JPS63156349A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS63156349A
JPS63156349A JP30281986A JP30281986A JPS63156349A JP S63156349 A JPS63156349 A JP S63156349A JP 30281986 A JP30281986 A JP 30281986A JP 30281986 A JP30281986 A JP 30281986A JP S63156349 A JPS63156349 A JP S63156349A
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JP
Japan
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circuit
bus
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common bus
semiconductor integrated
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JP30281986A
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JPH0581061B2 (ja
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Tsutomu Nakamori
中森 勉
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 本発明は半導体集積回路装置の構造において、各回路の
配置と内部バス線の共通化と短縮化を図り、半導体チッ
プ面積の増大を防止しかつアクセスの高速化を図ったも
のである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にワンチップマ
イクロコンピュータを構成する大規模集積回路(以下、
LSI)の構造に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕既に
知られるように、ワンチップマイクロコンピュータ(以
下、1チツプマイコン)は、マイクロコンピュータその
ものを1チツプ化したものであり、中央処理装置(CP
U)、記憶装置(ROM 。
RAM)、入出力インターフェイス(I 10)等を1
つのチップにパッケージしたLSIである。1チツプマ
イコンに要求される要件は、いうまでもなく高速化、高
密度化、小型化等であり、例えば、CPUの演算手段等
に付随するレジスタ等の一時記憶手段の情報を迅速にR
AMに高速に書き込んだりRAMからレジスタに高速に
読み出したり必要が出てくる。一方、半導体チップはそ
の面積がコストに大きな影響を及ぼすため出来る限り少
ない面積で所望の機能を達成すべく高密度化、小型化が
必要である。即ち、1チツプマイコンでは、CPU 、
 ROM 、 RAM 、  I 10等の配置とこれ
らを結ぶバスとの配置次第で、その高性能化、小型化、
低コスト化に大きな影響を与える。
第5図は従来の1チツプマイコンの要部構成の一例であ
る。第5図において、15はメモリセル、16はメモリ
セルを選択するためのワード線、17は読出し又は書込
みのためのピッ+−bi、18はビット線のデータを出
力する選択回路、19は各回路ブロック間を結ぶ共通バ
ス、20は演算器回路系とバス19との切換回路、21
は演算器に阻隔する一時記憶手段としてのレジスタ、2
2は演算器、23は切換回路20、レジスタ2L演算器
22等を結ぶCPU内の内部バスである。
このような構成において、例えば、レジスタ21に格納
されているデータをメモリ15に記憶させるためには、
内部バス23→切換回路20→共通バス19→選択回路
18→ビット線17−メモリ15、の経路を専有する構
成となっている。。
このように、例えば、記憶回路に記憶させるときでも、
CPU内の演算器系と記憶回路との間に専用の経路を持
たない構成となっているため、演算器系と記憶回路との
間の情報伝達をするためには、他の情報伝達を停止して
、上記の如き経路によって共通バスを専有し、全体とし
てスループットを低下させるという問題を生じていた。
第6図は従来の1チツプマイコンの他の例である。第6
図において、35はCPU、36〜41は記憶回路、3
4は前記CPUと記憶回路とを接続する内部バス、42
は外部バス、43および44は外部回路である。図から
も明らかなように、CPIJ35と記憶回路(36〜4
1)を結ぶ内部バス34のための配線領域を半導体チッ
プの一部分に設けざるを得す、さらに外部バス42を介
してデータ伝送を行なうようになっているため、外部バ
スを通さず直接接続される信号線については上記の内部
バス34の如く別個に設ける必要があり、チップ面積の
増大を来すといった問題があった。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明は上
記の問題点を解消した半導体集積回路装置を提供するこ
とにあり、その手段は、中央処理装置、記憶手段、入出
力インターフェイス、および一時記憶手段とこれらを相
互接続する内部バスおよび外部共通バスを有する半導体
集積回路装置において、前記記憶手段を挟んで、一方の
側に前記中央処理装置の演算器系回路を対向配置し、他
方の側に前記一時記憶手段を対向配置し、前記記憶手段
を介して前記演算系回路と一時記憶手段を前記内部バス
により接続し、かつこれら手段の外側に前記外部共通バ
スを設けたことを特徴とする。
〔実施例〕
第1図は本発明に係る半導体集積回路装置の基本構造を
示すブロック図である。第1図において、1は記憶回路
、2は外部共通バス3へのインターフェイス回路、4は
CPU内の演算器系回路、5は外部インターフェイス回
路である。図からも明らかな如く、本発明の構造では、
記憶回路1を挟んで、外部バスインターフェイス回路2
とは逆の側に、対向して記憶回路lと隣接して演算器系
回路4を配置したものである。このように、記憶回路1
の両側に共通バス3へのインターフェイス2と演算器回
路4が配置されているため、共通バス3と演算器系回路
4の双方から記憶回路1ヘアクセスすることが可能とな
りアクセスの高速化を図ることができ、かつ回路の面積
を従来に比して大幅に減小させることができる。
第2図は第1図構造の具体的実施例を示すブロック図で
ある。第2図において、6は記憶回路l内の複数個のメ
モリセル、7はメモリセル6を選択するワード線、8は
読出し/書込みのビット線、9はピント線を選択する選
択回路、10は各回路ブロック間を結ぶ共通バス、11
はインターフェイス回路、12は一時記憶手段としての
レジスタ、13は演算回路、14は演算器系回路と共通
バス10との間のインターフェイス回路である。図から
も明らかなように、ビット線8は選択回路9とインター
フェイス11の間を結んでおり、このため、共通バス1
0とレジスタ12の双方からのアクセスが可能であり、
アクセスの高速化を図ることができる。
第3図は本発明のさらに他の実施例を示すブロック図で
ある。第3図において、51は内部ハスであり、外部回
路(a)および(b)との間にバス切換手段SWが設け
られており、52はレジスタ521、レジスタ522、
演算器523およびバス切換手段SW等を包含する回路
集合、53はメモリである。図からも明らかな如く、本
実施例では回路集合52とメモリ53とを内部バス51
を挟んで対向して配置している。このような配置によっ
て内部バス51に必要とされる配線領が最小となり半導
体チップ面積の増大を防止することができる。
第4図は第3図構造の具体例を示すブロック図である。
第4図において、54は記憶回路であり55〜60のブ
ロックを有しており541 は外部ハス74とのインタ
ーフェイス回路、61〜66は内部バス線、68〜70
はレジスタ、71は演算器、72はバス切換回路、73
は外部バス、67はレジスタ68〜71の回路集合であ
る。図からも明らかなように、記憶回路54と回路集合
67とは内部バスにそって対向配置されており、そのた
め余分な配線領域が不要となりチップ面積を減小させる
ことができる。第7図は第4図のバス切換回路72の詳
細図であり、各内部バス51と外部バス73はオペアン
プOPにより接続されており、制御信号線Sに供給され
る制御信号によって、いずれかのOPが選択され内部バ
スと外部バスが接続される。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明の回路配置によって1チツプマ
イコンにおけるチップ面積を大幅に減小させることがで
き、かつ情報伝達の経路が短縮されるために従来に比べ
て高速化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体集積回路装置の基本構造を
示すブロック図、 第2図は第1図構造の具体例ブロック図、第3図は本発
明の他の実施例ブロック図、第4図は第3図構造の具体
例ブロック図、第5および6図は従来の構造例ブロック
図、および 第7図は第4図切換回路の一実施例回路図である。 (符号の説明) 1・・・記憶回路、    2・・・インターフェイス
、3・・・外部共通ハス、 4・・・演算系回路、6・
・・メモリセル、   7・・・ワード線、8・・・ビ
ット線。 本発明の基本構造ブロック図 第1 図 本発明の具体例ブロック図 第2図 本発明の他の実施例ブロック図 第4図 従来の構造例ブロック図 第5図 従来の構造他の例ブロック図 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中央処理装置、記憶手段、入出力インターフェイス
    、および一時記憶手段とこれらを相互接続する内部バス
    および外部共通バスを有する半導体集積回路装置におい
    て、前記記憶手段を挟んで、一方の側に前記中央処理装
    置の演算器系回路を対向配置し、他方の側に前記一時記
    憶手段を対向配置し、前記記憶手段を介して前記演算系
    回路と一時記憶手段を前記内部バスにより接続し、かつ
    これら手段の外側に前記外部共通バスを設けたことを特
    徴とする半導体集積回路装置。 2、前記内部バスを切換手段により切換えられるように
    した特許請求の範囲第1項記載の装置。
JP30281986A 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置 Granted JPS63156349A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30281986A JPS63156349A (ja) 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP30281986A JPS63156349A (ja) 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63156349A true JPS63156349A (ja) 1988-06-29
JPH0581061B2 JPH0581061B2 (ja) 1993-11-11

Family

ID=17913476

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JP30281986A Granted JPS63156349A (ja) 1986-12-20 1986-12-20 半導体集積回路装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58225440A (ja) * 1982-06-24 1983-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ制御装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58225440A (ja) * 1982-06-24 1983-12-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリ制御装置

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JPH0581061B2 (ja) 1993-11-11

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