JPS63161549A - Information recording medium - Google Patents

Information recording medium

Info

Publication number
JPS63161549A
JPS63161549A JP61313613A JP31361386A JPS63161549A JP S63161549 A JPS63161549 A JP S63161549A JP 61313613 A JP61313613 A JP 61313613A JP 31361386 A JP31361386 A JP 31361386A JP S63161549 A JPS63161549 A JP S63161549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
substrate
layer
recording layer
recording medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61313613A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hajime Utsunomiya
肇 宇都宮
Fumie Arai
新井 文江
Yasunari Shimizu
泰成 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP61313613A priority Critical patent/JPS63161549A/en
Publication of JPS63161549A publication Critical patent/JPS63161549A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve recording and erasing characteristics, contrast characteristic and moistureproofness by forming a recording layer contg. Te and Ge or In on a substrate and forming an inorg. underlying layer to 2,000-5,000Angstrom film thickness between the substrate and the recording layer. CONSTITUTION:This recording medium has the recording layer contg. Te and Ge or In on the substrate and has the inorg. underlying layer having 2,000-5,000Angstrom film thickness between the substrate and the recording layer. The underlying layer contains >=1 kinds among TeO2, V2O3, TiO2, SiO2, SiO, B2O3, Sb2O2, Bi2O2, PbO, Ta2O5, Si3N4, TiN, BiF3, LiF, PbF2, MgF2, and ZnS or is glassy. Since the heat insulating effect of the underlying layer is selectively increased at 2,000-5,000Angstrom thickness, the recording and erasing characteristics are improved, the large contrast is taken and the moistureproofness is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の背景 技術分野 本発明は、情報記録媒体、特にヒートモードの情報記録
媒体と記録および消去方法に関する。
Detailed Description of the Invention (1) Background Technical Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium, particularly a heat mode information recording medium and a recording and erasing method.

先行技術 ヒートモードの情報記録媒体は、媒体と書き込みないし
銃み出しヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため、種々のヒートモ
ードの記録媒体の開発研究が行われている。
Prior art heat mode information recording media have the characteristic that the recording medium does not deteriorate due to wear and tear because there is no contact between the medium and the writing or firing head.For this reason, research and development of various heat mode recording media has been conducted. It is being done.

このヒートモードの情報記録媒体には大別して、ピット
形成タイプと、いわゆる相転移タイプのものがある。
This heat mode information recording medium can be roughly divided into pit formation type and so-called phase change type.

相転移タイプのものは、レーザー等の記録光により、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移等を生起させて
情報を記録し、読み出し光で反射率の変化等を検出して
読み出しを行うものである。 そして、ビット形成タイ
プのものに比べて、消去が良好に行われるので、記録・
再生を繰り返し何回も安定に行うことができ、いわゆる
エアーサンドイッチ構造をとらずに、記録層上に直接、
保護層等を設けることができるというメリットがある。
The phase transition type records information by causing an amorphous-crystalline phase transition in the recording layer of the irradiated area using recording light such as a laser, and detects changes in reflectance with readout light. It is used for reading data. In addition, since erasing is performed better than the bit-forming type, recording and
It is possible to perform stable playback over and over again, and directly onto the recording layer without using a so-called air sandwich structure.
There is an advantage that a protective layer etc. can be provided.

このような相転移を利用する記録媒体としては、Te、
Se等を主体とするカルコゲン系等の材料を記録層とす
るものが大半を占めている。
Recording media that utilize such phase transition include Te,
Most of the recording layers are made of chalcogen-based materials containing Se or the like.

しかし、このようなカルコゲン系の記録層を有する情報
記録媒体に場いて、記録層は大気に接したまま保存され
ると、大気中の酸素や水により腐食あるいは酸化されて
しまい、情報の記録、再生が不可能となる。 また、実
用上有利な樹脂製基板を用いるときには、基板を透過し
た水分や酸素により、記録層が酸化されてしまう。
However, in an information recording medium having such a chalcogen-based recording layer, if the recording layer is stored in contact with the atmosphere, it will be corroded or oxidized by oxygen and water in the atmosphere, and the recording of information, Playback becomes impossible. Furthermore, when a resin substrate, which is advantageous in practice, is used, the recording layer is oxidized by moisture and oxygen that have passed through the substrate.

