JPS63134168A - Applying method for wafer adhering wax and device thereof - Google Patents

Applying method for wafer adhering wax and device thereof

Info

Publication number
JPS63134168A
JPS63134168A JP61281181A JP28118186A JPS63134168A JP S63134168 A JPS63134168 A JP S63134168A JP 61281181 A JP61281181 A JP 61281181A JP 28118186 A JP28118186 A JP 28118186A JP S63134168 A JPS63134168 A JP S63134168A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wax
bonding
carrier plate
vacuum chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61281181A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Keiichi Ishii
敬一 石井
Katsumasa Okane
岡根 勝正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Japan Silicon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp, Japan Silicon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Priority to JP61281181A priority Critical patent/JPS63134168A/en
Publication of JPS63134168A publication Critical patent/JPS63134168A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To apply wax in thin, uniform thickness and prevent it from sticking to a polishing surface as well as to protect a surface other than the polishing surface from abrasive powder, by dropping the liquid wax on the wafer top central part, and spreading it over the whole top surface by centrifugal force. CONSTITUTION:Liquid wax is dropped on the rotational center from the upside of a wafer 6 rotating in the horizontal direction, and it is spread wide over the whole top surface of the wafer by means of centrifugal force whereby the wax can be applied to the top in thin, uniform thickness. Therefore, since thickness of the wax is very thin, when this wafer 6 is made to adhere to a carrier plate, the wax is in no case protruded to the outside from a wax applied surface, thus it can be prevented from sticking to a polishing surface of the wafer 6. On top of that, since the wax is uniformly stuck to the surface to the carrier plate, the surface other than the polishing surface of the wafer 6 is protectable from abrasive powder.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハ接着用ワックスの塗布方法及びその
装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method and apparatus for applying wax for bonding wafers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、ウェハの表面を鏡面仕上げする場合には、ウェ
ハをキャリアプレートの端面にワックスによって接着し
て行なうようにしている。
Generally, when mirror finishing the surface of a wafer, the wafer is bonded to the end surface of a carrier plate with wax.

従来、このような場合には、’r−1pリアプレートの
端面に固形のワックスを塗布した後、上記端面にウェハ
を押圧接着していた。ところが、このような方法でウェ
ハを接着した場合には、キャリアプレート端面のウェハ
を接着ざVていない部分にもワックスが付着しているた
め、このままの状態でウェハを研摩することができず、
ウェハを研摩する前に、上記部分のワックスを有様溶剤
で取り除いていた。しかしながら、このようにしてワッ
クスを除去した場合には、有機溶剤によって、ウェハと
キャリアプレートの間のワックスも一部取り除かれてし
まい、この後行なわれる研摩作業中に、ウェハのワック
ス接着面に研摩剤(アルカリ溶液)が付着してしまうと
いう問題があった。
Conventionally, in such cases, solid wax was applied to the end face of the 'r-1p rear plate, and then a wafer was pressure-bonded to the end face. However, when the wafer is bonded using this method, wax is also attached to the end surface of the carrier plate where the wafer is not bonded, making it impossible to polish the wafer in this state.
Before polishing the wafer, the wax in the area was removed with a specific solvent. However, when the wax is removed in this way, some of the wax between the wafer and the carrier plate is also removed by the organic solvent, and during the subsequent polishing operation, the wax bonding surface of the wafer is polished. There was a problem in that the agent (alkaline solution) adhered to the product.

そこで、このような問題を解決するために、ウェハにワ
ックスを塗布してキせリアプレートに加圧接着する方法
が考えられた。この場合、ウェハにワックスを塗布する
方法としては、ウェハの上面に液状のワックスをスプレ
ーによって吹き付けるスプレー法、ウェハの下面を溶融
したワックスに浸す浸漬法等が考えられていた。
Therefore, in order to solve this problem, a method was devised in which wax was applied to the wafer and the wafer was bonded to the broken rear plate under pressure. In this case, methods for applying wax to the wafer include a spray method in which liquid wax is sprayed onto the upper surface of the wafer, and a dipping method in which the lower surface of the wafer is immersed in molten wax.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところが、上記スプレー法によりウェハにワックスを塗
布した場合には、ウェハ表面のワックスの厚さを均一に
することが困難であった。このため、このような方法に
よってワックスが塗布されたウェハをキャリアプレート
に接着した場合には、キャリアプレート端面にワックス
を塗布した場合と同様に、ウェハの研摩作業中に、ウェ
ハのワックス接着面に研摩剤(アルカリ溶液)が付着し
、上記ワックス接着面が腐食する恐れがあるという問題
点があった。
However, when wax is applied to a wafer by the above spray method, it is difficult to make the thickness of the wax uniform on the wafer surface. For this reason, when a wafer coated with wax is bonded to a carrier plate using this method, the wax bonding surface of the wafer may be damaged during the wafer polishing process, similar to when wax is coated on the edge of the carrier plate. There is a problem in that the abrasive (alkaline solution) may adhere and corrode the wax adhesive surface.

また、上記浸漬法によりウェハにワックスを塗布した場
合には、ウェハ表面のワックスの厚さを薄くすることが
困難であった。このため、このような方法によってワッ
クスが塗布されたウェハを用いた場合には、ウェハをキ
ャリアプレートに加圧接着したときにワックスがウェハ
のワックス塗布面からはみ出し、このワックスが、上記
ウェハを有効に研摩することができないという問題点が
あった。
Further, when wax is applied to a wafer by the above-mentioned dipping method, it is difficult to reduce the thickness of the wax on the wafer surface. Therefore, when using a wafer coated with wax using this method, when the wafer is bonded to a carrier plate under pressure, the wax protrudes from the wax coated surface of the wafer, and this wax makes the wafer effective. There was a problem that it could not be polished.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明のウェハ接着用ワックスの塗布方法は、ウェハ
を水平にした状態で同ウェハを水平方向に回転させ、こ
のウェハの上方から液状のワックスを同ウェハの上面中
央部に滴下し、滴下したワックスを遠心力により上記ウ
ェハの上面仝休に引き延ばすことによって、上記ウェハ
の上面にワックスを塗布するものである。
The method of applying wax for wafer adhesion of the present invention is to rotate the wafer horizontally with the wafer held horizontally, drop liquid wax from above the wafer onto the center of the upper surface of the wafer, and remove the dropped wax. Wax is applied to the top surface of the wafer by stretching the wax onto the top surface of the wafer using centrifugal force.

上記の塗布方法の実施に用いられる装置は、回転軸を鉛
直方向に向けた回転駆動源と、上記回転軸の上部に装着
され、上面にウェハが水平状態で装着される真空チャッ
クと、上記回転軸の上方に、吐出口を下方に向けた状態
で同吐出口が上記回転軸の延長上に位置するように配置
され、上記ウェハへ向けて液状のワックスを滴下する定
量吐出器とを具備してなるものである。
The equipment used to carry out the above coating method includes a rotary drive source with a rotating shaft oriented vertically, a vacuum chuck that is attached to the top of the rotating shaft and on which the wafer is mounted horizontally, and a rotating A fixed amount dispensing device is provided above the shaft so that the discharging port is positioned on an extension of the rotating shaft with the discharging port facing downward, and drips liquid wax toward the wafer. That's what happens.

〔実施例〕〔Example〕

第1図、第2図は、この発明のウェハ接着用ワックスの
塗布装置の一実施例を示す図である。
FIGS. 1 and 2 are diagrams showing an embodiment of a wafer bonding wax coating apparatus of the present invention.

これらの図において符号1は回転駆動源、2は回転駆動
源1に装着された真空チャック、3は真空チャック2の
上方に配置された定量吐出器である。
In these figures, reference numeral 1 denotes a rotary drive source, 2 a vacuum chuck attached to the rotary drive source 1, and 3 a metering dispenser disposed above the vacuum chuck 2.

回転駆動源1は、駆動源本体1aと、この駆動源本体1
aに装着されて一方向に延びる回転軸1bとからなるも
のであり、この回転軸1bを鉛直上方に向けた状態で架
台4に装着されている。この架台4には、上部に水平方
向に延びる腕部4aが形成され、この腕部4aには、鉛
直方向に貫通する孔4bが形成されている。上記回転駆
動源1は、この高4bにその回転軸1bを下方がら嵌入
した状態でその駆動源本体1aのL部を腕部4aの下面
に固定するようになっている。また、上記回転軸1bに
は、先端中央部から下方に延び、架台4の腕部4aに形
成された孔4cへ向けて貫通する孔1Cが形成されてい
る。上記孔4cの内周面には、周方向に連続する溝4G
が形成され、この溝4Cには真空8!5が連結されてい
る。
The rotational drive source 1 includes a drive source main body 1a and a drive source main body 1.
The rotating shaft 1b is mounted on the frame 4 and extends in one direction.The rotating shaft 1b is mounted on the frame 4 with the rotating shaft 1b facing vertically upward. This pedestal 4 is formed with an arm portion 4a extending horizontally at an upper portion thereof, and a hole 4b penetrating vertically is formed in this arm portion 4a. The rotary drive source 1 is configured such that the L portion of the drive source main body 1a is fixed to the lower surface of the arm portion 4a with the rotating shaft 1b fitted into the height 4b from below. Further, a hole 1C is formed in the rotating shaft 1b, extending downward from the central portion of the tip and penetrating toward the hole 4c formed in the arm portion 4a of the pedestal 4. A groove 4G continuous in the circumferential direction is provided on the inner peripheral surface of the hole 4c.
is formed, and a vacuum 8!5 is connected to this groove 4C.

真空チャック2は、円筒部2aの一端に円板状の装着部
2bを形成し、この装着部2bの中央部に上記一端から
円筒部2a内へ貫通する孔2cを形成してなるものであ
り、上記円筒部2aの内部に回転軸1bを嵌入させるこ
とにより回転駆動源1に装着されている。上記装着部2
cは、真空源5を用いて孔2bから空気を吸引すること
により、上面にウェハ6を水平状態で装着するようにな
っている。上記装着部2cの側方には、ウェハ6の上面
に滴下された液状のワックスが遠心力によりこのウェハ
6の側方へ飛散することを防止する円筒状のカバー7が
配置され、上記装着部の下方には、ウェハ6の上面に滴
下された液状のワックスが硬化することを防止するヒー
タ8が配置されている。
The vacuum chuck 2 has a disk-shaped mounting part 2b formed at one end of a cylindrical part 2a, and a hole 2c penetrating from the one end into the cylindrical part 2a in the center of the mounting part 2b. , is attached to the rotary drive source 1 by fitting the rotating shaft 1b into the inside of the cylindrical portion 2a. Above mounting part 2
The wafer 6 is horizontally mounted on the upper surface by sucking air from the hole 2b using the vacuum source 5. A cylindrical cover 7 is disposed on the side of the mounting section 2c to prevent liquid wax dropped on the upper surface of the wafer 6 from scattering to the side of the wafer 6 due to centrifugal force. A heater 8 is arranged below the wafer 6 to prevent the liquid wax dropped onto the upper surface of the wafer 6 from curing.

定量吐出器3は、液状のワックスを供給する配管3aと
、この配管3aの一端に装着された弁3bと、この弁3
bに装着されたノズル3Cとからなるものであり、上記
回転軸1bの上方に、上記ノズル3Cの吐出口が上記回
転軸1bの延長上に位置するように配置されている。上
記弁3bは、上記ワックスを配管3aからノズル3Cへ
定量供給するものであり、上記ノズル3Cは、上方から
ウェハ6の回転中心へ向けて上記ワックスを滴下させる
ものである。
The quantitative dispenser 3 includes a pipe 3a for supplying liquid wax, a valve 3b attached to one end of the pipe 3a, and a valve 3.
The discharge port of the nozzle 3C is arranged above the rotating shaft 1b so that the discharge port of the nozzle 3C is located on an extension of the rotating shaft 1b. The valve 3b is for supplying a fixed amount of the wax from the pipe 3a to the nozzle 3C, and the nozzle 3C is for dropping the wax from above toward the center of rotation of the wafer 6.

このような構成の塗布装置を用いる場合には、まず、図
示しないセンタリング装置を用いて、ウェハ3の中心を
真空チャック2の装着部2cの中心と一致させ、この状
態でウェハ6を真空チャック2に装着する。次に、この
ウェハ6を回転駆動源1により真空チャック2と一体に
水平方向に回転させる。ぞして、このような状態のウェ
ハ6の上面へ向けて、同ウェハ6の上方に配置された定
量吐出器3から液状のワックスを一定吊滴下する。
When using a coating apparatus having such a configuration, first, use a centering device (not shown) to align the center of the wafer 3 with the center of the mounting portion 2c of the vacuum chuck 2, and in this state, place the wafer 6 on the vacuum chuck 2. Attach to. Next, this wafer 6 is horizontally rotated together with the vacuum chuck 2 by the rotational drive source 1. Then, a fixed amount of liquid wax is dripped onto the upper surface of the wafer 6 in such a state from the metering dispenser 3 disposed above the wafer 6.

このようにすると、このワックスが遠心力により上記ウ
ェハ6の上面中心部が側方に向けて広がり、同ワックス
が上記ウェハ6の上面全体に塗布される。
In this way, the wax spreads laterally at the center of the upper surface of the wafer 6 due to centrifugal force, and the wax is applied to the entire upper surface of the wafer 6.

このような塗布方法によれば、水平方向に回転するウェ
ハ6の上方から液状のワックスを同ウェハ6の回転中心
に一定最滴下し、滴下したワックスを遠心力により上記
ウェハ6の上面全体に引き延ばすから、ワックスを、ウ
ェハ6の上面に薄く、かつ、均一な厚さで塗布すること
ができる。このため、この塗布方法によってワックスが
塗布されたウェハ6によれば、ワックスの厚さが薄いの
で、このウェハ6をキャリアプレートに接着させたとき
に、上記ワックスが上記ウェハ6のワックス塗布面から
外側にはみ出ることがなくなり、上記ワックスが上記ウ
ェハ6の研摩面に付着することを防止することができる
。しかも、このウェハ6によれば、キャリアプレートに
接着させた面にワックスが均一に付着しているので、後
工程であるウェハ6の研摩を円滑に行なうことができる
上、上記研摩剤以外の面を研摩剤から保護することがで
きる。
According to this coating method, a constant drop of liquid wax is dropped onto the rotation center of the wafer 6 from above the horizontally rotating wafer 6, and the dropped wax is spread over the entire upper surface of the wafer 6 by centrifugal force. Therefore, the wax can be applied to the upper surface of the wafer 6 in a thin and uniform thickness. Therefore, since the wax is thin in the wafer 6 coated with wax by this coating method, when the wafer 6 is bonded to the carrier plate, the wax is removed from the wax-coated surface of the wafer 6. This prevents the wax from protruding to the outside and prevents the wax from adhering to the polished surface of the wafer 6. Moreover, according to this wafer 6, wax is evenly adhered to the surface bonded to the carrier plate, so that the polishing of the wafer 6 in the subsequent process can be carried out smoothly. can be protected from abrasives.

また、上記の塗布装置によれば、真空チャック2の装着
部2Cの側方に円筒状カバー7が配置されているので、
上記真空チャック2に装着されて回転するウェハ6に上
方から液状のワックスを滴下する際に、このワックスが
ウェハ6の周縁部から側方へ飛散することを防止するこ
とができる。
Furthermore, according to the coating device described above, since the cylindrical cover 7 is arranged on the side of the mounting portion 2C of the vacuum chuck 2,
When dropping liquid wax from above onto the rotating wafer 6 mounted on the vacuum chuck 2, it is possible to prevent the wax from scattering laterally from the peripheral edge of the wafer 6.

さらに、この塗布装置によれば、真空チャック2の装着
部2Cの下方にヒータ8が配置されているので、ウェハ
6の上面に滴下された液状のワックスがウェハ6の上面
全体に広がる前に硬化することを防止することができる
Furthermore, according to this coating device, since the heater 8 is disposed below the mounting portion 2C of the vacuum chuck 2, the liquid wax dropped on the top surface of the wafer 6 is hardened before it spreads over the entire top surface of the wafer 6. This can be prevented.

なお、この塗布装置には、装着部2Cの下方にろひ−た
8が配置されているが、ウェハ6を塗布するワックスと
して、硬化温度が低く、かつ、揮発性のワックスを用い
た場合には、ヒータ8を配置しなくても差し支えない。
Note that this coating device has a filter 8 disposed below the mounting portion 2C, but when a volatile wax with a low curing temperature is used as the wax for coating the wafer 6, In this case, the heater 8 may not be provided.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明のウェハ接着用ワックスの塗布方法によれば、
水平方向に回転するウェハ上方から液状のワックスを同
ウェハの回転中心に滴下し、滴下したワックスを遠心力
により上記ウェハの上面全体に引き延ばすから、ワック
スを、上記ウェハの上面に薄く、かつ、均一な厚さで塗
布することができる。このため、この塗布方法によって
ワックスが塗布されたウェハによれば、ワックスの厚さ
が薄いので、このウェハをキャリアプレートに接着され
たときに、上記ワックスが上記ウェハのワックス塗布面
から外側にはみ出ることがなくなり、上記ワックスが上
記ウェハ6の研摩面に付着することを防止することがで
きる。しがも、このウェハによれば、キャリアブレトヘ
接着させた面にワックスが均一に付着しているので、後
工程である上記ウェハの研摩を円滑に行なうことができ
る上、上記ウェハの研摩面以外の面を研摩剤から保護す
ることができる。
According to the method of applying wax for wafer adhesion of the present invention,
Liquid wax is dropped from above the horizontally rotating wafer onto the center of rotation of the wafer, and the dropped wax is spread over the entire top surface of the wafer by centrifugal force, so that the wax is thinly and evenly spread over the top surface of the wafer. It can be applied to a certain thickness. Therefore, when a wafer is coated with wax using this coating method, the wax is thin, so when the wafer is bonded to a carrier plate, the wax protrudes outward from the waxed surface of the wafer. This prevents the wax from adhering to the polished surface of the wafer 6. However, according to this wafer, the wax is evenly adhered to the surface bonded to the carrier bullet, so that the polishing of the wafer in the subsequent process can be carried out smoothly, and the polished surface of the wafer can be smoothly polished. Other surfaces can be protected from abrasives.

また、この発明のウェハ接着用ワックスの塗布装置によ
れば、回転駆動源と、この回転駆動源の上部に装着され
てウェハを装着する真空チャックと、この真空チt/ツ
クの上方に配置されて液状のワックスを吐出する定量吐
出器とを具備したから、上記の塗布方法を容易に実施す
ることができ、上記塗布方法を実施することにより生じ
る効果を確実に実現することができる。
Further, according to the wafer bonding wax applicator of the present invention, there is provided a rotary drive source, a vacuum chuck mounted above the rotary drive source to mount the wafer, and a vacuum chuck disposed above the vacuum chuck. Since the apparatus is equipped with a metering dispenser for discharging liquid wax, the above coating method can be easily carried out, and the effects produced by carrying out the above coating method can be reliably realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第2図はこの発明のウェハ@着用ワックスの塗
布装置の一実施例を示す図であって、第1図はウェハ接
着用ワックスの塗布装置の断面図、第2図は第1図A−
A線視断面図である。 1・・・・・・回転駆動源、 1b・・・・・・回転軸
、2・・・・・・真空チャック、3・・・・・・定量吐
出器、6・・・・・・ウェハ。
1 and 2 are views showing an embodiment of the wafer@wearing wax coating apparatus of the present invention, in which FIG. 1 is a sectional view of the wafer bonding wax coating apparatus, and FIG. Figure A-
It is a cross-sectional view taken along line A. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Rotation drive source, 1b...Rotation shaft, 2...Vacuum chuck, 3...Quantitative dispenser, 6...Wafer .

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)キャリアプレートにウェハを接着させるワックス
を上記ウェハの上面へ塗布するウェハ接着用ワックスの
塗布方法において、上記ウェハを、同ウェハを水平にし
た状態で水平方向に回転させ、このウェハの上方から液
状のワックスを同ウェハの上面中央部に滴下し、滴下し
たワックスを遠心力により上記ウェハの上面全体に引き
延ばすことを特徴とするウェハ接着用ワックスの塗布方
法。
(1) In a wafer bonding wax coating method in which wax for bonding the wafer to a carrier plate is applied to the upper surface of the wafer, the wafer is rotated horizontally with the wafer held horizontally, and A method for applying wax for bonding wafers, which comprises dropping liquid wax onto the center of the upper surface of the wafer, and spreading the dropped wax over the entire upper surface of the wafer by centrifugal force.
(2)キャリアプレートにウェハを接着させるワックス
を上記ウェハの上面へ塗布するウェハ接着用ワックスの
塗布装置において、回転軸を鉛直方向に向けた回転駆動
源と、上記回転軸の上部に装着され、上面にウェハが水
平状態で装着される真空チャックと、上記回転軸の上方
に、吐出口を下方に向けた状態で同吐出口が上記回転軸
の延長上に位置するように配置され、上記ウェハへ向け
て液状のワックスを滴下する定量吐出器とを具備してな
ることを特徴とするウェハ接着用ワックスの塗布装置。
(2) A wafer bonding wax coating device for coating the upper surface of the wafer with wax for bonding the wafer to the carrier plate, including a rotational drive source with a rotating shaft oriented in the vertical direction, and a rotating drive source mounted on the top of the rotating shaft; A vacuum chuck on which the wafer is mounted horizontally on its upper surface, and a vacuum chuck arranged above the rotation shaft with the discharge port facing downward and positioned on an extension of the rotation shaft, and the wafer 1. A wax coating device for bonding wafers, comprising: a metering dispenser for dropping liquid wax onto a wafer.
JP61281181A 1986-11-26 1986-11-26 Applying method for wafer adhering wax and device thereof Pending JPS63134168A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61281181A JPS63134168A (en) 1986-11-26 1986-11-26 Applying method for wafer adhering wax and device thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61281181A JPS63134168A (en) 1986-11-26 1986-11-26 Applying method for wafer adhering wax and device thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63134168A true JPS63134168A (en) 1988-06-06

Family

ID=17635470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61281181A Pending JPS63134168A (en) 1986-11-26 1986-11-26 Applying method for wafer adhering wax and device thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63134168A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6852012B2 (en) 2000-03-17 2005-02-08 Wafer Solutions, Inc. Cluster tool systems and methods for in fab wafer processing

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5972140A (en) * 1982-10-18 1984-04-24 Toshiba Corp Adhesive applicator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5972140A (en) * 1982-10-18 1984-04-24 Toshiba Corp Adhesive applicator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6852012B2 (en) 2000-03-17 2005-02-08 Wafer Solutions, Inc. Cluster tool systems and methods for in fab wafer processing
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5209180A (en) Spin coating apparatus with an upper spin plate cleaning nozzle
KR0154610B1 (en) Method for polishing semiconductor substrate and apparatus for the same
US6793764B1 (en) Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
US5001084A (en) Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer
US5947136A (en) Catch cup cleaning system
JP2004146775A (en) Cmp facility for semiconductor wafer
JPH0248136B2 (en)
JPS63134168A (en) Applying method for wafer adhering wax and device thereof
EP0264957A2 (en) Method and apparatus for application of wax on wafers
JPH0929158A (en) Rotary coater
JPH0774137A (en) Method and apparatus for removing particle on substrate surface
JP2001189292A (en) Method of applying adhesives to wafer
TW201903874A (en) Wafer processing method capable of sufficiently suppressing influence of concave and convex irregularities existed on surface side of wafer while grinding back side of wafer
TW200923586A (en) Coating method
JPH0722361A (en) Coater
JP2019029543A (en) Wafer grinding method
JP2001315060A (en) Dressing grinding wheel and its manufacturing method
JPH0899057A (en) Method and device for coating base plate with resist liquid
JP2537611B2 (en) Coating material coating equipment
JPS63212465A (en) Polishing method
JP4235266B2 (en) Semiconductor wafer adsorption equipment
JP3501255B2 (en) Spin coating method and spin coating device
JPS63134166A (en) Wafer holding mechanism
KR20050032180A (en) Method and apparatus for laminating film onto wafer in the back grinding process
JP2001179157A (en) Coating nozzle for liquid and coating device and coating method