JPS62502624A - 液晶組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
スメクチック液晶相
本発明はカイラルにチルトされたスメクチック液晶相の構成成分として下記式I
で示される化合物を使用することおよび式Iで示される化合物を含有するカイラ
ルにチルトされたスメクチック液晶相に関する:R’ −A’−A2−R21
〔式中R1およびR2はそれぞれC原子1〜15個を有するアルキルであり、こ
れらの基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はま
た一〇−1−S−1−〇〇−1−0−CO−1−CO−O−1−CO−8−1−
5−CO−1−cHハロダン−1−CHCN−および(または)−CH=CH−
により置き換えられていてもよく、A1は1,4−フェニレン、トランス−1,
4−シクロヘキシレンまたは単結合であり、そしてA2は−0−CO−1−co
7o−1−s−co−1−CO−8−1−CH20−、−0CH2−または−C
H2CH2−である)である、但しA1が単結合である場合には、A2は
である〕。
強誘電性を有するカイラルにチルトされたスメクチック液晶相は一種または二種
以上のチルトされたスメクチック相を有する基材混合物に適当なカイラルドーピ
ング物質を添加することにより調製できる( L、A、 Beresnev他に
よるMob、 Cryst、 Liq、 Cryst、 89.327頁(19
82年);H,R,Brand他によるJ、 Physique旦(Lett、
)、L −771(1983年)参照〕。このような相はカイラルにチルトされ
た相の強誘電性に基づ(C1arkおよびLagerwallにより開示された
S 5FLC技術原則〔この原則はN、A、 C1arkおよびS、T。
LagerwallによるAppl、 Phys、 Lett、 36 、89
9頁(1980年);米国特許明細書筒4,66ス924号に記載されている〕
にもとづく迅速なスイッチング時間を有する表示用の誘電体として使用できる。
この相では、長軸方向に伸びている分子が層内に配列されており、分子はこれら
の層の直交方向に対してチルト角を有する。層から層に進むに従って、このチル
ト方向は層に対して軸方向垂直で角度が小さくなるように変化し、かくしてヘリ
ックス構造が形成される。5SFLC技術原則技術色づく表示においては、スメ
クチック層がセル平面に対して垂直に配列されている。
分子のチルト方向のこのヘリカル配列は各セル平板間の非常に小さい間隔(約1
〜2μm)により抑制される。分子の長軸はこれによってセル平面に対して平行
にそれら自体が平面状態で整列させられる。これは2種の異なるチルト配向が生
じることを意味する。適当な交流電界を適用することにより、系は自発分極を示
す液晶相においてこれら2種の状態の間で前後にスイッチすることができる。こ
のスイッチングプロセスはネマチック液晶にもとづく慣用のねじれセル(TN−
LCD8)に比較して格別にさらに迅速である。
カイラルにチルトされたスメクチック相(たとえばSc*、しかしまたSH*、
S工1、Sど、SK*、SG*およびSF*)に現在使用できる材料がかカリの
用途に対して有する最大の欠点はそれらの低い化学物質、熱および光に対する安
定性にある。今日、入手できるカイラルにチルトされたスメクチック混合物を基
材とする表示のもう一つの有害な性質はその自発分極値が低くすぎることにあり
、これにより表示のスイッチ時間物性は有害な影響を受けそして(または)相の
ピッチおよび(または)チルトおよび(または)粘度は表示技術の要求に適合し
なくなる。さらにまた、強誘電性相の温度範囲は通常、狭すぎ、そして主として
高すぎる温度にある。
カイラルにチルトされたスメクチック混合物の構成成分として式Iで示される化
合物を使用すると、前記の欠点を実質的に減少できることがここに見い出された
。すなわち、式Iで示される化合物はカイラルにチルトされたスメクチック液晶
相の構成成分として格別に適している。特に、これらの化合物を使用することに
より、特に化学的に安定であり、好ましい強誘電性相範囲および好ましい粘度値
、特に広いSc*相範囲を有し、0℃以下の温度に低下する過冷状態でも結晶化
を生じ々い格別の性質を有し、そしてこのような相のための高い自発分極値を有
するカイラルにチルトされたスメクチック液晶相が製造できる。Pは自発分極を
nC7cm2で表わす記号である。
式Iで示される化合物の中で、5−n−アルキル−2−(4−n−アルコキシフ
ェニル)−ピリミジン化合物がサーモグラフィ用のスメクチック液晶材料の構成
成分として(東ドイツ国特許第148,676号)または電気光学組立物品にお
けるゲスト−ホスト混合物の構成成分として(束Pイッ国特許第129,699
号)、使用できることは開示されているが、これらの化合物が、たとえばC1a
rkおよびLagerwallにより開示されたSS’FLC技術にもとづく強
誘電性表示用のカイラルにチルトされたスメクチック混合物の構成成分として使
用できることはこれらの特許に全く記載されていない。
式■で示される化合物は広い適用範囲を有する。置換基を選択することにより、
これらの化合物は液晶スメクチック相を主として構成する基材として使用できる
;しかしながら、式Iで示される化合物は、たとえばこのような誘電体の誘電異
方性および(または)光学異方性および(または)粘度および(または)自発分
極および(−i!たけ)相範囲および(または)チルト角および(または)ピッ
チを変えるために、別種の化合物からの液晶基材に添加することもできる。
従って、本発明は式Iで示される化合物をカイラルにチルトされたスメクチック
液晶相の構成成分として使用することに関する。本発明はさらにまた、式Iで示
される化合物の少なくとも一種を含有するカイラルにチルトされだスメクチック
液晶相およびこのような相を含む液晶表示素子、特に強誘電性電気光学表示素子
に関する。
本発明による相は好ましくは少なくとも3種、特に少なくとも5種の式Iで示さ
れる化合物を含有する。本発明による特に好ましいカイラルにチルトされた液晶
相はアキラル基材混合物が式Iで示される化合物に加えて、負のまたは比較的低
い正の誘電異方性を有する別種の構成成分の少なくとも一種を含むものである。
アキラル基材混合物のこの(または)これらの別種の構成成分は基材混合物の1
〜50チ、好ましくは10〜25%を占めることができる。比較的低い正のまた
は負の誘電異方性を有する適当なもう一種の構成成分は式■で示される化合物で
あり、これらは部分式■ユ〜■1で示される化合物を各式中、R4およびR5は
それぞれ好ましくはC原子6〜12個をそれぞれ有する直鎖状アルキル、アルコ
キシ、アルカノイルオキシまたはアルコキシカルボニルである。
Xは好ましくはOである。式If、、TJbs l1a−■e、IlfおよびR
8で示される化合物において、1,4−フェニレン基はハロダンまたはCN、特
に好ましくはフッ素によりラテラルに置換されていてもよい。
特に好ましい化合物はR4およびR5がそれぞれC原子5〜10個をそれぞれ有
する直鎖状アルキルまたはアルコキシである部分式■ユ、Ilb、I[aおよび
nfで示される化合物である。
特に好ましい各化合物を次表に示す:
■a n−オクチルオキシ n−ペンチル ○112I n−デシルオキシ n
−ヘプチル 0部分式■。、nhおよび■、で示される化合物は融点を降下させ
る添加物として適しており、通常多くて5チ、好ましくは1〜3%の量で基材混
合物に添加する。部分式11o、Ilhおよび■、で示される化合物において、
R4およびR5は好ましくはC原子2〜7個、好ましくは3〜5個を有する直鎖
状アルキルである。本発明による相における融点の降下に適するもう一つの群の
化合物は式(式中R4およびR5は■。、nhおよび■iについて前記した好ま
しい意味の一つを有する)で示される化合物である。
負の誘電異方性を有する、適当なもう一種の成分はさらにまた、構造要素A、B
またはC
を含む化合物である。
CN
H1−q3− q 4− R//7 [1゜各式中、R′およびR“はそれぞれ
好ましくは、C原子2〜10個をそれぞれ有する直鎖状アルキルまたはアルコキ
シ基である。QlおよびQ2はそれぞれ1,4−フェニレン、トランス−1,4
−シクロヘキシレン、4.4’−ビフェニリル、4−()ランス−4−シクロヘ
キシル)−フェニルまたはトランス、トランス−4,4′−ビシクロヘキシルで
あるかあるいは基Q1およびQ2の一方はまた単結合である。
Q3およびQ4はそれぞれ1,4−フェニレン、4.4’−ビフェニリルlたは
)−yシスー1,4−シクロヘキシレンである。基Q3およびQ4の一方はまた
1、4−フェニレン基であることができ、この基中に存在する少なくとも1個の
CHである。弐■。で示される特に好ましい化合物は式]1./(式中Aは1,
4−フェニレンマタハ)ランス−1,4−シクロヘキシレンであり、そしてnは
0または1である)で示される化合物である。
式Iで示される化合物は三核状化合物および三核状化合物を包含する。三核状化
合物が好ましく、この中ではR1がC原子7〜10個、特に7〜9個を有するn
−アルキルである化合物が好ましい。R’=n−ヘプチルまたはn−オクチルで
ある式Iで示される化合物は本発明による相に良好な低温物性を与え、他方R’
=n−ノニルである相当する化合物は本発明による相のSA/sc転移温度を高