そこで、一般には、前記記録層の表面ないし基板界面に
保護層を設けた構成を有するものが多く研究されている
Therefore, in general, many researches have been made on devices having a structure in which a protective layer is provided on the surface of the recording layer or the interface of the substrate.

従来、このような防湿性の保護層としては、例えば、−
酸化ケイ素、二酸化ケイ素、A1、Ti等の無機系の真
空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み(特開昭57−555
45号、同第56−130394号、同第56−156
940号、同第56−155940号公報等)がある。
Conventionally, such moisture-proof protective layers include, for example, -
Attempts to provide inorganic vacuum-deposited films or resin films of silicon oxide, silicon dioxide, A1, Ti, etc. (Japanese Unexamined Patent Publication No. 57-555
No. 45, No. 56-130394, No. 56-156
940, Publication No. 56-155940, etc.).

これらの保護層の膜厚を大きくすれば防湿性が向上する
。 しかし、逆にそのときには感度が悪くなるという不
都合がある。
Moisture proofing properties can be improved by increasing the thickness of these protective layers. However, in this case, there is a disadvantage that the sensitivity deteriorates.

このため、従来、保護層の膜厚は1000λ前後とされ
ている。
For this reason, conventionally, the thickness of the protective layer is approximately 1000λ.

ところで、このようなカルコゲン系の記録層を有する情
報記録媒体において、記録時には、レーザー照射により
記録層は約400℃以上に熱せられる。 しかしながら
樹脂基板、例えば、アクリル、ポリカーボネート等は9
0〜130℃で熱変形してしまう。
By the way, in an information recording medium having such a chalcogen-based recording layer, during recording, the recording layer is heated to about 400° C. or higher by laser irradiation. However, resin substrates such as acrylic, polycarbonate, etc.
It is thermally deformed at 0 to 130°C.

そのため、記録後、消去を行う際に基板の変形が残って
しまい、消し残りが生じる原因となることが判明した。
Therefore, it has been found that the deformation of the substrate remains when erasing is performed after recording, which causes unerased areas.

従って、このような情報記録媒体においては、基板と記
録層との間に断熱層が必要とされる。 断熱層は、媒体
構成上保護層と兼用されることが好都合である。
Therefore, in such an information recording medium, a heat insulating layer is required between the substrate and the recording layer. It is convenient for the heat insulating layer to also serve as a protective layer due to the structure of the medium.

しかし、上記したような1000λ前後の膜厚では、断
熱効果が不十分であり、記録に際して基板が熱変形し、
消去が良好に行えず、消し残りが生じ、コントラストが
低いという不都合がある。
However, with a film thickness of around 1000λ as described above, the heat insulation effect is insufficient, and the substrate is thermally deformed during recording.
There are disadvantages in that erasing cannot be performed well, leaving unerased areas, and contrast is low.

■ 発明の目的 本発明の目的は、媒体の記録および消去特性が良好でコ
ントラストが大きくとれ、しかも防湿性にも優れた情報
記録媒体を提供することにある。
(2) Purpose of the Invention An object of the present invention is to provide an information recording medium that has good recording and erasing characteristics, a high contrast, and is also excellent in moisture resistance.

■ 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。■Disclosure of invention Such objects are achieved by the invention described below.

すなわち、本発明は、基板上に、Teと、GeまたはI
nを含有する記録層を有する情報記録媒体において、 基板と記録層との間に膜厚2000〜 5000人の無機下地層を有することを特徴とする情報
記録媒体である。
That is, the present invention provides Te, Ge, or I on a substrate.
An information recording medium having a recording layer containing n, characterized in that it has an inorganic underlayer with a thickness of 2,000 to 5,000 layers between the substrate and the recording layer.

■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明の情報記録媒体は、基体上に記録層を設層するこ
とによりて形成される。
The information recording medium of the present invention is formed by providing a recording layer on a substrate.

