JPS627121B2 - - Google Patents
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- JPS627121B2 JPS627121B2 JP53080304A JP8030478A JPS627121B2 JP S627121 B2 JPS627121 B2 JP S627121B2 JP 53080304 A JP53080304 A JP 53080304A JP 8030478 A JP8030478 A JP 8030478A JP S627121 B2 JPS627121 B2 JP S627121B2
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Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、無声放電式のオゾン発生器に関す
る。
る。
従来、この種のオゾン発生器は、例えば第1図
に示すように高圧電極1、接地電極2およびセラ
ミツク等の誘電体3と、これらの間に原料気体の
流路を兼ねる放電空隙4を設けて構成され、上記
放電空隙4を流れる空気や酸素等の原料気体が無
声放電に曝されてオゾン化する。
に示すように高圧電極1、接地電極2およびセラ
ミツク等の誘電体3と、これらの間に原料気体の
流路を兼ねる放電空隙4を設けて構成され、上記
放電空隙4を流れる空気や酸素等の原料気体が無
声放電に曝されてオゾン化する。
ところが、このような従来器では、電極1,2
が放電空隙4と直接接しているために始終オゾン
化気体に晒される。このため電極にステンレス
等、耐食性、耐酸性に優れた金属を用いて電極の
腐食酸化を防止するようにしているが、周知のよ
うにオゾンは天然の酸化剤の中で弗素に次ぐ強力
な酸化力を有しており、電極がオゾンに長期間晒
されると、やはり変質や劣化が起こる。
が放電空隙4と直接接しているために始終オゾン
化気体に晒される。このため電極にステンレス
等、耐食性、耐酸性に優れた金属を用いて電極の
腐食酸化を防止するようにしているが、周知のよ
うにオゾンは天然の酸化剤の中で弗素に次ぐ強力
な酸化力を有しており、電極がオゾンに長期間晒
されると、やはり変質や劣化が起こる。
また、原料気体として空気を用いる場合、一般
に露点が−40℃以下の乾燥空気を使用する。しか
し、空気中の水分が完全に除去されているわけで
はないので、オゾンの生成反応中に生じる無水硝
酸(N2O5)が原料空気中に残存する水分と反応し
て濃硝酸(HNO3)を生じ、これが前記オゾンの
場合と同じように電極の変質や劣化の原因とな
る。
に露点が−40℃以下の乾燥空気を使用する。しか
し、空気中の水分が完全に除去されているわけで
はないので、オゾンの生成反応中に生じる無水硝
酸(N2O5)が原料空気中に残存する水分と反応し
て濃硝酸(HNO3)を生じ、これが前記オゾンの
場合と同じように電極の変質や劣化の原因とな
る。
本発明は、この電極の酸化による変質や劣化を
完全に阻止し、もつて耐用年数の増大を図つたオ
ゾン発生器の提供を目的とするものであつて、電
極の両面にセラミツクを密着させて電極一体型の
誘電体を形成し、この誘電体の両側または片側に
放電空隙を形成することによつて、放電空隙を流
れる原料気体が電極に直接触れないように構成し
た点を特徴とする。
完全に阻止し、もつて耐用年数の増大を図つたオ
ゾン発生器の提供を目的とするものであつて、電
極の両面にセラミツクを密着させて電極一体型の
誘電体を形成し、この誘電体の両側または片側に
放電空隙を形成することによつて、放電空隙を流
れる原料気体が電極に直接触れないように構成し
た点を特徴とする。
第2図および第3図は本発明オゾン発生器の実
施の一例であつて、板状のセラミツク5の内部に
金属膜6をサンドイツチ状に封入して誘電体7を
形成し、これをスペーサー8を介して所定の空隙
4をおいて複数並設し、各誘電体内の金属膜を交
互に高圧、接地の各電極とすることにより誘電体
間の上記空隙4において無声放電を発生するよう
構成される。なお、誘電体7の製造方法は後で詳
しく説明する。
施の一例であつて、板状のセラミツク5の内部に
金属膜6をサンドイツチ状に封入して誘電体7を
形成し、これをスペーサー8を介して所定の空隙
4をおいて複数並設し、各誘電体内の金属膜を交
互に高圧、接地の各電極とすることにより誘電体
間の上記空隙4において無声放電を発生するよう
構成される。なお、誘電体7の製造方法は後で詳
しく説明する。
本発明オゾン発生器では、高圧電極と接地電極
の間に2枚のセラミツクが置かれていると考えれ
ばよく、この電極間のセラミツクの合計厚みが所
定値(第1図の場合の1枚のセラミツクの厚み)
になるよう構成する。同じ理由から、電極の両側
