JPS62197909A - 磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS62197909A JPS62197909A JP3862386A JP3862386A JPS62197909A JP S62197909 A JPS62197909 A JP S62197909A JP 3862386 A JP3862386 A JP 3862386A JP 3862386 A JP3862386 A JP 3862386A JP S62197909 A JPS62197909 A JP S62197909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- magnetic head
- transistor
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、読み取り能力にすぐれた安価な磁気ヘッドお
よびその製造方法に関する。
よびその製造方法に関する。
本発明は、薄膜型磁気変換器とこの変換器からの出力を
増巾する薄膜型トランジスタを同一基板上に形成するこ
とを特徴とする。
増巾する薄膜型トランジスタを同一基板上に形成するこ
とを特徴とする。
従来の簿膜磁気ヘッドを第２図に示す。薄膜磁気ヘッド
１はサスベンジｌン２に接合され、ヘッドで検出された
出力はリード線３を通じて増巾器４へ接続されて増巾さ
れ、外部へ信号として取り出される。
１はサスベンジｌン２に接合され、ヘッドで検出された
出力はリード線３を通じて増巾器４へ接続されて増巾さ
れ、外部へ信号として取り出される。
薄膜磁気ヘッドは工Ｃプロセスと同様な工程で形成され
る。ため、 ■ 高記録密度化、多チャンネル化が可能である■ ヘ
ッドの磁界分布が急で、記録分解能が良い■ インダク
タンスが小さく高周波特性が良い。
る。ため、 ■ 高記録密度化、多チャンネル化が可能である■ ヘ
ッドの磁界分布が急で、記録分解能が良い■ インダク
タンスが小さく高周波特性が良い。
■ ウェハプロセスを用いるため低コスト化が可能。
などのメリットがある。
しかしながら、平面上にコイルを形成するため、出力が
バルクｕｆ１ｉ気ヘッドに比べて小さいので増巾する必
要があり、ヘッドの近傍に高性能の増巾用ＴＪＳ工を設
置していた。
バルクｕｆ１ｉ気ヘッドに比べて小さいので増巾する必
要があり、ヘッドの近傍に高性能の増巾用ＴＪＳ工を設
置していた。
しかしながら、上記の増巾用ＬＳＩはヘッドの近傍とは
いえサスペンション上には実装できナイためノイズが入
りやすく、また実装コストも高いという問題点があった
。
いえサスペンション上には実装できナイためノイズが入
りやすく、また実装コストも高いという問題点があった
。
本発明の目的は、上記問題点を解決して高性能で安価な
磁気ヘッドおよびその製造方法を提供するところにある
。
磁気ヘッドおよびその製造方法を提供するところにある
。
薄膜型磁気変換器は出力がきわめて微弱であるためノイ
ズには弱いというデメリットがある。
ズには弱いというデメリットがある。
ノイズはあらゆる理由で発生するため完全になくすこと
はできないが、主には出力部から増巾部への信号の伝達
経路で生ずることが多い。従って薄膜型磁気変換器の近
傍でしかも同一基板上に増巾回路を形成することによっ
て上記の欠点を改善することができる。
はできないが、主には出力部から増巾部への信号の伝達
経路で生ずることが多い。従って薄膜型磁気変換器の近
傍でしかも同一基板上に増巾回路を形成することによっ
て上記の欠点を改善することができる。
近年、アモルファスシリコンやポリシリコンを用いた薄
膜型トランジスタを形成する技術が実用化されてきてい
る。薄膜トランジスタは絶縁基板上にアモルファスシリ
コンやポリシリコンを堆積したのち工Ｃプ四セスを用い
てトランジスタを形成したものであり、ＭＯＳ型、バイ
ポーラ型いずれにも応用できる。
膜型トランジスタを形成する技術が実用化されてきてい
る。薄膜トランジスタは絶縁基板上にアモルファスシリ
コンやポリシリコンを堆積したのち工Ｃプ四セスを用い
てトランジスタを形成したものであり、ＭＯＳ型、バイ
ポーラ型いずれにも応用できる。
一方、薄膜型磁気変換器の形成は、本質的に工Ｃプロセ
スと同じである。従って、同一基板上に簿膜型磁気変換
器と出力増巾用薄膜トランジスタを形成することは同様
の技術で可能となる。
スと同じである。従って、同一基板上に簿膜型磁気変換
器と出力増巾用薄膜トランジスタを形成することは同様
の技術で可能となる。
このような磁気ヘッドの製造工程としては、以下のよう
な工程が必要である。
な工程が必要である。
絶縁性基板上に薄膜トランジスタで増巾器を形成する。
薄膜トランジスタはアモルファスシリコン又はポリシリ
コンで形成する。前者は低温プロセスで製造可能であり
、後者は特性の安定性に優れておりどちらも一長一短が
あるため磁気ヘッドとしての仕様から選択すればよい。
コンで形成する。前者は低温プロセスで製造可能であり
、後者は特性の安定性に優れておりどちらも一長一短が
あるため磁気ヘッドとしての仕様から選択すればよい。
また、トランジスタとしてはバイポーラ型とＭＯ＋９を
があるがこれも磁気ヘッドとしての仕様から決定される
