JPS63158268A - サーマル・インクジェット・プリントヘッド用薄膜抵抗デバイスとその製造方法 - Google Patents
サーマル・インクジェット・プリントヘッド用薄膜抵抗デバイスとその製造方法Info
- Publication number
- JPS63158268A JPS63158268A JP62313139A JP31313987A JPS63158268A JP S63158268 A JPS63158268 A JP S63158268A JP 62313139 A JP62313139 A JP 62313139A JP 31313987 A JP31313987 A JP 31313987A JP S63158268 A JPS63158268 A JP S63158268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pattern
- thin film
- resistor
- resistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 42
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001080526 Vertica Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ion Chemical class 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49083—Heater type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は一般にはサーマル・インクジェット（ＴＩＪ）
プリンティングに関し、特に縦型抵抗（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）およびインクによる腐食、キャ
ビテーション・ウェア（ｃａｖｉｔａｔｉｏｎ ｗｅａ
ｒ）に対する改善された抵抗能力を有する金属インク障
壁が使用された、新規かつ改良されたサーマル・インク
ジェット・プリントヘッド・デバイスに関する。
プリンティングに関し、特に縦型抵抗（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ ｒｅｓｉｓｔｏｒ）およびインクによる腐食、キャ
ビテーション・ウェア（ｃａｖｉｔａｔｉｏｎ ｗｅａ
ｒ）に対する改善された抵抗能力を有する金属インク障
壁が使用された、新規かつ改良されたサーマル・インク
ジェット・プリントヘッド・デバイスに関する。
［従来技術とその問題点］
サーマル・インクジェット・プリンティング分野では、
加熱抵抗を共通の基板上に備え、これらの加熱抵抗を個
々のインク溜（ｒｅｓｅｒｖｏｉｒｓ）および外部ノズ
ル板内の対応するインク噴射オリフィスと整列させるこ
とは通常の手段である。これらの加熱抵抗は、タンタル
／アルミニウム等の適当な抵抗層の表面上にホトリソグ
ラフ技術で形成された導電性トレースによって物理的に
画定され、電気的に駆動される。これら加熱抵抗は、従
来、極めて不活性な絶縁材料（例えば炭化ケイ素、窒化
ケイ素など）によって上のインク溜から分離されていた
。このような型式のサーマル・インクジェット・プリン
トヘッドは、たとえばＨｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ
Ｊｏｕｒｎｅｌ、 ｖｏｌ、 ３６１ Ｎ（ＬＳＩ
Ｍａｙ １９８５に記載されている。
加熱抵抗を共通の基板上に備え、これらの加熱抵抗を個
々のインク溜（ｒｅｓｅｒｖｏｉｒｓ）および外部ノズ
ル板内の対応するインク噴射オリフィスと整列させるこ
とは通常の手段である。これらの加熱抵抗は、タンタル
／アルミニウム等の適当な抵抗層の表面上にホトリソグ
ラフ技術で形成された導電性トレースによって物理的に
画定され、電気的に駆動される。これら加熱抵抗は、従
来、極めて不活性な絶縁材料（例えば炭化ケイ素、窒化
ケイ素など）によって上のインク溜から分離されていた
。このような型式のサーマル・インクジェット・プリン
トヘッドは、たとえばＨｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ
Ｊｏｕｒｎｅｌ、 ｖｏｌ、 ３６１ Ｎ（ＬＳＩ
Ｍａｙ １９８５に記載されている。
したがって、この型式のプリントヘッドに流れる電流は
、導電性トレース材料で横方向に流れ、トレース材料が
ない場合は、抵抗性タンタル／アルミニウム層へ降下し
再びそこで横方向に流れ、導電性トレース材料へ再び戻
り導電性トレース材料中を横方向に流れる。このような
構造では、上述のインクによる腐食及びキャビテーショ
ン・ウェアが起こり易く、即ち、プリントヘッドの使用
期間あるいは印刷の品質が限られてしまうことがあった
。
、導電性トレース材料で横方向に流れ、トレース材料が
ない場合は、抵抗性タンタル／アルミニウム層へ降下し
再びそこで横方向に流れ、導電性トレース材料へ再び戻
り導電性トレース材料中を横方向に流れる。このような
構造では、上述のインクによる腐食及びキャビテーショ
ン・ウェアが起こり易く、即ち、プリントヘッドの使用
期間あるいは印刷の品質が限られてしまうことがあった
。
本願発明の目的は、上述の問題を解消し、腐食及びキャ
ビテーション・ウェアの起こりにくい、また、プリント
ヘッドとして用いるため、一体形成された抵抗デバイス
とその製造方法を提供することにある。
ビテーション・ウェアの起こりにくい、また、プリント
ヘッドとして用いるため、一体形成された抵抗デバイス
とその製造方法を提供することにある。
及び不活性絶縁障壁構造に対して、本発明は、絶縁性障
壁層ではなく、金属を組合せた縮型加熱抵抗の使用を特
徴とする新規かつ改良されたプリントヘッド構造を提供
する。これらの縦型加熱抵抗は、下にある基板上の導電
性リードから、絶縁パターン内の開口部を通って単一の
導電バス部材又は抵抗用の上側の一組のリードのいずれ
かに至る導電パスを供給する。上側導体は、また、縮型
加熱抵抗とインク溜間のインク障壁層としても働く。
壁層ではなく、金属を組合せた縮型加熱抵抗の使用を特
徴とする新規かつ改良されたプリントヘッド構造を提供
する。これらの縦型加熱抵抗は、下にある基板上の導電
性リードから、絶縁パターン内の開口部を通って単一の
導電バス部材又は抵抗用の上側の一組のリードのいずれ
かに至る導電パスを供給する。上側導体は、また、縮型
加熱抵抗とインク溜間のインク障壁層としても働く。
バス・バーとして用いられる時、この金属障壁層たがっ
て、インクジェットプリント動作中におけるインクによ
る腐食およびキャビテーション・ウェアに対してすぐれ
た耐性が得られる。
て、インクジェットプリント動作中におけるインクによ
る腐食およびキャビテーション・ウェアに対してすぐれ
た耐性が得られる。
本発明の他の実施例では、縦型抵抗を適切にドープして
抵抗性材料中にＰＮ接合（ダイオード）を形成し、そし
て縦型抵抗をこれらＰＮ接合の下側および上側上の電気
的リードのあるひとつと選択的に接続することにより、
単一のプリントヘッド基板部材の表面上に一体形成でき
るｘ−Ｙマトリクス型のダイオードマルチプレクシング
回路を形成することができる。
抵抗性材料中にＰＮ接合（ダイオード）を形成し、そし
て縦型抵抗をこれらＰＮ接合の下側および上側上の電気
的リードのあるひとつと選択的に接続することにより、
単一のプリントヘッド基板部材の表面上に一体形成でき
るｘ−Ｙマトリクス型のダイオードマルチプレクシング
回路を形成することができる。
このように、本発明は障壁−腐食／キャビテーション・
ウェアを改良するだけでなく、単一の基板表面上に製造
