JPS6270541A - 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 - Google Patents
半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材Info
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- JPS6270541A JPS6270541A JP20809685A JP20809685A JPS6270541A JP S6270541 A JPS6270541 A JP S6270541A JP 20809685 A JP20809685 A JP 20809685A JP 20809685 A JP20809685 A JP 20809685A JP S6270541 A JPS6270541 A JP S6270541A
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- semiconductor device
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- alloy lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣＣｕＳＩなどの半導体装置の製造に用
いられるＣｕ合金リード累相互関するものである。
いられるＣｕ合金リード累相互関するものである。
一般に、半導体装置のリード材となるＣｕ合金リード素
材には、 （１）良好なプレス打扱き性、 （２）半導体木子の加熱接着あるいは加熱拡散圧乞に際
して熱歪および熱軟化が生じない耐熱性、（３）良好な
放熱性と導電性、 （４）半導体装置の輸送あるいは電気機器への組込みに
際して曲がりや繰り返し曲げによって破罰が生じない強
度および伸び、 が要求され、特性的には、特定使用分野に限って見れば
、 強度を評価する目的で、引張り強さ：４０Ｋｇｆ／−以
上、 伸び：４％以上、 放熱性および導電性を評価する目的で、導電率：５０％
ｌＡＣ３以上、 耐熱性を評価する目的で、軟化点＝４００℃以上、を具
備することが必要とされるが、これらの特性を有するＣ
ｕ合金リード素材としては材料的に多数のものが提案さ
れ、実用に供されている。
材には、 （１）良好なプレス打扱き性、 （２）半導体木子の加熱接着あるいは加熱拡散圧乞に際
して熱歪および熱軟化が生じない耐熱性、（３）良好な
放熱性と導電性、 （４）半導体装置の輸送あるいは電気機器への組込みに
際して曲がりや繰り返し曲げによって破罰が生じない強
度および伸び、 が要求され、特性的には、特定使用分野に限って見れば
、 強度を評価する目的で、引張り強さ：４０Ｋｇｆ／−以
上、 伸び：４％以上、 放熱性および導電性を評価する目的で、導電率：５０％
ｌＡＣ３以上、 耐熱性を評価する目的で、軟化点＝４００℃以上、を具
備することが必要とされるが、これらの特性を有するＣ
ｕ合金リード素材としては材料的に多数のものが提案さ
れ、実用に供されている。
しかし、近年の半》り休装置にお（Ｊる集積度の益々の
向上に伴って、Ｃｕ合金リード素材には、上記の特性を
具備した上で、さらに高強度が要求されるようになって
おり、この要求に十分対応できる特性を具備したＣｕ合
金リード素材の開発が強く望まれている。
向上に伴って、Ｃｕ合金リード素材には、上記の特性を
具備した上で、さらに高強度が要求されるようになって
おり、この要求に十分対応できる特性を具備したＣｕ合
金リード素材の開発が強く望まれている。
そこで、本発明考等は、上述のような観点から、半導体
装置用Ｃｕ合金り〜ド累Ｈに要求される特性を具備した
上で、さらに一段と高強度を有するＣｕ合金リード素材
を開発すべく研究を行なった結果、重量％で（以下％は
重に％を示す）、Ｃｒ ： ０．０５〜１％。
装置用Ｃｕ合金り〜ド累Ｈに要求される特性を具備した
上で、さらに一段と高強度を有するＣｕ合金リード素材
を開発すべく研究を行なった結果、重量％で（以下％は
重に％を示す）、Ｃｒ ： ０．０５〜１％。
Ｚｒ ： ０．００５〜０．３％。
の１種または２種を含イｊし、
Ｃ： ５〜６０ｐｐｍ 。
を含有し、さらに、
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、および［３ｅのうちの１種ま
たは２種以上（以下、これらを第１群金属という）
： ０．００５〜２％。
たは２種以上（以下、これらを第１群金属という）
： ０．００５〜２％。
Ｍｇ、ｓｉ、Ａｆｆｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ。
Ｙ、および希土類元素のうちの１種または２種以上（以
下、これらを第２群金属という） ： ０．００１〜
１％、 Ｔｉ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｔａ 、Ｈｆ 、Ｍｏ 、および