でセラミツクの厚みが異なることは別に差支えな
い。
の間に2枚のセラミツクが置かれていると考えれ
ばよく、この電極間のセラミツクの合計厚みが所
定値(第1図の場合の1枚のセラミツクの厚み)
になるよう構成する。同じ理由から、電極の両側
でセラミツクの厚みが異なることは別に差支えな
い。
また、両端の誘電体の外側の空間では放電が起
こらないので、この空間と接する面は電極が露呈
していてもよい。第4図はその実施例であつて、
電極を封入した誘電体列7,7の両側に、電極面
を外側に向けて電極6の片面だけをセラミツク5
で覆つた誘電体7′を配置してある。このような
誘電体としては、本発明者らの開発した誘電体
(特願昭53−52108)等を使用することができる。
こらないので、この空間と接する面は電極が露呈
していてもよい。第4図はその実施例であつて、
電極を封入した誘電体列7,7の両側に、電極面
を外側に向けて電極6の片面だけをセラミツク5
で覆つた誘電体7′を配置してある。このような
誘電体としては、本発明者らの開発した誘電体
(特願昭53−52108)等を使用することができる。
第5図は同じく本発明の他の実施例であつて、
電極を封入した誘電体7を縦に接続することによ
り放電面積の拡大を図つた例を示している。
電極を封入した誘電体7を縦に接続することによ
り放電面積の拡大を図つた例を示している。
上記各例に見るように、本発明オゾン発生器で
は、放電空隙4を流れる原料気体が電極6に触れ
ないから、オゾンや濃硝酸による劣化が全く見ら
れない。のみならず本発明器では、放電によるセ
ラミツクの劣化も同時に抑制することができる。
は、放電空隙4を流れる原料気体が電極6に触れ
ないから、オゾンや濃硝酸による劣化が全く見ら
れない。のみならず本発明器では、放電によるセ
ラミツクの劣化も同時に抑制することができる。
すなわち、オゾン発生器では一般にオゾン収率
を高め、また電極の印加電圧を低くして誘電体の
劣化を抑えるために、高圧電極と接地電極を出来
るだけ近づけて配置するようにしている。しかし
第1図の従来器では、放電空隙4が誘電体によつ
て2分されているから空隙巾dが電極間の約1/2
と狭く、誘電体の反り、うねり等のために電極と
誘電体が局部的に近接する箇所が現われ、ために
両電極を十分に近づけることが出来ない。
を高め、また電極の印加電圧を低くして誘電体の
劣化を抑えるために、高圧電極と接地電極を出来
るだけ近づけて配置するようにしている。しかし
第1図の従来器では、放電空隙4が誘電体によつ
て2分されているから空隙巾dが電極間の約1/2
と狭く、誘電体の反り、うねり等のために電極と
誘電体が局部的に近接する箇所が現われ、ために
両電極を十分に近づけることが出来ない。
しかるに本発明器では、空隙巾Dが従来器の2
倍(d×2)に広がるから、誘電体の局部加熱等
による熱応力破壊が抑止され、これによつて余裕
の生じた分、電極を互いに接近させることができ
るのである。しかも従来器のように電極が放電空
隙に直接露呈することがないので、スペーサの端
部に沿つて生じる異常放電や集中放電も回避さ
れ、これらの効果が重り合つてセラミツクの寿命
が飛躍的にのびる。
倍(d×2)に広がるから、誘電体の局部加熱等
による熱応力破壊が抑止され、これによつて余裕
の生じた分、電極を互いに接近させることができ
るのである。しかも従来器のように電極が放電空
隙に直接露呈することがないので、スペーサの端
部に沿つて生じる異常放電や集中放電も回避さ
れ、これらの効果が重り合つてセラミツクの寿命
が飛躍的にのびる。
また、電極として金属膜を用いた場合には、電
極の厚みが従来器の金属板(通常0.5〜2.0mm厚)
とは比較にならないほど薄くなり(通常10〜20μ
厚)、これによつてオゾン発生器が小型化され、
さらに電極と誘電体が一体に設けられることによ
つてスペーサーの数が減り構造もかなり簡略化さ
れる。
極の厚みが従来器の金属板(通常0.5〜2.0mm厚)
とは比較にならないほど薄くなり(通常10〜20μ
厚)、これによつてオゾン発生器が小型化され、
さらに電極と誘電体が一体に設けられることによ
つてスペーサーの数が減り構造もかなり簡略化さ
れる。
次に本発明オゾン発生器に使用する誘電体の製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
先ず、必要な形状および厚みに成型した焼成前
のセラミツク板を2枚用意する。そうして1枚の
セラミツク板の片面中央部に、電極として融点が
セラミツクの焼成温度より高いタングステン等の
金属ペーストをスクリーン印刷法等により10〜20
μ厚に塗着する。第6図はそのようにして印刷し
た電極の一例で、5がセラミツク板、6が電極で
ある。本法では、上記のように印刷法が適用でき
るので、複雑な形状の電極も容易に形成でき、特