可能で新規な縦型抵抗／ダイオードが一体となって駆動
するマルチプレクス回路を提供することが可能である。
ウェアを改良するだけでなく、単一の基板表面上に製造
可能で新規な縦型抵抗／ダイオードが一体となって駆動
するマルチプレクス回路を提供することが可能である。
尚、上述した本発明の利点および新規な特徴は添付図面
に基づく以下の説明において一１’！ｍ明らかになる。
に基づく以下の説明において一１’！ｍ明らかになる。
〔発明の実施例］
第１図において、絶縁基板（Ｓ）、第ルベルの金属層ま
たは第１導体（Ｃ，）、絶縁層（Ｉ）。
たは第１導体（Ｃ，）、絶縁層（Ｉ）。
抵抗層（Ｒ）、および第２レベルの導体または第２導体
（Ｃ２）についての説明は以下に詳述する４つの実施側
合てに適応される。加えて、材料、層の厚さ、抵抗率、
その他の重要な電気的特性を示した表■が本発明におけ
る異なる実施例で形成される様々な層に関して以下に提
示されている。
（Ｃ２）についての説明は以下に詳述する４つの実施側
合てに適応される。加えて、材料、層の厚さ、抵抗率、
その他の重要な電気的特性を示した表■が本発明におけ
る異なる実施例で形成される様々な層に関して以下に提
示されている。
（表■参照）従って、これらの種々のデバイス特性はこ
れ以上本明細書１甘説明を省略する。
れ以上本明細書１甘説明を省略する。
本発明の第１実施例において、絶縁基板１０は、通常の
金属蒸着方法を用いて基板１０の表面上にスパッタリン
グまたは蒸着する第ルベル金属層１２を受は入れるよう
に設けられる。そして、第１［１図に示されるように、
金属層１２は第ルベル金属導体１４を形成するようにパ
ターン形成される。
金属蒸着方法を用いて基板１０の表面上にスパッタリン
グまたは蒸着する第ルベル金属層１２を受は入れるよう
に設けられる。そして、第１［１図に示されるように、
金属層１２は第ルベル金属導体１４を形成するようにパ
ターン形成される。
次に、第１Ｃ図に示すように絶縁層１６が備えられ、抗
層２０をディポジットさせ、第１Ｅ図に示される構造を
形成する。この構造は、次に、第１Ｆ図に示すように縦
型抵抗パッド２２を残すようにマスキング及びエツチン
グされる。この抵抗パッド２２がダイオード・マトリク
ス・マルチプレクス回路に用いるための結合抵抗／ダイ
オード素子として形成される場合、第１Ｅ図の抵抗層形
成ステップは、例えば、固体拡散、イオン注入等の適確
なＰＮ接合プロセスまたは周知の技術による金属−半導
体整流を 接合（ｍｅｔａｌ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｒｅ
ｃＸｉｆｙｉｎｇ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）形成プロセスを
含む必要がある。抵抗パッド２２内にＰＮ接合を形成す
る適確なプロセスの１つは、たとえば、低圧化学蒸着法
（ＬＰＧＶＤ）等を用いて多結晶シリコンのパッド２２
を最初に形成するものである。次に、リンイオン１０１
９〜１０”イオン／Ｃ１ａの濃度で多結晶シリコン・パ
ッド２２にイオン注入し、そして、３〜４時間の間窒素
雰囲気内で焼きなましする。
層２０をディポジットさせ、第１Ｅ図に示される構造を
形成する。この構造は、次に、第１Ｆ図に示すように縦
型抵抗パッド２２を残すようにマスキング及びエツチン
グされる。この抵抗パッド２２がダイオード・マトリク
ス・マルチプレクス回路に用いるための結合抵抗／ダイ
オード素子として形成される場合、第１Ｅ図の抵抗層形
成ステップは、例えば、固体拡散、イオン注入等の適確
なＰＮ接合プロセスまたは周知の技術による金属−半導
体整流を 接合（ｍｅｔａｌ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｒｅ
ｃＸｉｆｙｉｎｇ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）形成プロセスを
含む必要がある。抵抗パッド２２内にＰＮ接合を形成す
る適確なプロセスの１つは、たとえば、低圧化学蒸着法
（ＬＰＧＶＤ）等を用いて多結晶シリコンのパッド２２
を最初に形成するものである。次に、リンイオン１０１
９〜１０”イオン／Ｃ１ａの濃度で多結晶シリコン・パ
ッド２２にイオン注入し、そして、３〜４時間の間窒素
雰囲気内で焼きなましする。
代わりに、ＰＮ接合はショットキー障壁接合によって置
き、換えてもよい。このショットキー障壁接合は、周知
のように、まず、Ｐ型多結晶シリコン抵抗パッドを形成
し、次に金導体をこの抵抗パッド上にディポジットさせ
多結晶シリコン−金インターフェースを画定することに
よって形成される。
き、換えてもよい。このショットキー障壁接合は、周知
のように、まず、Ｐ型多結晶シリコン抵抗パッドを形成
し、次に金導体をこの抵抗パッド上にディポジットさせ
多結晶シリコン−金インターフェースを画定することに
よって形成される。
次に、第１Ｇ図に示すように、上部表面層である第２レ
ベル金属層２４を導電パターン２４表面上にディポジッ
トさせる。この導電パターン２４は、この後、例えば、
選択的エツチングによって第１Ｈ図に幾何学的に示され
る第２レベル金属導体２６が残るように画定される。
ベル金属層２４を導電パターン２４表面上にディポジッ
トさせる。この導電パターン２４は、この後、例えば、
選択的エツチングによって第１Ｈ図に幾何学的に示され
る第２レベル金属導体２６が残るように画定される。
当業者には公知のホトリソグラフィ露光、マスキング、
およびエツチング技術を用いて、第１１図に示されたマ
ルチプレクス回路をトポグラフ的に画定することが可能
である。図において、基板１０、第二レベル金属導体工
４、絶縁層１６、加熱抵抗２２および第２レベル金属導
体２６は、前述の第１Ａ図がら第０１図で同じ部材を示
す同じ参照番号で示されている。
およびエツチング技術を用いて、第１１図に示されたマ
ルチプレクス回路をトポグラフ的に画定することが可能
である。図において、基板１０、第二レベル金属導体工
４、絶縁層１６、加熱抵抗２２および第２レベル金属導
体２６は、前述の第１Ａ図がら第０１図で同じ部材を示
す同じ参照番号で示されている。
以下の表■はここで説明する製造過程の全てに通用でき
る。
る。
表■
ＬＰＧＶＤ＊ −イＬ（Ｊ土イと、％Ｂ￥ｉ第１１図に
は、上側電気的リードＩおよび■と結合して用いられる
下側電気的リード１と２のマルチプレクス接続（ｍｕｌ
ｔｉｐｌｅｘ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）が示され、Ａ、
ＢおよびＣとして示された抵抗／ダイオードを点孤する
ため接続される。したがって、リード１と■のマルチプ
レクス・コンビネーションは抵抗／ダイオードＡを点孤
し、リード１と■のマルチプレクス・コンビネーション
は抵抗／ダイオードＣを点孤する。代わりに、リード２
とＩのマルチプレクス・コンビネーションは抵抗／ダイ
オードＢを点孤する。
は、上側電気的リードＩおよび■と結合して用いられる
下側電気的リード１と２のマルチプレクス接続（ｍｕｌ
ｔｉｐｌｅｘ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）が示され、Ａ、
ＢおよびＣとして示された抵抗／ダイオードを点孤する
ため接続される。したがって、リード１と■のマルチプ
レクス・コンビネーションは抵抗／ダイオードＡを点孤
し、リード１と■のマルチプレクス・コンビネーション
は抵抗／ダイオードＣを点孤する。代わりに、リード２
とＩのマルチプレクス・コンビネーションは抵抗／ダイ
オードＢを点孤する。
第２Ａ図から第２Ｇ図において、絶縁基板２８は第２八
図の第２レベル金属層３０が備えられるように配置され
、この金属層は次に、第２Ｂ図に示されるようにパター
