JPS6244481Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6244481Y2 JPS6244481Y2 JP1981160641U JP16064181U JPS6244481Y2 JP S6244481 Y2 JPS6244481 Y2 JP S6244481Y2 JP 1981160641 U JP1981160641 U JP 1981160641U JP 16064181 U JP16064181 U JP 16064181U JP S6244481 Y2 JPS6244481 Y2 JP S6244481Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- positive temperature
- end surface
- coefficient thermistor
- electrodes
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、主として、電流制限用として使用さ
れる正特性サーミスタ装置に関する。
れる正特性サーミスタ装置に関する。
正特性サーミスタは、ある特定温度に達すると
電気抵抗値が急激に増加して電流を絞る電流制限
機能を有しており、この電流制限機能を利用し
て、モータ起動もしくはカラーテレビジヨン受像
機のブラウン管消磁等において電流制限素子とし
て使用する正特性サーミスタ装置が提案されてい
る。
電気抵抗値が急激に増加して電流を絞る電流制限
機能を有しており、この電流制限機能を利用し
て、モータ起動もしくはカラーテレビジヨン受像
機のブラウン管消磁等において電流制限素子とし
て使用する正特性サーミスタ装置が提案されてい
る。
第１図は従来のこの種の正特性サーミスタ装置
の斜視図であり、平板状に形成された正特性サー
ミスタ素体１の両面に、電極２，３を被着形成し
た構造となつている。しかしながら、このような
構造であると、第２図に示すように、この正特性
サーミスタ装置をバネ端子４，５間に挟込む場
合、バネ端子４，５が電極２，３に直接接触する
ため、電極２，３が損傷を受ける。また、バネ端
子４，５間に挟込む代りに、第３図に示すよう
に、電極２，３にリード線６，７を直接半田付け
８，９する場合には、高度の半田付け技術が要求
される。このため、従来の正特性サーミスタ装置
はその交換に特別の知識、技能を必要とし、製造
者以外の者が簡単に交換することができないと言
う難点があつた。
の斜視図であり、平板状に形成された正特性サー
ミスタ素体１の両面に、電極２，３を被着形成し
た構造となつている。しかしながら、このような
構造であると、第２図に示すように、この正特性
サーミスタ装置をバネ端子４，５間に挟込む場
合、バネ端子４，５が電極２，３に直接接触する
ため、電極２，３が損傷を受ける。また、バネ端
子４，５間に挟込む代りに、第３図に示すよう
に、電極２，３にリード線６，７を直接半田付け
８，９する場合には、高度の半田付け技術が要求
される。このため、従来の正特性サーミスタ装置
はその交換に特別の知識、技能を必要とし、製造
者以外の者が簡単に交換することができないと言
う難点があつた。
また、放熱特性を変えることができないため、
外部回路の要求により、電流の減衰特性を遅延さ
せる必要が生じた場合、これに対応することがで
きないと言う欠点があつた。
外部回路の要求により、電流の減衰特性を遅延さ
せる必要が生じた場合、これに対応することがで
きないと言う欠点があつた。
本考案は上述する従来の欠点を除去し、交換に
当つて特別の知識、技能を必要とせず、電流減衰
特性を必要に応じて遅延させることの可能な正特
性サーミスタ装置を提供することを目的とする。
当つて特別の知識、技能を必要とせず、電流減衰
特性を必要に応じて遅延させることの可能な正特
性サーミスタ装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本考案に係る正特性
サーミスタ装置は、両面に電極を被着させた正特
性サーミスタと、前記電極の厚みよりは充分に厚
い金属部材でなり、厚み方向の一端面を前記電極
上に面接触させて導電性接着材によつて固着し、
前記一端面とは反対側の開放端面に凹部もしくは
凸部を設けた一対の金属端子とを有し、前記一対
の金属端子を外部導体接続用端子及び放熱端子と
して兼用したことを特徴とする。
サーミスタ装置は、両面に電極を被着させた正特
性サーミスタと、前記電極の厚みよりは充分に厚
い金属部材でなり、厚み方向の一端面を前記電極
上に面接触させて導電性接着材によつて固着し、
前記一端面とは反対側の開放端面に凹部もしくは
凸部を設けた一対の金属端子とを有し、前記一対
の金属端子を外部導体接続用端子及び放熱端子と
して兼用したことを特徴とする。
以下実施例たる添付図面を参照し、本考案の内
容を具体的に説明する。第４図は本考案に係る正
特性サーミスタ装置の正面断面図、第５図は第４
