだけ光ファ
イバとの結合効率の良いことが要望されている。
［従来の技術］
第４図は従来のｕｐｓｉｄｅ −ｕｐ形の面発光型発光
装置（発光ダイオード装置）の構造を示しており、１は
ｐ型半導体基板、２はｐ型クラッド層、３は活性層、４
はｎ型クラッド層、５は５ｉ０２膜などの絶縁膜、６は
一電極、７は生電極、８はベリリヤなどからなるヒート
シンク、９は金シリコン半田層、１０は球レンズ、１１
は接着層、１２は光ファイバで、Ａが発光面である。こ
れらの半導体基板１゜クラッド層２，４．活性層３は、
例えば、ＡｌＧａＡｓ化合物半導体から作製される。
装置（発光ダイオード装置）の構造を示しており、１は
ｐ型半導体基板、２はｐ型クラッド層、３は活性層、４
はｎ型クラッド層、５は５ｉ０２膜などの絶縁膜、６は
一電極、７は生電極、８はベリリヤなどからなるヒート
シンク、９は金シリコン半田層、１０は球レンズ、１１
は接着層、１２は光ファイバで、Ａが発光面である。こ
れらの半導体基板１゜クラッド層２，４．活性層３は、
例えば、ＡｌＧａＡｓ化合物半導体から作製される。
そうして、−電極６と生電極７との間に電圧を印加する
と電流が流れ、そのために活性層３から発光して、その
光が絶縁膜５および一電極６で囲まれた円形の発光面Ａ
（直径数十μｍφ）から取り出される構造になっている
。
と電流が流れ、そのために活性層３から発光して、その
光が絶縁膜５および一電極６で囲まれた円形の発光面Ａ
（直径数十μｍφ）から取り出される構造になっている
。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、このように、面発光型発光装置は一電極６が
発光面の周囲に設けられた構造であるから、電流は発光
面Ａの中心には流れにくくて、−電極６がｎ型クラッド
層４に接触している発光面の周囲部分に電流が流れ易く
（矢印で示す）、従って、発光の強度は発光面の中央
部分が弱く、周囲部分が強い光強度分布になる。
発光面の周囲に設けられた構造であるから、電流は発光
面Ａの中心には流れにくくて、−電極６がｎ型クラッド
層４に接触している発光面の周囲部分に電流が流れ易く
（矢印で示す）、従って、発光の強度は発光面の中央
部分が弱く、周囲部分が強い光強度分布になる。
一方、光は球レンズ１０を介して光ファイバ１２に取り
出されるが、球レンズ１０の中心に入射する光は比較的
に効率良く取り込まれるが、球レンズ１０の中心より外
れた周囲部分に入る光は、入射角度が大きくなるために
光の無効になる成分が多くて、球レンズ中心に入る光よ
りも結合効率（先取り出し効率）が低いと云う問題があ
る。また、第４図のように球レンズを介在せずに、コア
径の大きな光ファイバに直接入射させた場合でも、同様
にコアの周囲部分に入る光は中心に入る光より無効成分
が多く、同じく結合効率が低下すると云う問題がある。
出されるが、球レンズ１０の中心に入射する光は比較的
に効率良く取り込まれるが、球レンズ１０の中心より外
れた周囲部分に入る光は、入射角度が大きくなるために
光の無効になる成分が多くて、球レンズ中心に入る光よ
りも結合効率（先取り出し効率）が低いと云う問題があ
る。また、第４図のように球レンズを介在せずに、コア
径の大きな光ファイバに直接入射させた場合でも、同様
にコアの周囲部分に入る光は中心に入る光より無効成分
が多く、同じく結合効率が低下すると云う問題がある。
本発明はこのような問題点を軽減して、光ファイバとの
結合効率を改善する面発光型発光装置を提案するもので
ある。
結合効率を改善する面発光型発光装置を提案するもので
ある。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、ＩＴＯ膜を発光面に被覆し、−電極とコン
タクトする構造を具備している半導体発光装置によって
達成される。
タクトする構造を具備している半導体発光装置によって
達成される。
［作用］
即ち、本発明は、導電性があって、且つ、透明な（ＴＯ
膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ；インジウム
錫酸化物膜）を光取り出し層（窓層）の発光面を被覆し
、且つ、電極コンタクト層とする。そうすると、発光面
の中心にも電流が良く流れて、光ファイバとの結合効率
が向上する。
膜（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ；インジウム
錫酸化物膜）を光取り出し層（窓層）の発光面を被覆し
、且つ、電極コンタクト層とする。そうすると、発光面
の中心にも電流が良く流れて、光ファイバとの結合効率
が向上する。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる発光ダイオード素子の断面図を
示しており、図中の記号は第４図と同じく、１はｐ型半
導体基板、２はｐ型クラッド層。
示しており、図中の記号は第４図と同じく、１はｐ型半
導体基板、２はｐ型クラッド層。
３は活性層、４はｎ型クラッド層、５は絶縁膜。
６は一電極、７は生電極、Ａは発光面で、２０がＩＴｏ
膜である。
膜である。
ＩＴＯ膜は酸化インジウム（ＩｎＯ２）と酸化錫（Ｓｎ
Ｏ２）との混合膜で、導電型がｎタイプのアモルファス
半導体であり、透明で且つ導電性のあるのが特色である
。このようなＩＴＯ膜２０を発光面と絶縁ｖｉ５の上に
、例えば、膜厚１μｍ程度に被着し、それを介して一電
極６を設ける。
Ｏ２）との混合膜で、導電型がｎタイプのアモルファス
半導体であり、透明で且つ導電性のあるのが特色である
。このようなＩＴＯ膜２０を発光面と絶縁ｖｉ５の上に
、例えば、膜厚１μｍ程度に被着し、それを介して一電
極６を設ける。
第２図はその発光ダイオード素子を配設した発光装置を
示しており、図中の記号は第１図および第４図と同じ部
位に同じ記号が付けである。このようにＩＴＯ膜を用い
た構造にすれば、［ＴＯＯ２Ｏ３透明であるから発光面
Ａから光を球レンズを通して光ファイバに取り出すこと
ができ、且つ、導電性があるために一電極６から発光面
への全面に電流が流れて、その中心にも電流が良く流れ
、光ファイバ１２との結合効率が良くなる。
示しており、図中の記号は第１図および第４図と同じ部
位に同じ記号が付けである。このようにＩＴＯ膜を用い
た構造にすれば、［ＴＯＯ２Ｏ３透明であるから発光面
Ａから光を球レンズを通して光ファイバに取り出すこと
ができ、且つ、導電性があるために一電極６から発光面
への全面に電流が流れて、その中心にも電流が良く流れ
、光ファイバ１２との結合効率が良くなる。
また、第３図は球レンズを通さずに、光ファイバ１２に
光を直接伝達する構造の発光装置を示しており、図中の