Ｗのうらの１種または２種以上（以下、これらを第３８
Ｙ金属という） ： ０．００５〜２％。
下、これらを第２群金属という） ： ０．００１〜
１％、 Ｔｉ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｔａ 、Ｈｆ 、Ｍｏ 、および
Ｗのうらの１種または２種以上（以下、これらを第３８
Ｙ金属という） ： ０．００５〜２％。
以上第１〜３群金属のうちのいずれか、または２種以上
を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸米含有
蚤は３５ ｐｐｍ以下）からなる組成を伸び：６％以上
、 導電率：５０％ｌＡＣ３以上、 軟化点：４００’Ｃ以上、 の特性を有し、これらの特性を有するＣｕ合金リード素
材は、集積度の高い半導体装置のリード材として十分満
足する性能を発揮するという知見を得たのである。
を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸米含有
蚤は３５ ｐｐｍ以下）からなる組成を伸び：６％以上
、 導電率：５０％ｌＡＣ３以上、 軟化点：４００’Ｃ以上、 の特性を有し、これらの特性を有するＣｕ合金リード素
材は、集積度の高い半導体装置のリード材として十分満
足する性能を発揮するという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、以下に成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。
て、以下に成分組成を上記の通りに限定した理由を説明
する。
ｆａ）Ｃｒおよび７−ｒ
これらの成分には、強度および耐熱性を向上させる作用
があるが、その含有量がそれぞれＣｒ二０．０５％未満
、およびＺｒ ： ０．００５％未満では前記作用に
所望の効果が得られず、一方その含有量が、それぞれＣ
ｒ１％およびＺｒ ： ０．３％を越えると、非金属
介在物が発生し易くなって、めっき性や導電率が低下す
るようになることがら、その含有量をＣｒ ： ０．０
５〜１％、 Ｚｒ ： ０．００５〜０．３％と定
めた。
があるが、その含有量がそれぞれＣｒ二０．０５％未満
、およびＺｒ ： ０．００５％未満では前記作用に
所望の効果が得られず、一方その含有量が、それぞれＣ
ｒ１％およびＺｒ ： ０．３％を越えると、非金属
介在物が発生し易くなって、めっき性や導電率が低下す
るようになることがら、その含有量をＣｒ ： ０．０
５〜１％、 Ｚｒ ： ０．００５〜０．３％と定
めた。
（ｂ） Ｃ
Ｃ成分には、炭化物を形成して、結晶粒および析出物の
微細化に寄゛与し、もって強度を向上させる作用がある
が、その含有量が５ ｐｐｍ未満では所望の高強度を確
保することができず、一方その含有量が６０１）ｌ１ｍ
を越えると塑性加工性が低下するようになることから、
その含有量を５〜６０１）ＤＩｌｌと定めた。ただし、
この場合、不可避不純物としての酸素含有量が３５１）
１１Ｉｌｌを越えると、Ｃ成分が５ ｐｐｍ未満となっ
てしまい、すなわち５ ｐｐｍ以上のＣ成分を含有させ
ることが困難となって、所望の高強度を確保することが
できなくなるので、酸素含有ｍは３５１）ｌ）Ｉｌｌ以
下としなければならない。
微細化に寄゛与し、もって強度を向上させる作用がある
が、その含有量が５ ｐｐｍ未満では所望の高強度を確
保することができず、一方その含有量が６０１）ｌ１ｍ
を越えると塑性加工性が低下するようになることから、
その含有量を５〜６０１）ＤＩｌｌと定めた。ただし、
この場合、不可避不純物としての酸素含有量が３５１）
１１Ｉｌｌを越えると、Ｃ成分が５ ｐｐｍ未満となっ
てしまい、すなわち５ ｐｐｍ以上のＣ成分を含有させ
ることが困難となって、所望の高強度を確保することが
できなくなるので、酸素含有ｍは３５１）ｌ）Ｉｌｌ以
下としなければならない。
（Ｃ）第１群金属
これらの成分には、強度を向上させるほか、プレス打抜
き時の変形およびパリ発生を防止する作用があるが、そ
の含有ｍが０．００５％未満では前記作用に所望の効果
が得られず、一方その含有量が２％を越えると導電率が
低下するようになることから、その含有量を０．００５
〜２％と定めた。
き時の変形およびパリ発生を防止する作用があるが、そ
の含有ｍが０．００５％未満では前記作用に所望の効果
が得られず、一方その含有量が２％を越えると導電率が
低下するようになることから、その含有量を０．００５
〜２％と定めた。
（ｄ）第２群金属
これらの成分には、いずれも脱酸作用があるほか、導電
率、めっき性、およびはんだ付は性を向上させる作用が
あるが、その含有ｍが０．００１％未満では前記作用に
所望の効果が得られず、一方その含有量が１％を越える
と、前記作用に劣化傾向が現われるようになることから
、そのＳ右ｍを０．００１〜１％と定めた。
率、めっき性、およびはんだ付は性を向上させる作用が
あるが、その含有ｍが０．００１％未満では前記作用に
所望の効果が得られず、一方その含有量が１％を越える