めることができる。
本発明による好ましい相はR1がn−ノニルである式Iで示される化合物の少な
くとも一種およびR1がn−ヘプチルまたはn−オクチルでちる式Iで示される
化合物の少なくとも一種を含有する。本発明による特に好ましい相はR1がn−
ヘプチル、n−オクチルシたはn−ノニルである式Iで示される化合物(多種)
を含有する相である。式Iで示される三核状化合物におけるR2は好ましくはC
原子6〜12個、特に7〜10個を有するn−アルコキシである。本発明による
相は好ましくは、R2−IJ’ n −ヘキシルオキシ、n−へブチルオキシま
たはn−オクチルオキシ(好ましくはn−へブチルオキシまたはn−オクチルオ
キシ)である式lで示される化合物の少なくとも一種およびR2がn−ノニルオ
キシまたはn−デシルオキシである式Iで示される化合物の少なくとも一種を含
有する。式Iで示される好ましい三核状化合物の基R1およびR2におけるC原
子の合計は好ましくは15または16個以上、特に好ましくは15〜20個の範
囲である。式lで示される特に好ましい各化合物を次表にあげる:n−ノニル
n−へキシルオキシ −
n−オクチル n−デシルオキシ −
n−オクチル n−オクチルオキシ −n−オクチル n−へブチルオキシ −
n−ヘプチル n−デシルオキシ −
n−ヘプチル n−ノニルオキシ −
さらにまた好ましい式lで示される化合物はR1がC原子7〜10個を有するn
−アルキルであり、そしてR2がC原子5〜10個をそれぞれ有するn−アルカ
ノイルオキシ、n−アルコキシカルボニルまたはn−アルキルチオである化合物
である。
本発明による相は式Iで示される三核状化合物の少なくとも一種および(または
) R”?l: n−アルキルチオでちる式lで示される化合物の一種を含有す
ると好ましい。
これらの相は特に高いSc/sA転移温度を有する点で格別でちる。
しかしながら、本発明によるその他の好ましい相はA1が単結合である式lで示
される化合物を単に含有するだけの相である。これらの相は特に好ましい低温挙
動および特に低い粘度値の点で格別である。その他の本発明による好ましい相は
基R1またはR2の少なくとも一方が分枝鎖状アルキルまたはアルコキシ基であ
る式Iで示される化合物を含有する相でちる。これらの相は同様に、好ましい低
温挙動を示す。
R1およびR2は相互に独立して、それぞれ好ましくけC原子5〜12個、特に
6〜10個をそれぞれ有するアルキル、アルコキシ、アルカノイル、アルカノイ
ルオキシ、アルコキシカルボニルまタハアルコキシカルポニルオキシでちると好
ましい。アルキルおよびアルコキシが特に好適である。基R1およびR2のうち
の一方は好ましくはアルキルである。特に好適な組合せは ulがアルキルであ
って R2がアルコキシである場合およびR1がアルコキシであって B2がア
ルコキシである場合でちる。直鎖状アルキル基を有するR1およびR2が特に好
ましい。
さらにまた好ましい本発明による相はR1がC原子7〜10個を有するn−アル
キルであり、そしてR2が−CH2O−(CH2)p−CH3または一〇−(C
H2)q−0−(CH2)r−CH3である式Iで示される三核状化合物の少な
くとも一種を含有する相である。pは好ましくは4〜10、特に5〜9である。
qは好ましくは1〜2、特に好ましくは2である。
rは4〜101特に好ましくは5〜9である。qはまだの場合に、1,4−フェ
ニレンである。Zは好ましくはさらにまた好ましい本発明による相は式(各式中
島はC原子3〜12個を有するアルキルであり、そしてRbはC原子5〜12個
をそれぞれ有するアルキルまたはアルコキシである)で示される化合物の少なく
とも一種を含む相である。hおよびRbは合計で少なくとも15個、好ましくは
少なくとも17個のC原子を特徴する
請求の範囲1による式Iで示される化合物の少なくとも一種を含む、特に好まし
いカイラルにチルトされたスメクチック液晶相は負の誘電異方性を有する液晶構
成成分を含有することを特徴とするものであり、特に負の誘電異方性を有する成
分として、構造要素A、BまたはCを含有する化合物の少なくとも一種を含むこ
とを特徴とする、本発明に従う相でおる。
本発明による特に好ましい相はまた、次式■で示される化合物の少なくとも一種
を含有することを特徴とするものである:
R−A −COX−A −RII
〔式中R4およびR5はそれぞれC原子1〜15個を有するアルキルであり、こ
れらの基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は一
〇−1−CO−1−O−CO−1−CO−O−および(または)−CH=CH−
により置き換えられていてもよく、XはOまたはSでありそしてA1およびA2
はそれぞれ1,4−フェニレンまたはトランス−1,4−シクロヘキシレンであ
るか、あるいは基A1およびA2の一方はまた、場合により、4.4’−ビフェ
ニリルまたハトランス、トランス−4,4′−ビシクロヘキシルである本発明に
よるその他の好ましい強誘電性相は次式Vで示される化合物の少なくとも一種を
含有する相である二R’−Q’−A−(Q2)q−R2V
〔式中R1およびR2は相互に独立して、それぞれC原子1〜15個を有する直
鎖状アルキル基であり、これらの基中に存在する1個のCH2基または2個以上
の隣接していないCH2基はさらにまた、−o−1−s−1−CO−、−CHC
H3−0−1−CHCH3−1−CH−ハl:lグンー、−CHCN−1−0−
CO−、−0−COO−1−CO−O−および(または) −CH=CH−によ
り置き換えられていてもよく、Aは
あり、ここでAoは置換されてぃ−ないがまたは置換基として1個または2、個
以上のハロゲン原子、CH3基および(まタハ)ニトリル基ヲ有する1、4−シ
クロヘキシレンチあり、これらの基中に存在する1個のCH12基または隣接し
ていない2個のCH2基はさらにまた、−〇−および(または)−8−により置
き換えられていてもよく、そして(または) −CH−CI(2−基は一〇=N
−により置き換えられていてもよ< (cy)、あるいは八〇は置換されていな
いかまたは置換基として1個または2個以上のハロゲン原子、CH3基および(
または)ニトリル基を有する1、4−フェニレンであり、これらの基中に存在す
る1個または2個以上のCE(基はさらにまた、Nにより置き換えられていても
よく(ph)、およびまた基へ〇の一つは2,6−ナフチレン(Na)またはテ
トラヒrロー2,6−ナフタレン(4H−Na)であることができ、これらの基
は場合によりハロゲンまたはCNにより置換されていてもよく、zo、zlおよ
びA2は相互に独立して、それぞれ−〇〇−〇−1−0−CO−1−CH20−
1OCI(2−1−CH2CH2−1−CHCNCH2−1−CH2−CHCN
−または単結合でおり、そしてpは1.2または3であり、あるいはpはAがテ
トラ−またはオクタヒドロフェナントレンである場合にはまた0であり、そして
Aが
)である場合には、基z0の少なくとも一つは−CHCNCH2−または−CH
2CHCN−であり、そして(または)基R1およびR2のうちの少なくとも一
方に存在するCH2基の少なくとも1個は−CHCN−により置き換えられてい
る〕。
式■で示される化合物は直鎖状または分枝鎖状側鎖基R1および(または) R
2を有することができる。分枝鎖状側鎖基を有する化合物はラセミ体の形である
いは光学的活性化合物として使用できる。式■で示される化合物および場合によ
り別種のアキラル成分とのアキラル基材混合物は式Iで示されるカイラル化合物
でちるいはさらにその他のカイラル化合物でドーピングすることができ、このよ
うにしてカイラルにチルトされたスメクチック相を得ることができる。
特に好適な狭い群の化合物は次式■1〜V18で示される化合物である:
もう一群の特に好適な狭い群の化合物は次式V19〜V22で示される化合物を
包含する:
R1−A0−Cy−(CH2)r−CHCN−C8H28+1V19R’−Ao
−Ao−Cy−(CH2)r−CHCN−C8H28+、V20R−A −A−
CHCN−CH2−Cy−R2V21R−A −A−CH2−CHCN−CY−
R2V22(各式中rは0.1.2または6であり、そして(r+s)は1〜1
4である)。
いずれのSc相も有し力い式Iで示される化合物も本発明によるスメクチック相
の構成成分として同様に適している。
本発明による相はさらにまた、次式で示される化合物を含有できる:
(式中R1およびR2は式■の場合において前記した意味を有する)。
本発明による相の全ての構成成分は既知であるか、あるいは既知化合物と同様に
、それ自体知られている方法で製造できる。
本発明による相はそれ自体慣用の方法で調製できる。
一般に、語構成成分を相互に、有利には高められた温度で溶解する。
本発明による液晶相は、これらが従来開示されている全ての方式の液晶表示素子
で使用できるように、適当な添加剤により変性することができる。
次側は本発明を制限することなく、説明しようとするものである。本明細書全体
をとおして、パーセント(チ)は重量・ぐ−セントであり;全ての温度は摂氏度
C℃)で示す。自発分極について示されている数値は室温にあては示すものであ
る。
例 1
