JPS62269253A - Power failure processing system for semiconductor memory device - Google Patents
Power failure processing system for semiconductor memory deviceInfo
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- JPS62269253A JPS62269253A JP61112148A JP11214886A JPS62269253A JP S62269253 A JPS62269253 A JP S62269253A JP 61112148 A JP61112148 A JP 61112148A JP 11214886 A JP11214886 A JP 11214886A JP S62269253 A JPS62269253 A JP S62269253A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術
発明が解決しようとする問題点
問題点を解決するための手段 (第1図)作用
実施例
(al−実施例の説明 (第2図、第3図)(bl他の
実施例の説明
発明の効果
〔概要〕
上位から直接アクセスされる半導体メモリ部と、データ
ハックアップ用の不揮撥性記憶部とを有する半導体記憶
装置において、停電検出時、停電時間が規定以上の時間
継続したことにより、半導体メモリ部のデータを不撥発
性記憶部に転送退避させるこにより、短時間の停電では
、半導体メモリ部を電源復旧後上位が即座に使用できる
ようにしたもの。[Detailed Description of the Invention] [Table of Contents] Overview Industrial Application Fields Prior Art Problems to be Solved by the Invention Means for Solving the Problems (Fig. 1) Working Examples (al-Description of Examples) (Figures 2 and 3) (bl Description of other embodiments Effects of the invention [Summary] Semiconductor memory device having a semiconductor memory section that is directly accessed from a higher level and a non-volatile memory section for data hack-up) When a power outage is detected, the data in the semiconductor memory section is transferred and evacuated to the non-repellent storage section if the power outage continues for a period longer than a specified time. Something that the higher level can use immediately.
本発明は半導体メモリとバンクアップ用不揮撥性記憶部
とを有する半導体ディスク装置等の半導体記憶装置にお
いて、停電発生時の半導体メモリのデータの退避を行う
ための停電処理方式に関する。The present invention relates to a power outage processing method for saving data in a semiconductor memory when a power outage occurs in a semiconductor storage device such as a semiconductor disk device having a semiconductor memory and a nonvolatile storage section for bank-up.
近年のコンピュータシステムの高速化の要求に伴いD
A S D (Direct Access Stor
age Device)として用いられる外部記憶装置
にも高速アクセスが要求されている。With the recent demand for faster computer systems, D
ASD (Direct Access Store)
High-speed access is also required for external storage devices used as devices.
このため、半導体メモリ部と磁気ディスクとを有する半
導体ディスク装置が市場に提供されている。For this reason, semiconductor disk devices having a semiconductor memory section and a magnetic disk are provided on the market.
半導体ディスク装置は、高速アクセスできる半導体メモ
リ部に上位がアクセスするとともに、半導体メモリ部は
1溌性のためデータバックアップ用とし°て不揮撥性の
磁気ディスク装置とが利用され、磁気ディスク装置と半
導体メモリ部との間で必要に応じてデータの転送が行わ
れる。In a semiconductor disk device, a high-level device accesses a semiconductor memory section that can be accessed at high speed, and since the semiconductor memory section is one-time, a non-volatile magnetic disk device is used for data backup. Data is transferred to and from the semiconductor memory section as necessary.
このような半導体記憶装置では、停電が生じると半導体
メモリ部のデータが消失してしまうので、これを磁気デ
ィスク装置に退避する必要がある。In such a semiconductor storage device, data in the semiconductor memory section is lost when a power outage occurs, so it is necessary to save this data to a magnetic disk device.
従来の半導体記憶装置においては、停電が発生すると、
バッテリにより電源のバンクアップを行い、バフテリの
持続期間内に半導体メモリ部のデータを停電発生検出と
同時に磁気ディスク装置(不II!撥性記憶装置)に退
避していた。In conventional semiconductor storage devices, when a power outage occurs,
The power supply was banked up using a battery, and data in the semiconductor memory section was saved to a magnetic disk device (FII! repellent storage device) at the same time as the occurrence of a power outage was detected within the duration of the battery life.
このような半導体メモリ部のメモリ容量は比較的大容量
であり(例えば256メガバイト)、不揮力性記憶装置
への転送に数分〜10分程度の時間がかかる。The memory capacity of such a semiconductor memory section is relatively large (for example, 256 megabytes), and it takes several minutes to 10 minutes to transfer the data to a nonvolatile storage device.
