JPS6218971Y2 - - Google Patents

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JPS6218971Y2
JPS6218971Y2 JP1981178334U JP17833481U JPS6218971Y2 JP S6218971 Y2 JPS6218971 Y2 JP S6218971Y2 JP 1981178334 U JP1981178334 U JP 1981178334U JP 17833481 U JP17833481 U JP 17833481U JP S6218971 Y2 JPS6218971 Y2 JP S6218971Y2
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はマイクロ波帯信号の受信機等に用いら
れるマイクロ波共振回路装置に関し、特に、誘電
体基板上に形成されたストリツプラインとこのス
トリツプラインの近傍に設けられた誘電体共振器
との結合により形成される共振回路の共振周波数
が、温度変化等によつて変動しないようになさ
れ、かつ、この結合の位置関係が正確に設定でき
る様にされたマイクロ波共振回路装置に関する。
[Detailed description of the invention] The present invention relates to a microwave resonant circuit device used in a microwave band signal receiver, etc., and particularly relates to a stripline formed on a dielectric substrate and a circuit provided near the stripline. The resonant frequency of the resonant circuit formed by the coupling with the dielectric resonator is made so that it does not fluctuate due to temperature changes, etc., and the positional relationship of this coupling can be set accurately. The present invention relates to a resonant circuit device.

マイクロ波帯の周波数を有する信号に共振する
マイクロ波共振回路を用いたものの一例として
は、マイクロ波発振回路があり、例えば、ガリウ
ムひ素電界効果トランジスタ(以下、GaAs・
FETと言う)等の3端子能動素子を用いて構成
したものが提案されている。この回路を第1図に
示す。
An example of a microwave resonant circuit that resonates with a signal having a frequency in the microwave band is a microwave oscillation circuit.
A structure using a three-terminal active element such as a FET (FET) has been proposed. This circuit is shown in FIG.

第1図において、1はGaAs・FETで、そのゲ
ート電極Gはストリツプライン2に接続され、ス
トリツプライン2の一端は抵抗3を介して接地さ
れている。また、ソース電極Sはストリツプライ
ン4に接続され、このストリツプライン4の一端
は高周波阻止用のインダクタンス5及びバイアス
用抵抗6を介して接地されており、更に、ドレイ
ン電極Dはストリツプライン7に接続され、この
ストリツプライン7は高周波阻止用のインダクタ
ンス8を介して電源+Bに接続されると共に、そ
の一端は直流阻止用のギヤツプコンデンサ9を介
してストリツプライン10に接続されている。ス
トリツプライン10からは高周波出力端子OUT
が導出されている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a GaAs FET, whose gate electrode G is connected to a stripline 2, and one end of the stripline 2 is grounded via a resistor 3. The source electrode S is connected to a stripline 4, one end of which is grounded via an inductance 5 for high frequency blocking and a bias resistor 6, and the drain electrode D is connected to the stripline 4. 7, and this stripline 7 is connected to the power supply +B via an inductance 8 for high frequency blocking, and one end thereof is connected to the stripline 10 via a gap capacitor 9 for DC blocking. ing. High frequency output terminal OUT from stripline 10
has been derived.

また、発振周波数を安定化するため、ストリツ
プライン2の近傍にはQの高い誘電体共振器11
が設けられ、結合されている。
In addition, in order to stabilize the oscillation frequency, a high Q dielectric resonator 11 is installed near the stripline 2.
are provided and connected.

以上の様に構成された発振回路は、GaAs・
FET1のゲート電極G、ソース電極S及びドレ
イン電極Dの各々に、ストリツプライン2及び誘
電体共振器11により形成される等価インピーダ
ンス素子、ストリツプライン4により形成される
等価インピーダンス素子及びストリツプライン7
及び10及びギヤツプコンデンサ9で形成される
等価インピーダンス素子が夫々接続され、これら
の3種の等価インピーダンス素子の一端が共通接
続されて帰還路が形成されたものとなつている。
これにより発振動作がなされるが、その発振周波
数はストリツプライン2,4,7の夫々の長さが
適宜選定され、また、誘電体共振器11のストリ
ツプライン2に対する位置の設定がされることに
より決定される。
The oscillation circuit configured as above is made of GaAs.
An equivalent impedance element formed by the stripline 2 and the dielectric resonator 11, an equivalent impedance element formed by the stripline 4, and the stripline are connected to each of the gate electrode G, source electrode S, and drain electrode D of the FET 1. 7
Equivalent impedance elements formed by 10 and 10 and gap capacitor 9 are connected to each other, and one ends of these three types of equivalent impedance elements are commonly connected to form a feedback path.
As a result, an oscillation operation is performed, and the oscillation frequency is determined by appropriately selecting the lengths of the striplines 2, 4, and 7, and by setting the position of the dielectric resonator 11 with respect to the stripline 2. Determined by