また、このようなものを2つ用い、互いの記録層を対向
させて一体化することによって構成してもよい。
Alternatively, it may be constructed by using two such devices and integrating them with their recording layers facing each other.

ここで、基体としては、樹脂製の平板状のものである。Here, the base is a flat plate made of resin.

樹脂製の基体としては、基体自体が樹脂であってもよく
、表面に樹脂製の皮膜を有するものであってもよい。 
従ってガラス等の基体上にいわゆる22法にてトラッキ
ング用のグループを形成したものにも本発明は効果があ
り、本発明ではこの場合も樹脂製の基体に包含されるも
のである。
As for the base made of resin, the base itself may be made of resin, or it may have a resin film on its surface.
Therefore, the present invention is also effective when tracking groups are formed on a substrate such as glass by the so-called 22 method, and in the present invention, this case is also included in the resin substrate.

これにより、基体裏面側からの書き込み、読み出しなど
が実現できる。
This allows writing and reading from the back side of the substrate.

基体に用いる樹脂材質としては、ポリカーボネート樹脂
、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテンな
どのオレフィン樹脂等が好適である。
Suitable resin materials for the substrate include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, and olefin resin such as polymethylpentene.

特に、ポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリカー
ボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香族ポ
リカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳香族
ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。 これら
のうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェノ
ールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。 中でも
ビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
In particular, the polycarbonate resin may be any of aliphatic polycarbonate, aromatic-aliphatic polycarbonate, and aromatic polycarbonate, but aromatic polycarbonate resin is particularly preferred. Among these, polycarbonate resins made from bisphenol are preferred in terms of melting point, crystallinity, handling, etc. Among them, bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used.

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,
000〜15.000程度であることが好ましい。
In addition, the number average molecular weight of the polycarbonate resin is 10,
It is preferable that it is about 000 to 15,000.

また、基体の記録層の形成面には、トラッキング用の溝
が形成されていることが好ましい。
Further, it is preferable that tracking grooves are formed on the surface of the base where the recording layer is formed.

溝は直接形成されていても、いわゆるzP法によって形
成されていてもよい。
The grooves may be formed directly or by a so-called zP method.

溝の深さは、λ/ 8 n程度、特にλ/ 7 n〜λ
/ 12 n (ここに、nは基体の屈折率である)と
される。 また、溝の11は、トラック巾程度とされる
The depth of the groove is about λ/8n, especially λ/7n~λ
/ 12 n (where n is the refractive index of the substrate). Further, the groove 11 is approximately the width of a track.

そして、通常、この溝の凹部に位置する記録層を記録ト
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基体裏
面側から照射することが好ましい。
In general, it is preferable to use the recording layer located in the recessed portion of the groove as a recording track portion, and to irradiate the writing light and the reading light from the back side of the substrate.

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのS/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
With this configuration, the writing sensitivity and the reading S/N ratio are improved, and the tracking control signal is also increased.

このような基体上には、無機下地層が形成される。 こ
の無機下地層は、TeO2、V2O3、TiO2,5i
n2,5iO1B203 、Sb203 、Biz 0
3 、PbO1Ta205、Si3N4、TiN、Bi
F3、Li F、PbF2.MgF2およびZnSの1
種以上を含有するか、またはホウケイ酸ガラス等の各柿
ガラス質である。
An inorganic underlayer is formed on such a substrate. This inorganic underlayer consists of TeO2, V2O3, TiO2, 5i
n2,5iO1B203, Sb203, Biz 0
3, PbO1Ta205, Si3N4, TiN, Bi
F3, LiF, PbF2. 1 of MgF2 and ZnS
Contains more than seeds or each persimmon glass such as borosilicate glass.

このような無機下地層の膜厚は、2000〜5000人
、特に2000〜3000人が好ましい。
The thickness of such an inorganic base layer is preferably 2000 to 5000, particularly 2000 to 3000.

この膜厚が2000人未満になると、記録時に基体の熱
変形が生じ、消し残りが増大し消去性が不十分となる。
If the film thickness is less than 2,000, thermal deformation of the substrate occurs during recording, the amount of unerased material increases, and erasability becomes insufficient.