2−p −テシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン25チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン25チ、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン10%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン10チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン11チ、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン11チおよび
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン8%
よりなる液晶相は一1°に適冷できる。
Cr/S(11°およびSc/5A50°。
例 2
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジ2−p−へキシルオキシフ
ェニル−5−ノニルピリミジン7%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン15%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン7%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン7%、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジンフチおよび
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジンフチ
よりなる液晶相は0°まで過冷できる。
Cr/sc6°およびSc/5A50°。
例 3
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン25チ、
2−p−デシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン25%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン10%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルビリ2−p−へブチルオキシフ
ェニル−5−へブチルピリミジン11%、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン8%および
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチールシクロヘキサンカルボキ
シレート10%よりなる液晶相は一6°まで結晶化を生起することなく過冷でき
、SC/SA: 44°を有する。
例 4
2−p−デシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン25チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン20%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン17チ、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へプチルピリミうクン17%、
2−、p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン11%および
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシ
レート10%よりなる液晶相は一6°まで結晶化を生起することなく過冷でき、
SC/N : 32°を有する。
例 5
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン22チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%。
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン13%および
p−へキシルフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシレート
11%
よりなる液晶相は一5°まで過冷でき、そしてSc/SA:46.1°、SAN
:57.6°オヨびN/I : 67.6°を有する。
例 6
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン10%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン15%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン12チおよび
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−へフチルシクロヘキサンカルボキシ
レー)25%よりなる液晶相はOoまで過冷でき、そしてSc/SA:36.9
°、SA/N : 61°およびN/I : 68.5°を有する。
例 7
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン12%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチル2リミジン20チ、
2−1)−ノニルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16チ、
p−へキシルオキ7フエニルトランスー4−ペンチールシクロヘキサンカルボキ
シレート10%およびr−1−シアノ−1−()ランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−)ランス−4−()ランス−4−へブチルシクロヘキシル)−シクロ
ヘキサン10%よりなる液晶相はSC/SA : 43.3°、S、/M :
64.5°およびN/l2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルビリミジ
ン12チ、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン20チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシ
レート10%および1−シアノ−1−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−2−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−エタン10チ
よりなる液晶相はSC/SA: 4 o、00、S、47 : 59.9°およ
びN/I : 72.5°を有する。
例 9
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へプチルピリミジン12%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン20%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16チ、
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシ
レート10%および1−シアノ−1−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−2−[:)ランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シク
ロへキシルジ−エタン10%−よりなる液晶相はSC/SA: 40.5°、S
A/N : 60.6°およびN/T2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプ
チルピリミジン12%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン20%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16係、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16チ、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン16チ、
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシ
レー)10%、トランス−4−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1
−ヘキサノイルオキシシクロヘキサン3.5%および
トランス−4−()ランス−4−へブチルシクロヘキシル)−1−オクタノイル
オキシシクロヘキサン6.5%よりなる液晶相はs(、/N : 49.5°お
よびN/I:68.7°を有する。
例 11
2−p−ノニルオキシフェニル−2−ノニルピリミジン20%、
2−p−ノニルオキシフェニル−2−へプチルピリミジン10%、
2−p−デシルオキシフェニル−2−オクチルピリミジン18チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−2−オクチルピリミジン15%、
2−p−オクチルオキシフェニル−2−オクチルピリミジン15%、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−2−オクチルピリミジン12%および
r−1−シアノ−シス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)−1−ブ
チルシクロヘキサン10%よりなる液晶相はSC/SA: 34.5°、SA/
′N: 56.6°およびN/I:66.0°を有する。
例 12
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルキリミジン10%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルfリミ2−p−ノニルオキシフェ
ニル−5−オクチルピリミジン15%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン15%、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン12%および
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシ
レート10係よりなる液晶相に、種々の量でカイラル化合物1−メチルヘプチル
p−(p−ヘキシルオキシベンゾイルオキシ)−ベンツエートをドーピングする
。これにより得られた混合物の相転移温度および自発分極値を次表に示す。Pで
示されている数値はそれぞれsc*/sA*転移温度以下1o0についての数値
である。
カイラルドーピング物質X%の添加:
0.95 40.5 65.0 69,1 0.O51,9545,565,1
68,90,1,23,1141,365,268,60,214,0737,
365,067,70,334,9329,564,8’ 66.9 0.43
7.36 19.7 64.7 66.1 0.609.96 + 64,5
65.2
例12からの液晶相にカイラル化合物4−(1−メチルプロポキシ)−4′−シ
アノビフェニル1.09(2,07)%をr−ピングする。r−ピングされた相
はSc*、/SA* :42.4(26,5)、SA”/Ch : 65.7
< 67.4 )およびCh/I :68.9(68,8)を有する。
例 14
例12からの液晶相にカイラル化合物4−(1−メチルプロピル)−4′−シア
ノビフェニル1.10 (1,96)チをドーピングする。ドーピングされた相
はSC”/SA” : 42.9(26,9)を有する。
例 15
例12からの液晶相にカイラル化合物p−へキシルフェニルp−(p−2−メチ
ルブチルフェニル)−ベンゾエートを種々の量でドーピングする。このようにし
て得られた混合物の相転移温度を次表に示す。
カイラルドーピング物質X%の添加:
1.00 52.3 65.2 69,72.00 52.6 G4.8 70
.34.27 53.2 64.8 70.66.15 54.7 64.2
70.410.12 55.6 62.5 73.919.97 56.9 −
80,4
30.30 57.1 −
40.46 54.3 −
so、oo ss、o −
例 16
例12からの液晶相にカイラル化合物p−2−メチルブチルフェニルp−(p−
オクチルフェニル)−ベンゾエートを種々の量でドーピングする。このようにし
て得られた混合物の相転移温度を次表に示す。
1.00 51.5 65,5 70.02.15 50.6 66.0 70
.42.94 49,6 66.3 70.74.06 48.13 66.6
70.95.61 47.4 67.5 71.68.01 44.5 70
,3 72.910.21 42,3 71.0 73.820.79 < 0
例 17
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン13%、
2− p−fシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン22%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%および
p−へキシルオキシフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキシ
レート11チよりなる液晶相にカイラル化合物p−へキシルフェニルp−(p−
2−メチルブチルフェニル)−ベンゾエートを種々の量でドーピングする。この
ようにして得られた混合物の相転移温度を次表に示す。
カイラルドーピング物質X%の添加:
0.5★ 躬、9 55.4 56.82、O* 47,0 57.1. 68
.45、o☆ 47.5 55.4 70.110.0 50.5 58.3
70.5例 18
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン38.3%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン2.0%、
2’ −p −fシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン36.1係、
2−p−/ニルオキシフェニルー5−へブチルピリミジン59%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン5.9チ、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン5.9%および
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン5,9%
よりなる液晶相はSC/SA : 53.5°、SA/N : 67.5°およ
びN/Iニア0°を有する。
例 19
例18からの液晶相に種々の量でカイラル化合物R−4−(5−へキシルピリミ
ド−2−イル)−フェニル2−クロルプロピオネートをr−ピングする。このよ
うにして得られた混合物の相転移温度および20°における自発分極値を次表に
示す。
カイラルドーピング物質X%の添加:
3 48.1 65 6B、7 1.0B6 41.0 64.1 68.1
2.14力イラル化合物10チでドーピングされた混合物は20゜チルト角を示
す。
例 20
例18からの液晶相に種々の量でカイラル化合物R−4−(5−ノニルピリミド
−2−イル)−フェニル2−クロルプロピオネートをドーピングする。このよう
にして得られた混合物の相転移温度および自発分極値を次表に示す。
カイラルドーピング物質X%の添加:
3 41 68 72 0.50
6 34.5 68.5 71 0.7110 26.5 69 69.5 0
.87例 21
例18からの液晶相に種々の量でカイラル化合物R−4′−ノニルオキシビフェ
ニル−4−イル2−クロルゾロビオネートをP−ピングする。このようにして得
られた混合物の相転移温度および自発分極値を次表に示す。Pに示されている数
値はそれぞれSc*/SA*転移点以下の10゜についての数値である。
カイラルドーピング物質X%の添加:
0.5 50.1 64.2 69.3 0.12 45.7 64 69 0
.2
3 42.3 63.7 6B、6 0.34 40.8 63.1 68.4
0,5S 37.1 62.7 ’6B、1 0.610 24.5 61
67.9 0.82−p−デカノイルオキシフェニル−5−オクチルビリ ミ
ジ ン 4 2 % 、
2−p−ヘプタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン23チ、
2−1)−オクタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%、
°2−p−ヘキサノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン10チおよび
2−p−ノナノイルオキシフェニル−5−オクチルビよりなる液晶相は約00に
過冷でき、そしてSc/SA:52°、S、/N : 54°およびN/I:5
6°を有する。
例 23
2−11)−デカノイルオキシフェニル−5−オクチルビリ ミ ジン 42
チ 、
2−p−ヘプタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン23%、
2−p−オクタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン18%、
2−p−ヘキサノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン10チ、
2−p−ノナノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン7%および
2− p−オクチルオキシカルボニルフェニル−5−ノニルピリミジン7%
よりなる液晶相は約00に過冷でき、そしてSC/SA: 46.5°、SA/
N:53°およびN/I:54.5°を有する。
例 24
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン34.5チ、