記号は第２図と同じ部位・に同し記号が付けであるが、
同様に光ファイバ１２との結合効率が向上する。
光を直接伝達する構造の発光装置を示しており、図中の
記号は第２図と同じ部位・に同し記号が付けであるが、
同様に光ファイバ１２との結合効率が向上する。
従って、本発明にかかる発光装置はＩＴＯＷｊ、を介在
させるのみで、製造プロセスを複雑化することなく、そ
の結合効率を向上させる大きな効果がある。
させるのみで、製造プロセスを複雑化することなく、そ
の結合効率を向上させる大きな効果がある。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば発光装
置と光ファイバとの結合効率が向上して、光通信の高性
能化に寄与するものである。
置と光ファイバとの結合効率が向上して、光通信の高性
能化に寄与するものである。
第１図は本発明にかかる発光ダイオード素子の断面図、
第２図は本発明にかかる発光装置を示す図、第３図は本
発明にかかる他の発光装置を示す図、第４図は従来の発
光装置を示す図である。 図において、 ｌはｐ型半４体基板、 ２はｐ型クラッド層、３は活性
層、 ４はｎ型クラッド層、５は絶縁膜、
６は一電極、 ７は十電極、 ８はヒートシンク、９は半田
層、 １０は球レンズ、１１は接着層、
１２は光ファイバ、Ａは発光面、 ２０
はＩＴＯ膜を示している。 ７苓勇≦朝斥初・〕禰（乞り゛°４オーＨ゛事）第１図 本ネｇ！Ｉｓ ａｒｔ・３発克≦１ 第２図
発明にかかる他の発光装置を示す図、第４図は従来の発
光装置を示す図である。 図において、 ｌはｐ型半４体基板、 ２はｐ型クラッド層、３は活性
層、 ４はｎ型クラッド層、５は絶縁膜、
６は一電極、 ７は十電極、 ８はヒートシンク、９は半田
層、 １０は球レンズ、１１は接着層、
１２は光ファイバ、Ａは発光面、 ２０
はＩＴＯ膜を示している。 ７苓勇≦朝斥初・〕禰（乞り゛°４オーＨ゛事）第１図 本ネｇ！Ｉｓ ａｒｔ・３発克≦１ 第２図
Claims (1)
- ＩＴＯ膜（インジウム錫酸化物膜）を発光面に被覆し、
−電極とコンタクトする構造を具備してなることを特徴
とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028430A JPS63194375A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62028430A JPS63194375A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63194375A true JPS63194375A (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=12248445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62028430A Pending JPS63194375A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63194375A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535778A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Strahlungsemittierende Halbleitervorrichtung |
| JP2001223384A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| CN105355733A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-02-24 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
| CN105552190A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-05-04 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
| CN105679902A (zh) * | 2015-05-21 | 2016-06-15 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62028430A patent/JPS63194375A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535778A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Strahlungsemittierende Halbleitervorrichtung |
| JP2001223384A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| CN105355733A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-02-24 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
| EP3149780B1 (en) * | 2014-05-30 | 2022-03-16 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light-emitting diode |
| CN105552190A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-05-04 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
| JP2016213441A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | ミクロ メサ テクノロジー カンパニー リミテッド | マイクロ発光ダイオード |
| CN105679902A (zh) * | 2015-05-21 | 2016-06-15 | 美科米尚技术有限公司 | 微型发光二极管 |
| JP2016219780A (ja) * | 2015-05-21 | 2016-12-22 | ミクロ メサ テクノロジー カンパニー リミテッド | マイクロ発光ダイオード |
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