ン形成され第２レベル金属導体３２を得る。
図の第２レベル金属層３０が備えられるように配置され
、この金属層は次に、第２Ｂ図に示されるようにパター
ン形成され第２レベル金属導体３２を得る。
次に、中間絶縁層３４が第２Ｃ図に示されるようにディ
ポジットされ、さらにそのなかに開口部３６を残すよう
に第２Ｄ図に示されるように画定される。ここまでは第
１図に詳述した方法と同じである。しかし、この時点で
、抵抗層３８が第２Ｅ図に示される構造の表面全体にデ
ィポジットされ、そこにそのまま残される。
ポジットされ、さらにそのなかに開口部３６を残すよう
に第２Ｄ図に示されるように画定される。ここまでは第
１図に詳述した方法と同じである。しかし、この時点で
、抵抗層３８が第２Ｅ図に示される構造の表面全体にデ
ィポジットされ、そこにそのまま残される。
次に、上側第２レベル金属層４０は第２Ｆ図に示される
ように抵抗層３８の表面全体にディポジットされ、以降
に第２レベルの金属導体パターンが第２Ｇ図に示される
ように画定される。
ように抵抗層３８の表面全体にディポジットされ、以降
に第２レベルの金属導体パターンが第２Ｇ図に示される
ように画定される。
第２Ｈ図に示されたマルチプレクサ回路接続は上述の第
２Ａ図〜第２Ｇ図に詳述したプロセス及び以下の第４Ａ
図〜第４Ｇ図に示されたプロセス両方について同じであ
る。第２Ｈ図において、リード１およびＩに印加される
マルチプレクス信号は抵抗／ダイオードＡを点弧し、リ
ードｌおよび■に印加されるマルチプレクス信号は抵抗
／ダイオードＣを点弧する。リード２およびＩに同時に
印加される信号は抵抗／ダイオードＢを点弧する。
２Ａ図〜第２Ｇ図に詳述したプロセス及び以下の第４Ａ
図〜第４Ｇ図に示されたプロセス両方について同じであ
る。第２Ｈ図において、リード１およびＩに印加される
マルチプレクス信号は抵抗／ダイオードＡを点弧し、リ
ードｌおよび■に印加されるマルチプレクス信号は抵抗
／ダイオードＣを点弧する。リード２およびＩに同時に
印加される信号は抵抗／ダイオードＢを点弧する。
第３Ａ図を参照すると、この一実施例では、抵抗カバ一
層４６が第１レベル金属層４８（これは前もって絶縁基
板５０の上側表面に形成されている）の上側表面上に図
示のように付加される。次に、従来のマスキング、エツ
チング・プロセスを用いて、抵抗部（ｒｅｓｉｓｔｉｖ
ｅ １ｓｌａｎｄ）５２を第３Ｂ図のように設け、加熱
抵抗を画定する。そして、第３Ｃ図に示されるように、
抵抗部５２を第１レベル金属導体５４を形成するための
エッチ・マスク（ｅｔｃｈ ｍａｓｋ）として用いる。
層４６が第１レベル金属層４８（これは前もって絶縁基
板５０の上側表面に形成されている）の上側表面上に図
示のように付加される。次に、従来のマスキング、エツ
チング・プロセスを用いて、抵抗部（ｒｅｓｉｓｔｉｖ
ｅ １ｓｌａｎｄ）５２を第３Ｂ図のように設け、加熱
抵抗を画定する。そして、第３Ｃ図に示されるように、
抵抗部５２を第１レベル金属導体５４を形成するための
エッチ・マスク（ｅｔｃｈ ｍａｓｋ）として用いる。
次に、中間絶縁層５６を第３Ｄ図に示すように、ディポ
ジットさせ、挾；；この層５６は第３Ｅ図に示すように
開口部５８を形成するため、マスキング及びエツチング
される。そして、上側第２レベル金属層６０を第３Ｆ図
に示されるように表面上全体に形成し、その後で、周知
のホトリソグラフ的金属エツチング法を用いて第３Ｇ図
に示された上側又は第２レベル金属導体パターン６２を
形成するように画定される。
ジットさせ、挾；；この層５６は第３Ｅ図に示すように
開口部５８を形成するため、マスキング及びエツチング
される。そして、上側第２レベル金属層６０を第３Ｆ図
に示されるように表面上全体に形成し、その後で、周知
のホトリソグラフ的金属エツチング法を用いて第３Ｇ図
に示された上側又は第２レベル金属導体パターン６２を
形成するように画定される。
第３Ｈ図に示されるＸマルチプレクサ回路の点弧順序は
前述のＸ第１Ｉ図及び第２Ｈ図に示されたマルチプレク
ス回路の点弧順序と同じである。
前述のＸ第１Ｉ図及び第２Ｈ図に示されたマルチプレク
ス回路の点弧順序と同じである。
第４Ａ図から第４Ｇ図には、本発明の第４の実施例が示
されている。本実施例では、第４への基板６４および第
ルベル金属［６６は第４Ｂ図に示される第１レベル金属
導体６８を画定するようにマスキング及びエツチングさ
れる。次に、抵抗層７０を第４Ｂ図の構造の表面全体に
ディポジットさせ第４Ｃ図に示される層構造を得る。
されている。本実施例では、第４への基板６４および第
ルベル金属［６６は第４Ｂ図に示される第１レベル金属
導体６８を画定するようにマスキング及びエツチングさ
れる。次に、抵抗層７０を第４Ｂ図の構造の表面全体に
ディポジットさせ第４Ｃ図に示される層構造を得る。
次に、第４Ｃ図の構造に第４Ｄ図に示されるような中間
絶縁層７２が設けられ、この絶縁層は第４Ｅ図に示され
るように開口部７４を設けるようマスキング及びエツチ
ングされる。次に、上側、第２レベル導電層７６を第４
Ｆに示すように構造表面全体にディポジットさせ、最後
に、この導電層７６をホトリソグラフ的に第４Ｇ図の上
側表面に第２レベルまたは上側金属導体７日として画定
する。
絶縁層７２が設けられ、この絶縁層は第４Ｅ図に示され
るように開口部７４を設けるようマスキング及びエツチ
ングされる。次に、上側、第２レベル導電層７６を第４
Ｆに示すように構造表面全体にディポジットさせ、最後
に、この導電層７６をホトリソグラフ的に第４Ｇ図の上
側表面に第２レベルまたは上側金属導体７日として画定
する。
前述のように、第２１１図のマルチプレクス回路は第４
八〜４Ｇ図のプロセス及びそれによって製造されたデバ
イス構造に適用可能であり、ここではこのマルチプレク
サ回路についてはこれ以上詳述しない。
八〜４Ｇ図のプロセス及びそれによって製造されたデバ
イス構造に適用可能であり、ここではこのマルチプレク
サ回路についてはこれ以上詳述しない。
第５Ａ図には、第１図〜第４図に説明した３ダイオード
（Ａ、Ｂ、Ｃ）ネットワークがどのようにさらに大きな
Ｘ−Ｙマルチ、プレクス・マトリクスに発展させるかを
示した９抵抗−ダイオード（ＲＤ）マルチプレクス回路
が図示されている。第５Ａ図のこのマトリクスでは、こ
こに示された抵抗ダイオード コンビネーションと隣接
の抵抗ダイオードの一般的な平面図を示すことを主とし
て意図した第１Ａ図から第４Ｇ図のダイオードＡ、Ｂ、
Ｃ間には特別の関係はない。
（Ａ、Ｂ、Ｃ）ネットワークがどのようにさらに大きな
Ｘ−Ｙマルチ、プレクス・マトリクスに発展させるかを
示した９抵抗−ダイオード（ＲＤ）マルチプレクス回路
が図示されている。第５Ａ図のこのマトリクスでは、こ
こに示された抵抗ダイオード コンビネーションと隣接
の抵抗ダイオードの一般的な平面図を示すことを主とし
て意図した第１Ａ図から第４Ｇ図のダイオードＡ、Ｂ、
Ｃ間には特別の関係はない。
第５Ａ図においてミ各抵抗−ダイオード（ＲＤ）コンビ
ネーションは、正移行（ｐｏｓｉｔｉｖｅ−ｇｏｉｎｇ
）パルスがダイオードのアノードに印加され、同時に負
移行（ｎ＋４ａｔｉｖｅ−ｇｏｉｎｇ）パルスがダイオ
ードのカソードに印加されるときに点弧する。したがっ
て、第５Ｃ図のタイミング・スケジュールｌは、それぞ
メ れ￥−Ｙマトリクス端子１，２．３およびＩ、 Ｉｔ
。
ネーションは、正移行（ｐｏｓｉｔｉｖｅ−ｇｏｉｎｇ
）パルスがダイオードのアノードに印加され、同時に負
移行（ｎ＋４ａｔｉｖｅ−ｇｏｉｎｇ）パルスがダイオ
ードのカソードに印加されるときに点弧する。したがっ
て、第５Ｃ図のタイミング・スケジュールｌは、それぞ
メ れ￥−Ｙマトリクス端子１，２．３およびＩ、 Ｉｔ
。
■に印加された６個のパルス波形において、１＝２、ｔ
＝３．ｔ＝４の時点での抵抗−ダイオードＲＤ、、ＲＤ