 さらに、基体変形はノイズの原因となり、C/N比の
劣化をひきおこす。
Furthermore, substrate deformation causes noise and causes deterioration of the C/N ratio.

また、この膜厚が5000人をこえると、感度が低下し
、また、膜内応力の増加に伴ない基体のフレ、ソリ等の
劣化の原因となる。
If the film thickness exceeds 5,000, the sensitivity decreases and the increase in internal stress causes deterioration of the substrate, such as warping and warping.

このような無機下地層は、蒸着法、スパッタ法、イオン
ブレーティング法等の各種気相成膜法によって設層され
る。
Such an inorganic base layer is formed by various vapor phase film forming methods such as vapor deposition, sputtering, and ion blating.

このような無機下地層の上には、記録層が設層される。A recording layer is provided on such an inorganic underlayer.

 記録層はTeと、GeまたはInとを含有し構成され
ており、Te/(Te+Ge)およびI n / (T
 e + I n )の原子比は、それぞれ0.7〜0
.98.0.004〜0.25とされる。
The recording layer contains Te and Ge or In, and has Te/(Te+Ge) and In/(T
The atomic ratio of e + I n ) is 0.7 to 0, respectively.
.. 98.0.004 to 0.25.

このような記録層の組成および組成比を用いると、本発
明の下地層の効果により、良好な感度とC/N比が得ら
れる。
By using such a composition and composition ratio of the recording layer, good sensitivity and C/N ratio can be obtained due to the effect of the underlayer of the present invention.

この他、場合によフては、記録層はsb、Bi、As%
Se、S、Ta、Si、O等を2at%以下含有しても
よい。
In addition, depending on the case, the recording layer may be sb, Bi, As%
Se, S, Ta, Si, O, etc. may be contained in an amount of 2 at% or less.

このような記録層は、上記無機下地層の形成の場合と同
様に各袖気相成膜法によりて形成すればよい。
Such a recording layer may be formed by a vapor phase film forming method in the same manner as in the case of forming the inorganic underlayer.

記録層の厚さは0.005−〜1声程度である。The thickness of the recording layer is about 0.005 to 1 tone.

また、必要に応じて記録層上に前記した下地層と同種の
材質の薄膜を形成し保護層としてもよい。
Furthermore, if necessary, a thin film made of the same material as the underlayer described above may be formed on the recording layer to serve as a protective layer.

これにより、記録層の劣化を防止でき、さらに記録のた
めの熱効率を向上させることができる。
This makes it possible to prevent deterioration of the recording layer and further improve the thermal efficiency for recording.

このような、記録層の基体反対側に形成される保護層の
厚さは0.01〜1−程度とし、設層は前述の気7相成
膜法によればよい。
The thickness of such a protective layer formed on the opposite side of the recording layer to the substrate is approximately 0.01 to 1-1, and the layer may be formed by the above-mentioned seven-phase vapor deposition method.

また、基体の他面上など媒体の外面には、各種保護コー
トを設けてもよい。
Furthermore, various protective coats may be provided on the outer surface of the medium, such as on the other surface of the substrate.

保護コートとしては、例えば、−酸化ケイ素、二酸化ケ
イ素、A1、Ti等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を
設ける試み(特開昭57−56545号、同第56−1
30394号、同第56−156940号、同第56−
155940号公報等)がある。
As a protective coat, attempts have been made to provide, for example, inorganic vacuum-deposited films or resin films such as -silicon oxide, silicon dioxide, A1, Ti, etc.
No. 30394, No. 56-156940, No. 56-
155940, etc.).

このような記録層を基体上に有する情報記録媒体に記録
を行うには、光ないし熱エネルギーを付与する。
To record on an information recording medium having such a recording layer on a substrate, light or thermal energy is applied.

一般的には、記録光としては、半導体レーザー等を用い
ればよい。
Generally, a semiconductor laser or the like may be used as the recording light.

