JPS6276532U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6276532U JPS6276532U JP16878085U JP16878085U JPS6276532U JP S6276532 U JPS6276532 U JP S6276532U JP 16878085 U JP16878085 U JP 16878085U JP 16878085 U JP16878085 U JP 16878085U JP S6276532 U JPS6276532 U JP S6276532U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- etching
- chamber
- plasma
- gas
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- Pending
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の縦断面図、第２図
は第１図の部分拡大斜視図、第３図は従来例の縦
断面図である。 １…石英チヤンバー本体、２…石英突起物、３
…プラズマ発生電極、４…ウエハー、５…ウエハ
ーステージ、ａ…石英チヤンバーの肉厚、ｂ…突
起物の高さ、ｃ…突起物の厚さ、ｄ…突起物の巾
。
は第１図の部分拡大斜視図、第３図は従来例の縦
断面図である。 １…石英チヤンバー本体、２…石英突起物、３
…プラズマ発生電極、４…ウエハー、５…ウエハ
ーステージ、ａ…石英チヤンバーの肉厚、ｂ…突
起物の高さ、ｃ…突起物の厚さ、ｄ…突起物の巾
。
Claims (1)
- プラズマ化したエツチングガスを内部に生じさ
せる石英チヤンバー本体の内壁に、前記ガスによ
るエツチングを受けて浸食しチヤンバー肉厚の減
少推移の指標となる石英突起物を設けたことを特
徴とするプラズマエツチング用石英チヤンバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16878085U JPS6276532U (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16878085U JPS6276532U (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276532U true JPS6276532U (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=31101971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16878085U Pending JPS6276532U (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276532U (ja) |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP16878085U patent/JPS6276532U/ja active Pending