。次に、トランジスタの上に絶縁膜を形成する。絶縁膜
としてはＣＶＤ法によるＳ１０．膜、 Ｓｉ、Ｎ。
があるがこれも磁気ヘッドとしての仕様から決定される
。次に、トランジスタの上に絶縁膜を形成する。絶縁膜
としてはＣＶＤ法によるＳ１０．膜、 Ｓｉ、Ｎ。
膜、スパッタ法によるＳ１０．膜、Ａｔ、Ｏ８膜などが
ある。次に薄膜型磁気変換器を形成したのちに、薄膜型
トランジスタと薄膜型磁気変換器を電気的に接続する工
程を行なう。具体的には両者にコンタクトホールを形成
し、スパッタ法とフォトエツチング法を用いてＡｔ等の
導電材料で接続する。次に、全面にＡ Ｉ−１Ｏ，Ｉ
ｓ ｉ Ｏ，などの絶縁性保護膜を形成する。以下通常
の薄膜磁気ヘッドと同様の工程を行なって磁気ヘッドを
完成する。
ある。次に薄膜型磁気変換器を形成したのちに、薄膜型
トランジスタと薄膜型磁気変換器を電気的に接続する工
程を行なう。具体的には両者にコンタクトホールを形成
し、スパッタ法とフォトエツチング法を用いてＡｔ等の
導電材料で接続する。次に、全面にＡ Ｉ−１Ｏ，Ｉ
ｓ ｉ Ｏ，などの絶縁性保護膜を形成する。以下通常
の薄膜磁気ヘッドと同様の工程を行なって磁気ヘッドを
完成する。
＠１図に本発明による磁気ヘッドの概要図を示す〔実施
例〕 直径７．５個、厚み５ｍのＡＬ、Ｏｎ ・ＴＩＣ基板上
に１０μｍ厚のｈｔ、ｏ、を絶縁膜として形成し、その
上にポリシリコンでＭＯ３型薄膜トランジスタを形成し
た。回路は第５図に示すようなソース接地０−ＭＯＳと
した。
例〕 直径７．５個、厚み５ｍのＡＬ、Ｏｎ ・ＴＩＣ基板上
に１０μｍ厚のｈｔ、ｏ、を絶縁膜として形成し、その
上にポリシリコンでＭＯ３型薄膜トランジスタを形成し
た。回路は第５図に示すようなソース接地０−ＭＯＳと
した。
第４図に薄膜トランジスタの製造工程を示す。
Ａｔ、Ｏ，で絶縁したｔｔ、ｏ、・ＴｉＣ基板５の上に
、減圧ＣＶＤ法でｐｏ’１７−Ｓ１６ を形成しくα
ン、ゲート膜７は熱酸化によって作製した（ｂ）。
、減圧ＣＶＤ法でｐｏ’１７−Ｓ１６ を形成しくα
ン、ゲート膜７は熱酸化によって作製した（ｂ）。
次にゲート電極８をマスクにイオン打込み法でソース９
とドレイン１０を形成した（Ｃ）。Ｐチャネルにはボロ
ンな、Ｎチャネルにはリンをそれぞれ打込む。次に層間
絶縁膜として５１０２ 膜１１を常圧ＣＶＤ法で形成し
た（ｄ）。次に薄膜磁気変換器の製造工程を第５図に示
す。なお、薄膜トランジスタは省略ルである。まず、下
磁極１２をパーマロイスパッタおよびパーマロイ電気め
っきを併用して形成する（α）。次に、スパッタ法でて
有機絶縁膜１４を形成する（ｂ）。この絶縁膜の上にス
パッタ法と電気めっき法を併用してＣＵコイル１５およ
び電気的接触点１７を同時に形成し、コイル上に再び有
機絶縁膜１６を形成する（Ｃ）。次に、パーマロイスパ
ッタおよびパーマロイ電気めっきを併用して上磁極１８
を形成する。
とドレイン１０を形成した（Ｃ）。Ｐチャネルにはボロ
ンな、Ｎチャネルにはリンをそれぞれ打込む。次に層間
絶縁膜として５１０２ 膜１１を常圧ＣＶＤ法で形成し
た（ｄ）。次に薄膜磁気変換器の製造工程を第５図に示
す。なお、薄膜トランジスタは省略ルである。まず、下
磁極１２をパーマロイスパッタおよびパーマロイ電気め
っきを併用して形成する（α）。次に、スパッタ法でて
有機絶縁膜１４を形成する（ｂ）。この絶縁膜の上にス
パッタ法と電気めっき法を併用してＣＵコイル１５およ
び電気的接触点１７を同時に形成し、コイル上に再び有
機絶縁膜１６を形成する（Ｃ）。次に、パーマロイスパ
ッタおよびパーマロイ電気めっきを併用して上磁極１８
を形成する。
磁極端１９はウェハを精密加工して磁気ヘッド加工後に
現われるが、第５図は理解しやすいように磁極端１９を
出しである。
現われるが、第５図は理解しやすいように磁極端１９を
出しである。
このように薄膜磁気変換器を形成後、第６図に示すよう
に薄膜磁気変換器と薄膜トランジスタを電気的に接続す
る。具体的には、薄膜トランジスタのソース、ドレイン
にコンタクトホールを形成し、リフトオフ法を用いて簿
膜磁気変換器のコイルの電気的接触点１７と電気的に接
続した。この電極２０宕しては０ｒ−Ａｕのスパッタ膜
を用いた、次に、全体の保護膜２１をバイアススパッタ
法を用いてＡＺ、Ｏ，で形成した。第６図では、保護膜
は表面研摩加工後として示しである。
に薄膜磁気変換器と薄膜トランジスタを電気的に接続す
る。具体的には、薄膜トランジスタのソース、ドレイン
にコンタクトホールを形成し、リフトオフ法を用いて簿
膜磁気変換器のコイルの電気的接触点１７と電気的に接
続した。この電極２０宕しては０ｒ−Ａｕのスパッタ膜
を用いた、次に、全体の保護膜２１をバイアススパッタ
法を用いてＡＺ、Ｏ，で形成した。第６図では、保護膜
は表面研摩加工後として示しである。
第１図かられかるように、本発明による磁気ヘッドでは
増巾用ＬＳＩをサスベンジ璽ン近傍に実装する必要がな
い。
増巾用ＬＳＩをサスベンジ璽ン近傍に実装する必要がな
い。
本発明による効果を以下に述べる。
（１） ウェハ状態で磁気変換器と増巾トランジスタ
を形成するためヘッドのコストが安くなる。
を形成するためヘッドのコストが安くなる。
（２） 実装が容易である。
（ａ） 磁気変換器とトランジスタが同様のＩＣプロ