この様な基本的構成を有する発振回路では、温
度の変化、あるいは、その発振出力が供給される
負荷の変動等の影響を受けて発振周波数が変動す
るのを防ぐべく、誘電体共振器11を用いている
のであり、また、ストリツプライン2に対する誘
電体共振器11の距離d及び1を調整するように
している。即ち、発振回路全体としての温度特性
と誘電体共振器11の温度特性(温度変化に対す
る周波数変化の特性)は、Gas・FET1を含む
発振部の温度特性と誘電体共振器11の温度特性
とが合成されたものとなるので、全体の温度特性
を優れたものとするため、発振部の温度特性を打
ち消す様な温度特性を有した誘電体共振器11を
選択し、これを適切な位置に配して使用している
のである。
In an oscillation circuit having such a basic configuration, the dielectric resonator 11 is used to prevent the oscillation frequency from changing due to changes in temperature or changes in the load to which the oscillation output is supplied. In addition, the distances d and 1 of the dielectric resonator 11 to the stripline 2 are adjusted. That is, the temperature characteristics of the oscillation circuit as a whole and the temperature characteristics of the dielectric resonator 11 (characteristics of frequency changes with respect to temperature changes) are determined by the temperature characteristics of the oscillation section including the GaAs・FET 1 and the temperature of the dielectric resonator 11. Therefore, in order to make the overall temperature characteristics excellent, a dielectric resonator 11 with temperature characteristics that cancels out the temperature characteristics of the oscillation section is selected, and this is properly controlled. It is used by placing it in a certain position.

この場合、誘電体共振器11の共振周波数を調
整するために、第2図の上断面図及び第3図の側
断面図に示す様に、金属性のシヤーシ14に収納
される接地導体13を下面に有する誘電体基板1
2の上面に、ストリツプライン2と共に設けられ
た誘電体共振器11の上方において、金属導体で
なる調整板16を調整ねじ17に固着し、これを
金属性のカバー15に設けた雌ねじ部15′に捩
じ込み、この捩じ込み量を調整して所定の特性を
得た後、ロツクナツト18を締付ける事によつて
調整ねじ17をカバー15に固定するようにして
いる。
In this case, in order to adjust the resonant frequency of the dielectric resonator 11, as shown in the top sectional view of FIG. 2 and the side sectional view of FIG. Dielectric substrate 1 on the bottom surface
An adjustment plate 16 made of a metal conductor is fixed to an adjustment screw 17 above the dielectric resonator 11 provided together with the stripline 2 on the upper surface of the metal cover 15. The adjustment screw 17 is fixed to the cover 15 by tightening the lock nut 18 after adjusting the screwing amount to obtain the desired characteristics.

しかしながら、この様な従来装置にあつては、
誘電体共振器11と対向して、誘電体基板12の
下面に一様に接地導体13が形成されているた
め、誘電体基板12の厚みが温度変化によつて変
動した場合には共振周波数が大幅に変化するとい
う問題がある。これは、誘電体共振器11を共振
させた場合、その時の電界分布のほとんどが誘電
体共振器11の内側へ集中し、誘電体共振器11
の外側においては指数関数的に減衰することにな
るが、誘電体共振器11の外側の極めて近い位置
にある接地導体13との距離が、温度変動による
誘電体基板12の厚み変動により変化すると、共
振周波数変動に寄与する割合が多くなるというこ
とに起因している。この為、誘電体基板の材質が
選定されるに際しては、温度変化による厚み変動
と誘電率変動が少ないという条件が優先されてお
り、通常は、アルミナ基板やセラミツク基板が用
いられているが、これらの基板は量産性が悪く、
高価であるという問題がある。
However, with such conventional equipment,
Since the ground conductor 13 is uniformly formed on the lower surface of the dielectric substrate 12 facing the dielectric resonator 11, the resonant frequency will change if the thickness of the dielectric substrate 12 changes due to temperature changes. The problem is that it changes drastically. This is because when the dielectric resonator 11 is caused to resonate, most of the electric field distribution at that time is concentrated inside the dielectric resonator 11.
However, if the distance to the ground conductor 13 located very close to the outside of the dielectric resonator 11 changes due to changes in the thickness of the dielectric substrate 12 due to temperature changes, This is due to the fact that the proportion contributing to resonance frequency fluctuation increases. For this reason, when selecting the material for the dielectric substrate, priority is given to the condition that there is little variation in thickness and variation in dielectric constant due to temperature changes, and alumina or ceramic substrates are usually used. The board is not suitable for mass production,
The problem is that it is expensive.

