JPS62219517A - Manufacture of aluminum film - Google Patents
Manufacture of aluminum filmInfo
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- JPS62219517A JPS62219517A JP6050486A JP6050486A JPS62219517A JP S62219517 A JPS62219517 A JP S62219517A JP 6050486 A JP6050486 A JP 6050486A JP 6050486 A JP6050486 A JP 6050486A JP S62219517 A JPS62219517 A JP S62219517A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明はアルミニウム膜の製造方法に関し、特に品質及
び歩留の向上を図ったアルミニウム膜の製造方法に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Field of Application) The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum film, and particularly to a method for manufacturing an aluminum film with improved quality and yield.
一般に半導体装置の配線に利用されるアルミニウム膜は
、スパッタ法或いは真空蒸着法等によって形成している
が、これらアルミニウム膜は、成膜装置から取り出して
次の工程へ搬送する途中で外気に接触すると外気中に含
まれる酸素によって表面酸化されることが知られている
。このため、アルミニウム膜の形成後にこのアルミニウ
ム膜を所要形状にパターンエツチングする際には、前記
した表面酸化膜を除去するための予備エツチングを行っ
た上で本来のエツチング処理を行う必要がある。Aluminum films used for wiring in semiconductor devices are generally formed by sputtering or vacuum evaporation, but these aluminum films may come into contact with the outside air while being taken out of the film forming equipment and transported to the next process. It is known that the surface is oxidized by oxygen contained in the outside air. Therefore, when pattern etching the aluminum film into a desired shape after forming the aluminum film, it is necessary to perform preliminary etching to remove the above-mentioned surface oxide film and then perform the actual etching process.
このような方法では、各アルミニウム膜における成膜時
の温度やその他の□要因によって、各アルミニウム膜に
生成される酸化膜に厚さのばらつきが生じ易い。このた
め、これら酸化膜の膜厚の異なる種々のアルミニウム膜
に対して均一に予備エツチング処理を施すのみでは、酸
化膜の厚いアルミニウム膜においてはこれを完全に除去
できない場合が生じ、したがって次に続くアルミニウム
膜のパターンエ・ノチング速度が低下されてエンチング
を好適に行うことができないことがある。In such a method, the thickness of the oxide film formed on each aluminum film tends to vary depending on the temperature during film formation of each aluminum film and other □ factors. For this reason, even if pre-etching is performed uniformly on various aluminum films with different oxide film thicknesses, it may not be possible to completely remove the thick oxide film from the aluminum film. In some cases, the pattern etching speed of the aluminum film is reduced and etching cannot be performed properly.
本発明の目的は予備エツチングにおいて全てのアルミニ
ウム膜の酸化膜を確実に除去して、夫々好適なエツチン
グを実現することのできるアルミニウム膜の製造方法を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an aluminum film that can reliably remove all the oxide films of the aluminum film in preliminary etching and achieve suitable etching.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
即ち、アルミニウム膜を成膜した後に、アルミニウム膜
を外気に接触させる前に酸化処理を行なってのアルミニ
ウム膜に均一な厚さの酸化膜を成長させる方法である。That is, after forming an aluminum film, an oxidation treatment is performed before the aluminum film is brought into contact with the outside air to grow an oxide film of uniform thickness on the aluminum film.
上記した手段によれば、夫々のアルミニウム膜は成膜装
置から取り出される時には既に均一な酸化膜が成長され
ており、したがって成膜条件の相違等によっても酸化膜
の厚さにばらつきが生じることはなく、その後の予備エ
ツチングにおいて全てのアルミニウム膜に対して確実に
酸化膜の除去を行うことができる。According to the above-mentioned means, a uniform oxide film has already been grown on each aluminum film when it is taken out from the film-forming apparatus, and therefore, variations in the thickness of the oxide film do not occur due to differences in film-forming conditions, etc. Therefore, the oxide film can be reliably removed from all the aluminum films in the subsequent preliminary etching.
図は本発明の一実施例を説明するための成膜装置の断面
構成図である。The figure is a cross-sectional configuration diagram of a film forming apparatus for explaining one embodiment of the present invention.
この成膜装置１は、ゲートバルブ４，５．６を設けた２
個の真空チャンバ２．３を並列配置し、一方を成膜室、
他方を酸化室として構成している。This film forming apparatus 1 is equipped with two gate valves 4 and 5.6.
vacuum chambers 2.3 are arranged in parallel, one is a film forming chamber,
The other is configured as an oxidation chamber.