と、前記作用に劣化傾向が現われるようになることから
、そのＳ右ｍを０．００１〜１％と定めた。
（ｅ）第３群金属
これらの成分には、強度および耐熱性を向上させる作用
があるが、その含有量がｏ、 ｏｏｓ％未満では前記作
用に所望の効果が得られず、一方その含有量が２％を越
えるとｙＪ導電率低下するようになることから、その含
有ωをｏ、 ｏｏｓ〜２％と定めた。
があるが、その含有量がｏ、 ｏｏｓ％未満では前記作
用に所望の効果が得られず、一方その含有量が２％を越
えるとｙＪ導電率低下するようになることから、その含
有ωをｏ、 ｏｏｓ〜２％と定めた。
（実施例〕
つぎに、この発明のＣｕ合金リード素材を実施例により
具体的に説明する。
具体的に説明する。
通常の低周波溝型誘導炉を用い、Ｃｕ原料を黒鉛板で覆
うと共に、Ａｒ雰囲気中で溶解し、溶落後、溶湯温度が
１２２０〜１４８０℃の範囲内の所定温度に上昇した時
点でＡｒガスを吹込んで、溶湯の脱ガスと攪拌を行ない
、ついでこの状態の攪拌中の溶湯に合金成分を添加して
含有させ、かつ最終的にＣＯガスを吹込んで、不可避不
純物としての酸素含有量を３５１）！Ｉ１１以下とする
と共に、Ｃ含有量を５〜６０１）ＤＩの範囲内の所定含
有ωに調製してそれぞれ第１表に示される成分組成をも
った溶湯とし、ついで同じ＜Ａｒ雰囲気中にて、これを
、水冷鋳型を用い、平面形状：５０ｍ”Ｘ高さ：１００
ｍｍの寸法をもった鋳塊とし、この面削後の鋳塊に、８
００〜９５０℃の範囲内の所定の熱間圧延開始温度にて
熱間圧延を施して厚さ：１１ｍｍの熱延板とし、ついで
水冷後、前記熱延板の上下両面を０．５咽づつ面削して
厚さ：１０Ｉｎ！Ｒとし、引続いてこれに通常の条骨で
冷開圧延と焼鈍を交互に繰返し施して、厚さ： ０．
３履の条材とし、最終的に４００〜５５０℃の範囲内の
所定温度”で歪取り焼鈍を施すことによって本発明Ｃｕ
合金リード素材１〜２０をそれぞれ製造した。
うと共に、Ａｒ雰囲気中で溶解し、溶落後、溶湯温度が
１２２０〜１４８０℃の範囲内の所定温度に上昇した時
点でＡｒガスを吹込んで、溶湯の脱ガスと攪拌を行ない
、ついでこの状態の攪拌中の溶湯に合金成分を添加して
含有させ、かつ最終的にＣＯガスを吹込んで、不可避不
純物としての酸素含有量を３５１）！Ｉ１１以下とする
と共に、Ｃ含有量を５〜６０１）ＤＩの範囲内の所定含
有ωに調製してそれぞれ第１表に示される成分組成をも
った溶湯とし、ついで同じ＜Ａｒ雰囲気中にて、これを
、水冷鋳型を用い、平面形状：５０ｍ”Ｘ高さ：１００
ｍｍの寸法をもった鋳塊とし、この面削後の鋳塊に、８
００〜９５０℃の範囲内の所定の熱間圧延開始温度にて
熱間圧延を施して厚さ：１１ｍｍの熱延板とし、ついで
水冷後、前記熱延板の上下両面を０．５咽づつ面削して
厚さ：１０Ｉｎ！Ｒとし、引続いてこれに通常の条骨で
冷開圧延と焼鈍を交互に繰返し施して、厚さ： ０．
３履の条材とし、最終的に４００〜５５０℃の範囲内の
所定温度”で歪取り焼鈍を施すことによって本発明Ｃｕ
合金リード素材１〜２０をそれぞれ製造した。
ついで、この結果得られた本発明Ｃｕ合金リード素材１
〜２０について、引張り強さ、伸び、導電率、および軟
化点を測定した。これらの結果を第１表に示した。
〜２０について、引張り強さ、伸び、導電率、および軟
化点を測定した。これらの結果を第１表に示した。
第１表に示される結果から、本発明Ｃｕ合金リード素材
１〜２０は、いずれも、 ５１Ｋｙｆ／−以上の引張り強さ、 ６．２％以上の伸び、 ５２％ｌＡＣ３以上の導電率、 ４１０℃以上の軟化点、 を示し、これらの値は半導体装置のリード素材に要求さ
れる特性を十分満足して具備することを示し、かつ強度
が一段と高い値を示すことが明らかである。
１〜２０は、いずれも、 ５１Ｋｙｆ／−以上の引張り強さ、 ６．２％以上の伸び、 ５２％ｌＡＣ３以上の導電率、 ４１０℃以上の軟化点、 を示し、これらの値は半導体装置のリード素材に要求さ
れる特性を十分満足して具備することを示し、かつ強度
が一段と高い値を示すことが明らかである。
上述のように、この発明のＣｕ合金リード素材は通常の
半導体装置用Ｃｕ合金リード素材に要求される伸び、導
電率、および軟化点を具備した上で、さらに一段と高い
強度を具備するので、通常の半導体装置は勿論のこと、
集積度の高い半導体装置のリード素材としてすぐれた性
能を発揮するものである。
半導体装置用Ｃｕ合金リード素材に要求される伸び、導
電率、および軟化点を具備した上で、さらに一段と高い
強度を具備するので、通常の半導体装置は勿論のこと、
集積度の高い半導体装置のリード素材としてすぐれた性
能を発揮するものである。
Claims (8)
- （１）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
するＣｕ合金で構成されたことを特徴とする高強度を有
する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材。 - （２）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