2− p −テ’/ルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン32.5チ、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン2.0%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン5.0弾、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン5.0%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン10,0チおよび
2−1)−オクチルフェニル−5−p−−!ンチルオキシフェニルピリミジン1
1.0チ
よりなる液晶相は約10°に適冷でき、そしてsc/sA:55°、S p/N
: 68.5°およびN/Iニア5°を有する。
例 25
2−p−デカノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン40%、
2−p−ヘプタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン20チ、
2−p−オクタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン20%、
2−p−ヘキサノイルオキシフェニル−5−オクチルぎリミジン8%、
2−p−オクチルフェニル−5−p−ペンチルオキシフェニルピリミジン8%お
よび
2−p−へキシルフェニル−5−p−へキシルオキシフェニルピリミジン4%
よりなる液晶相はSC/SA: 57.5°、SA/N=67°およびN/Iニ
ア4°を有する。
例 26
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン23%、
2−p−デシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン18チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン15チ、
2−p−ノナノイルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン8チ、
2−p−ウンデカノイルオキシフェニル−5−ノニルピリミ・シン8チ、
2−p−オクチルフェニル−5−p−オクチルオキシフェニルピリミジン10チ
、
2−p−ノニルフェニル−5−p−ペンチルオキシフェニルピリミジン7%およ
び
2−p−ペンチルフェニル−5−p−ヘキシルオキシフェニルぎりミジ711%
よりなる液晶相は5cZSA:63°、S、/N : 74°およびN/I:8
1°を有する。
例 27
2−p−デカノイルオキシフェニル−5−オクチルピリ ミ ジ ン 4 2
% 、
2−p−ヘプタノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン23チ、
2−p−オクタノイルオキシフェニル−5−オクチルビリミ・クンIEl。
2−4−ヘキサノイルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン10チおよび
2−p−2−オキサドデシルフェニル−5−オクチルピリミジン7%
よりなる液晶相を調製する。
例 28
2−p−デシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン25%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン25%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン10チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン10チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン11%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン11%および
2−p−デシルオキシフェニル−5−()ランス−4−オクチルシクロヘキシル
)−ピリミジン8チよりなる液晶相を調製する。
例 29
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン10チ、
2−p−デシルオキシフェニル−5−オクチルピリミ2−p−ノニルオキシフェ
ニル−5−オクチルピリミジン15%、
2−p−オクチルオキシフエニ/l/ −5−オクチルビリ2−p−へブチルオ
キシフェニル−5−オクチルピリミジン12%および
2− p−(1,、、,4−ジオキサウンデシル)−フェニル−5−ノニルピリ
ミジン10%
よりなる液晶相。
例として前記した非カイラル基材混合物の全部に適当なカイラルドー・ピング物
質が添加でき、これらは強誘電性材料として使用できる。
例 30
n−ブチル−リチウム(n−インタン中15%) o、oiモルの溶液を無水ト
ルエン30m1中の3− (4−ヘプチルオキシフェニル)−ピリジン0.01
m(2,71) (この化合物は4−へプチルオキシフェニルマグネシウムプ
ロミrと3−ブロモピリジンとのカップリングにより得られる)の溶液に+15
℃で窒素雰囲気下に滴下して加える。
反応混合物を次いで還流下にさらに4時間沸とうさせ、冷却した後に、水10m
1で注意して加水分解する。有機相を水および飽和NaCL溶液で洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥させ、次いで蒸発させる。油状残留物をシリカゲルカラム上
で移動相としてジイソプロピルエーテルを用いるクロマトグラフィにより精製す
る。2−ブチル−5−p−へブチルオキシフェニルピリシンカ得らレル、Cr4
−ブロモヘプチルオキシベンゼンおよびリチウムから製造した4−へブチルオキ
シフェニルリチウム0.01モルのトルエン3QmJ中の溶液をトルエン30m
1中の3−ペンチルピリジン0.01モル(この化合物はペンチルマグネシウム
プロミドと3−ブロモピリジンとのカップリングにより得られる)の溶液に一2
0℃で窒素雰囲気下に滴下して加える。反応混合物を沸点で4時間加熱し、冷却
後に、水10m/で注意して加水分解する。有機相を水および飽和NaCt溶液
で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、次いで蒸発させる。残留物をシリカゲ
ルカラム上で移動相としてジイソプロピルエーテルを用いるクロマトグラフィに
より精製する。2−p−へブチルオキシフx = k −5−ペンチルピリミジ
ンカ得うレル。
同族の2−p−アルコキシフェニル−5−アルキルピリジン化合物を同様にして
製造する。
例 32
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン6%、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン6%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
2−p−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−フェニル−5−ペンチル
ピリジン10%、r−1−シアノ−シス−4−< 4’−オクチルオキシビフエ
ニ#−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン25チ、r−1−シアノ−シス−
4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−ヘキシルシクロヘキサン1
3%、r−1−シアノ−シス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−1−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シクロヘキサン5%オヨヒ
光学的活性R−4−(5−へキシルピリミジン−2−イル)−フェニル−2−ク
ロルプロピオネート9チよりなる液晶相はCr−10°SC”68°sA*73
°Ch 99°工を示し、そして8.1 nC/crn”の自発分極値を有する
。
例 33
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3チ、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン22%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン21チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−ヘプチルビフェニ#−4−イ#) −1−
へキシルシクロヘキサン10%、2−p−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシ
ルピリジン5%、
2−p−ヘプタノイルフェニル−5−へキシルピリジン5チ、
光学的活性1− (4’−ペンチルビフェニル−4−イル)−2−(1−シアノ
−6−メチルシクロヘキシル)−エタン10%および
光学的活性r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル
)−1−(2−メチシフチル)−シクロヘキサン12チ 。
よりなる液晶相はCr−15°SC*58°SA*64°Ch82°工を示し、
そして20 nC/zの自発分極値を有する。
例 34
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3チ、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3%、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン6チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
2−p−ペンチルオキシフェニル−5−へキシルピリジン3%、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘキシルビリジン3チ、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−オクチルピリジン3チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−ヘ
キシルシクロヘキサン16%および
エチル2−Cp−(5−ノニルぎリミジンー2−イル)−フェノキシシープロ・
eフェート(光学的活性)10%よりなる液晶相はCr−21°Sc*61°S
A*65°Ch81°工を示し、そして9nC/crn2の自発分極値を有する
。
例 35
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン30チ、
2−p−ヘキシルメルカプトフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2− p−ヘキシルメルカプトフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2− p−オクチルメルカプトフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−ペンチルビフェニk −4−イル)−1−
オクチルシクロヘキサン11%、r−1−シアノ−シス−4−(4’−へプチル
ビフェニに−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン10%、r−1−シアノ−
シス−4−(4’−ノニルオキシビフェニル−4−イル)−1−オクチルシクロ
ヘキサン20チおよび
R−4−(5−へキシルピリミジン−2−イル)−フェニル−2−クロルプロピ
オネ−)10%よりなる液晶相はCr−ID°Sc*61°SA′66°Ch8
5工を示し、そして12 nC/c++2の自発分極値を有する。
例 36
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へプチルヒ+Jミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミ・シン6%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルヒリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン60%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−ヘプチルビフェニル−4−イル)−1−へ
キシルシクロヘキサン10チ、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビ
フェニル−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン30%、p−へキシルオキシ
フェニル5−へブチルピコIJネート 3 % 、
p−へキシルオキシフェニル5−へプチルオキシビコリ ネ − ト 3 %
、
p−オクチルオキシフェニル5−ノニルビコリネート3チおよび
カイラルR−4−(5−へキシルピリミド−2−イル)−フェニル2−10ルゾ
ロビオネ一ト10%よりなる液晶相はCr−12°SC*65°sA*69°C
h89°工を示し、そして12 nC/crn2の自発分極値を有する。
例 37
2−p、−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘプf)Ltピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2− p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジ72Q%、
2−p−ペンチルオキシフェニル−5−ヘキシルピリジン5チ、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリジン5%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30%、
光学的活性r −1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルオキシビフェニル−
4−イル)−1−(2−メチルブチル)−シクロヘキサン14%および
光学的活性1− (4’ −ヘンチルビフェニル−4−イル)よりなる液晶相は
Cr−25°SC*67°sA*74°Ch88°工を示し、そして27nC/
−1n2の自発分極値を有する。
例 38
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン己チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−/ニルオキシフェニルー5−へブチルピリミジン6%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3%、
2−p−/ニルオキシフェニルー5−ノニルピリミジン20チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−(ル)−
1−オクチルシクロヘキサン30%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−へ
キシルシクロヘキサン10チ、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビ
フェニル−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン6%、6−ペンチルオキシピ
リダジン−3−イルp−へキシルオキシベンゾエート3%、
6−へブチルオキシピリダジン−6−イルp−へキシルオキシベンゾエート3%
、
6−へブチルオキシピリダジン−6−イルp−へブチルオキシベンゾエート3チ
および
カイラルR−4−(5−ヘキシルピリミド−2−イル)−フェニル2−クロルプ
ロピオネート10チよりなる液晶相を調製する。
例 39
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプf)Vピリミジン3チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3チ、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3%、
2−1)−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−ヘ
キシルシクロヘキサン10チ、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビ
フェニ# −4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン6%、6−(p−へブチル
オキシフェニル)−3−ヘキシルピリダジン3%、
6−(p−ヘフチルオキシフェニル)−3−へブチルピリダジン3%、
6−(p−ノニルオキシフェニル)−3−ヘプチルピリダジン3チおよび
カイラルR−4−(5−へキシルピリミド−2−イル)−フェニル2−クロルプ
ロピオネート10%よりなる液晶相を調製する。
例 40
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン6チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビアx=h−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イ# ) −1
−ヘキシルシクロヘキ?:/10%、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オク
チルビフェニに−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン6%、1−(p−へブ
チルオキシフェニル)−2−(5−へブチルピリジン−2−イル)−エタン3%
、1−(p−ノニルオキシフェニル)−2−(5−へブチルピリジン−2−イル
)−エタン3%、1−(p−ノニルオキシフェニル)−2−(5−ノニルピリジ
ン−2−イル)−エタン3%およびカイラルR−4−(5−へキシルピリミド−
2−イル)−フェニル2−クロルゾロピオネ−)10%よりなる液晶相を調製す
る。
例 41