成膜室２には対をなす上下の電極７．８を配設するとと
もに、所定のガス源に連通ずるガス供給口９及び排気口
１０を開設して室内を低圧の所要ガス雰囲気に保持し、
また室内にはアルミニウムターゲット１１を配設してい
る。また、酸化室３には酸素ガスを供給するガス供給口
１２及び排気口１３を開設するとともに、ヒータ１４を
配設している。A pair of upper and lower electrodes 7.8 are disposed in the film forming chamber 2, and a gas supply port 9 and an exhaust port 10 communicating with a predetermined gas source are provided to maintain the chamber at a required low pressure gas atmosphere. ,
Furthermore, an aluminum target 11 is placed inside the room. Further, the oxidation chamber 3 is provided with a gas supply port 12 and an exhaust port 13 for supplying oxygen gas, and is also provided with a heater 14.
この成膜袋Ｗ１を用いたアルミニウム膜の製造方法を次
に説明する。A method for manufacturing an aluminum film using this film-forming bag W1 will be described next.
先ず、基板Ｓを成膜室２の下部電極８上に載置した上で
室２内を所要のガス雰囲気に設定し、かつ室内を所定の
圧力に設定する。そして、電極７゜８間に高電位を供給
することにより電極間にプラズマを発生させ、そのスパ
ッタ作用によりターゲゲット１１のアルミニウムを基板
Ｓ表面に被着させアルミニウム膜を成長させる。First, the substrate S is placed on the lower electrode 8 of the film forming chamber 2, and the inside of the chamber 2 is set to a required gas atmosphere and the inside of the chamber is set to a predetermined pressure. Plasma is generated between the electrodes by supplying a high potential between the electrodes 7.degree. 8, and the aluminum of the target 11 is deposited on the surface of the substrate S by its sputtering action, thereby growing an aluminum film.
しかる上で基板Ｓをゲートバルブ５を通して酸化室３移
動させヒータ１４上に移載する。そして、ここで酸素雰
囲気で基板Ｓを加熱することにより基板Ｓ上に被着され
たアルミニウム膜は表面が酸化され、酸化膜が成長され
る。このとき、酸化温度や酸素流量を所定の値にコント
ロールすることにより、酸化膜の厚さを基板Ｓの相違に
関わらず全て均一に形成することができる。Thereafter, the substrate S is moved to the oxidation chamber 3 through the gate valve 5 and placed on the heater 14. Then, by heating the substrate S in an oxygen atmosphere, the surface of the aluminum film deposited on the substrate S is oxidized, and an oxide film is grown. At this time, by controlling the oxidation temperature and oxygen flow rate to predetermined values, the thickness of the oxide film can be formed uniformly regardless of the difference in the substrate S.
したがって、このようにしてアルミニウム膜を形成した
基板Ｓを成膜装置１から取り出した場合に、アルミニウ
ム膜が外気に触れても表面には既に酸化膜が形成されて
いるために、新たに酸化膜が成長されることはない。こ
のため、その後にアルミニウム膜のエツチングを行うに
際し、所定の予備エツチングを行うだけで全ての基板に
おける酸化膜を確実に除去することができ、直後のエツ
チングを良好に行うことができ、アルミニウム膜のエツ
チングの品質の向上及び歩留の向上を達成できる。Therefore, when the substrate S on which the aluminum film has been formed in this manner is taken out from the film forming apparatus 1, even if the aluminum film is exposed to the outside air, an oxide film has already been formed on the surface, so a new oxide film is formed. will never grow. Therefore, when etching the aluminum film afterwards, the oxide film on all the substrates can be reliably removed just by performing the predetermined pre-etching, and the subsequent etching can be performed well, allowing the aluminum film to be etched well. Improved etching quality and yield can be achieved.
上述した実施例によれば、次の効果を得ることができる
。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
（１）アルミニウム膜の形成後に、外気に触れる前にア
ルミニウム膜を均一厚さに酸化処理しているので、アル
ミニウム膜の成膜条件の相違に関わらず常に一定厚さの
酸化膜を形成できる。したがって、この酸化膜を予備エ
ツチングにおいて確実にエツチング除去でき、酸化膜の
残りが生じることがないので、本来のエツチングを良好
に行うことができる。(1) After the aluminum film is formed, the aluminum film is oxidized to a uniform thickness before it is exposed to the outside air, so an oxide film with a constant thickness can always be formed regardless of differences in the aluminum film formation conditions. Therefore, this oxide film can be reliably etched away in the preliminary etching, and no oxide film remains, so that the original etching can be performed satisfactorily.