にリード線の接続部〔第6図9〕を引出すことも
容易である。
のセラミツク板を2枚用意する。そうして1枚の
セラミツク板の片面中央部に、電極として融点が
セラミツクの焼成温度より高いタングステン等の
金属ペーストをスクリーン印刷法等により10〜20
μ厚に塗着する。第6図はそのようにして印刷し
た電極の一例で、5がセラミツク板、6が電極で
ある。本法では、上記のように印刷法が適用でき
るので、複雑な形状の電極も容易に形成でき、特
にリード線の接続部〔第6図9〕を引出すことも
容易である。
次いで、この電極面にもう1枚のセラミツク板
を重ね、これを100〜150℃に加熱して圧着する。
これによつて2枚のセラミツク板が電極を挾んで
密着する。
を重ね、これを100〜150℃に加熱して圧着する。
これによつて2枚のセラミツク板が電極を挾んで
密着する。
最後に、このセラミツク板を水素炉等の還元雰
囲気炉の中で1400〜1600℃で焼成する。この結
果、2枚のセラミツク板が一体となり、電極とセ
ラミツクの密着性に優れ、放電中に温度膨張係数
の差によつて両者が剥れたり、接着不十分のため
に沿面コロナが発生することのない堅固な誘電体
が完成される。
囲気炉の中で1400〜1600℃で焼成する。この結
果、2枚のセラミツク板が一体となり、電極とセ
ラミツクの密着性に優れ、放電中に温度膨張係数
の差によつて両者が剥れたり、接着不十分のため
に沿面コロナが発生することのない堅固な誘電体
が完成される。
還元雰囲気での焼成は、電極の酸化蒸発を防止
するために必須であるが、さらに還元雰囲気での
焼成としたことによつて、焼成時にセラミツクの
下に敷く敷板として金属板が使用できるようにな
り、極めて高い平坦度を有する誘電体が得られ
る。このためオゾン発生器の放電空隙を極めて狭
く設定することができ、オゾン収率向上、セラミ
ツクの保護およびオゾン発生器の小型化を一層推
進する。
するために必須であるが、さらに還元雰囲気での
焼成としたことによつて、焼成時にセラミツクの
下に敷く敷板として金属板が使用できるようにな
り、極めて高い平坦度を有する誘電体が得られ
る。このためオゾン発生器の放電空隙を極めて狭
く設定することができ、オゾン収率向上、セラミ
ツクの保護およびオゾン発生器の小型化を一層推
進する。
しかも上記誘電体は、電極周囲のセラミツク接
合部がセラミツクの一体化によつて事実上消滅し
ているから、接合部からの気体侵入も完全に阻止
され、電極の変質や劣化がより確実に防止され
る。
合部がセラミツクの一体化によつて事実上消滅し
ているから、接合部からの気体侵入も完全に阻止
され、電極の変質や劣化がより確実に防止され
る。
以上の説明から明らかなように、本発明は、電
極の酸化劣化を防止し、しかもセラミツクの放電
劣化も同時に抑制することができるから、オゾン
発生器の寿命を大きく延ばし、さらにオゾン収率
の向上、誘電体の耐久性向上等、数多くの効果を
奏するものである。
極の酸化劣化を防止し、しかもセラミツクの放電
劣化も同時に抑制することができるから、オゾン
発生器の寿命を大きく延ばし、さらにオゾン収率
の向上、誘電体の耐久性向上等、数多くの効果を
奏するものである。
第1図は従来のオゾン発生器の縦断面図、第2
図および第3図は本発明を実施したオゾン発生器
の縦断面図および横断面図、第4図、第5図は本
発明の他の実施器の縦断面図、第6図は本発明器
の電極形状を例示した側面図である。 図面中の記号の説明、1:高圧電極、2:接地
電板、3,7,7′:誘電体、4:放電空隙、
5:セラミツク、6:金属膜(電極)、8:スペ
ーサー、9:リード線の接続部。
図および第3図は本発明を実施したオゾン発生器
の縦断面図および横断面図、第4図、第5図は本
発明の他の実施器の縦断面図、第6図は本発明器
の電極形状を例示した側面図である。 図面中の記号の説明、1:高圧電極、2:接地
電板、3,7,7′:誘電体、4:放電空隙、
5:セラミツク、6:金属膜(電極)、8:スペ
ーサー、9:リード線の接続部。
Claims (1)
- 1 焼成前のセラミツクの表面中央部に電極とし
て融点がセラミツクの焼成温度より高い金属ペー
ストを塗着し、その上に焼成前のセラミツクを密
着し、これを還元雰囲気の中で焼成して得られた
内部に前記電極を封入する一体誘電体の両側また
は片側に原料気体の流路を兼ねる放電空隙を形成
したことを特徴とするオゾン発生器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8030478A JPS557564A (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Ozonizer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8030478A JPS557564A (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Ozonizer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS557564A JPS557564A (en) | 1980-01-19 |