また、誘電体共振器11は、誘電体基板12の
上面側に載置されており、その位置、即ち、スト
リツプライン2に対する誘電体共振器11の距離
d及び1が調整されて所定の特性が得られた後
に、接着剤が用いられて誘電体基板12に固定さ
れる。この為、調整作業中の振動等によつて誘電
体共振器11とストリツプライン2との位置関係
が狂い易く、調整作業がし難いという問題点があ
り、更に、接着剤はストリツプライン2に近い位
置に付着されるので、この接着剤が共振のQの低
下等の悪影響を及ぼすという問題もある。
Further, the dielectric resonator 11 is placed on the upper surface side of the dielectric substrate 12, and its position, that is, the distance d and 1 of the dielectric resonator 11 with respect to the stripline 2 is adjusted to obtain predetermined characteristics. After this is obtained, it is fixed to the dielectric substrate 12 using an adhesive. For this reason, there is a problem in that the positional relationship between the dielectric resonator 11 and the stripline 2 is easily disturbed due to vibrations during adjustment work, making it difficult to perform the adjustment work. There is also the problem that this adhesive has an adverse effect, such as a reduction in the Q of resonance, since it is attached at a position close to the .

本考案は上記の様な種々の問題点に鑑みてなさ
れたものであつて、本考案の目的は、誘電体基板
の厚みが温度変化等によつて変動したとしても、
この厚み変動が共振周波数の変動をもたらすこと
を極力少なくできると共に、誘電体共振器とスト
リツプラインとの位置関係の設定が正確、かつ、
容易に行なえる様にしたマイクロ波共振回路装置
を提供する事にある。
The present invention was developed in view of the various problems mentioned above, and the purpose of the present invention is to prevent the thickness of the dielectric substrate from changing due to changes in temperature, etc.
In addition to minimizing the variation in resonance frequency caused by this thickness variation, the positional relationship between the dielectric resonator and the stripline can be set accurately, and
An object of the present invention is to provide a microwave resonant circuit device that can be easily operated.

次に、本考案の実施例を図面の第4図以降を参
照して説明する。第4図は本考案の一実施例の側
断面図である。同図において、誘電体基板20の
上面にはストリツプライン21が形成されると共
にこのストリツプライン21の近傍の所定位置に
貫通孔20Aが設けられ、この孔20Aの内部に
誘電体共振器22の下側の段部が装着されてい
る。この誘電体基板20の下面には接地導体23
が形成してあり、この接地導体23には上記貫通
孔20Aを包囲する様な形状の欠落部23Aが形
成されている。また、誘電体共振器22の誘電体
基板20への固定は接着剤24を用いてなされて
いる。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 and subsequent drawings. FIG. 4 is a side sectional view of one embodiment of the present invention. In the figure, a stripline 21 is formed on the upper surface of a dielectric substrate 20, and a through hole 20A is provided at a predetermined position near the stripline 21, and a dielectric resonator 22 is provided inside this hole 20A. The lower step is attached. A ground conductor 23 is provided on the lower surface of this dielectric substrate 20.
This ground conductor 23 is formed with a cutout portion 23A having a shape that surrounds the through hole 20A. Furthermore, the dielectric resonator 22 is fixed to the dielectric substrate 20 using an adhesive 24.

そして、この様な誘電体基板20は金属性のシ
ヤーシ25内に収納され、このシヤーシ25の下
面の上記欠落部23Aに対向する部位には、プレ
ス加工等によつて形成された突出部26が設けら
れ、この突出部26によつて欠落部23Aが覆わ
れている。また、シヤーシ25の上方は開口して
おり、この開口部を覆う様に金属製のカバー27
が、図示しない取り付けねじ等によつて固定され
る様になつている。このカバー27には雌ねじ部
27′が形成され、この雌ねじ部27′には調整板
28が固着された調整ねじ29が捩じ込まれて、
調整板28と誘電体共振器22の上面との間隔が
調整できる様になつている。なお、30は調整ね
じ29をロツクするためのロツクナツトである。
The dielectric substrate 20 is housed in a metal chassis 25, and a protrusion 26 formed by pressing or the like is formed on the lower surface of the chassis 25 at a portion opposite to the cutout 23A. The protruding portion 26 covers the missing portion 23A. Further, the upper part of the chassis 25 is open, and a metal cover 27 is provided to cover this opening.
However, it is designed to be fixed with a mounting screw or the like (not shown). This cover 27 is formed with a female threaded portion 27', and an adjustment screw 29 to which an adjustment plate 28 is fixed is screwed into this female threaded portion 27'.
The distance between the adjusting plate 28 and the upper surface of the dielectric resonator 22 can be adjusted. Note that 30 is a lock nut for locking the adjustment screw 29.

ここで、誘電体共振器22を共振させた場合、
その時の電界分布はほとんどが誘電体共振器22
の内側へ集中し、誘電体共振器22の外側におい
ては指数関数的に減衰する。この例においては、
共振周波数の設定に寄与する上方及び下方の導体
部は、上方に設けられた調整板28と下方に設け
られた突出部26の内壁面とによつて形成される
が、これら両者は誘電体共振器22の外側の比較
的離れた位置にあるので、誘電体共振器22と調
整板28もしくは突出部26の内壁面との距離が
温度変化等により多少変動したとしても、誘電体
共振器22の共振周波数変動に及ぼす影響は極め
て小となる。
Here, when the dielectric resonator 22 is caused to resonate,
At that time, the electric field distribution is mostly in the dielectric resonator 22.
It concentrates inside the dielectric resonator 22, and decays exponentially outside the dielectric resonator 22. In this example,
The upper and lower conductor parts that contribute to setting the resonant frequency are formed by the adjustment plate 28 provided above and the inner wall surface of the protrusion 26 provided below, both of which are connected to dielectric resonance. Since the dielectric resonator 22 is located at a relatively distant position on the outside of the resonator 22, even if the distance between the dielectric resonator 22 and the adjustment plate 28 or the inner wall surface of the protrusion 26 changes somewhat due to temperature changes, the dielectric resonator 22 The effect on resonance frequency fluctuation is extremely small.

従つて、誘電体基板20の厚みが温度変動等に
よつて変化しても、この厚み変動が共振周波数の
実質的変動を生ぜしめないことにある。
Therefore, even if the thickness of the dielectric substrate 20 changes due to temperature fluctuations or the like, this thickness fluctuation does not cause a substantial fluctuation in the resonant frequency.

一方、誘電体共振器22のストリツプライン2
1に対する位置の設定においては、誘電体共振器
22が誘電体基板20に設けられた貫通孔20A
によつて正確に位置規制されるので、位置設定作
業が極めて容易になる。更に、誘電体共振器22
が誘電体基板20の下面に接着剤24により接着
されて固定されることにより、支持されているの
で、誘電体基板20が温度変化等による厚み変動
を生じても、この厚み変動による誘電体共振器2
2の位置変動が生じ難く、共振周波数の変動が少
とされるという利点もある。
On the other hand, the stripline 2 of the dielectric resonator 22
1, the dielectric resonator 22 is located in the through hole 20A provided in the dielectric substrate 20.
Since the position is accurately regulated by , the position setting work becomes extremely easy. Furthermore, a dielectric resonator 22
is supported by being bonded and fixed to the lower surface of the dielectric substrate 20 with an adhesive 24, so even if the dielectric substrate 20 undergoes thickness variations due to temperature changes, dielectric resonance due to this thickness variation will be avoided. Vessel 2
There is also the advantage that the positional fluctuation of No. 2 is less likely to occur, and the fluctuation of the resonance frequency is reduced.

上述の誘電体共振器22と誘電体基板20との
固着状態の他の例を、第5図から第7図に示す。
第5図は誘電体基板20に形成された貫通孔20
Aに挿入される誘電体共振器22を、下方が小径
となる様な円錐台状に形成したものである。第6
図は第5図における如くの誘電体共振器22の円
錐台形状を逆、即ち、下方が大径となる様にした
ものである。第7図は誘電体共振器22の下方に
フランジ部を設け、このフランジ部と誘電体基板
20の下面とを密接する様にしたものである。こ
れらいずれの場合も、誘電体共振器22は誘電体
基板20の下面で接着剤24により接着される。
Other examples of the fixed state of the dielectric resonator 22 and the dielectric substrate 20 described above are shown in FIGS. 5 to 7.
FIG. 5 shows a through hole 20 formed in a dielectric substrate 20.
The dielectric resonator 22 inserted into A is formed into a truncated cone shape with a smaller diameter at the bottom. 6th
The figure shows the truncated conical shape of the dielectric resonator 22 as shown in FIG. 5 reversed, that is, the diameter is larger at the bottom. In FIG. 7, a flange portion is provided below the dielectric resonator 22, and the flange portion and the lower surface of the dielectric substrate 20 are brought into close contact with each other. In any of these cases, the dielectric resonator 22 is bonded to the lower surface of the dielectric substrate 20 with an adhesive 24.

