JPS6234168B2 - - Google Patents

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JPS6234168B2
JPS6234168B2 JP54095980A JP9598079A JPS6234168B2 JP S6234168 B2 JPS6234168 B2 JP S6234168B2 JP 54095980 A JP54095980 A JP 54095980A JP 9598079 A JP9598079 A JP 9598079A JP S6234168 B2 JPS6234168 B2 JP S6234168B2
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JP
Japan
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voltage
high frequency
gate electrode
supply voltage
terminal
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JP54095980A
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English (en)
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JPS5547716A (en
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Haa Shueruman Yozefu
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TEKISASU INSUTSURUMENTSU DOITSUCHERANDO GmbH
Original Assignee
TEKISASU INSUTSURUMENTSU DOITSUCHERANDO GmbH
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Publication date
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Publication of JPS6234168B2 publication Critical patent/JPS6234168B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3052Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in bandpass amplifiers (H.F. or I.F.) or in frequency-changers used in a (super)heterodyne receiver
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
    • H03G1/0029Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier using FETs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/02Manually-operated control
    • H03G3/04Manually-operated control in untuned amplifiers
    • H03G3/10Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices

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  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Circuits Of Receivers In General (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、第1ゲート電極が増幅される高周波
信号を受取り、第2ゲート電極が高周波に対して
接地され、出力回路が供給電圧端子に接続されて
いるデユアルゲート電界効果トランジスタを含む
高周波増幅器に関する。
高周波増幅器は復調の前にアンテナで受取つた
高周波信号を増幅するためにしばしば使用されて
いる。高周波増幅器が一定の利得で動作している
場合、特に大きな入力信号により増幅器から信号
を送られる回路が過励振されることがある。高周
波増幅器がVHF帯域の信号を受取るのに適した
自動車ラジオの入力段で使用されている時にはこ
れは特に問題である。自動車ラジオが同調してい