2−p−へキシルオキシフェニル−5−”>ブチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へプチルピリミジン6%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン6%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニル2リミジン20%、
r−1−シアノ−シス−4−C4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサンr−1−シアノ−シス−4−(4’−ヘプチルビフ
ェニル−4−イル)−1−ヘキシルシクロヘキサン10%、r−1−シアノ−シ
ス−4−(4’−オクチルビフェニ#−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン
6%、1−()ランス−4−へブチルシクロヘキシル)−2−(5−へブチルオ
キシピリジン−2−イル)−エタン3 チ、
1−()ランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)−2−(5−オクチルオキシピ
リジン−2−イル)−エタン6チ、
1−()ランス−4−へブチルシクロヘキシル)−2−(5−ノニルオキシピリ
ジン−2−イル)−エタン3チおよび
カイラルR−4−(5−へキシルピリミド−2−イル)−フェニル2−クロルプ
ロピオネート10チよりなる液晶相。
例 42
2−p−へキシルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン6チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン6%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチル2リミジン3%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルキリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30 %、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−ヘ
キシルシクロヘキサン1(1、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビ
フェニル−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン6%、2− (4’−へブチ
ルオキシビフェニル−4−イル)−5−へブチルピリミジン3チ、・
2− (4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−5−ヘプチルピリミジ
ン3%、
2− (4’−ノニルオキシビフェニル−4−イル)−5−ノニルぎリミタ73
%および
カイラルR−4−(5−へキシルピリミド−2−イル)−フェニル−2−クロル
プロピオネート10チよりなる液晶相を調製する。
例 46
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミ う2 ン 3 %、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ノニルぜリミジン3チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−ヘ
キシルシクロヘキサン10%、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビ
フェニル−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン6%、2− (4’−へブチ
ルオキシビフェニル−4−イル)−5−へブチルピリジン3チ、
2− (4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−5−ヘプチルピリジン
3チ、
2− (4’−ノニルオキシビフェニル−4−イル)−5−ノニルピリジン3%
および
カイラルR−4−(5−へキシルピリミド−2−イル)−フェニル2−クロルプ
ロピオネ−)10%よりなる液晶相を調製する。
例 44
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘプチル2リミジ/3チ、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3チ、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジr−1−シアノ−シス−4
−(4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−1−オクチルシクロヘキサ
ン30%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−へ
キシルシクロヘキサン10チ、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビ
フェニル−4−イル)−1−ブチルシクロヘキサン6チ、2−p−ヘプチルオキ
シフェニル−5−へブチルオキシピラジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルオキシピラジン3チ、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルオキシピラジン3チおよび
カイラルR−4−(5−へキシルビリミF−2−イル)−フェニル−2−クロル
プロピオネ−)10%よりなる液晶相を調製する。
例 45
下記のラセミ体形化合物:
2−p−(4−メチルへキシルオキシフェニル)−5−へブチルピリミジン(m
、p、 29°、透明点60°)10%、2−p−(6−メチルオクチルオキシ
フェニル)−5−オクチルピリミジン(m、p、 3°、透明点56°)6チ、
2−p−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5−ノニルピリミジンCm、
p、 10°、透明点59°)8チ、2−p−(4−メチルへキシルオキシフェ
ニル)−5−デシルピリミジン(m、p、 3°、透明点58°)4%、2−p
−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5−ウンデシルピリミジン(m、p
、 20°、透明点59°)8チ、2−p−(4−メチルへキシルオキシフェニ
ル)−5−ドデシルピリミジン(m、p、41°、透明点62°)6%、2−p
−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5−ドデシルピリミジン(m、p−
23°、透明点62°)6チおよび
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルオキシビアxニルー4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン30チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビフェニル−4−イル)−1−ブ
チルシクロヘキサン15%および光学的活性R−4−(5−へキシルピリミド−
2−イル)フェニル2−クロルプロピオネート10チよりなる液晶相はCr−1
8°Sc*66°sA*7o0ch82°工、8nC/cm2の自発分極値およ
び2μmについて12Vおよび20’で、350μsのスイッチング時間を示す
。
例 46
下記のラセミ体形化合物:
2−p−(4−メチルへキシルオキシフェニル)−5−へブチルピリミジン(m
、p、 29°、透明点60°)10チ、2−p−(6−メチルオクチルオキシ
フェニル)−5−オクチルピリミジン(m、p、 3°、透明点56°)6%、
2−p−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5−ノニルピリミジン(m、
p、 10°、透明点59°)8%、2−p’−(4−メチルへキシルオキシフ
ェニル)−5−デシルピリミジン(m、p、 3°、透明点58°)4チ、2−
p−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5=ウンデシルピリミジン(m、
p、 20°、透明点59°)8%、2−p−(4−メチルへキシルオキシフェ
ニル)−5=rデシルピリミジン(m、p、41°、透明点62°)3チ、2−
p−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5−ドデシルピリミジン(m、p
、 23°、透明点62°)6%、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチ
ルオキシビフェニル−4−イル)−1−オクチルシクロヘキサン30チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビフェニル−4−イル)−1−ブ
チルシクロヘキサン15%、光学的活性1−(4′−ペンチルビフェニル−4−
イル)−2−(1−シアノ−3−メチルシクロヘキシル)−エタン6%および
光学的活性2−オクチルp−1:p−(s−ノニルピリミド−2−イル)−フェ
ノキシメチル〕−ベンゾエート4 チ
よりなる液晶相はCr−15°Sc*600SA*66°Ch80°工、9 n
C/Jの自発分極値および2摩について12Vおよび20’で300μsのスイ
ッチング時間を有する。
例 47
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン6%、
2−p−(5−メチルへブチルオキシフェニル)−5−へブチルピリミジン(ラ
セミ体)3チ、2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3チ、
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン7%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン23%、
r−1−シアノ−シス−4−C4’−オクチルオキシビフェニル−4−イル)−
1−オクチルシクロヘキサン32%、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフェニル−4−イル)−1−ヘ
キシルシクロヘキサン13%、r−1−シアノ−シス−4−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)l−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−シク
ロヘキサン3%オヨヒ光学的活性エチル2−1:p−(5−ノニルピリミジン−
2−イル)−フェノキシ〕フロノセノエート10%よりなる液晶相はCr<−3
o°SC”59°SA*を示す。
例 48
2−p−ヘキシルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−へブチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3チ、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン6%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン20%、
r−1−7アノーシスー4− < 4’−オクチルビフェニル−4−イル)−1
−ブチルシクロヘキサン15%、r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチル
オキシビフェニル−4−イル)−1−オクチルシクロヘキサン30%、
S−(6−ツニルオキシピリダジンー3−イルp−オクチルチオベンゾエート3
%、
光学的活性1− (4’−ヘンチルビフェニル−4−イル)−2−(1−シアノ
−3−メチルシクロヘキシル)−エタン7チおよび
光学的活性r−1−シアノ−シス−4−(4’−ヘプチルオキシビフェニル−4
−イル)−1−(3−メチルブチル)−シクロヘキサン10%
よりなる液晶相はSC*63°SA*66°Ch84°工および20n C7c
m2の自発分極値を示す。
例33.37.46および48で使用されている光学的活性物質の混合物におい
て、それぞれで行なわれている添加は右巻きねじれを生じさせるものであり、他
方もう一種の添加は左巻きねじれを生じさせるものである。
例 49
2−p−へキシルオキシフェニル−5−オクチルピリミジン3チ、
2−p−ヘプチルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−オクチルオキシフェニル−5−ヘプチルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−へブチルピリミジン3%、
2−p−へキシルオキシフェニル−5−ノニルピリミジン3%、
2−p−ノニルオキシフェニル−5−ノニルピリミ・シン20チ、
3−p−ペンチルオキシフェニル−6−ヘキジルオキシピリダジン3%、
3−p−dンチルオキシフェニル−6−オクチルオキシピリダジン3%、
3−p−ヘキシルオキシフェニル−6−へキシルオキシピリダジン3チ、
r−1−シアノ−シス−4−(4’−オクチルビフェニル−4−イル)−1−ブ
チルシクロヘキサン25%、r−1−シアノ−シス−4−(4’−へブチルビフ
ェニル−4−イル)−1−ヘキシル−シクロヘキサン10チ、r−1−シアノ−
シス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1−()ランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)−シクロヘキサン5%、r−1−シアノ−シス−4−
(4’−ノニルオキシビフェニル−4−イル)−1−オクチルシクロヘキサン5
チおよび
光学的活性エチル2−Cp−(5−ノニルピリミジン−2−イル)−フェノキシ
〕−フロパノエート11%よりなる液晶相はSc”58°SA*64°Ch79
°工および8nC/Jの自発分極値を示す。
国際調斎報告
AJv”NEX To ’h、i ’INTER)IATIONAL SEA:
’IcHRE?ORτ wN
Claims (6)
- 1.カイラルにチルトされたスメクチツク液晶相の構成成分としての、式I R1−A1−A2−R2 I 〔式中R1およびR2はそれぞれC原子1〜15個を有するアルキルであり、こ れらの基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はま た−O−、−S−、−CO−、−O−CO−、−CO−O−、−CO−S−、− S−CO−、−CHハロゲン−、−CHCN−および(または)−CH=CH− により置き換えられていてもよく、A1は1,4−フエニレン、トランスー1, 4−シクロヘキシレンまたは単結合であり、そしてA2は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数 式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、 化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学 式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、 表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼であり(各式中Zは −O−CO−、−CO−O−、−S−CO−、−CO−S−、−CH2O−、− OCH2−または−CH2CH2−である)である、但しA1が単結合である場 合には、A2は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数 式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、 化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があります▼である〕で 示される化合物の使用。
- 2.請求の範囲1に記載の式Iで示される化合物の少なくとも3種を含有するカ イラルにチルトされたスメクチツク液晶相。
- 3.負の誘電異方性を有する液晶成分を含有することを特徴とする請求の範囲1 に記載の式Iで示される化合物の少なくとも−種を含むカイラルにチルトされた スメクチツク液晶相。
- 4.負の誘電異方性を有する成分として、構造要素A、BまたはC ▲数式、化学式、表等があります▼A▲数式、化学式、表等があります▼B▲数 式、化学式、表等があります▼Cを含む化合物の少なくとも一種を含有すること を特徴とする請求の範囲3に記載の相。
- 5.式II ▲数式、化学式、表等があります▼II〔式中R4およびR5はそれぞれC原子 1〜15個を有するアルキルであり、これらの基中に存在する1個のCH2基ま たは隣接していない2個のCH2基は−O−、−CO−、−O−CO−、−CO −O−および(または)−CH=OH−により置き換えられていてもよく、Xは OまたはSであり、そしてA1およびA2はそれぞれ1,4−フエニレンまたは トランスー1,4−シクロヘキシレンであるか、あるいはA1およびA2の−方 は場合によりまた、4,4′−ビフエニリルまたはトランス,トランスー4,4 ′−ビシクロヘキシルであることができる〕 で示される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする請求の範囲2、 3または4に記載の相。
- 6.請求の範囲2、3、4または5に記載の相を誘電体として含有することを特 徴とする電気光学表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3515374A DE3515374C2 (de) | 1985-04-27 | 1985-04-27 | Chirale getilte smektische flüssigkristalline Phasen und deren Verwendung in elektrooptischen Anzeigeelementen |
DE3515374.1 | 1985-04-27 |
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