記録光の照射により、通常、照射部の記録層に非晶質−
結晶質の相転移を生起させ、記録が行われる。 すなわ
ち、通常は結晶質から非晶質への相転移を利用して記録
を行う。
Irradiation of recording light usually causes amorphous -
Recording is performed by causing a crystalline phase transition. That is, recording is normally performed using a phase transition from crystalline to amorphous.

消去を行う場合には、前記の消去光を用い、記録の場合
と逆過程の相転移を利用すればよい。
When erasing, it is sufficient to use the above-mentioned erasing light and utilize phase transition, which is the reverse process to that for recording.

本発明において、結晶質から非晶質への相転移を記録に
使用し、この逆過程を消去に使用した場合、記録パルス
は100〜l 0OOnsec程度(記録光出力4〜1
0mw)、消去パルスは0.5−;10μsec程度(
消去光出力1〜4mw)とすると、高コントラストで、
きわめて安定に記録・消去のくり返しが可能である。
In the present invention, when the phase transition from crystalline to amorphous is used for recording and the reverse process is used for erasing, the recording pulse is about 100 to 100 Onsec (recording light output 4 to 1
0mw), erasing pulse is 0.5-;10μsec (
When the erasing light output is 1 to 4 mw), the contrast is high,
Recording and erasing can be repeated extremely stably.

記録後の読みとりは、読みとり光を照射するなどして、
記録層の反射率の変化等を利用して検出すればよい。
To read after recording, use a reading light, etc.
Detection may be performed using changes in the reflectance of the recording layer.

■ 発明の具体的作用効果 本発明の情報記録媒体は、Teと、GeまたはInを含
有する記録層を有し、基体と記録層との間に膜厚200
0〜5000人の無機下地層を有して構成される。
■Specific effects of the invention The information recording medium of the invention has a recording layer containing Te and Ge or In, and has a film thickness of 200 mm between the substrate and the recording layer.
It is composed of an inorganic underlayer of 0 to 5000 people.

従って、このような媒体は、下地層の断熱効果が高く記
録および消去特性がきわめて良好で、コントラストが大
きくとれ、しかも防湿性にも優れた効果を有する。
Therefore, such a medium has a high heat insulating effect of the underlayer, very good recording and erasing characteristics, high contrast, and excellent moisture resistance.

■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
(2) Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be explained in more detail by giving specific examples of the invention.

[実施例1] ポリカーボネート基体上にスパッタリングにより、下記
表1に示されるような種々の膜厚の5iQ2v機下地層
を設けた。
[Example 1] 5iQ2v underlayers having various thicknesses as shown in Table 1 below were provided on a polycarbonate substrate by sputtering.

この上に、Te−Ge (Te95.5、Ge4.5)
からなる記録層を膜厚1000人となるようにスパッタ
リングにより設層した。
On top of this, Te-Ge (Te95.5, Ge4.5)
A recording layer consisting of the following was deposited by sputtering to a thickness of 1000 nm.

なお、記録層の組成は、ICPで測定した。Note that the composition of the recording layer was measured by ICP.

さらにこの上に5in2の薄膜を1000人となるよう
にスパッタリングにより設けた。
Furthermore, a 5 in 2 thin film was deposited on this by sputtering so as to cover 1000 people.

さらに、その上から、スピンコードにより、下記のUV
硬化樹脂層を約7−の膜厚に設層した。
Furthermore, from above, the following UV
A cured resin layer was formed to a thickness of about 7 mm.

(UV硬化樹脂組成物) 多官能オリゴエステルアクリレート (アロニックスM−8030)  100重量部光増感
剤(バイキュア55)   5重量部このような組成物
を設層後、8017cm紫外線を15sec照射し架橋
硬化させた。
(UV curable resin composition) Multifunctional oligoester acrylate (Aronix M-8030) 100 parts by weight Photosensitizer (Bicure 55) 5 parts by weight After forming a layer of such a composition, crosslinking and curing was performed by irradiating 8017 cm ultraviolet rays for 15 seconds. I let it happen.

(1)各サンプルを120℃、10分間アニールしたも
のを記録媒体とし、ディスクを2m/secの速度で回
転させ、基体側より、約1−に絞りこんだ半導体レーザ
ー(波長830 nm)を表1に示すように3〜10m
W、1閘Hzで照射して記録を行なった。
(1) Using each sample annealed at 120°C for 10 minutes as a recording medium, the disk was rotated at a speed of 2 m/sec, and a semiconductor laser (wavelength 830 nm) focused to approximately 1- was displayed from the substrate side. 3-10m as shown in 1
Recording was performed with irradiation at W, 1 Hz.

この信号を0.5m1lの連続レーザー光(波長830
 n+n)にて再生して、再生信号S、を得た。
This signal is converted into 0.5 ml of continuous laser light (wavelength 830
n+n) to obtain a reproduced signal S.

(2)(1)において、記録されたサンプルを、120
℃、10分間アニールすることにより、消去を行った後
、消去後の残存信号を測定し、S2を得た。
(2) In (1), the recorded samples are 120
After erasing was performed by annealing at 100° C. for 10 minutes, the residual signal after erasing was measured to obtain S2.

結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

なお表1中において、S l−S 2  (d B )
は、上記測定のSlとS2との差をあられし、3〜10
mWは、記録時の出力をあうわす。
In Table 1, S l−S 2 (d B )
is the difference between Sl and S2 measured above, and is 3 to 10
mW is the output at the time of recording.

サンプルNo、109のT e −I n記録層の原子
比はTe92、In8とした。
The atomic ratio of the Te-In recording layer of sample No. 109 was Te92 and In8.

表1では、実用適応レベルとしての25dB以上のS、
−S2をアンダーラインを付している。
In Table 1, S of 25 dB or more as a practical adaptation level,
-S2 is underlined.

なお、サンプルNo、105についてのSIおよびS2
のそれぞれのC/N比実比値測値1図に示されている。
In addition, SI and S2 for sample No. 105
The measured C/N ratio values are shown in Figure 1.

また、第2図には第1図におけるS、−S2の差が示さ
ねている。
Moreover, the difference between S and -S2 in FIG. 1 is not shown in FIG.

上記、表1の結果より、本発明の媒体は、最適記録出力
に対して、S、−S2値が25dB以上であり、本発明
の断熱効果向上によるコントラスト消去特性向上の優れ
た効果が明らかである。
From the results shown in Table 1 above, the medium of the present invention has an S and -S2 value of 25 dB or more with respect to the optimum recording output, and it is clear that the medium of the present invention has an excellent effect of improving contrast erasing characteristics due to the improved heat insulation effect of the present invention. be.

より詳細には、本発明の2000〜5000人の下地層
厚の効果により、通常の記録パワー4〜10mWにて、
25dB以上の実用に満足できるS、−S2が得られて
いる。
More specifically, due to the effect of the base layer thickness of 2,000 to 5,000 people of the present invention, at a normal recording power of 4 to 10 mW,
Practically satisfactory S and -S2 of 25 dB or more were obtained.

これに対し、2000人未満および5000人より大の
下地層膜厚では、25dB以上のS、−S2が得られな
いことがわかる。
On the other hand, it can be seen that S and -S2 of 25 dB or more cannot be obtained when the underlying layer thickness is less than 2,000 or more than 5,000.

これは、2000〜5000人の厚さにて、選択的に下
地層の断熱効果が増大し、消し残りが減少するとともに
、下地層による記録感度向上効果も発現し、このような
優れた高コントラストが得られるものである。
This is due to the fact that at a thickness of 2,000 to 5,000 mm, the insulation effect of the underlayer is selectively increased, the amount of unerased material is reduced, and the underlayer also has the effect of improving recording sensitivity. is obtained.