る送信器の近くにある時には特に強い入力レベル
が存在するため、上述の過励振が発生する。ひず
みを避けるため、高入力レベルが存在する場合に
高周波増幅器の利得を下げる利得制御信号を受信
器に発生させなければならない。この利得制御信
号は別の入力線を介して高周波増幅器に送られな
ければならない。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明の当面する問題は、制御信号を送る別の
線路の必要性を排除して利得の変更が可能となる
ような最初に概略を述べた型式の高周波増幅器を
設計することである。
(問題点を解決するための手段および作用) 本発明によると、供給電圧端子の電圧を調節可
能とし、供給電圧端子にはツエナーダイオードと
抵抗から成る電圧分割器を接続し、そのタツプに
2個のゲート電極の内の一方を接続して、本問題
を解決している。
本発明による高周波増幅器では、増幅器への供
給電圧が変化すると2個のゲート電極の一方の電
圧も同量だけ変化することで利得の変化を達成し
ている。従つて例えば、増幅器が信号を送る回路
にひずみを生じさせる高入力レベルが増幅器入力
に発生した場合、供給電圧を変えることにより利
得の減少が得られる。この減少を得るために、供
給電圧が印加される端子が直接利用できるので、
増幅器に別の入力線路を設ける必要はない。
本発明によると、ツエナーダイオードのツエナ
ー電圧は最大供給電圧の半分に等しいことが望ま
しい。
本発明の1実施例では、電圧分割器のタツプは
電界効果トランジスタの第2ゲート電極に接続さ
れている。又、電圧分割器のタツプを電界効果ト
ランジスタの第1ゲート電極に接続し、第2ゲー
ト電極を供給電圧端子へ接続された抵抗性電圧分
割器のタツプに接続するという点にも本発明の特
徴である。
本発明によると、高周波信号の強度に応じて供
給電圧の調節を自動的に、又はポテンシヨンメー
タの調節により手動で行なうことが可能である点
で有利である。
(実施例) 本発明を以下に図面を参照して実施例により説
明する。
第1図は例えばラジオ受信器の入力段に用いら
れる高周波増幅器の回路図である。高周波増幅器
は増幅素子として2個のゲート電極2,3を有す
るMOS電界効果トランジスタ1を含む。増幅さ
れる高周波信号は入力4に与えられ、そこからイ
ンダクタンス5とトリマ・コンデンサ6とを含む
入力フイルタに供給される。入力フイルタの出力
は結合コンデンサ7を介してMOS電界効果トラ
ンジスタ1のゲート電極2へ接続される。電界効
果トランジスタのゲート電極3は高周波に対して
コンデンサ8を介して接地されている。MOS電
界効果トランジスタ1の出力信号は、各々がイン
ダクタンスとトリマ・コンデンサとを含み、トリ
マ・コンデンサ11を介して結合された2個の並
列共振回路を含む出力フイルタ10へドレイン電
極9により送られる。トリマ・コンデンサ12は
出力フイルタの出力信号をアンプ出力13へ与え
る。
高周波増幅器の供給電圧端子14には、動作電
圧端子18とアース間にあるポテンシヨメータ1
6と抵抗17とを含む電圧分割器のタツプ15が
接続される。実質的に一定な動作電圧が動作電圧
端子18に印加される。MOS電界効果トランジ
スタ1のドレイン電極9は出力フイルタ10のイ
ンダクタンス19を介して供給電圧端子14に直
流的に接続されている。さらに、2個の直列接続
抵抗20,21から構成される電圧分割器が供給
電圧端子14に接続され、そのタツプは電界効果
トランジスタのソース電極22に接続されてい
る。フイルタ・コンデンサ23は抵抗21と並列
にある。供給電圧端子14には電圧分割器として
作用するポテンシヨメータ24も接続され、その
タツプにはMOS電界効果トランジスタ1のゲー
ト電極2が抵抗25を介して接続されている。最
後に供給電圧端子14とアース間には、ツエナー
ダイオード26と抵抗27とを含む電圧分割器が
ある。この電圧分割器のタツプ28にはMOS電
界効果トランジスタのゲート電極3が接続され
る。
上述のアンプ回路においては、ポテンシヨメー
タ16の設定を変更することにより供給電圧を変
更できる。高周波増幅器が自動車ラジオに使用さ
れているとすると、約12Vの通常電池電圧が端子
18に与えられる。ポテンシヨメータ16の抵抗
と抵抗17は、タツプ15の電圧が約6Vから12V
の間で変更できるように選択される。ツエナーダ
イオード26のツエナー電圧はこの場合12Vとし
た最大供給電圧の半分、すなわち6Vに等しいこ
とが望ましい。タツプ15に12Vの最大電圧があ
ると、6Vの電圧が抵抗27に、従つてゲート電
極3に存在する。この電圧がゲート電極3にある
と、MOS電界効果トランジスタ1は抵抗20,
21,24により定まる最大利得を有する、供給
電圧端子14の電圧が減少すると、ツエナーダイ
オード26の電圧はそのツエナー電圧を保持する
ため抵抗27の電圧、従つてゲート電極3の電圧
も同量だけ降下する。これは供給電圧端子14の
電圧がツエナーダイオード26のツエナー電圧以
上の値を有している限り真実である。供給電圧端
子14の電圧がツエナー電圧以下の値となると、
ツエナーダイオード26は非導通となり、この結
果ゲート電極3は接地される。これはHFアンプ
の最小利得の場合である。
供給電圧端子14の電圧変化はもち論インダク
タンス19を介してドレイン電極9に、抵抗2
0,21を含む電圧分割器を介してソース電極2
2に、そしてポテンシヨメータ24と抵抗25と
を介してMOS電界効果トランジスタのゲート電
極2に直接効果を与えるが、電界効果トランジス
タが飽和状態で動作している限りその利得には大
きな効果を与えない。利得は供給電圧が2V以下
となるまで影響されない。ツエナーダイオード2
6と抵抗27とを含む電圧分割器のタツプ28に
生じる供給電圧変化のみが利得に影響を与える。
その理由はこの電圧は上例では6Vから0Vの範囲
であるからである。
第3図の図は利得減少と供給電圧端子14の
「U」で示した電圧との間の関係を図示する。電
圧「U」が12Vの最大値を有している場合減少は
値0dBを有し、これは利得が最大値であることを
を意味している。電圧「U」がより低い値にセツ
トされると、電圧「U」が最大供給電圧の値の半
分である時には20dB以上にも及ぶ利得減少が発
生する。
上述の高周波増幅器を自動車ラジオに用いる
と、増幅器後段の過励振を生じる高入力レベルの
送信器をラジオが受信した時ポテンシヨメータ1
6の調節を変更することにより利得を減少でき
る。このように用いる時には受信状態は連続的に
変化し、ラジオは送信器に非常に近い区域を通過
するため、これは特に自動車ラジオでは大きな利
点である。
しかしながら、この利得変更の可能性は自動車
ラジオでの使用に限定されることなく、高周波増
幅器の入力の高入力レベルが増幅器後段の過励振
を生じる全ての場合に適用できる。
タツプ28がゲート電極3に接続されずに、第
2図に示すように電界効果トランジスタ1のゲー
ト電極2に接続されていても利得の制御減少は達
成できる。この場合ゲート電極3は、供給電圧端
子14に接続される抵抗29,30を含む抵抗性
電圧分割器のタツプに接続される。この時供給電
圧端子14の電圧変化は電界効果トランジスタの
両ゲート電極に影響し、所望の制御減少を与え
る。
今まで記述した高周波増幅器の回路において、
所望の利得減少を得るため増幅器に装備した装置
に新しく設けた制御ノブを介してポテンシヨメー
タ17がセツトされなければならないことを仮定
してきた。しかしながら、使用者による外部から
の介入なしでHFアンプの出力レベルに応じてこ
の制御利得減少を自動的に実行することも可能で
ある。
第4図は第1図及び第2図による回路中のポテ
ンシヨメータ16と抵抗17の代りの自動利得減
少を得るために用いる回路の一部を示す。
この回路部分は電圧設定ユニツト31と増幅変
調ユニツト32から構成される。増幅変調ユニツ
ト32は増幅器出力13に直結される入力33を
含む。増幅変調ユニツト32は高周波増幅器の出
力信号を増幅変調し、電圧調節ユニツト31の入
力34へ調節信号を発する。電圧調節ユニツト3
1の別の入力35には、第1図及び第2図による
回路では端子18に印加される動作電圧が印加さ
れる。電圧調節ユニツト31は、入力34の信号
に応じて、第1図及び第2図による回路のタツプ
15にポテンシヨメータ16が印加するように、
入力35の動作電圧の選択域中にある電圧をその
出力36に印加するように設計されている。第1
図及び第2図による回路に第4図のこの回路部分
を用いる時、電圧調節ユニツト31の出力36
は、第1図及び第2図でポテンシヨメータ16の
タツプ15が接続される供給電圧端子14に接続
される。
第5図は電圧調節ユニツト31の構成の例を示
す。これはコレクタ・エミツタ路が入力35と出
力36間にあるトランジスタ37を含む。前記ト
ランジスタ37のベースとアース間には直列に別
なトランジスタ38のコレクタ・エミツタ路とツ
エナーダイオード39とがある。ツエナーダイオ
ードの陽極はトランジスタ38のエミツタに接続
され、その陰極は接地される。トランジスタ38
のベースは電圧調節ユニツト31の入力34を形
成する。トランジスタ37のコレクタとベースと
の間には抵抗40がある。この回路の助けによ
り、入力34の電圧を変えると、第1図及び第2
図による回路のポテンシヨメータ15で可能であ
つたのと同様にして出力36の電圧が変更でき
る。ツエナーダイオード39のツエナー電圧は最
大供給電圧の半分、すなわち記述例では6Vに等
しくなるように再び選択されている。出力36の
電圧は6Vと12Vとの間を変化出来る。
本発明の異なる実施例の記述では、MOS電界
効果トランジスタを増幅回路素子として記述して
来た。しかしながら、この種の電界効果トランジ
