JPS62217632A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPS62217632A
JPS62217632A JP61061268A JP6126886A JPS62217632A JP S62217632 A JPS62217632 A JP S62217632A JP 61061268 A JP61061268 A JP 61061268A JP 6126886 A JP6126886 A JP 6126886A JP S62217632 A JPS62217632 A JP S62217632A
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JP
Japan
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clock
substrate
semiconductor integrated
integrated circuit
wiring
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JP61061268A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihide Sugiura
義英 杉浦
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique

Abstract

PURPOSE:To reduce the skew of a clock to a large extent, by extending and forming interconnecting lines having the equal lengths from a plurality of clock buffers at the peripheral part of a substrate as clock bus lines on the substrate. CONSTITUTION:Clock buffers 6 and 7 having high driving power are provided at the central part of one side of a substrate 1. Clock buffers 8 and 9 having high driving power are provided on the central part of the other side of the substrate 1. Interconnecting lines 10, 11, 12 and 13 are formed in parallel as clock bus lines in the up and down directions along the central part, where blocks 2-5 are not present on the substrate 1. The ends of the lines 10, 11, 12 and 13 are connected to the buffers 6, 7, 8 and 9. Since the lines 10, 11, 12 and 13 have the equal length, the line interconnecting capacities are also equal, and the skew of the clock as the entire substrate becomes very small.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ゲートアレイ半導体集積回路において、L(板層辺部に
設けたクロックバッファの各々から互いに等長の配線ラ
インを基板上にクロック母線として延在形成することに
より、 基板全体における各クロックのスキューを極小化したも
のである。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] In a gate array semiconductor integrated circuit, L (by forming wiring lines of equal length from each of the clock buffers provided on the side of the board layer on the substrate as a clock bus line) , which minimizes the skew of each clock across the entire board.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は半導体集積回路に係り、特に基本的論理ゲート
が多数個規則的に配置されたブロックが、同一1」板上
に複数形成されたゲートアレイ大規模集積回路(LSI
)に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and in particular to a gate array large-scale integrated circuit (LSI) in which a plurality of blocks each having a large number of basic logic gates arranged regularly are formed on the same 1'' board.
) regarding.

LSIユーザの多様な要求に応じてLSIを短期間で多
品種牛6′i生産する場合、フルカスタムLSIでは膨
大な同fe期間と費用がかかるため、ゲートアレイLS
Iが用いられることは周知の通りである。このゲートア
レイLSIは、トランジスタ、抵抗等よりなる基本的論
理ゲートなどが多数個予め同一基板上に規則的に配置さ
れてあり、それらの間の配線のみをLSIユーザの論理
回路情報に従ってLSIメーカが行なうことにより、L
SIユーザの要求する論理回路機能を実現するもので、
マスタースライス方式LSIとも呼ばれる。
When producing 6'i of various breeds of LSI cattle in a short period of time in response to the various requests of LSI users, a fully custom LSI would require a huge amount of production time and cost, so gate array LS
It is well known that I is used. In this gate array LSI, a large number of basic logic gates made of transistors, resistors, etc. are arranged regularly on the same substrate in advance, and only the wiring between them is arranged by the LSI manufacturer according to the LSI user's logic circuit information. By doing, L
It realizes the logic circuit functions required by SI users.
Also called master slice type LSI.

このゲートアレイLSIによれば、配線のみでよいので
、マスク設計は簡単となり、開光期間の短縮化を実現で
きる。
According to this gate array LSI, since only wiring is required, the mask design is simple and the opening period can be shortened.

ゲートアレイLSIのうら、特にCMOSゲートアレイ
において、例えば1ooooゲートを越えるようなVL
SIの場合、半導体基板(チップ)全体におけるクロッ
クのスキュー(位相ずれ)が、システムの性能を決める
要因となるので、このクロックのスキューをできるだけ
少なくすることが要求されている。
Behind the gate array LSI, especially in the CMOS gate array, for example, VL exceeding 1oooo gate
In the case of SI, the clock skew (phase shift) across the entire semiconductor substrate (chip) is a factor that determines the performance of the system, so it is required to reduce this clock skew as much as possible.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