２．およびＲＤ３の点弧を表わす。しかしながら、第５
Ｂ図のパルス波形が第５Ａ図の端子１に印加される時、
抵抗−ダイオードＲＤ３およびＲＤ４の両方ともｔ＝４
時点で点弧する。
＝３．ｔ＝４の時点での抵抗−ダイオードＲＤ、、ＲＤ
２．およびＲＤ３の点弧を表わす。しかしながら、第５
Ｂ図のパルス波形が第５Ａ図の端子１に印加される時、
抵抗−ダイオードＲＤ３およびＲＤ４の両方ともｔ＝４
時点で点弧する。
こうして、Ｘ−Ｙマトリクス端子でパルス波形を正しく
選択することによって、第５Ａ図のいずれの抵抗〜ダイ
オード コンビネーションを点弧できることは当業者に
とって明らかである。この特徴によって、プリントヘッ
ド基板のインク噴射表面領域上の抵抗、ダイオードおよ
び導電性トレースパターンのバッキング密度、集積度が
大きく増大する。
選択することによって、第５Ａ図のいずれの抵抗〜ダイ
オード コンビネーションを点弧できることは当業者に
とって明らかである。この特徴によって、プリントヘッ
ド基板のインク噴射表面領域上の抵抗、ダイオードおよ
び導電性トレースパターンのバッキング密度、集積度が
大きく増大する。
〔発明の効果］
以上説明したように、本発明では、サーマル・インクジ
ェット・プリントヘッドに用いられる薄膜抵抗デバイス
における障壁−腐食／キャビテーション・ウェア耐性を
改善し、さらに、単一の基板表面上に製造可能で新規な
縦型抵抗／ダイオードが一体となって駆動するマルチプ
レクス回路を得ることが可能である。
ェット・プリントヘッドに用いられる薄膜抵抗デバイス
における障壁−腐食／キャビテーション・ウェア耐性を
改善し、さらに、単一の基板表面上に製造可能で新規な
縦型抵抗／ダイオードが一体となって駆動するマルチプ
レクス回路を得ることが可能である。
また、本発明はサーマル・インクジェット・プリンタに
おける使い捨てのインクジェットヘッドに用いられるサ
ーマル・インクジェット・プリントヘッド及びそのプリ
ントヘッド集積回路の製造に極めて有用である。
おける使い捨てのインクジェットヘッドに用いられるサ
ーマル・インクジェット・プリントヘッド及びそのプリ
ントヘッド集積回路の製造に極めて有用である。
第１Ａ図から第１Ｈ図は、本発明の第１の実施例である
薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造プロ
セスの説明図。第１Ｉ図は、第１Ａ図から第１ＩＩ図の
製造プロセスで形成されたマルチプレクサ回路の平面図
。第２Ａ図から第２Ｇ図は、本発明の第２の実施例であ
る薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造プ
ロセスの説明図。第２１１図は、第２八図から第２Ｇ図
の製造プロセスで形成されたマルチプレクス回路の平面
図。第３Ａ図から第３Ｇ図は、本発明の第３の実施例で
ある薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造
プロセスの説明図。第３１１図は、第３Ａ図から第３Ｇ
図の製造プロセスで形成されたマルチプレクス回路の平
面図。 第４Ａ図から第４Ｇ図は、本発明の第４の実施例である
薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造プロ
セスの説明図。第５Ａ図は、本発明の薄膜抵抗デバイス
を用いた９ダイオ一ド／９抵抗ＸＹマトリクス型マルチ
プレクス回路の概略図。第５Ｂ図及び第５Ｃ図は、第５
Ａ図のマルチプレクサ回路の動作説明図。 １０、２８．５０．６４ ：基板。 １４、３２．５４．６８：第２レベル導体。 ２６、４０．６２．７８ ：第２レベル導体。 １８、３６．５８．７４ ：開口部１ １６、３８．７０ ：絶縁層、 ３４．５６．１２：中
間絶縁層。
薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造プロ
セスの説明図。第１Ｉ図は、第１Ａ図から第１ＩＩ図の
製造プロセスで形成されたマルチプレクサ回路の平面図
。第２Ａ図から第２Ｇ図は、本発明の第２の実施例であ
る薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造プ
ロセスの説明図。第２１１図は、第２八図から第２Ｇ図
の製造プロセスで形成されたマルチプレクス回路の平面
図。第３Ａ図から第３Ｇ図は、本発明の第３の実施例で
ある薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造
プロセスの説明図。第３１１図は、第３Ａ図から第３Ｇ
図の製造プロセスで形成されたマルチプレクス回路の平
面図。 第４Ａ図から第４Ｇ図は、本発明の第４の実施例である
薄膜抵抗デバイスを含むマルチプレクサ回路の製造プロ
セスの説明図。第５Ａ図は、本発明の薄膜抵抗デバイス
を用いた９ダイオ一ド／９抵抗ＸＹマトリクス型マルチ
プレクス回路の概略図。第５Ｂ図及び第５Ｃ図は、第５
Ａ図のマルチプレクサ回路の動作説明図。 １０、２８．５０．６４ ：基板。 １４、３２．５４．６８：第２レベル導体。 ２６、４０．６２．７８ ：第２レベル導体。 １８、３６．５８．７４ ：開口部１ １６、３８．７０ ：絶縁層、 ３４．５６．１２：中
間絶縁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の（イ）から（ニ）工程からなるサーマル・イン
クジェット・プリントヘッド用薄膜抵抗デバイスの製造
方法 （イ）選択された基板の一表面上に導電性リード・パタ
ーンを形成し、 （ロ）前記導電性リード・パターン上のある領域と整列
する開口部を備える絶縁層を形成し、（ハ）前記導電体
ハード・パターンと接触する抵抗層を形成し、 （ニ）前記抵抗層の表面上に上側、金属障壁層をディポ
ジットする。 ２、基板部材と、前記基板部材の上部表面に設けられた
導体パターンと、 予め選択された前記導体パターンの領域と整列する開口
部を備え、 前記導体パターン上に設けられた絶縁層と、予め選択さ
れた前記導体パターン領域上に設けられた選択された抵
抗率の抵抗層と、 前記抵抗層の上側表面に設けられた金属障壁層から成る
ことを特徴とするサーマル・インクジェット・プリント
ヘッド用薄膜抵抗デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/941,006 US4695853A (en) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | Thin film vertical resistor devices for a thermal ink jet printhead and methods of manufacture |
| US941006 | 1986-12-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158268A true JPS63158268A (ja) | 1988-07-01 |
| JP2820406B2 JP2820406B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=25475777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313139A Expired - Lifetime JP2820406B2 (ja) | 1986-12-12 | 1987-12-10 | サーマル・インクジェット・プリントヘッド用薄膜抵抗デバイスとその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4695853A (ja) |
| EP (1) | EP0271257B1 (ja) |