するＣｕ合金で構成されたことを特徴とする高強度を有
する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材。 - （３）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
するＣｕ合金で構成されたことを特徴とする高強度を有
する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材。 - （４）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有するＣｕ合金
で構成されたことを特徴とする高強度を有する半導体装
置用Ｃｕ合金リード素材。 - （５）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有
量は３５ｐｐｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有
するＣｕ合金で構成されたことを特徴とする高強度を有
する半導体装置用Ｃｕ合金リード素材。 - （６）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有するＣｕ合金
で構成されたことを特徴とする高強度を有する半導体装
置用Ｃｕ合金リード素材。 - （７）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有するＣｕ合金
で構成されたことを特徴とする高強度を有する半導体装
置用Ｃｕ合金リード素材。 - （８）Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．３％、 のうちの１種または２種を含有し、 Ｃ：５〜６０ｐｐｍ、 を含有し、さらに、 Ｎｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＢｅのうちの１種また
は２種以上：０．００５〜２％、 Ｍｇ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｂ、Ｐ、Ｌｉ、Ｙ、お
よび希土類元素のうちの１種または２種以上：０．００
１〜１％、 Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、およびＷのうちの
１種または２種以上：０．００５〜２％、を含有し、残
りがＣｕと不可避不純物（ただし酸素含有量は３５ｐｐ
ｍ以下）からなる組成（以上重量％）を有するＣｕ合金
で構成されたことを特徴とする高強度を有する半導体装
置用Ｃｕ合金リード素材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20809685A JPS6270541A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
| US06/903,514 US4749548A (en) | 1985-09-13 | 1986-09-03 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
| GB8621958A GB2181742B (en) | 1985-09-13 | 1986-09-11 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
| DE19863631119 DE3631119A1 (de) | 1985-09-13 | 1986-09-12 | Leitermaterial auf basis von kupferlegierungen zur anwendung fuer halbleitervorrichtungen |
| US07/166,217 US4872048A (en) | 1985-09-13 | 1988-03-10 | Semiconductor device having copper alloy leads |
| GB8907058A GB2219473B (en) | 1985-09-13 | 1989-03-29 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20809685A JPS6270541A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270541A true JPS6270541A (ja) | 1987-04-01 |