特にCMOSゲートアレイにおいては、クロックのスキ
ューの要因となる信号の伝m遅延時間は配線容量が支配
的であり、この配線容量は配線長によって決まる。そこ
で、論理的に関係の深い回路に近接して配置することに
より、配線長、配線容量の増大を防ぎ、LSIの性能の
向上及び配線の密度を上げることを目的としてLSIを
論理的にも、レイアウト的にも例えば4つのブロックに
分割して形成していた。
Particularly in a CMOS gate array, the signal propagation delay time that causes clock skew is dominated by wiring capacitance, and this wiring capacitance is determined by the wiring length. Therefore, by arranging circuits close to logically related circuits, we can prevent increases in wiring length and wiring capacity, improve LSI performance, and increase wiring density. In terms of layout, it was divided into, for example, four blocks.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかるに、同一基板上の複数の10ツクに対して、LS
Iユーザが要求する論理回路i能を実現するために配線
パターンを施すと、各ブロックに対するクロック母線の
長さが互いに異なってしまうのが通常であり、このため
チップ全体においてクロックのスキ、1−の低減化が不
十分であった。
However, for multiple 10 pieces on the same board, the LS
When a wiring pattern is created to realize the logic circuit functionality required by a user, the length of the clock bus line for each block usually differs from each other. The reduction was insufficient.

本発明はクロックのスキューをより低減した半導体集積
回路を提供することを目的どする。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit with further reduced clock skew.

〔問題点を解決するlζめの手段〕[Another way to solve the problem]

本発明になる半導体集積回路は、上記目的達成のため、
基板周辺部にクロックバッファを複数設け、該複数のク
ロックバッファの各々から互いに等長の配線ラインを該
基板上にクロック母線として延在形成したものである。
In order to achieve the above object, the semiconductor integrated circuit according to the present invention has the following features:
A plurality of clock buffers are provided around the periphery of the substrate, and wiring lines of equal length are formed extending from each of the plurality of clock buffers onto the substrate as clock bus lines.

〔作用〕[Effect]

上記手段によれば、複数のクロックバッファの各々に接
続される各クロック母線は、互いに等長となるため、各
クロック母線の配線容量は等しくなる。ここで、配線パ
ターンをその後にLSIに施すと、各ブロックへのクロ
ックの個々の配線長は異なるが、クロックの遅延時間は
各ブロックへの個々の配線長よりも各クロック母線全体
の配線長によって定まる上記各クロック母線の配線容量
に支配されるため、基板全体においてり[lツクのスキ
ューを極小化できる。
According to the above means, since the clock buses connected to each of the plurality of clock buffers have the same length, the wiring capacitance of each clock bus becomes equal. Here, when the wiring pattern is applied to the LSI afterwards, the individual clock wiring lengths to each block will differ, but the clock delay time will depend on the overall wiring length of each clock bus rather than the individual wiring length to each block. Since it is governed by the determined wiring capacitance of each clock bus line, the skew of the clock bus can be minimized over the entire board.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の第1実施例の半導体集積回路の構成図
を示す。
FIG. 1 shows a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

同図において、基板1上には4つのブロック2゜3.4
及び5が分割して形成されており、各ブロック2〜5の
夫々には例えばCMO8t−ランジスタ等の基本的論理
ゲートが多数個規則的に配置されである。
In the same figure, there are four blocks 2°3.4 on the board 1.
and 5 are formed by dividing each block, and each block 2 to 5 has a large number of basic logic gates such as CMO8T transistors arranged regularly.

基板1の一辺の略中央部にはドライブパワーの大なる(
人容吊の)クロックバッファ6及び7が夫々設【ノられ
、かつ、基板1の上記−辺に対向する他の一辺の略中央
部にも、同様にドライブパワーの大なる(人容ム1の)
クロックバッフ78及び9が夫々設置ノられている。
A large drive power (
Clock buffers 6 and 7 are provided, respectively, and clock buffers 6 and 7, which have a large drive power, are also provided at approximately the center of the other side of the board 1 opposite to the above-mentioned side. of)
Clock buffers 78 and 9 are installed, respectively.

また基板1上には互いに平行に、かつ、基板1のブロッ
ク2〜5が存在しない中央部に沿って第1図中、上下方
向に配線ライン10.11゜12及び13がクロック母
線どして形成されている。配線ライン10,11.12
及び13の各一端はクロックバッファ6.7.8及び9
に接続されている。更に、配線ラインio、11.12
及び13の各長さは互いに等しくなるように選定されて
いる。
Also, on the board 1, wiring lines 10, 11, 12 and 13 are arranged parallel to each other and along the central part of the board 1 where blocks 2 to 5 are not present, in the vertical direction as shown in FIG. It is formed. Wiring line 10, 11.12
and 13 are clock buffers 6, 7, 8 and 9.
It is connected to the. Furthermore, the wiring line io, 11.12
and 13 are selected to be equal to each other.

上記構造のゲートアレイLSIは、LSIユーザーの要
求する論理回路機能を実現するために、ブロック2〜5
内の各基本的論理ゲートが適宜選択されて接続されると
共に、配線ライン10〜13とブロック2〜5のうち必
要なりロックバッファとの間が配線接続される。
The gate array LSI with the above structure has blocks 2 to 5 in order to realize the logic circuit function required by the LSI user.
Each of the basic logic gates in the blocks 10 to 13 is appropriately selected and connected, and the wiring lines 10 to 13 are connected to lock buffers of the blocks 2 to 5 as necessary.

このようにして、得られたゲートアレイしSlのクロッ
クバッフ76〜9には外部より4相のクロックが入力さ
れて配線ライン10〜13等を介してブロック2〜5の
全部又は一部へ入力される。
In this way, four-phase clocks are input from the outside to the clock buffers 76 to 9 of the gate array Sl obtained, and are input to all or part of blocks 2 to 5 via wiring lines 10 to 13, etc. be done.

そのクロックの遅延時間は厳密にはクロックバツフア6
〜9からブロック2〜5のクロックバッファの入力端ま
での配線長により定まるが、実際にはクロック母線であ
る配線ライン10〜13の各々の全長による配線容−1
によって定まるとみなして差し支えない。前記したよう
に、配線ライン10〜13は等長だからそれらの配線容
量も等しく、よって基板全体においてクロックのスキュ
ーは極めて小となる。
Strictly speaking, the clock delay time is clock buffer 6
It is determined by the wiring length from ~9 to the input end of the clock buffers of blocks 2 to 5, but in reality the wiring capacity is determined by the total length of each of the wiring lines 10 to 13, which are clock bus lines -1
It can be assumed that it is determined by As described above, since the wiring lines 10 to 13 have the same length, their wiring capacitances are also the same, so that the clock skew is extremely small on the entire board.

次に本発明の第2実施例について説明するに、第2図は
本発明の第2実施例の半尋体集R1回路の構成図を示す
。同図中、第1図と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 shows a block diagram of a half-body assembly R1 circuit according to a second embodiment of the present invention. In the figure, the same components as in Figure 1 are designated by the same reference numerals.
The explanation will be omitted.

第2図において、配線ライン15はクロックバツフ76
からブロック2.3.4及び5の小吉h1のクロックバ
ッファy19.20.21及び22の夫々の入力端の直
前までクロック母線として延在形成されである。同様に
配線ライン16.17及び18の各々はクロックバッフ
ァ7.8及び9の各々からブロック2.3.4及び5の
小吉h1のクロックバッファ19.20.21及び22
のすべての入力端の直前までクロックffl線として等
長で延在形成されである。クロックの配給のためには、
配線ライン15〜18のうら必要な配線ラインとクロッ
クバツフ119〜22のうち必要なりロックバッフ?の
入力端との間で配線処理を行なう。
In FIG. 2, the wiring line 15 is connected to the clock buffer 76.
A clock bus line is formed extending from the clock buffers y19, 20, 21 and 22 of blocks 2.3.4 and 5 to just before the input terminals of the clock buffers y19, 20.21 and 22 of Kokichi h1, respectively. Similarly, each of wiring lines 16.17 and 18 connects clock buffers 7.8 and 9 respectively to clock buffers 19, 20, 21 and 22 of Kokichi h1 of blocks 2.3.4 and 5.
The clock ffl lines are formed to extend to the same length immediately before all the input terminals of the clock ffl line. For clock distribution,
Is there a necessary wiring line among wiring lines 15 to 18 and a necessary lock buffer among clock buffers 119 to 22? Perform wiring processing between the input terminal and the input terminal.

本実施例によれば、りOツク母線としての配線ライン1
5〜18が、ブロック2〜5の夫々のクロックバッファ
19〜22の入力端の直前まで延在形成されているから
、基板仝休におけるクロックのスキューを、第1図に示
した第1実施例に比しより低減することができる。
According to this embodiment, the wiring line 1 as a red bus
Since the clock buffers 19 to 18 are formed to extend immediately before the input terminals of the clock buffers 19 to 22 of the blocks 2 to 5, the skew of the clocks when the board is idle can be reduced as shown in the first embodiment shown in FIG. can be reduced more than that of

次に本発明の第3実施例について説明するに、第3図は
本発明の第3実施例の半導体集積回路の構成図を示す。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 shows a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

同図中、第1図と同一構成部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
In the figure, the same components as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

第3図において、クロックバッフ76に一端が接続され
たライン24aはL(板1上の中央部を図中、下方向へ
延在形成される。また、ライン24bは基板1上の中央
部を図中、左右方向へ延在形成され、かつ、ライン24
aと交叉する位置においてライン24aと接続されてい
る。すなわち、クロックバッファ6から24 a及び2
4bよりなる十字状の配線ラインが、ブロック2.3.
4及び5の間にクロック母線として延在形成されである
In FIG. 3, a line 24a whose one end is connected to the clock buffer 76 is formed extending downward from the center of the board 1 in the figure. In the figure, the line 24 is formed to extend in the left-right direction, and
It is connected to the line 24a at the position where it intersects the line 24a. That is, clock buffers 6 to 24 a and 2
A cross-shaped wiring line consisting of blocks 2.3.
4 and 5 as a clock bus.