| JP (1) | JP2820406B2 (ja) |
| CA (1) | CA1285427C (ja) |
| DE (1) | DE3788110T2 (ja) |
| HK (1) | HK151795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6420150A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Canon Kk | Multinozzle ink jet head |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2611981B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | インクジエツト記録ヘツド用基板及びインクジエツト記録ヘツド |
| US4809428A (en) * | 1987-12-10 | 1989-03-07 | Hewlett-Packard Company | Thin film device for an ink jet printhead and process for the manufacturing same |
| US4875281A (en) * | 1988-03-02 | 1989-10-24 | Dynamics Research Corporation | Method of fabricating a printhead |
| US5600356A (en) * | 1989-07-25 | 1997-02-04 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid jet recording head having improved radiator member |
| US5103246A (en) * | 1989-12-11 | 1992-04-07 | Hewlett-Packard Company | X-Y multiplex drive circuit and associated ink feed connection for maximizing packing density on thermal ink jet (TIJ) printheads |
| JP2662446B2 (ja) * | 1989-12-11 | 1997-10-15 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド及び記録ヘッド用素子基板 |
| US4999650A (en) * | 1989-12-18 | 1991-03-12 | Eastman Kodak Company | Bubble jet print head having improved multiplex actuation construction |
| US5218225A (en) * | 1990-03-30 | 1993-06-08 | Dallas Semiconductor Corp. | Thin-film resistor layout |
| US5122812A (en) * | 1991-01-03 | 1992-06-16 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead having driver circuitry thereon and method for making the same |
| US5159353A (en) * | 1991-07-02 | 1992-10-27 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead structure and method for making the same |
| WO1993007629A1 (en) * | 1991-10-04 | 1993-04-15 | Motorola, Inc. | Integrated deposited vertical resistor in a sequential multilayer substrate |
| US5363134A (en) * | 1992-05-20 | 1994-11-08 | Hewlett-Packard Corporation | Integrated circuit printhead for an ink jet printer including an integrated identification circuit |
| US5414245A (en) * | 1992-08-03 | 1995-05-09 | Hewlett-Packard Corporation | Thermal-ink heater array using rectifying material |
| US5396078A (en) * | 1993-09-22 | 1995-03-07 | Hewlett-Packard Company | Printer with optical data link to carriage |
| US6070969A (en) * | 1994-03-23 | 2000-06-06 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead having a preferred nucleation site |
| US5635968A (en) * | 1994-04-29 | 1997-06-03 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printer printhead with offset heater resistors |
| US5940095A (en) * | 1995-09-27 | 1999-08-17 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head identification circuit with serial out, dynamic shift registers |
| US5757394A (en) * | 1995-09-27 | 1998-05-26 | Lexmark International, Inc. | Ink jet print head identification circuit with programmed transistor array |
| US6758552B1 (en) | 1995-12-06 | 2004-07-06 | Hewlett-Packard Development Company | Integrated thin-film drive head for thermal ink-jet printer |
| US5883650A (en) * | 1995-12-06 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| US6239820B1 (en) | 1995-12-06 | 2001-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| US6031250A (en) | 1995-12-20 | 2000-02-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated circuit devices and methods employing amorphous silicon carbide resistor materials |
