JPS6272115A - 化学的気相成長装置 - Google Patents
化学的気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6272115A JPS6272115A JP21285185A JP21285185A JPS6272115A JP S6272115 A JPS6272115 A JP S6272115A JP 21285185 A JP21285185 A JP 21285185A JP 21285185 A JP21285185 A JP 21285185A JP S6272115 A JPS6272115 A JP S6272115A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- gas
- reaction gas
- fed
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、金属元素のアルキル化物を成長用材料とし
て熱分解反応により半導体結晶を基板上で気相成長させ
る化学的気相成長装置に関する。
て熱分解反応により半導体結晶を基板上で気相成長させ
る化学的気相成長装置に関する。
アルキル化物、たとえばトリメチルガリウム（Ｇａ （
ＣＨ３））を気相成長材料として用い、高温で熱分解反
応させることにより気相成長させる装置は、一般に第２
図に示すように構成されている。すなわち、この装置は
、基板ホルダ（サセプタ）１の上面に基板２を設け、こ
の基板２の表面にＧａＡｓをエピタキシャル成長させる
もので、次の反応式で基板２上にＧａＡｓをエピタキシ
ャル成長させることができる。
ＣＨ３））を気相成長材料として用い、高温で熱分解反
応させることにより気相成長させる装置は、一般に第２
図に示すように構成されている。すなわち、この装置は
、基板ホルダ（サセプタ）１の上面に基板２を設け、こ
の基板２の表面にＧａＡｓをエピタキシャル成長させる
もので、次の反応式で基板２上にＧａＡｓをエピタキシ
ャル成長させることができる。
ところで、従来の気相成長装置は、第３図に示すように
、反応炉としてのチャンバー３の４問に高周波加熱コイ
ル４を設けるとともに、内部に基板ホルダ１の上面に基
板２を設け、この球仮ホルダ１を回転させながら前記チ
ャンバー３の上方から反応ガスを供給し、チャンバー３
の下方から反応ガスを排気している。この場合、基板２
の表面に反応ガスを均一に供給することは基板２の表面
に均一な成長膜を形成させる上で最も重要であり、その
ために、基板２の設置方法に種々の工夫をしている。
、反応炉としてのチャンバー３の４問に高周波加熱コイ
ル４を設けるとともに、内部に基板ホルダ１の上面に基
板２を設け、この球仮ホルダ１を回転させながら前記チ
ャンバー３の上方から反応ガスを供給し、チャンバー３
の下方から反応ガスを排気している。この場合、基板２
の表面に反応ガスを均一に供給することは基板２の表面
に均一な成長膜を形成させる上で最も重要であり、その
ために、基板２の設置方法に種々の工夫をしている。
しかしながら、基板ホルダ１は高周波加熱コイル４によ
って約７００°Ｃに加熱されているため、熱の対流現象
か生じる。つまり、基板ホルダ１の近傍のガス流は渦を
形成して上昇し、基板２の表面では不均一なガス流とな
っている。このため、基板２上に均一な厚さのエピタキ
シャル膜を形成することかできす、デバイスの歩留り低
下の原因になっている。
って約７００°Ｃに加熱されているため、熱の対流現象
か生じる。つまり、基板ホルダ１の近傍のガス流は渦を
形成して上昇し、基板２の表面では不均一なガス流とな
っている。このため、基板２上に均一な厚さのエピタキ
シャル膜を形成することかできす、デバイスの歩留り低
下の原因になっている。
この発明は、前記事情に着目してなされたもので、その
１」的とするところは、基板表面上に反応ガスか均一に
流れ、バラツキの少ない成長膜を形成することかできる
化学的気相成長装置を提供することにある。
１」的とするところは、基板表面上に反応ガスか均一に
流れ、バラツキの少ない成長膜を形成することかできる
化学的気相成長装置を提供することにある。
この発明は、前記［」的を達成するために、反応炉とし
てのチャンバー内に基板ホルダを下向きに設けるととも
に、この基板ホルダの下面に基板を設け、このチャンバ
ーの下方からガスを供給し、チャンバーのＬ方からガス
を排気して前記基板表面−Ｌをガスが層流で流れるよう
にしたことにある。
てのチャンバー内に基板ホルダを下向きに設けるととも
に、この基板ホルダの下面に基板を設け、このチャンバ
ーの下方からガスを供給し、チャンバーのＬ方からガス
を排気して前記基板表面−Ｌをガスが層流で流れるよう
にしたことにある。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図中１１は、反応炉としてのチャンバーであり、た
とえば石英ガラスによって形成されている。このチャン
バー１１の内部の中央部には回転軸１２によって支持さ
れた基板ホルダ１３が下向きに設けられている。そして
、この基板ホルダ１３の下面には基板１４が設けられて
いる。また、前記チャンバー１１の下部には反応ガスＧ
をＯｔ給するガス供給口１５が設けられ、上部にはガス
排気口１６が設けられている。そして、反応ガスをチャ
ンバー１１の下方から供給し、上方から排気するように
なっている。なお、１７はチャンバー１１の外周の設け
た高周波加熱コイルであり、チャンバー１１内を約７０
０°Ｃに加熱するようになっている。
