JPS63174465U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63174465U JPS63174465U JP5807388U JP5807388U JPS63174465U JP S63174465 U JPS63174465 U JP S63174465U JP 5807388 U JP5807388 U JP 5807388U JP 5807388 U JP5807388 U JP 5807388U JP S63174465 U JPS63174465 U JP S63174465U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating film
- semiconductor substrate
- capacitive element
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図ａは従来の金属・酸化膜・半導体構造の
単位容量素子の平面図で第１図ｂは第１図ａの断
面図、第２図ａは本考案の第１の実施例の平面図
で第２図ｂは第２図ａの断面図、第３図ａおよび
第３図ｂは本考案の第３の実施例の平面図および
断面図をそれぞれ示す。 尚、図において、１，２１，３１……金属電極
、２，２２……拡散領域、３，２３，２７，３２
′，３３，３７，３８……酸化けい素膜、４，２
４，３４……半導体基板、５，２５，３５……単
位容量素子、２６，３６……窒化けい素膜、２８
，３８……開口部、２９，３９……上部金属導体
。
単位容量素子の平面図で第１図ｂは第１図ａの断
面図、第２図ａは本考案の第１の実施例の平面図
で第２図ｂは第２図ａの断面図、第３図ａおよび
第３図ｂは本考案の第３の実施例の平面図および
断面図をそれぞれ示す。 尚、図において、１，２１，３１……金属電極
、２，２２……拡散領域、３，２３，２７，３２
′，３３，３７，３８……酸化けい素膜、４，２
４，３４……半導体基板、５，２５，３５……単
位容量素子、２６，３６……窒化けい素膜、２８
，３８……開口部、２９，３９……上部金属導体
。
Claims (1)
- 半導体基板もしくは該半導体基板上に形成され
た、該半導体基板とは電気的に分離された第１電
極と、該第１電極上に誘電体膜を介して形成され
た多結晶シリコンからなる第２電極と、該第２電
極をおおい前記第１電極上の前記第２電極の一部
を露出する開口を有する絶縁膜と、該絶縁膜の前
記開口を通して前記第２電極と電気的に接続され
て前記絶縁膜上に延在する金属配線とを備えた単
位容量素子の複数個の前記第１電極同士および前
記金属配線同士を相互に接続して形成したことを
特徴とする半導体容量素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5807388U JPS63174465U (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5807388U JPS63174465U (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174465U true JPS63174465U (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=30888344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5807388U Pending JPS63174465U (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63174465U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139273A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Mis device |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP5807388U patent/JPS63174465U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139273A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-01 | Hitachi Ltd | Mis device |