JPS62299003A - 膜抵抗素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔概要〕 絶縁基板の上に膜抵抗素子を製造するに際し、装造過程
の加熱処理による該電極の酸化をニッケル層で防止する
ことにより、 高価で酸化し難い金に替え、安価な嫌気性金属にてなる
電極を具えた膜抵抗素子の製造方法を提供したものであ
る。

〔産業上の利用分野〕

本発明は膜抵抗素子の製造方法、特に嫌気性金属にてな
る電極を具えた膜抵抗素子の製造方法に関する。

絶縁基板に回路素子を形成および塔載してなる混成集積
回路等において、窒化タンタル（Ｔ　ａ　−Ｎ）の薄膜
を使用した薄膜抵抗素子が多く使用されている。一般に
かかる抵抗素子は、Ｔａ−Ｎ膜に電極形成用の扉体膜を
積層し、それらをホトリソグラフィ技術を利用し選択除
去したのち、Ｔ　ａ　−Ｎパターンの抵抗値を調整し安
定化する処理を施して完成する。

〔従来の技術〕

第２図は従来構成になる膜抵抗素子の構成例を示す側面
図、第３図は熱酸化で五酸化タンタルを形成した該抵抗
素子を製造する従来方法の主要工程を示す図である。

第２図において、混成集積回路等の基板１の上に形成し
た抵抗素子２は、Ｔ　ａ　−Ｎの薄膜抵抗体３と、抵抗
体３の上に対向形成した一対の電極４と、抵抗体３の上
面に形成した五酸化タンタル（ＴａｇＯ６）層５にて構
成し、一般に電極４は、ニクロム（Ｎｉ　Ｃｒ）層６に
金（Ａｕ）層７を積層してなる。

第３図（イ）において、基板１の上にＴａ−Ｎ層１２゜
Ｎｉ　Ｃｒ　ＪｉＪ１６．　Ａｕ層１７を順次被着する
。

次いでＡｕ層１７の上には第３図（＋１）に示すように
、電極形成用のレジストパターン８を形成する。

次いでレジストパターン８をマスクとして、Ｎｉ　Ｃｒ
膜１６．　Ａｕ膜１７の不要部を除去し、第３図（ハ）
に示すようにＮｉ　Ｃｒ層６とＡｕ層７からなるー・対
の電極４を形成する。

次いでレジストパターン８を除去したのち、第３図（ニ
）に示すように、一対の電極４とＴａ−Ｎ居１２の所要
部を覆うレジストパターン９を形成する。

次いでレジストパターン９をマスクとし、Ｔａ−Ｎ層１
２の不要部を除去して第３図（ホ）に示すように、抵抗
体３が形成される。

そこで、熱酸化手段によって抵抗体３の上にＴａ２Ｏ２
層５を生成し、抵抗素子２が完成する。

かかる抵抗素子２の製造工程において、レジストパター
ン８，９はレジスト剤を塗布し、それを固化させたのち
不要部を除去するが、一般に、該固化は約９５°Ｃで３
０分加熱（プリベーク）し、次いで不要部を除去したの
ち約１００℃で３０分加熱（ポストベーク）するように
なる。

なお、Ｔ　ａ　ｚ　Ｏｓの生成手段は加熱による熱酸化
法と、室温で行う陽極化成法があるが、抵抗素子２の抵
抗値を安定化するには、抵抗体３とＴａ２Ｏ、層５との
間にその拡散層が必要である。そこで、熱酸化法ではＴ
ａ２Ｏ５層５の生成と同時に拡散層が生成されるが、陽
極化成法によるときはＴａ２０５層５を生成したのち、
拡散層を生成する加熱工程が必要になる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上説明したように、膜抵抗素子の製造には複数の加熱
工程を含む。従って、銅（Ｃｕ）等の嫌気性導体を電極
に使用すると加熱工程で酸化し、他の導体との接続が困
難になるため、従来の電極はΔＵを使用している。

しかし、有限資源であり貴金属であるＡｕは高価であり
、安価に膜抵抗素子を提供するにはＡｕ已こ替え安価な
Ｃｕ等の使用が望まれていたが、従来方法では不可能で
あった。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 上記問題点の除去を目的とした本発明は、第１図によれ
ば、絶縁基板１の上に低抗体形成用の抵抗層１２を被着
する工程と、 その上に嫌気性金属にてなる電極形成用の導体層２２を
被着する工程と、 その上に二、ケル層２３を被着する工程と、その上に電
極形成用のレジストパターン８を形成してニッケル層２
３．導体層２２の不要部を除去し、上面にニッケル層残
部３３の被着する電極３４を形成する工程と、 ニッケル層残部３３の被着する電極３４の上と電極３４
に連なる抵抗Ｎ１２の上に抵抗体形成用のレジストパタ
ーン９を形成して、抵抗層１２の不要部を除去し抵抗体
３を形成する工程とを、含むことを特徴とした膜抵抗素
子の製造方法である。