上述の実施例による説明で明らかな様に、本考
案に係るマイクロ波共振回路装置は、一面に接地
導体が形成され、他面にストリツプラインが形成
された誘電体基板と、この誘電体基板を貫通する
如く設けられた貫通孔内に挿入されて支持された
誘電体共振器と、上記接地導体の上記貫通孔に対
応する部分に形成される欠落部を覆う導体とを備
えて構成されているので、誘電体基板の厚みが温
度変化等によつて変動したとしても、この厚み変
動が共振周波数変動に及ぼす影響を極めて少なく
することができる。また、誘電体基板の材質に、
温度変化による厚み変動や誘電率変動が比較的大
きくても、加工性が良く、比較的安価なテフロン
基板等を用いる事ができるので、コストダウンを
計る事ができるという利点がある。
As is clear from the above description of the embodiments, the microwave resonant circuit device according to the present invention includes a dielectric substrate having a ground conductor formed on one side and a strip line formed on the other side, and this dielectric substrate. a dielectric resonator inserted and supported in a through hole provided so as to pass through the ground conductor; and a conductor that covers a missing portion formed in a portion of the ground conductor corresponding to the through hole. Therefore, even if the thickness of the dielectric substrate fluctuates due to temperature changes or the like, the influence of this thickness fluctuation on the resonant frequency fluctuation can be extremely reduced. In addition, the material of the dielectric substrate
Even if thickness fluctuations and dielectric constant fluctuations due to temperature changes are relatively large, it is possible to use a Teflon substrate, etc., which has good workability and is relatively inexpensive, so there is an advantage that costs can be reduced.

なお、本考案は上述の各種の実施例に限定され
る事なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形がなされて良い事勿論である。
It should be noted that the present invention is not limited to the various embodiments described above, and it goes without saying that various modifications may be made without departing from the gist thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はマイクロ波発振回路の一例を示す回路
図、第2図は従来のマイクロ波共振回路装置の一
例を示す上断面図、第3図は第2図に示される例
の側断面図、第4図は本考案の一実施例を示す側
断面図、第5図から第7図は、夫々、本考案にお
ける誘電体共振器と誘電体基板との固着状態の、
第4図に示されるものとは異なる例を示す断面図
である。 図中、20……誘電体基板、20A……貫通
孔、21……ストリツプライン、22……誘電体
共振器、23……接地導体、23A……欠落部、
24……接着剤、25……シヤーシ、26……突
出部、27……カバーである。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a microwave oscillation circuit, FIG. 2 is a top sectional view showing an example of a conventional microwave resonant circuit device, and FIG. 3 is a side sectional view of the example shown in FIG. FIG. 4 is a side cross-sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIGS. 5 to 7 show the fixed state of the dielectric resonator and dielectric substrate in the present invention, respectively.
5 is a cross-sectional view showing an example different from that shown in FIG. 4. FIG. In the figure, 20... dielectric substrate, 20A... through hole, 21... stripline, 22... dielectric resonator, 23... ground conductor, 23A... missing part,
24... adhesive, 25... chassis, 26... protrusion, 27... cover.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 一面に接地導体が形成されるとともに他面にス
トリツプラインが形成され、該ストリツプライン
の近傍の位置に貫通孔が設けられた誘電体基板
と、一部が上記貫通孔に挿入され、上記誘電体基
板に対し上記一面側で接着剤により固定された誘
電体共振器と、上記接地導体に接続され、上記貫
通孔に対応する位置に設けられて上記接地導体に
おける上記貫通孔の位置に形成される欠落部を覆
う突出部が設けられた導体とを備え、上記導体の
突出部の内壁面が上記誘電体共振器の上記誘電体
基板の一面側における端面部から比較的離れた位
置に置かれるものとされたマイクロ波共振回路装
置。
A dielectric substrate having a ground conductor formed on one side and a strip line formed on the other side, and a through hole provided in the vicinity of the strip line; a dielectric resonator fixed to the dielectric substrate on one side with an adhesive; and a dielectric resonator connected to the ground conductor, provided at a position corresponding to the through hole, and formed at the position of the through hole in the ground conductor. a conductor provided with a protrusion covering a missing portion of the conductor, the inner wall surface of the protrusion of the conductor being located at a position relatively distant from an end surface on one surface side of the dielectric substrate of the dielectric resonator. A microwave resonant circuit device that was supposed to be destroyed.
JP17833481U 1981-11-30 1981-11-30 Microwave resonant circuit device Granted JPS5883801U (en)

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