セスで形成できるため、製造設備が簡略化できる。
セスで形成できるため、製造設備が簡略化できる。
（４）磁気変換器と増巾回路が極めて近傍にあるためノ
イズが少なくなり、大きなＳ ／ Ｎ比が得られる。
イズが少なくなり、大きなＳ ／ Ｎ比が得られる。
本発明による磁気ヘッドは固定ディスク用の磁気ヘッド
だけではな（、ＭＲヘッド、ＰＯＭ用ヘッド等あらゆる
磁気ヘッドに応用できる。
だけではな（、ＭＲヘッド、ＰＯＭ用ヘッド等あらゆる
磁気ヘッドに応用できる。
以上に述べたように、本発明による磁気ヘッドおよびそ
の製造方法は実用上極めて有用な発明である。
の製造方法は実用上極めて有用な発明である。
第１図は本発明による磁気ヘッドの斜視図、第２図は従
来の磁気ヘッドの斜視図を示す。第３図は実施例で用い
た薄膜トランジスタの増幅回路図、第４図（α）〜（ｄ
）は本発明による磁気ヘッドの薄膜トランジスタの製造
工程図を、第５図（α）〜（ｄ）は薄膜磁気変換器の製
造工程図を示す。第６図は本発明による磁気°ヘッドの
断面図を示す。 １・・・・・・薄膜磁気ヘッド ２・・・・・・サスペンション ３・・・・・・リード線 ３１・・・フレキシブル線 ４・・・・・・増巾器 ５・・・・・・Ａｔ２０．で絶縁被覆したＡｔ２０．・
Ｔ１Ｃ基板 ６……ＰＯ１７−８１ ７・・・・・・ゲート酸化膜 ８・・・・・・ゲート電極 １０・・・・・・ドレイン １１１・・・・−８ｉＯ，膜 １２・・・・・・下磁極 １３・・・・・・ギャップ層 １４・・・・・・絶縁膜 １５・・・・・・コイル １６・・・・・・絶縁膜 １７・・・・・・電気的接触点 １８・・・・・・上磁極 １９・・・・・・磁極端 ２０・・・・・・電 極 ２１・・・・・・保護膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 磁気ヘッド。斜祖図 第１図 従来の磁気ヘッドｆ）＠穐図 第２図 薄膜トランジスタの製造工程図 第４図
来の磁気ヘッドの斜視図を示す。第３図は実施例で用い
た薄膜トランジスタの増幅回路図、第４図（α）〜（ｄ
）は本発明による磁気ヘッドの薄膜トランジスタの製造
工程図を、第５図（α）〜（ｄ）は薄膜磁気変換器の製
造工程図を示す。第６図は本発明による磁気°ヘッドの
断面図を示す。 １・・・・・・薄膜磁気ヘッド ２・・・・・・サスペンション ３・・・・・・リード線 ３１・・・フレキシブル線 ４・・・・・・増巾器 ５・・・・・・Ａｔ２０．で絶縁被覆したＡｔ２０．・
Ｔ１Ｃ基板 ６……ＰＯ１７−８１ ７・・・・・・ゲート酸化膜 ８・・・・・・ゲート電極 １０・・・・・・ドレイン １１１・・・・−８ｉＯ，膜 １２・・・・・・下磁極 １３・・・・・・ギャップ層 １４・・・・・・絶縁膜 １５・・・・・・コイル １６・・・・・・絶縁膜 １７・・・・・・電気的接触点 １８・・・・・・上磁極 １９・・・・・・磁極端 ２０・・・・・・電 極 ２１・・・・・・保護膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 磁気ヘッド。斜祖図 第１図 従来の磁気ヘッドｆ）＠穐図 第２図 薄膜トランジスタの製造工程図 第４図
Claims (2)
- （１）薄膜型磁気変換器と該変換器からの出力を増巾す
る薄膜型トランジスタを同一基板上に形成したことを特
徴とする磁気ヘッド。 - （２）同一基板上に、薄膜型トランジスタで増巾器を形
成する工程と、該トランジスタ上に絶縁膜を形成する工
程と、薄膜型磁気変換器を形成する工程と、薄膜型トラ
ンジスタと薄膜型磁気変換器を電気的に接続する工程と
、薄膜型トランジスタと薄膜型磁気変換器の保護膜を同
時に形成する工程からなることを特徴とする磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3862386A JPS62197909A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3862386A JPS62197909A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62197909A true JPS62197909A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12530364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3862386A Pending JPS62197909A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62197909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665148B2 (en) | 2000-08-09 | 2003-12-16 | Tdk Corporation | Magnetic head apparatus with IC chip mounted on suspension for increased heat diffusion and magnetic disk apparatus having magnetic head apparatus |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP3862386A patent/JPS62197909A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665148B2 (en) | 2000-08-09 | 2003-12-16 | Tdk Corporation | Magnetic head apparatus with IC chip mounted on suspension for increased heat diffusion and magnetic disk apparatus having magnetic head apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1193361A (en) | Integrated magnetostrictive-piezoelectric-metal oxide semiconductor magnetic playback head | |
| CA1196093A (en) | Integrated magnetostrictive-piezoresistive magnetic recording playback head | |
| US4195323A (en) | Thin film magnetic recording heads | |
| JPH06259730A (ja) | 改善されたサーボ位置決め精度を得るための改善されたマイクロトラック・プロフィルを備える磁気抵抗センサ及び磁気センサ・アセンブリを製作する方法 | |
| JPH03505501A (ja) | 磁気抵抗による垂直記録用の磁気読取りヘッド及び当該ヘッドの製造方法 | |
| JPS63255809A (ja) | 狭いトラックに対する読取磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| US4556597A (en) | Ion doped servo pattern for magnetic recording disk | |
| JPS6149488A (ja) | 磁気抵抗変換器 | |
| JPH06267026A (ja) | 半導体磁界検知磁気ヘッドの製造方法およびそれにより製造される半導体磁界検知磁気ヘッド | |
| US6239948B1 (en) | Non-magnetic nickel containing conductor alloys for magnetic transducer element fabrication | |
| US5912790A (en) | Thin film magnetic recording-reproducing head having a high recording density and high fidelity | |
| JP2862963B2 (ja) | ホール効果を用いた磁気読取りヘッド | |
| JPS62197909A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPS62132211A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH10105921A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3332417B2 (ja) | ホール素子及びその製造方法 | |
| US7071010B1 (en) | Methods of making a three terminal magnetic sensor having a collector region electrically isolated from a carrier substrate body | |
| JPS5856223A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH06176315A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US8300366B2 (en) | Magnetic storage device which includes a three terminal magnetic sensor having a collector region electrically isolated from a slider body | |
| JP2586434B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPS6045922A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS6192413A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気変換器 | |
| JPS6217399B2 (ja) | ||
| JPS5987615A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |