JPS63106739A - ミラ−光学系 - Google Patents
ミラ−光学系Info
- Publication number
- JPS63106739A JPS63106739A JP61253453A JP25345386A JPS63106739A JP S63106739 A JPS63106739 A JP S63106739A JP 61253453 A JP61253453 A JP 61253453A JP 25345386 A JP25345386 A JP 25345386A JP S63106739 A JPS63106739 A JP S63106739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- point
- concave
- optical system
- concave mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はミラー光学系に関し、特に２つの凹面鏡を用い
て被写体を所定倍率で投影結像させた半導体製造用の焼
付は装置等に好適なミラー光学系に関するものである。
て被写体を所定倍率で投影結像させた半導体製造用の焼
付は装置等に好適なミラー光学系に関するものである。
（従来の技術）
従来より半導体集積回路の製作においてマスクやレチク
ル面上のパターンをウニ八面上に転写し露光する方式の
１つに、例えば特開昭４８−１２０３９号公報や特開昭
５３−１００２３０号公報等で提案されているように凹
面鏡と凸面鏡の２つの反射鏡を利用したミラー光学系が
ある。
ル面上のパターンをウニ八面上に転写し露光する方式の
１つに、例えば特開昭４８−１２０３９号公報や特開昭
５３−１００２３０号公報等で提案されているように凹
面鏡と凸面鏡の２つの反射鏡を利用したミラー光学系が
ある。
このミラー光学系では凹面鏡と凸面鏡の双方の曲率中心
を一致させ、収差が特に良好に補正されたリング状の特
定領域のみを利用して被写体面と結像面に各々対応する
位置にマスクとウェハを配置して等倍結像系となるよう
に構成している。そしてマスクとウェハの双方を同時に
等速に走査することによりマスクの面上のパターンをウ
ニ八面上に順次露光している。
を一致させ、収差が特に良好に補正されたリング状の特
定領域のみを利用して被写体面と結像面に各々対応する
位置にマスクとウェハを配置して等倍結像系となるよう
に構成している。そしてマスクとウェハの双方を同時に
等速に走査することによりマスクの面上のパターンをウ
ニ八面上に順次露光している。
このミラー光学系を用いた方式は収差補正が良好になさ
れたリング状の領域のみを用いているので比較的容易に
高い光学性能が得られる特徴がある。
れたリング状の領域のみを用いているので比較的容易に
高い光学性能が得られる特徴がある。
しかしながらこのミラー光学系は等倍結像に限られ、拡
大系又は縮少系となるように構成すると諸収差の発生が
急増し、所定の光学性能を得るのが大変困難であった。
大系又は縮少系となるように構成すると諸収差の発生が
急増し、所定の光学性能を得るのが大変困難であった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は２つの凹面鏡を用い、特定のリング状の領域の
みを用いることにより、拡大系若しくは縮少系として使
用しても諸収差の発生の少ない製作が容易な高い光学性
能を有したミラー光学系の提供を目的とする。
みを用いることにより、拡大系若しくは縮少系として使
用しても諸収差の発生の少ない製作が容易な高い光学性
能を有したミラー光学系の提供を目的とする。
（問題点を解決する為の手段）
曲率中心を互いに合致させて２つの凹面鏡を対向配置し
、前記２つの凹面鏡の各々の焦点位置が互いに共役関係
となるように構成したことである。
、前記２つの凹面鏡の各々の焦点位置が互いに共役関係
となるように構成したことである。
特に本発明では前記２つの凹面鏡の焦点距離を各々異な
るようにし、全系を縮少系又は拡大系となるように構成
したことである。
るようにし、全系を縮少系又は拡大系となるように構成
したことである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図である。
同図において１は曲率中心を点３に持つ曲率半径Ｒ１の
凹面鏡、２は曲率中心を点３に持つ曲率半径Ｒ２の凹面
鏡である。
凹面鏡、２は曲率中心を点３に持つ曲率半径Ｒ２の凹面
鏡である。
本実施例では曲率半径Ｒ１、Ｒ２をＲ１＞Ｒ２の如く設
定し、凹面鏡１．２を互いに対向するように配置してい
る。
定し、凹面鏡１．２を互いに対向するように配置してい
る。
４は凹面鏡１の焦点位置、即ち点３から距離Ｒ１／２の
位置、５は凹面ｍ２の焦点位置、即ち点３から距離Ｒ２
／２の位置である。
位置、５は凹面ｍ２の焦点位置、即ち点３から距離Ｒ２
／２の位置である。
２つの凹面鏡１．２より構成したミラー光学系は曲率中
心である点３を含む断面、即ち平面図に相当する面内に
おいては凹面鏡１の焦点位置４は点３を中心とする半径
Ｒ１／２の点線で示す円周１１上に連続的に存在し、そ
の焦点距離ｆｌはｆｌ＝Ｒ１／２である。同様に凹面鏡
２の焦点位置５は点３を中心とする半径Ｒ２／２の点線
で示す円周１２上に連続的に存在し、その焦点’ｊｐ
離ｆ２はｆ２＝Ｒ２／２である。
心である点３を含む断面、即ち平面図に相当する面内に
おいては凹面鏡１の焦点位置４は点３を中心とする半径
Ｒ１／２の点線で示す円周１１上に連続的に存在し、そ
の焦点距離ｆｌはｆｌ＝Ｒ１／２である。同様に凹面鏡
２の焦点位置５は点３を中心とする半径Ｒ２／２の点線
で示す円周１２上に連続的に存在し、その焦点’ｊｐ
離ｆ２はｆ２＝Ｒ２／２である。
本実施例ではこのように構成したミラー光学系の性質を
利用することにより、縮少系として使用するときは凹面
鏡１に対応する円周１１の一領域に物点を配置し、凹面
鏡２に対応する円周１２の一領域が像点となるように構
成している。即ち２つの凹面鏡の焦点位置が互いに共役
関係となるように構成している。
利用することにより、縮少系として使用するときは凹面
鏡１に対応する円周１１の一領域に物点を配置し、凹面
鏡２に対応する円周１２の一領域が像点となるように構
成している。即ち２つの凹面鏡の焦点位置が互いに共役
関係となるように構成している。
そしてこのときの焦点位置の軌跡上の一領域、即ち円周
ｌｌ上の一領域が物体面となるように構成している。
ｌｌ上の一領域が物体面となるように構成している。
尚このときの結像倍率βはβ＝ｆ２／ｆｌとなる。
又拡大系として使用するときは前述の物点と像点との関
係が逆とな８ように構成している。このときの結像倍率
βはβ＝ｆｌ／ｆ２となる。
係が逆とな８ように構成している。このときの結像倍率
βはβ＝ｆｌ／ｆ２となる。
第２図、第３図は各々第１図に示す実ｈｈ例を縮少系で
構成したときの光路図である。第２図は円周１１上に配
置した物点２１（本実施例でば焦点位置４と一致してい
る。）から射出するメリディオナル断面内の光束の光路
図、第３図はサジタル断面内の光束の光路図である。
構成したときの光路図である。第２図は円周１１上に配
置した物点２１（本実施例でば焦点位置４と一致してい
る。）から射出するメリディオナル断面内の光束の光路
図、第３図はサジタル断面内の光束の光路図である。
第２図において物点２１を射出した光束は凹面鏡１て反
射した後、平行光となり凹面ｍ２に入射する。そして凹
面鏡２で反射した後、焦点位置５に収斂し像点２２とな
る。
射した後、平行光となり凹面ｍ２に入射する。そして凹
面鏡２で反射した後、焦点位置５に収斂し像点２２とな
る。
第３図においても同様であり、物点２１を射出した光束
は凹面鏡１で反射した後、平行光となり凹面ｍ２に入射
し、凹面鏡２で反射した後、焦点位置に収斂し像点２２
となる。
は凹面鏡１で反射した後、平行光となり凹面ｍ２に入射
し、凹面鏡２で反射した後、焦点位置に収斂し像点２２
となる。
以上は円周１１上の一点２１から射出する光束について
示したが、円周１１上の他の任意の物点から射出する光
束も全く同様である。
示したが、円周１１上の他の任意の物点から射出する光
束も全く同様である。
従って円周１１上の一領域を物体となるように構成すれ
ば、物体面上の各点を全く同様の光学作用により円周１
２上に物体像を形成させることができる。
ば、物体面上の各点を全く同様の光学作用により円周１
２上に物体像を形成させることができる。
このときの結像作用は円周１１上のリング状の領域を物
体面とすれば物点２１からの光束はいずれも凹面鏡１と
凹面鏡２において軸上光束として取り扱うことができる
。従って収差補正に関しては軸外収差は関係なく軸上収
差、即ち球面収差のみを良好に補正しておけば物体面全
体の光学性能を良好に維持することができる。
体面とすれば物点２１からの光束はいずれも凹面鏡１と
凹面鏡２において軸上光束として取り扱うことができる
。従って収差補正に関しては軸外収差は関係なく軸上収
差、即ち球面収差のみを良好に補正しておけば物体面全
体の光学性能を良好に維持することができる。
そして２つの凹面鏡１．２の曲率半径を適当に選ぶこと
により結像倍率βをβ＝ｆ２／ｆＩより任意に設定する
ことができる。
により結像倍率βをβ＝ｆ２／ｆＩより任意に設定する
ことができる。
例えば凹面鏡１の曲率半径Ｒ１をＲ１＝２００、凹面ｍ
２の曲率半径Ｒ２をＲ２＝１００とすると凹面鏡１の焦
点比＃ｔｆｌはｆｌ＝１００、凹面ｍ２０）焦点距離ｆ
２はｆ２＝５０となり、結像倍率βはβ＝５０／１００
＝％となる。
２の曲率半径Ｒ２をＲ２＝１００とすると凹面鏡１の焦
点比＃ｔｆｌはｆｌ＝１００、凹面ｍ２０）焦点距離ｆ
２はｆ２＝５０となり、結像倍率βはβ＝５０／１００
＝％となる。
本実施例におけるミラー光学系を例えば半導体集積回路
の製作用の焼付は装置に適用するときは凹面鏡！の焦点
位置の軌跡に相当する円周１１上のリング状の領域が有
効範囲となるようにマスクを配置し、凹面鏡２の焦点位
置の軌跡に相当する円周１２上のリング状の領域が有効
範囲となるようにウェハを配置する。そして双方を結像
倍率に応じた速度で走査すれば所定の結像倍率で順次走
査露光することができる。
の製作用の焼付は装置に適用するときは凹面鏡！の焦点
位置の軌跡に相当する円周１１上のリング状の領域が有
効範囲となるようにマスクを配置し、凹面鏡２の焦点位
置の軌跡に相当する円周１２上のリング状の領域が有効
範囲となるようにウェハを配置する。そして双方を結像
倍率に応じた速度で走査すれば所定の結像倍率で順次走
査露光することができる。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば２つの凹面鏡の曲率中心が
一致するようにし、かつ各々の焦点位置が互いに共役関
係となるように構成することにより、所定の結像倍率を
有した高い光学性能を有したミラー光学系を達成するこ
とができる。又２つの凹面鏡を対称的に合致させて構成
しているので製作上の組立の簡便さ及び容易さを図った
ミラー光学系を達成することができる。
一致するようにし、かつ各々の焦点位置が互いに共役関
係となるように構成することにより、所定の結像倍率を
有した高い光学性能を有したミラー光学系を達成するこ
とができる。又２つの凹面鏡を対称的に合致させて構成
しているので製作上の組立の簡便さ及び容易さを図った
ミラー光学系を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図、′ｆＳ２
図、第３図は各々第１図のメリディオナル断面とサジタ
ル断面の光路図である。 図中１，２は各々曲率半径の異なる凹面鏡、３は曲率中
心、４は凹面鏡１の焦点位置、５は凹面鏡２の焦点位置
、２１は物点、２２は像点である。
図、第３図は各々第１図のメリディオナル断面とサジタ
ル断面の光路図である。 図中１，２は各々曲率半径の異なる凹面鏡、３は曲率中
心、４は凹面鏡１の焦点位置、５は凹面鏡２の焦点位置
、２１は物点、２２は像点である。
Claims (2)
- （１）曲率中心を互いに合致させて２つの凹面鏡を対向
配置し、前記２つの凹面鏡の各々の焦点位置が互いに共
役関係となるように構成したことを特徴とするミラー光
学系。 - （２）前記２つの凹面鏡の焦点距離を各々異なるように
し、全系を縮少系又は拡大系となるように構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のミラー光学系
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253453A JPS63106739A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | ミラ−光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253453A JPS63106739A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | ミラ−光学系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106739A true JPS63106739A (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=17251605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61253453A Pending JPS63106739A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | ミラ−光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63106739A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129815A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 反射縮小投影光学系 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61253453A patent/JPS63106739A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129815A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 反射縮小投影光学系 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101578226B1 (ko) | 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 | |
| US5071240A (en) | Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image | |
| US6710917B2 (en) | 8-mirror microlithography projection objective | |
| JP3005203B2 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH0525170B2 (ja) | ||
| KR19990029826A (ko) | 네개의 거울을 지니는 초 자외선 투영 광학 시스템 | |
| KR100521938B1 (ko) | 조명장치, 그것을 이용한 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JPH075365A (ja) | オフアクシス反射屈折型投影光学系 | |
| KR20040023629A (ko) | 투영 광학계 및 상기 투영 광학계를 구비한 노광 장치 | |
| JP2003107354A (ja) | 結像光学系および露光装置 | |
| JP4207478B2 (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
| TWI399569B (zh) | 投影光學系統、曝光裝置以及元件製造方法 | |
| KR100511360B1 (ko) | 투영광학계 및 그것을 사용한 투영노광장치, 및디바이스제조방법 | |
| JPS5964830A (ja) | 照明装置 | |
| TW200406593A (en) | Projection optical system and exposure device equipped with the projection optical system | |
| JP4051473B2 (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| JPH10303127A (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2005315918A (ja) | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 | |
| JP5504763B2 (ja) | レンズアレイ及び光学系 | |
| JPS63106739A (ja) | ミラ−光学系 | |
| KR101118498B1 (ko) | 투영 광학계 및 그 투영 광학계를 구비한 노광 장치 | |
| JP2005150174A (ja) | 照明光学系及びそれを有する露光装置 | |
| JP2914035B2 (ja) | 輪帯光束形成方法および照明光学装置 | |
| TWI391705B (zh) | 折反射投射物鏡 | |
| KR20050028793A (ko) | 조명광학계 및 노광장치 |