| JPS6338413B2 JPS6338413B2 (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=16550568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20809685A Granted JPS6270541A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-20 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270541A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991015608A1 (fr) * | 1990-04-09 | 1991-10-17 | Nippon Steel Corporation | Tole en alliage de fer et de cuivre avec structure alliee a excellente homogeneite |
| US5445686A (en) * | 1990-04-09 | 1995-08-29 | Nippon Steel Corporation | Fe-Cu alloy sheet having an alloy structure of high uniformity |
| WO1999046415A1 (fr) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Mitsubishi Shindoh Corporation | Alliage de cuivre et feuille mince en alliage de cuivre possedant une resistance a l'usure amelioree en tant que moule metallique d'estampage |
| US6682824B1 (en) | 2000-04-11 | 2004-01-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Adhesion-resistant oxygen-free roughly drawn copper wire and method and apparatus for making the same |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20809685A patent/JPS6270541A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991015608A1 (fr) * | 1990-04-09 | 1991-10-17 | Nippon Steel Corporation | Tole en alliage de fer et de cuivre avec structure alliee a excellente homogeneite |
| EP0477383A1 (en) * | 1990-04-09 | 1992-04-01 | Nippon Steel Corporation | Iron-copper alloy plate with alloy structure excellent in homogeneity |
| US5445686A (en) * | 1990-04-09 | 1995-08-29 | Nippon Steel Corporation | Fe-Cu alloy sheet having an alloy structure of high uniformity |
| EP0477383B1 (en) * | 1990-04-09 | 1996-02-07 | Nippon Steel Corporation | Iron-copper alloy plate with alloy structure excellent in homogeneity |
| WO1999046415A1 (fr) * | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Mitsubishi Shindoh Corporation | Alliage de cuivre et feuille mince en alliage de cuivre possedant une resistance a l'usure amelioree en tant que moule metallique d'estampage |
| US6682824B1 (en) | 2000-04-11 | 2004-01-27 | Mitsubishi Materials Corporation | Adhesion-resistant oxygen-free roughly drawn copper wire and method and apparatus for making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338413B2 (ja) | 1988-07-29 |
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