図のＢ−Ｂ線上における断面図である。図におい
て、第１図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。この実施例では、円板状に形成
された正特性サーミスタ素体１の両面に電極２，
３を被着形成すると共に、前記電極２，３の上に
金属端子１０，１１をそれぞれ固着した構造とな
つている。前記金属端子１０，１１は、銅または
横銅等の電気伝導度、熱伝導度の良好な金属部材
を用いて、電極２，３の厚みよりは充分に厚く形
成し、厚み方向の一端面を電極２，３上に面接触
させて、半田等の導電性接着材によつて固着し、
一端面とは反対側の開放端面の略中央部に凹部１
０ａ，１１ａを設けてある。この凹部１０ａ，１
１ａは外部端子との接続部分となる部分であつ
て、複数個設けてもよい。また、第６図に示すよ
うに、凹部１０ａ，１１ａの代りに凸部１０ｂ，
１１ｂとしてもよい。なお、１２はエポキシ樹脂
塗料等を塗布して形成した絶縁皮膜である。
容を具体的に説明する。第４図は本考案に係る正
特性サーミスタ装置の正面断面図、第５図は第４
図のＢ−Ｂ線上における断面図である。図におい
て、第１図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。この実施例では、円板状に形成
された正特性サーミスタ素体１の両面に電極２，
３を被着形成すると共に、前記電極２，３の上に
金属端子１０，１１をそれぞれ固着した構造とな
つている。前記金属端子１０，１１は、銅または
横銅等の電気伝導度、熱伝導度の良好な金属部材
を用いて、電極２，３の厚みよりは充分に厚く形
成し、厚み方向の一端面を電極２，３上に面接触
させて、半田等の導電性接着材によつて固着し、
一端面とは反対側の開放端面の略中央部に凹部１
０ａ，１１ａを設けてある。この凹部１０ａ，１
１ａは外部端子との接続部分となる部分であつ
て、複数個設けてもよい。また、第６図に示すよ
うに、凹部１０ａ，１１ａの代りに凸部１０ｂ，
１１ｂとしてもよい。なお、１２はエポキシ樹脂
塗料等を塗布して形成した絶縁皮膜である。
上記構造の正特性サーミスタ装置は、第７図及
び第８図に示すように、所定の間隔をおいて設け
たバネ端子１３，１４に金属端子１０，１１の凹
部１０ａ，１１ａが圧接するようにして挟込むだ
けでよい。しかも、本考案に係る正特性サーミス
タ装置は、金属端子１０，１１にバネ端子１３，
１４が圧接し、電極２，３にバネ端子１３，１４
が接触することがないから、電極２，３の損傷が
防止される。また、リード線を半田付けする場合
にも金属端子１０，１１に直接半田付けすること
ができるから、半田付け時に電極２，３を損傷す
ることもない。このため、特別の知識、技能を必
要とすることなく、ごく簡単に交換することが可
能になる。
び第８図に示すように、所定の間隔をおいて設け
たバネ端子１３，１４に金属端子１０，１１の凹
部１０ａ，１１ａが圧接するようにして挟込むだ
けでよい。しかも、本考案に係る正特性サーミス
タ装置は、金属端子１０，１１にバネ端子１３，
１４が圧接し、電極２，３にバネ端子１３，１４
が接触することがないから、電極２，３の損傷が
防止される。また、リード線を半田付けする場合
にも金属端子１０，１１に直接半田付けすること
ができるから、半田付け時に電極２，３を損傷す
ることもない。このため、特別の知識、技能を必
要とすることなく、ごく簡単に交換することが可
能になる。
更に金属端子１０，１１が放熱端子を兼ね、正
特性サーミスタ素体１に発生した熱が該金属端子
１０，１１を通して放熱される。このため、その
抵抗温度特性の立上りが金属端子１０，１１の放
熱特性に従つて緩やかに制御され、電流の減衰特
性が遅延される。しかも、金属端子１０，１１は
銅、黄銅等の加工の容易な電極材料によつて構成
されるものであり、その放熱特性を材質、形状等
の選定によつて広い範囲で調整することができる
から、電流減衰特性もそれに従つて広範囲に制御
することが可能となる。
特性サーミスタ素体１に発生した熱が該金属端子
１０，１１を通して放熱される。このため、その
抵抗温度特性の立上りが金属端子１０，１１の放
熱特性に従つて緩やかに制御され、電流の減衰特
性が遅延される。しかも、金属端子１０，１１は
銅、黄銅等の加工の容易な電極材料によつて構成
されるものであり、その放熱特性を材質、形状等
の選定によつて広い範囲で調整することができる
から、電流減衰特性もそれに従つて広範囲に制御
することが可能となる。
以上述べたように、本考案に係る正特性サーミ
スタ装置は、両面に電極を被着させた正特性サー
ミスタと、前記電極の厚みよりは充分に厚い金属
部材でなり、厚み方向の一端面を前記電極上に面
接触させて導電性接着材によつて固着し、前記一
端面とは反対側の開放端面に凹部もしくは凸部を
設けた一対の金属端子とを有し、前記一対の金属
端子を外部導体接続用端子及び放熱端子として兼
用したことを特徴とするから、電極に損傷を与え
ることなく、外部導体等に簡単に交換、取付けが