このため、従来技術の如く、停電発生と同時に不揮力性
記憶装置への転送退避を行ってしまうと、停電がご(短
時間に1夏旧し、上位装置が使用可能状態となっても、
半導体メモリ部から不揮力性記憶装置への退避転送実行
中であり、更に上位装置が半導体メモリ部を使用できる
のは、不揮溌性記憶装置から半導体メモリ部へデータ転
送(復元転送)した後となる。For this reason, if data is transferred to a non-volatile storage device at the same time as a power outage occurs, as in the conventional technology, the power outage may occur (even if the power outage goes out in a short period of time and the host device is ready for use). ,
The save transfer from the semiconductor memory section to the non-volatile storage device is in progress, and the higher-level device can use the semiconductor memory section only after data transfer (restoration transfer) from the non-volatile storage device to the semiconductor memory section. Later.
従って、停電が短時間で復旧した場合には、上位装置は
、復元転送されるまで半導体メモリ部を使用出来ず、長
時間(最悪数十分)も待たなければならないという問題
が生じていた。Therefore, when a power outage is restored in a short time, the host device cannot use the semiconductor memory section until the restored data is transferred, and the problem arises that it has to wait for a long time (several tens of minutes in the worst case).
本発明は、短時間の停電に対し、復旧後直ちに半導体メ
モリ部を使用可能とすることのできる半導体記憶装置の
停電処理方式を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a power outage processing method for a semiconductor memory device that can make a semiconductor memory section usable immediately after recovery from a short power outage.
第1図は本発明の原理説明図である。 FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.
図中、1は半導体メモリ部であり、上位から直接アクセ
ス(リード/ライト)されるもの、2は不揮撥性記憶部
であり、例えば磁気ディスク装置で構成され、当該半導
体メモリ部1のデータバックアップのために設けられる
もの、3は転送回路であり、半導体メモリ部1と不揮撥
性記憶部2との間でデータの退避、復元のためデータ転
送を行うもの、4はバンクアップ電源であり、例えば電
池で構成され、停電時電源バンクアップを一定時間でき
るもの、5は電源制御部であり、各部への電源供給を行
うとともに停電を検出し、バックアップ電源4に切換え
て電源供給を行うもの、6は制御部であり、転送回路3
の転送制御等を行うとともに、停電時間を計数するタイ
マ(時間計数手段)6aを備えているものである。In the figure, 1 is a semiconductor memory section, which is directly accessed (read/written) from the upper level, and 2 is a non-volatile storage section, which is composed of a magnetic disk device, for example, and is a data backup of the semiconductor memory section 1. 3 is a transfer circuit that transfers data between the semiconductor memory section 1 and the non-volatile storage section 2 for saving and restoring data; 4 is a bank-up power supply; , for example, is composed of a battery and can keep the power bank up for a certain period of time in the event of a power outage. 5 is a power supply control unit that supplies power to each part, detects a power outage, and switches to the backup power supply 4 to supply power. , 6 is a control unit, and transfer circuit 3
It is equipped with a timer (time counting means) 6a that performs transfer control, etc., and counts power outage time.
この制御部6では、停電時間をタイマ6aで計数し、停
電時間が規定時間Toを越えると、転送回路3に退避転
送を指示するものである。In this control section 6, a timer 6a counts the power outage time, and when the power outage time exceeds a specified time To, it instructs the transfer circuit 3 to perform evacuation transfer.
本発明では、第1図(B)の如く停電時間をタイマ6a
によって監視し、停電時間が規定時間TOを越えると、
始めて転送動作を開始するようにし、データ退避開始を
遅らせるようにし、その間に図の点線の如く電源復旧が
あると、退避動作を行わないようにしている。In the present invention, as shown in FIG. 1(B), the timer 6a
If the power outage time exceeds the specified time TO,
The transfer operation is started for the first time, and the start of data saving is delayed, and if the power is restored during that time as shown by the dotted line in the figure, the saving operation is not performed.
従って停電時間が規定時間To以下の場合には、データ
の退避、その後の復元を実行しないため、停電復旧によ
り直ちに使用可となる。Therefore, if the power outage time is less than the specified time To, the data is not saved and restored thereafter, so that it can be used immediately after the power outage is restored.
(al−実施例の説明
第2図は本発明の一実施例構成図であり、半導体ディス
ク装置を示している。(Al-Description of Embodiment FIG. 2 is a block diagram of one embodiment of the present invention, showing a semiconductor disk device.
図中、第1図で示したものと同一のものは同一の記号で
示してあり、1aは半導体メモリ部1の半導体メモリで
あり、例えばRAM (ランダムアクセスメモリ)で構
成され、256メガバイトの容量を有するもの、1bは
メモリアクセス回路であり、半導体メモリ1をリード/
ライトのためアクセスするためのもの、6bは制御部6
のマイクロプゴセフサ(M P U)であり、転送制御
等をプログラムの実行によって行うもの、6Cは制御部
6のコントロールストレッジ(C3)であり、MPU6
bの実行するプログラムが格納されたもの、7は半導体
ディスク制御部であり、上位のコンピュータのチャネル
等にチャネルインターフェイスで且つコンピュータの電
源制御装置と電源制御インターフェイスで接続するもの
、8は入出力/転送回路であり、コマンド/データの入
出力動作及びデータの転送動作を行うもの、BTはデー
タ転送バスであり、転送回路3とメモリアクセス回路1
bとの間でデータの転送を行うもの、BSは共通バスで
あり、MPU6bと、C36C−%タイマ6a、電源制
御部5、転送回路3、入出力/転送回路8との間でコマ
ンド/データのやりとりを行うためのものである。In the figure, the same components as those shown in FIG. 1b is a memory access circuit which reads/writes the semiconductor memory 1.
6b is the control unit 6 for accessing the light.
6C is a control storage (C3) of the control unit 6, which performs transfer control etc. by executing a program.
b stores the program to be executed; 7 is a semiconductor disk controller; it is connected to channels of the upper computer through a channel interface and to the computer's power control device through a power control interface; 8 is an input/output/output unit; A transfer circuit that performs command/data input/output operations and data transfer operations. BT is a data transfer bus, and includes a transfer circuit 3 and a memory access circuit 1.
The BS is a common bus that transfers data between the MPU 6b, the C36C-% timer 6a, the power supply control unit 5, the transfer circuit 3, and the input/output/transfer circuit 8. This is for the purpose of exchanging information.
通常の動作は、MPU6 bが共通バスBSを介して転
送回路3に復元転送を指示起動し、これによって転送回
路3は磁気ディスク2のデータを順次メモリアクセス回
路1bに与えて半導体メモリ1aに格納する。In normal operation, the MPU 6b instructs the transfer circuit 3 to perform restoration transfer via the common bus BS, and the transfer circuit 3 sequentially supplies the data on the magnetic disk 2 to the memory access circuit 1b and stores it in the semiconductor memory 1a. do.
半導体メモリ1aに所定量のデータの転送が終了すると
、MPU6bは、転送回路3からの転送終了報告に基づ
き、共通バスBSを介し入出力/転送回路8ヘレディ信
号を与え、これを半導体ディスク制御部7よりチャネル
へ出力し、準備完了となる。When the transfer of a predetermined amount of data to the semiconductor memory 1a is completed, the MPU 6b gives a ready signal to the input/output/transfer circuit 8 via the common bus BS based on the transfer completion report from the transfer circuit 3, and sends this to the semiconductor disk controller. Output to channel from 7 and preparation is complete.
以降は、チャネルインターフェイスより与えられるリー
ド/ライトコマンド、ライトデータを半導体ディスク制
御部7より入出力/転送回路8を介しメモリアクセス回
路1bに与え、半導体メモリ1aをアクセスする。従っ
て、上位から半導体メモリ1aは直接アクセスされる。Thereafter, read/write commands and write data given from the channel interface are given from the semiconductor disk control section 7 to the memory access circuit 1b via the input/output/transfer circuit 8 to access the semiconductor memory 1a. Therefore, semiconductor memory 1a is directly accessed from the upper level.
一方、停電が発生すると、次の様に動作する。On the other hand, when a power outage occurs, the following operations occur.
第3図は第2図構成の停電処理フロー図である。FIG. 3 is a flowchart of the power outage process configured in FIG. 2.
■ 電源制御部5はAC電源を受は各部に動作電圧を供
給している。電源制御部5はAC電源の停電を検出する
と、直ちにバックアップ電源4に切換え、これによる各
部への電圧供給を行うとともに半導体ディスク制御部7
より電源制御インターフェイスへ停電通知を上位に与え
る。(2) The power supply control section 5 receives AC power and supplies operating voltage to each section. When the power supply control section 5 detects a power outage of the AC power supply, it immediately switches to the backup power supply 4, thereby supplying voltage to each section, and at the same time, the semiconductor disk control section 7
A power outage notification is sent to the upper level power control interface.
又、共通バスBSを介しMPU6bに電源オフ(停電)
を通知する。Also, the power is turned off (power outage) to MPU6b via the common bus BS.
Notify.
■ MPU−6bは、これを受けると、タイマ6aを起
動する。(2) Upon receiving this, the MPU-6b starts the timer 6a.
タイマ6aは規定時間TOを計数すると、タイムアウト
を共通バスBSより通知して(る。When the timer 6a counts the specified time TO, it notifies the timeout via the common bus BS.
■ 従って、MPU6bは、共通バスBSよりタイムア
ウト通知があるかを調べる。(2) Therefore, the MPU 6b checks whether there is a timeout notification from the common bus BS.
■ MPU6bはタイムアウト通知なしと判定すると、
電源制御部5からの電源復旧通知があるかを調べ、電源
復旧通知がなければ、ステップ■に戻る。■ If the MPU6b determines that there is no timeout notification,
It is checked whether there is a power restoration notification from the power control unit 5, and if there is no power restoration notification, the process returns to step (2).
逆に電源復旧通知があれば、停電処理を終了し、データ
退避転送は行わない。On the other hand, if there is a power restoration notification, the power outage processing is completed and data backup and transfer is not performed.
尚、電源復旧は電源制御インターフェイスより上位へも
通知される。It should be noted that the power restoration is also notified to the upper level from the power control interface.
■ 一方、ステップ■でタイムアウト通知があると、M
PU6bは共通バスBSを介して転送回路3に退避転送
を指示起動する。■ On the other hand, if there is a timeout notification in step ■, M
The PU 6b instructs and activates the transfer circuit 3 to perform save transfer via the common bus BS.
これによって転送回路3はメモリアクセス回路1bより
半導体メモリ1aを順次リードアクセスし、データを取
出し、磁気ディスク2に書込んでいく。As a result, the transfer circuit 3 sequentially performs read access to the semiconductor memory 1a from the memory access circuit 1b, extracts data, and writes it to the magnetic disk 2.
転送回路3は半導体メモリ1aの全てのデータの転送を
終了すると、MPU6bにこれを報告し、これによって
データ退避が完了し、停電処理を終了する。When the transfer circuit 3 finishes transferring all the data in the semiconductor memory 1a, it reports this to the MPU 6b, thereby completing data saving and ending the power outage process.
尚、バンクアップ電源4は、この時間(10分程度)は
電源供給可能な容量のものである。Note that the bank-up power supply 4 has a capacity that can supply power for this time (about 10 minutes).
又、データ退避後、電源が復旧すると、電源制御部5は
各部に再び電源供給するとともに、復旧通知をMPU6
bに与える。MPU6bは、これによって転送回路3に
復元転送を指示し、前述の復元転送動作を実行させる。Furthermore, when the power is restored after data has been saved, the power control section 5 supplies power to each section again and sends a restoration notification to the MPU 6.
give to b. The MPU 6b thereby instructs the transfer circuit 3 to perform restoration transfer, and causes the above-mentioned restoration transfer operation to be executed.
(bl他の実施例の説明
上述の実施例では、タイマ6aをハードとじて設けてい
るが、MPU6bがソフトウェアによってタイマ機能を
実行してもよく、不揮力性メモリとして磁気ディスクを
例に説明したが、磁気バブルメモリ等の他の周知のり一
ド/ライト可能な不l1ifa性メモリを用いてもよい
。(bl Description of other embodiments In the above embodiment, the timer 6a is provided as a hardware device, but the MPU 6b may also execute the timer function by software. The explanation will be given using a magnetic disk as a non-volatile memory as an example. However, other well-known glued/writable non-standard memories, such as magnetic bubble memories, may also be used.
以上本発明を実施例により説明したが、本発明は本発明
の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこれ
らを排除するものではない。Although the present invention has been described above using examples, the present invention can be modified in various ways according to the gist of the present invention, and these are not excluded from the present invention.
以上説明した様に、本発明によれば、半導体メモリ部と
不揮撥性記憶部とを有する半導体記憶装置において、短
時間の停電に対しては、半導体メモリ部の不揮撥性記憶
部へのデータ退避を実行しないため、電源復旧直ちに使
用可能となるという効果を奏し、停電によるシステムダ
ウン時間を実効的に短縮でき、係る半導体記憶装置の機
能向上に寄与するところが大きい。As explained above, according to the present invention, in a semiconductor memory device having a semiconductor memory section and a non-volatile memory section, when a short power outage occurs, the non-volatile memory section of the semiconductor memory section is Since no data is saved, the system can be used immediately after power is restored, effectively shortening system down time due to power outage, and greatly contributing to improving the functionality of such semiconductor storage devices.
第1図は本発明の原理説明図、 第2図は本発明の一実施例構成図、 第3図は第2図における停電処理フロー図である。 図中、1−半導体メモリ部、 2−不揮撥性記憶部、 3−転送回路、 4−バックアップ電源、 5−電源制御部、 6〜制御部、 6a−タイマ(時間計数手段)。 FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a flowchart of the power outage process in FIG. 2. In the figure, 1-semiconductor memory section; 2-non-volatile storage; 3-Transfer circuit, 4-backup power supply, 5-power control unit; 6~control unit, 6a-Timer (time counting means).
Claims (1)
撥性記憶部(2)と、該半導体メモリ部(1)と該不揮
撥性記憶部(2)との間でデータ転送を行う転送回路(
3)と、 停電を検出し、バックアップ電源(4)に切換えて電源
供給を行う電源制御部(5)と、 該転送回路(3)の転送制御を行う制御部(6)とを有
する半導体記憶装置において、 該制御部(6)は、停電検出時、停電時間の計数を行う
時間計数手段(6a)を備え、 該停電時間が規定時間を越えたことに応じて、該制御部
(6)が該転送回路(3)に該半導体メモリ部(1)の
データを該不揮撥性記憶部(2)に退避させる転送指示
を行うことを 特徴とする半導体記憶装置の停電処理方式。[Claims] A semiconductor memory section (1) that is accessed from a higher level, a non-volatile storage section (2) for data backup of the semiconductor memory section (1), and a semiconductor memory section (1). a transfer circuit (which transfers data between the non-volatile storage unit (2));
3); a power supply control unit (5) that detects a power outage and switches to a backup power supply (4) to supply power; and a control unit (6) that controls transfer of the transfer circuit (3). In the device, the control unit (6) includes a time counting means (6a) that counts the power outage time when a power outage is detected, and when the power outage time exceeds a specified time, the control unit (6) A power outage processing method for a semiconductor memory device, characterized in that the transfer circuit (3) instructs the transfer circuit (3) to save data in the semiconductor memory section (1) to the nonvolatile memory section (2).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112148A JPS62269253A (en) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | Power failure processing system for semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112148A JPS62269253A (en) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | Power failure processing system for semiconductor memory device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269253A true JPS62269253A (en) | 1987-11-21 |
Family
ID=14579432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61112148A Pending JPS62269253A (en) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | Power failure processing system for semiconductor memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269253A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01241653A (en) * | 1988-03-24 | 1989-09-26 | Matsushita Graphic Commun Syst Inc | Memory back-up system |
| JPH036726U (en) * | 1989-06-05 | 1991-01-23 | ||
| JPH05204779A (en) * | 1991-09-11 | 1993-08-13 | Fujitsu Ltd | Advanced data protection system and data protection method |
| JP2001178891A (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-03 | Sophia Co Ltd | Gaming machine |
| JP2002058804A (en) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Takeya Co Ltd | Game machine |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61112148A patent/JPS62269253A/en active Pending
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