とえば石英ガラスによって形成されている。このチャン
バー１１の内部の中央部には回転軸１２によって支持さ
れた基板ホルダ１３が下向きに設けられている。そして
、この基板ホルダ１３の下面には基板１４が設けられて
いる。また、前記チャンバー１１の下部には反応ガスＧ
をＯｔ給するガス供給口１５が設けられ、上部にはガス
排気口１６が設けられている。そして、反応ガスをチャ
ンバー１１の下方から供給し、上方から排気するように
なっている。なお、１７はチャンバー１１の外周の設け
た高周波加熱コイルであり、チャンバー１１内を約７０
０°Ｃに加熱するようになっている。
しかして、高周波加熱コイル１７によってチャンバー１
１内を約７００”Ｃに加熱した状態で、チャンバー１１
の下部に設けられたガス供給口１５から反応ガスＧを供
給すると、この反応ガスＧは基板１４の表面に衝突して
その周辺に向って流れる。このとき、反応ガスＧは基板
１４の表面で層流となり、基板１４に対して反応ガスＧ
を均一に送り込むことかでき、その反応ガスＧはチャン
バー１１の上部のガス排気口１６から排気される。この
ようにｖ、ｌ！１２１４に対して反応ガスＧを均一に１
共給することができるため、基板１４上のエピタキシャ
ル成長膜の膜圧のバラツキはほぼ均一（±５０゜以下）
に押えることができる。
１内を約７００”Ｃに加熱した状態で、チャンバー１１
の下部に設けられたガス供給口１５から反応ガスＧを供
給すると、この反応ガスＧは基板１４の表面に衝突して
その周辺に向って流れる。このとき、反応ガスＧは基板
１４の表面で層流となり、基板１４に対して反応ガスＧ
を均一に送り込むことかでき、その反応ガスＧはチャン
バー１１の上部のガス排気口１６から排気される。この
ようにｖ、ｌ！１２１４に対して反応ガスＧを均一に１
共給することができるため、基板１４上のエピタキシャ
ル成長膜の膜圧のバラツキはほぼ均一（±５０゜以下）
に押えることができる。
以上説明したように、この発明によれば、反応炉として
のチャンバー内に基板ホルダを下向きに設けるとともに
、この基板ホルダの下面に基板を設け、このチャンバー
の下方からガスを供給し、チャンバーの上方からガスを
排気するようにしたから、基板の表面上を反応ガスが層
流で流れ、基板の表面に均一に反応ガスを供給すること
ができる。したがって、成長膜のバラツキを従来に比し
て減少でき、デバイスの歩留りを向上させることができ
るという効果を奏する。
のチャンバー内に基板ホルダを下向きに設けるとともに
、この基板ホルダの下面に基板を設け、このチャンバー
の下方からガスを供給し、チャンバーの上方からガスを
排気するようにしたから、基板の表面上を反応ガスが層
流で流れ、基板の表面に均一に反応ガスを供給すること
ができる。したがって、成長膜のバラツキを従来に比し
て減少でき、デバイスの歩留りを向上させることができ
るという効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例を示す気相成長装置の縦断
正面図、第２図は一般的な気相成長装置の概略的構成図
、第３図は従来の気相成長装置の縦断正面図である。 １１・・・チャンバー、１３・・・基板ホルダ、１４・
・・基板、１５・・・ガス供給口、１６・・・ガス排気
口。
正面図、第２図は一般的な気相成長装置の概略的構成図
、第３図は従来の気相成長装置の縦断正面図である。 １１・・・チャンバー、１３・・・基板ホルダ、１４・
・・基板、１５・・・ガス供給口、１６・・・ガス排気
口。
Claims (1)
- 熱分解反応により半導体結晶を基板上に気相成長させる
ものにおいて、チャンバー内に基板ホルダを下向きに設
けるとともに、この基板ホルダの下面に基板を設け、前
記チャンバーの下方からガスを供給し、チャンバーの上
方からガスを排気して前記基板表面上をガスが層流で流
れるようにしたことを特徴とする化学的気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21285185A JPS6272115A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 化学的気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21285185A JPS6272115A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 化学的気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272115A true JPS6272115A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16629369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21285185A Pending JPS6272115A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 化学的気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272115A (ja) |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21285185A patent/JPS6272115A/ja active Pending
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