なお、このような効果は、上記にて列挙した他の無機下
地層でも同様に実現した。
Note that such effects were similarly achieved with the other inorganic underlayers listed above.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のサンプルNo、105における、記
録時のC/N比Slおよびアニール消去後のC/N比S
2をそれぞれ記録出力(mif)に対してプロットした
グラフである。 第2図は、第1図におけるSlとS2との差、すなわち
S、−S2値を示したグラフである。 出 願 人  ティーディーケイ株式会社代  理  
人   弁理士  石  井  陽  −ffl’7T
”FIG、I S+:fi:鋒時C/N gご0パワー (mW) FIG、2 言己f予パワー(mW)
FIG. 1 shows the C/N ratio Sl during recording and the C/N ratio S after annealing and erasure in sample No. 105 of the present invention.
2 is a graph in which each of 2 is plotted against the recording output (mif). FIG. 2 is a graph showing the difference between Sl and S2 in FIG. 1, that is, the S, -S2 value. Applicant TDC Co., Ltd. Agent
Person Patent Attorney Yo Ishii -ffl'7T
"FIG, I S+: fi: Feng time C/N g0 power (mW) FIG, 2 word self f pre power (mW)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に、Teと、GeまたはInを含有する記
録層を有する情報記録媒体において、 基板と記録層との間に膜厚2000〜5000Åの無機
下地層を有することを特徴とする情報記録媒体。
(1) An information recording medium having a recording layer containing Te and Ge or In on a substrate, characterized by having an inorganic underlayer with a thickness of 2000 to 5000 Å between the substrate and the recording layer. recoding media.
(2)下地層が、TeO_2、V_2O_3、TiO_
2、SiO_2、SiO、B_2O_3、Sb_2O_
3、Bi_2O_3、PbO、Ta_2O_5、Si_
3N_4、TiN、BiF_3、LiF、PbF_2、
MgF_2およびZnSの1種以上を含有するか、また
はガラス質である特許請求の範囲第1項に記載の情報記
録媒体。
(2) The base layer is TeO_2, V_2O_3, TiO_
2, SiO_2, SiO, B_2O_3, Sb_2O_
3, Bi_2O_3, PbO, Ta_2O_5, Si_
3N_4, TiN, BiF_3, LiF, PbF_2,
The information recording medium according to claim 1, which contains one or more of MgF_2 and ZnS, or is vitreous.
(3)基板が樹脂製である特許請求の範囲第1項または
第2項に記載の情報記録媒体。
(3) The information recording medium according to claim 1 or 2, wherein the substrate is made of resin.
JP61313613A 1986-12-24 1986-12-24 Information recording medium Pending JPS63161549A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61313613A JPS63161549A (en) 1986-12-24 1986-12-24 Information recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61313613A JPS63161549A (en) 1986-12-24 1986-12-24 Information recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63161549A true JPS63161549A (en) 1988-07-05

Family

ID=18043426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61313613A Pending JPS63161549A (en) 1986-12-24 1986-12-24 Information recording medium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63161549A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012168411A (en) * 2011-02-15 2012-09-06 Gunze Ltd Base material for optical film and optical film, and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012168411A (en) * 2011-02-15 2012-09-06 Gunze Ltd Base material for optical film and optical film, and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5252370A (en) Optical recording medium and method for making
EP1351230B1 (en) Optical recording medium and method for optically recording information on the same
JPH0765414A (en) Information recording medium
JPH08258418A (en) Information recording medium
JPH05166225A (en) Optical recording medium and its production
US5334433A (en) Optical recording medium
JPS63161549A (en) Information recording medium
JP2679995B2 (en) Thin film for information recording
JPH04298389A (en) Optical recording medium and manufacture thereof
JPH0827979B2 (en) Optical information recording medium
JPH04321948A (en) Optical information recording medium
JP2592239B2 (en) Information recording medium and information recording and erasing method
JP2532274B2 (en) optical disk
JP2940176B2 (en) Optical recording medium and recording / reproducing method thereof
JPS63160029A (en) Information recording emdium and information recording and erasing method
JP3138506B2 (en) Write-once optical recording medium and recording / reproducing method thereof
JP2982329B2 (en) Information optical recording medium and recording / reproducing method thereof
JPS63160028A (en) Information recording medium and information recording and erasing method
JPH02177141A (en) Optical information recording medium
JPH04349241A (en) Draw type optical recording medium
JPH11167743A (en) Optical recording medium
JP4060574B2 (en) Write-once optical recording medium
JPS63124249A (en) Magneto-optical disk
JPH0572659B2 (en)
JPH04349240A (en) Draw type optical recording medium