| US6680489B1 (en) | 1995-12-20 | 2004-01-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Amorphous silicon carbide thin film coating |
| EP0786343B1 (en) | 1996-01-23 | 2001-06-13 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Thermal ink jet printing apparatus and driving method |
| US5781211A (en) * | 1996-07-23 | 1998-07-14 | Bobry; Howard H. | Ink jet recording head apparatus |
| US6113216A (en) * | 1996-08-09 | 2000-09-05 | Hewlett-Packard Company | Wide array thermal ink-jet print head |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| US6030071A (en) * | 1997-07-03 | 2000-02-29 | Lexmark International, Inc. | Printhead having heating element conductors arranged in a matrix |
| US6120135A (en) * | 1997-07-03 | 2000-09-19 | Lexmark International, Inc. | Printhead having heating element conductors arranged in spaced apart planes and including heating elements having a substantially constant cross-sectional area in the direction of current flow |
| US6575548B1 (en) | 1997-10-28 | 2003-06-10 | Hewlett-Packard Company | System and method for controlling energy characteristics of an inkjet printhead |
| US6154229A (en) | 1997-10-28 | 2000-11-28 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet print head and printer temperature control apparatus and method |
| US6126273A (en) | 1998-04-30 | 2000-10-03 | Hewlett-Packard Co. | Inkjet printer printhead which eliminates unpredictable ink nucleation variations |
| US6435668B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-08-20 | Hewlett-Packard Company | Warming device for controlling the temperature of an inkjet printhead |
| US6755495B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated control of power delivery to firing resistors for printhead assembly |
| US6729707B2 (en) | 2002-04-30 | 2004-05-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-calibration of power delivery control to firing resistors |
| US6476928B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-11-05 | Hewlett-Packard Co. | System and method for controlling internal operations of a processor of an inkjet printhead |
| US6318828B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-11-20 | Hewlett-Packard Company | System and method for controlling firing operations of an inkjet printhead |
| US6705694B1 (en) | 1999-02-19 | 2004-03-16 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | High performance printing system and protocol |
| US6132032A (en) * | 1999-08-13 | 2000-10-17 | Hewlett-Packard Company | Thin-film print head for thermal ink-jet printers |
| JP2002019122A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド用基板、インクジェット記録ヘッドおよび該ヘッドの製造方法 |
| JP2002052725A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Sony Corp | プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法 |
| US6585339B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-07-01 | Hewlett Packard Co | Module manager for wide-array inkjet printhead assembly |
| EP1221372B1 (en) * | 2001-01-05 | 2005-06-08 | Hewlett-Packard Company | Integrated programmable fire pulse generator for inkjet printhead assembly |
| TWI232807B (en) | 2001-01-19 | 2005-05-21 | Benq Corp | Microinject head with driving circuitry and the manufacturing method thereof |
| US6726298B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Low voltage differential signaling communication in inkjet printhead assembly |