でき、しかも電流減衰特性を、金属端子の放熱性
の調整によつて、広い範囲で簡単に調整し得るよ
うにした正特性サーミスタ装置を提供することが
できる。
スタ装置は、両面に電極を被着させた正特性サー
ミスタと、前記電極の厚みよりは充分に厚い金属
部材でなり、厚み方向の一端面を前記電極上に面
接触させて導電性接着材によつて固着し、前記一
端面とは反対側の開放端面に凹部もしくは凸部を
設けた一対の金属端子とを有し、前記一対の金属
端子を外部導体接続用端子及び放熱端子として兼
用したことを特徴とするから、電極に損傷を与え
ることなく、外部導体等に簡単に交換、取付けが
でき、しかも電流減衰特性を、金属端子の放熱性
の調整によつて、広い範囲で簡単に調整し得るよ
うにした正特性サーミスタ装置を提供することが
できる。
第１図は従来の正特性サーミスタ装置の正面
図、第２図は同じくその使用状態における正面
図、第３図は同じく別の使用状態における正面
図、第４図は本考案に係る正特性サーミスタ装置
の正面断面図、第５図は第４図のＢ−Ｂ線上にお
ける断面図、第６図は同じく別の実施例における
正面断面図、第７図は同じくその使用状態におけ
る正面図、第８図は同じくその側面図である。 １……正特性サーミスタ素子、２，３……電
極、１０，１１……金属端子。
図、第２図は同じくその使用状態における正面
図、第３図は同じく別の使用状態における正面
図、第４図は本考案に係る正特性サーミスタ装置
の正面断面図、第５図は第４図のＢ−Ｂ線上にお
ける断面図、第６図は同じく別の実施例における
正面断面図、第７図は同じくその使用状態におけ
る正面図、第８図は同じくその側面図である。 １……正特性サーミスタ素子、２，３……電
極、１０，１１……金属端子。
Claims (1)
- 両面に電極を被着させた正特性サーミスタと、
前記電極の厚みよりは充分に厚い金属部材でな
り、厚み方向の一端面を前記電極上に面接触させ
て導電性接着材によつて固着し、前記一端面とは
反対側の開放端面に凹部もしくは凸部を設けた一
対の金属端子とを有し、前記一対の金属端子を外
部導体接続用端子及び放熱端子として兼用したこ
とを特徴とする正特性サーミスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16064181U JPS5866602U (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16064181U JPS5866602U (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866602U JPS5866602U (ja) | 1983-05-06 |
| JPS6244481Y2 true JPS6244481Y2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=29953032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16064181U Granted JPS5866602U (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 正特性サ−ミスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866602U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009022655A1 (ja) * | 2007-08-14 | 2009-02-19 | Tyco Electronics Raychem K.K. | Ｐｔｃデバイスおよびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932106U (ja) * | 1972-06-22 | 1974-03-20 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221876Y2 (ja) * | 1971-03-12 | 1977-05-19 | ||
| JPS56108201U (ja) * | 1980-01-23 | 1981-08-22 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP16064181U patent/JPS5866602U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4932106U (ja) * | 1972-06-22 | 1974-03-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5866602U (ja) | 1983-05-06 |
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