〔作用〕

上記手段によれば、膜抵抗素子の製造に際し加熱する工
程で電極は、ニッケル層に覆われ酸化が防止される。従
って、該電極には嫌気性金属の使用が可能となり、膜抵
抗素子が従来より安価に製造できるようになると共に、
電極を覆う二、ケル層を最後に除去し表呈する電極は、
レジストパターンの残部がないことで池の導体接続が容
易、がつ、確実である。

〔実施例〕

以下に、図面を用いて本発明の実施例による膜抵抗素子
の製造方法を説明する。

第１図は本発明の一実施例による膜抵抗素子の製造方法
の主要工程を示す図であり、前出図と共通部分には同一
符号を使用している。

第１図（イ）において、セラミック等にてなる基板１の
上にＴａ−Ｎ層１２．クロウム（Ｃｒ）層２ＬＣｕ　Ｎ
２２、ニッケル（Ｎｉ）層２３を記載順に被着し、その
積層を作る。

次いで第１図（ロ）に示すように、Ｎ１層２３の上の所
定部にレジストパターン８を形成したのち、レジストパ
ターン８をマスクとしてＣｒ層２１．Ｃｕ層２２゜Ｎｉ
層２３の不要部を除去し、第１図（ハ）に示すように、
Ｃｒ層２１の一部３１とＣｕ層２２の一部３２からなり
上面にＮｉ層２３の一部３３が被着した電極３４を形成
する。

次いで第１図（ニ）に示すように、Ｎｉ層３３とＴａ−
Ｎ５１２の所定部を覆うレジストパターン９を形成する
。

次いでレジストパターン９をマスクとしてＴａ−Ｎ層１
２の不要部を除去し、第１図（ホ）に示すように抵抗体
３を形成する。

次いで第１図（へ）に示すように、抵抗体３上にＴａｚ
　Ｏｓ　Ｆ３５を生成させたのちＮ１Ｊｉ３３を除去し
、抵抗素子４１が完成する。

なお、上記実施例においてＴａｚＯｓ層５は、熱酸化法
によるため第１図（へ）の工程で生成している。しかし
、Ｔａ２０５層を陽極化成法によるときは第１図（イ）
の工程の中間、即ちＣｒ層２１の被着に先立って生成す
る、または第１図（杓の工程で抵抗体３を形成した後に
生成し、抵抗値を安定化させる拡散処理は、Ｎ４層３３
の除去に先立って実施する。

〔発明の効果〕

以上に説明した如く本発明によれば、電極に嫌気性金属
の使用が可能となり、膜抵抗素子が従来より安価に製造
できるようになると共に、電極を覆うニッケル層を最後
に除去し表呈する電極は、−ｉに付着し易いレジストパ
ターンの残香が全くないため、他の導体接続が容易かつ
確実になる効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例による主要工程図、 第２図は膜抵抗素子の構成例を示す側面図、第３図は従
来方法の主要工程図、 である。 図中において、 １は絶縁基板、　　３は抵抗体、 ８．９はレジストパターン、 １２は抵抗層、　　　２１はクローム層、２２は導体（
Ｃｕ）層、　２３はニッケル層、３３はニッケル層残部
、　３４は電極、４１は膜抵抗素子、 を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　絶縁基板（１）の上に抵抗体形成用の抵抗層（１２）
   を被着する工程と、 その上に嫌気性金属にてなる電極形成用の導体層（２２
   ）を被着する工程と、 その上にニッケル層（２３）を被着する工程と、その上
   に電極形成用のレジストパターン（８）を形成して該ニ
   ッケル層（２３）、導体層（２２）の不要部を除去し、
   上面にニッケル層残部（３３）の被着する電極（３４）
   を形成する工程と、 該ニッケル層残部（３３）の被着する電極（３４）の上
   と該電極（３４）に連なる該抵抗層（１２）の上に抵抗
   体形成用のレジストパターン（９）を形成して、該抵抗
   層（１２）の不要部を除去し抵抗体（３）を形成する工
   程とを、含むことを特徴とした膜抵抗素子の製造方法。