スタの代りに、通常デユアルゲートIGFETと呼
ばれる2個の絶縁ゲート電極を有する電界効果ト
ランジスタも使用可能である。さらに、例えば
pn接合を有する型(JFET)又はシヨツトキー・
バリヤを有する型(MESFET)のデユアルゲー
ト接合電界効果トランジスタも使用可能である。
以上の説明に関連して更に以下の項を開示す
る。
(1) 第1のゲート電極が増幅される高周波信号を
受取り、第2ゲート電極が高周波に関して接地
され、出力回路が供給電圧端子に接続されてい
るデユアルゲート電界効果トランジスタを含む
高周波増幅器であつて、前記供給電圧端子の電
圧が調節可能であり、その供給電圧端子にツエ
ナーダイオードと抵抗とから構成される電圧分
割器が接続され、そのタツプが前記2個のゲー
ト電極の内の一方に接続されている高周波増幅
器。
(2) 第1項において、ツエナーダイオードのツエ
ナー電圧が前記供給電圧端子で調節可能な最大
電圧の半分に等しい、高周波増幅器。
(3) 第1項あるいは第2項において、電圧分割器
のタツプが前記電界効果トランジスタの第2ゲ
ート電極に接続されている、高周波増幅器。
(4) 第1項あるいは第2項において、電圧分割器
のタツプが前記第1ゲート電極に接続され、前
記第2ゲート電極が前記供給電圧端子とアース
間にある別の電圧分割器のタツプに接続されて
いる、高周波増幅器。
(5) 第1項〜第4項のいずれかにおいて、前記供
給電圧端子の電圧の調節が高周波信号の強度に
応じて自動的に実行される、高周波増幅器。
(6) 第1項〜第4項のいずれかにおいて、前記供
給電圧端子の電圧の調節がポテンシヨメータの
調節により手動で実行される、高周波増幅器。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による高周波増幅器の実施例の
回路図である。第2図は本発明による高周波増幅
器の他の実施例の回路図である。第3図は供給電
圧に依存する本発明による高周波増幅器の増幅度
(利得)変動を図示する図である。第4図は、本
発明による高周波増幅器に組み込むことにより、
増幅器出力信号に依存する自動増幅度(利得)変
動を可能にする回路の一部のブロツク回路図であ
る。第5図は第4図に示した電圧調節回路の回路
例である。 1……電界効果トランジスタ、2,3……ゲー
ト電極、14……電圧供給端子、16……ポテン
シヨメータ、26……ツエナーダイオード、27
……抵抗、28……タツプ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1ゲート電極が増幅される高周波信号を受
    取り、第2ゲート電極が高周波に関して接地さ
    れ、出力回路が供給電圧端子に接続されているデ
    ユアルゲート電界効果トランジスタを含む高周波
    増幅器であつて、前記供給電圧端子の電圧が調節
    可能であり、その供給電圧端子にツエナーダイオ
    ードと抵抗とから構成される電圧分割器が接続さ
    れ、そのタツプが前記2個のゲート電極の内の一
    方に接続されている高周波増幅器。 2 第1ゲート電極が増幅されるべき高周波信号
    を受信するとともに第1電圧分割器のタツプに接
    続され且つ第2ゲート電極が高周波信号に関して
    接地されるとともに第2電圧分割器のタツプに接
    続されているデユアルゲート型絶縁ゲート電界効
    果トランジスタと、出力回路と、を備えた高周波
    増幅回路であつて、前記第1及び第2電圧分割器
    と前記出力回路とは電源端子に接続されるととも
    に、第1及び第2の電圧分割器の一方はツエナー
    ダイオードと抵抗とを備え、さらに、前記ツエナ
    ーダイオードは前記電源端子において調整され得
    る最大電圧の半分に等しいツエナー電圧を有して
    いる高周波増幅回路。
JP9598079A 1978-07-27 1979-07-27 High frequency amplifier Granted JPS5547716A (en)

Applications Claiming Priority (1)

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DE2833056A DE2833056C3 (de) 1978-07-27 1978-07-27 HF-Verstärker

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JPS5547716A JPS5547716A (en) 1980-04-04
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NL (1) NL7905737A (ja)

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