同様に、クロックバッファ7から25a及び25bより
なる十字状の配線ラインが4つのブロック2〜5の夫々
の間にクロック母線として延在形成され、更にクロック
バッフ78からは26a及び26bよりなる十字状の配
線ラインが、またクロックバッファ9からは27a及び
27bよりなる十字状の配線ラインが4つのブロック2
〜5の夫々の間にクロック母線として延在形成されであ
る。
Similarly, a cross-shaped wiring line consisting of 25a and 25b is formed extending from the clock buffer 7 as a clock bus line between each of the four blocks 2 to 5, and a cross-shaped wiring line consisting of 26a and 26b is formed from the clock buffer 78. , and a cross-shaped wiring line consisting of 27a and 27b from the clock buffer 9 is connected to the four blocks 2.
.about.5 are formed to extend as clock busbars.

m3図中、上下方向に延在形成された配線シイン24a
、25a、26a及び27aはnいに等長であり、また
左右方向に延在形成された配線ライン24b、25b、
26b及び27bl;iMいに等長である。
In the m3 diagram, the wiring line 24a is formed to extend in the vertical direction.
, 25a, 26a and 27a are of equal length, and the wiring lines 24b, 25b are formed to extend in the left-right direction.
26b and 27bl; iM are of equal length.

よって、クロックバッファ6〜9に一端が接続される上
記の4つの十字状クロックfnlはHいに等長で、そこ
を伝搬するクロックの遅延時間が等しくなる。これによ
り、本実施例もブロック2〜5の人々に対するクロック
のスキューを抑えることができる。
Therefore, the four cross-shaped clocks fnl whose ends are connected to the clock buffers 6 to 9 have the same length, and the delay times of the clocks propagating through them are equal. As a result, this embodiment can also suppress clock skew for the people in blocks 2 to 5.

次に本発明の第4実施例について説明するに、第4図は
本発明の第4実施例の半導体集積回路の構成図を示す。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 shows a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

同図中、第1図と同一構成部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
In the figure, the same components as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

第4図において、基板1の四辺に各々入官filのクロ
ックバッフ?30.31.32及び33が設【)られて
おり、またブロック2〜5のいずれも存在しない、基板
1上の中央部に4つのクロックバッファ34,35.3
6及び37が設けられている。これらは基板1の周辺部
に設けられたクロックバッファ34.35.36及び3
7に対して、互いに等長の配線ライン38.39.40
及び41が個別に予め形成されである。また、クロック
バッファ38〜41の夫々からは四方へ出力配線が予め
延在形成さ−れである。
In FIG. 4, there are clock buffers on each of the four sides of the board 1. 30, 31, 32 and 33 are provided, and four clock buffers 34, 35.
6 and 37 are provided. These are clock buffers 34, 35, 36 and 3 provided on the periphery of the board 1.
7, wiring lines of equal length to each other 38.39.40
and 41 are individually preformed. Furthermore, output wiring is formed in advance to extend from each of the clock buffers 38 to 41 in all directions.

本実施例はクロック母線としての配線ライン38〜41
が配線パターンを施しても等長なので、クロックのスキ
ューを前記各実施例に比しより低減づることができる。
In this embodiment, wiring lines 38 to 41 serve as clock bus lines.
Since the wiring patterns are the same length, the clock skew can be further reduced compared to the above embodiments.

このため、本実施例は例えばi ooooゲート以上の
4分割ブロックを有する、CMOSゲートアレイに適用
して特に有用である。
Therefore, this embodiment is particularly useful when applied to, for example, a CMOS gate array having four divided blocks of ioooo gates or more.

なお、第3図において、十字状配線ラインの各接続点に
クロックバッファを設けることも可能である。
In addition, in FIG. 3, it is also possible to provide a clock buffer at each connection point of the cross-shaped wiring line.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く、本発明によれば、各クロック母線の配線容
1iを等しくしたことから、ゲートアレイLSIの基板
全体における各クロックのスキューを大幅に低減するこ
とができる等の特長を右するものである。
As described above, according to the present invention, since the wiring capacitance 1i of each clock bus line is made equal, the skew of each clock on the entire board of the gate array LSI can be significantly reduced. be.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第4図は夫々本発明の各実施例を示す構成図
である。 図中において、 1は基板、 2〜5はブロック、 6〜9.19〜22.30〜37はりL1ツクバッファ
、 10〜13.15〜18.24a、24b。 25 Fl 、 25 b 、 26 a 、 26 
b 、 27 a。 27b、38〜41は配線ラインである。 7・′−菖二・、 實・″ 代理人 弁理士 井 桁 貞 乙、− ゛−ゴ、、・ 本発明の第1爽1ら伜J?鵬田 第1図 ゛芥発朗a茶2爽愕も使1の楕パ! 第2図
1 to 4 are configuration diagrams showing respective embodiments of the present invention. In the figure, 1 is a board, 2 to 5 are blocks, 6 to 9, 19 to 22, 30 to 37 are L1 block buffers, 10 to 13, 15 to 18. 24a, 24b. 25 Fl, 25 b, 26 a, 26
b, 27 a. 27b, 38-41 are wiring lines. 7・'-Shoji・、Actually・″ Agent Patent attorney Igata Sada Otsu, -゛-go... A shocking surprise! Figure 2

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ゲートアレイ半導体集積回路において、前記半導
体集積回路の基板(1)の周辺部にクロックバッファ(
6〜9、30〜33)を複数設け、 該複数のクロックバッファ(6〜9、30〜33)の各
々から互いに等長の配線ライン(10〜13、15〜1
8、24a、24b、25a、25b、26a、26b
、27a、27b、38〜41)を該基板上にクロック
母線として延在形成したことを特徴とする半導体集積回
路。
(1) In a gate array semiconductor integrated circuit, a clock buffer (
A plurality of wiring lines (10-13, 15-1) of equal length are provided from each of the plurality of clock buffers (6-9, 30-33).
8, 24a, 24b, 25a, 25b, 26a, 26b
, 27a, 27b, 38-41) are formed extending on the substrate as clock busbars.
(2)前記互いに等長の配線ライン(10〜13)が前
記基板(1)の中央部に沿つて延在形成されてなること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回
路。
(2) The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the wiring lines (10 to 13) of equal length are formed to extend along the center of the substrate (1). .
(3)前記互いに等長の配線ライン(15〜18)が前
記基板(1)上の複数のブロック(2〜5)の各々のク
ロックバッファ(19〜22)の入力端の直前まで延在
形成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体集積回路。
(3) The wiring lines (15 to 18) of equal length to each other are formed to extend to just before the input ends of the clock buffers (19 to 22) of each of the plurality of blocks (2 to 5) on the substrate (1). A semiconductor integrated circuit according to claim 1, characterized in that the semiconductor integrated circuit is made of:
(4)前記互いに等長の配線ライン(24a、24b、
25a、25b、26a、26b、27a、27b)が
前記基板(1)上に形成された4つのブロック(2〜5
)の各々の間に、十字状に延在形成されてなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路。
(4) The wiring lines (24a, 24b,
25a, 25b, 26a, 26b, 27a, 27b) are formed on the substrate (1).
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit is formed to extend in a cross shape between each of the semiconductor integrated circuits.
(5)前記互いに略等長の配線ライン(39〜41)が
前記4つのブロック(2〜5)の位置しない前記基板中
央部に形成された4つのクロックバッファ(34〜37
)に接続され、かつ、該基板中央部の4つのクロックバ
ッファの各々から四方へ延在形成されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路。
(5) The wiring lines (39 to 41) having substantially equal lengths to each other are connected to four clock buffers (34 to 37) formed in the center part of the substrate where the four blocks (2 to 5) are not located.
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit is connected to the circuit board (1) and extends in all directions from each of the four clock buffers in the center of the substrate.
JP61061268A 1986-03-19 1986-03-19 Semiconductor integrated circuit Pending JPS62217632A (en)

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JP61061268A JPS62217632A (en) 1986-03-19 1986-03-19 Semiconductor integrated circuit

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01149445A (en) * 1987-12-05 1989-06-12 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH0266970A (en) * 1988-08-31 1990-03-07 Nec Corp Master slice type semiconductor integrated circuit
JPH02187990A (en) * 1989-01-16 1990-07-24 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
US6510549B1 (en) 1999-02-17 2003-01-21 Nec Corporation Method of designing a semiconductor integrated circuit device in a short time
KR100520139B1 (en) * 1998-07-21 2005-11-24 주식회사 하이닉스반도체 Memory device with uniform length data bus lines

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