| US6478396B1 (en) | 2001-03-02 | 2002-11-12 | Hewlett-Packard Company | Programmable nozzle firing order for printhead assembly |
| US6471320B2 (en) | 2001-03-09 | 2002-10-29 | Hewlett-Packard Company | Data bandwidth reduction to printhead with redundant nozzles |
| CN1165428C (zh) * | 2001-04-03 | 2004-09-08 | 明基电通股份有限公司 | 具有驱动电路的微喷射头 |
| US6527378B2 (en) | 2001-04-20 | 2003-03-04 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet defect tolerant resistor design |
| US6607257B2 (en) | 2001-09-21 | 2003-08-19 | Eastman Kodak Company | Printhead assembly with minimized interconnections to an inkjet printhead |
| US6746107B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead having ink feed channels defined by thin-film structure and orifice layer |
| US6932453B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Inkjet printhead assembly having very high drop rate generation |
| US6543879B1 (en) | 2001-10-31 | 2003-04-08 | Hewlett-Packard Company | Inkjet printhead assembly having very high nozzle packing density |
| US6712451B2 (en) | 2002-03-05 | 2004-03-30 | Eastman Kodak Company | Printhead assembly with shift register stages facilitating cleaning of printhead nozzles |
| US6726300B2 (en) * | 2002-04-29 | 2004-04-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fire pulses in a fluid ejection device |
| KR20040079509A (ko) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | 삼성전자주식회사 | 저항 소자를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US7278706B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-10-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device |
| US7325309B2 (en) | 2004-06-08 | 2008-02-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of manufacturing a fluid ejection device with a dry-film photo-resist layer |
| KR100643328B1 (ko) * | 2005-06-21 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린터 헤드 및 그 제조방법 |
| US7394110B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-07-01 | International Business Machines Corporation | Planar vertical resistor and bond pad resistor |
| US20080055364A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-06 | Eastman Kodak Company | Large area array print head ejector actuation |
| WO2009096940A1 (en) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Common base lateral bipolar junction transistor circuit for an inkjet print head |
| TWI369693B (en) * | 2008-04-10 | 2012-08-01 | Ind Tech Res Inst | Thin film resistor structure and fabrication method thereof |
| GB2588409B (en) * | 2019-10-22 | 2023-12-13 | Pragmatic Printing Ltd | Electronic circuits and their methods of manufacture |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135673A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-22 | Canon Inc | Recording device |
| JPS60204368A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-15 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4076575A (en) * | 1976-06-30 | 1978-02-28 | International Business Machines Corporation | Integrated fabrication method of forming connectors through insulative layers |
| US4232212A (en) * | 1978-10-03 | 1980-11-04 | Northern Telecom Limited | Thermal printers |
| DE2945658A1 (de) * | 1978-11-14 | 1980-05-29 | Canon Kk | Fluessigkeitsstrahl-aufzeichnungsverfahren |
| JPS55131882A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Canon Inc | Electronic equipment |
| US4429321A (en) * | 1980-10-23 | 1984-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording device |