JPS627121B2 true JPS627121B2 (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=13714526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8030478A Granted JPS557564A (en) | 1978-06-30 | 1978-06-30 | Ozonizer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS557564A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004224695A (ja) * | 1999-01-29 | 2004-08-12 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | オゾン発生装置用放電セル |
Families Citing this family (11)
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---|---|---|---|---|
JPS5944782A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | 増田 閃一 | 沿面コロナ放電素子およびその製造方法 |
JPH0616891Y2 (ja) * | 1987-06-16 | 1994-05-02 | 宇部興産株式会社 | オゾン反応処理装置 |
JPH0763032B2 (ja) * | 1989-11-10 | 1995-07-05 | 閃一 増田 | 物体の静電的処理装置 |
JPH071592U (ja) * | 1993-06-10 | 1995-01-10 | 啓平 李 | コロナ発生器 |
JP2005093423A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ発生電極及びプラズマ反応器 |
JP4494955B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2010-06-30 | 日本碍子株式会社 | プラズマ発生電極及びプラズマ反応器 |
JP5075670B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2012-11-21 | 日本碍子株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN111634132B (zh) * | 2020-04-25 | 2020-12-11 | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 | 一种磁控管陶瓷金属化涂浆控制方法及其应用系统 |
JP7360422B2 (ja) * | 2021-07-02 | 2023-10-12 | 日本特殊陶業株式会社 | オゾン発生体及びオゾン発生器 |
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WO2024057424A1 (ja) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5285093A (en) * | 1976-01-09 | 1977-07-15 | Kuniaki Horikoshi | Ozone generating apparatus and electric discharger therefor and electrode plate |
JPS52114490A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-26 | Nippon Denshi Zairiyou Kk | Ozonizer |
-
1978
- 1978-06-30 JP JP8030478A patent/JPS557564A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS557564A (en) | 1980-01-19 |
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