（２）上記（１）により、アルミニウム膜の品質の向上
を図るとともに、その製造歩留の向上を達成できる。(2) According to (1) above, it is possible to improve the quality of the aluminum film and to improve its manufacturing yield.
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、成膜装置はア
ルミニウム膜の形成後に外気に触れることなくアルミニ
ウム膜表面を積極的に酸化させ得る構成であれば、その
構成は種々に変形が可能である。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, the structure of the film forming apparatus can be modified in various ways as long as it can actively oxidize the surface of the aluminum film without exposing it to the outside air after forming the aluminum film.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の配線用
アルミニウム膜に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、エツチング処理を必要と
するアルミニウム膜の製造の全てに適用できる。The above explanation has mainly been about the application of the invention made by the present inventor to aluminum films for wiring of semiconductor devices, which is the background field of application. It can be applied to all types of aluminum film production.
本願によって開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、アルミニウム膜を成膜した後に続けて成膜装
置内で酸化処理を行ってアルミニウム膜に均一な厚さの
酸化膜を成長させるので、アルミニウム膜の成膜条件の
相違等によっても夫々の酸化膜の厚さにばらつきが生じ
ることはなく、その後の予備エツチングにおいて全ての
アルミニウム膜に対して確実に酸化膜の除去を行うこと
ができ、エツチングを良好に行って品質の向上及び製造
歩留の向上を達成できる。In other words, after the aluminum film is formed, oxidation treatment is performed in the film forming apparatus to grow an oxide film of uniform thickness on the aluminum film, so even if the aluminum film forming conditions are different, each oxidation process may be different. There is no variation in the thickness of the film, and the oxide film can be reliably removed from all the aluminum films in the subsequent pre-etching, improving quality and manufacturing yield. improvement can be achieved.
図は本発明方法を実施するための成膜装置の全体構成を
示す概略断面図である。
１・・・成膜装置、２・・・成膜室、３・・・酸化室、
４，５゜６・・・ゲートバルブ、７．８・・・電極、９
・・・ガス供給口、１０・・・排気口、１１・・・ター
ゲット、１２・・・ガス供給口、１３・・・排気口、１
４・・・ヒータ、Ｓ・・・基板。The figure is a schematic sectional view showing the overall configuration of a film forming apparatus for carrying out the method of the present invention. 1... Film forming apparatus, 2... Film forming chamber, 3... Oxidation chamber,
4,5゜6...Gate valve, 7.8...Electrode, 9
...Gas supply port, 10...Exhaust port, 11...Target, 12...Gas supply port, 13...Exhaust port, 1
4...Heater, S...Substrate.
Claims (1)
た後に、アルミニウム膜を外気に接触させる前に酸化処
理を行なって前記アルミニウム膜に均一な厚さの酸化膜
を成長させることを特徴とするアルミニウム膜の製造方
法。 ２、基板が半導体基板である特許請求の範囲第１項記載
のアルミニウム膜の製造方法。 ３、前記成膜室と連なるように酸化室を形成し、基板を
外気に触れさすことなく成膜室から酸化室へ移動させて
なる特許請求の範囲第１項記載のアルミニウム膜の製造
方法。[Claims] 1. After forming an aluminum film on a substrate in a film forming chamber, an oxidation treatment is performed before the aluminum film is brought into contact with the outside air to grow an oxide film with a uniform thickness on the aluminum film. A method for producing an aluminum film, characterized in that: 2. The method for producing an aluminum film according to claim 1, wherein the substrate is a semiconductor substrate. 3. The method for manufacturing an aluminum film according to claim 1, wherein an oxidation chamber is formed so as to be continuous with the film formation chamber, and the substrate is moved from the film formation chamber to the oxidation chamber without being exposed to outside air.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6050486A JPS62219517A (en) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | Manufacture of aluminum film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6050486A JPS62219517A (en) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | Manufacture of aluminum film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219517A true JPS62219517A (en) | 1987-09-26 |
Family
ID=13144204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6050486A Pending JPS62219517A (en) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | Manufacture of aluminum film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219517A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350038A (en) * | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Nec Corp | Production apparatus for semiconductor |
| US5266521A (en) * | 1991-03-20 | 1993-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a planarized composite metal layer in a semiconductor device |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6050486A patent/JPS62219517A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350038A (en) * | 1986-08-19 | 1988-03-02 | Nec Corp | Production apparatus for semiconductor |
| US5266521A (en) * | 1991-03-20 | 1993-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming a planarized composite metal layer in a semiconductor device |
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