| JPS5949982A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-22 | Alps Electric Co Ltd | 感熱ヘツド |
| US4616408A (en) * | 1982-11-24 | 1986-10-14 | Hewlett-Packard Company | Inversely processed resistance heater |
| US4532530A (en) * | 1984-03-09 | 1985-07-30 | Xerox Corporation | Bubble jet printing device |
-
1986
- 1986-12-12 US US06/941,006 patent/US4695853A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-11-26 EP EP87310431A patent/EP0271257B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-26 DE DE3788110T patent/DE3788110T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-10 JP JP62313139A patent/JP2820406B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-10 CA CA000554061A patent/CA1285427C/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-21 HK HK151795A patent/HK151795A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135673A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-22 | Canon Inc | Recording device |
| JPS60204368A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-15 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6420150A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Canon Kk | Multinozzle ink jet head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3788110D1 (de) | 1993-12-16 |
| EP0271257A3 (en) | 1990-05-16 |
| EP0271257B1 (en) | 1993-11-10 |
| EP0271257A2 (en) | 1988-06-15 |
| US4695853A (en) | 1987-09-22 |
| DE3788110T2 (de) | 1994-05-26 |
| CA1285427C (en) | 1991-07-02 |
| JP2820406B2 (ja) | 1998-11-05 |
| HK151795A (en) | 1995-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63158268A (ja) | サーマル・インクジェット・プリントヘッド用薄膜抵抗デバイスとその製造方法 | |
| DE3782700T2 (de) | Verfahren zur herstellung von thermischen tintenstrahl-druckkoepfen und damit hergestellter duennfilmwiderstands-druckkopf. | |
| JP4202485B2 (ja) | スケーラブルなワイドアレイインクジェットプリントヘッドおよびその製作方法 | |
| US5733433A (en) | Heat generating type ink-jet print head | |
| US5081474A (en) | Recording head having multi-layer matrix wiring | |
| EP0109756B1 (en) | A method of construction of a monolithic ink jet print head | |
| US4951063A (en) | Heating elements for thermal ink jet devices | |
| US3496333A (en) | Thermal printer | |
| EP0229673A2 (en) | Integrated thermal ink jet printhead and method of manufacture | |
| US9776402B2 (en) | Thermal ink jet printhead | |
| US7585049B2 (en) | Method of making an inkjet printhead | |
| DE60306472T2 (de) | Monolithischer Tintenstrahldruckkopf mit konischer Düse und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| KR100560593B1 (ko) | 액체 토출 헤드의 제조방법 | |
| US8075107B2 (en) | Liquid ejection head | |
| US4835553A (en) | Thermal ink jet printhead with increased drop generation rate | |
| US7569404B2 (en) | Ink-jet printhead fabrication | |
| US6431687B1 (en) | Manufacturing method of monolithic integrated thermal bubble inkjet print heads and the structure for the same | |
| US11458739B2 (en) | Thermal print head, manufacturing method of thermal print head, and thermal printer | |
| JPS6225067A (ja) | サ−マルヘツドの電極形成方法 | |
| KR100188251B1 (ko) | 잉크젯 프린터 헤드 제조방법 | |
| RU2261498C2 (ru) | Способ изготовления принтерной головки с тонкопленочным резистором и принтерная головка | |
| JPH06191077A (ja) | サーマルヘッドの電極構造とその形成方法 | |
| JPH0414457A (ja) | 記録ヘッド | |
| JP2000033702A (ja) | サーマルインクジェットヘッド及びその製造方法 | |
| JPS61158469A (ja) | インク・ジエツトヘツドの隔壁形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |