JPS62175488A - 置換o−フタルアルデヒド、その製造方法及びその合成に用いられる化合物 - Google Patents
置換o−フタルアルデヒド、その製造方法及びその合成に用いられる化合物Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2/00—Addition polymers of aldehydes or cyclic oligomers thereof or of ketones; Addition copolymers thereof with less than 50 molar percent of other substances
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- G—PHYSICS
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は置換O−フタルアルデヒド類に、その製造方法
に、及びその合成用の新規ジ−及びテトラクロロ或はジ
−及びテトラヨード化合物に関する。
に、及びその合成用の新規ジ−及びテトラクロロ或はジ
−及びテトラヨード化合物に関する。
[マクロモレキュールズ(Macromolecule
s)J1967年、第2巻、第414〜419頁にはo
−7タルアルデヒドは特定の触媒の存在下で重合できる
ことが教示されている。更に欧州特許出願第01262
14号にはフタルアルデヒドのポリマーば、2〜6mJ
/c!lのエネルギーで充分に感光性とするために10
重量%のオニウム塩をレジストに加えなければならない
けれども、フォトレジストとして使用できることが開示
されている。しかしながら、これらのポリマーは酸素プ
ラズマ中で安定ではない。
s)J1967年、第2巻、第414〜419頁にはo
−7タルアルデヒドは特定の触媒の存在下で重合できる
ことが教示されている。更に欧州特許出願第01262
14号にはフタルアルデヒドのポリマーば、2〜6mJ
/c!lのエネルギーで充分に感光性とするために10
重量%のオニウム塩をレジストに加えなければならない
けれども、フォトレジストとして使用できることが開示
されている。しかしながら、これらのポリマーは酸素プ
ラズマ中で安定ではない。
今となって、特定のシリル基、スタニル基又はゲルマニ
ル基に基づく少なくとも1個の置換基を有するo−フタ
ルアルデヒドもまた、少量のオニウム塩が加えられそし
てエネルギー密度が低い場合に比較的よシ大きな光感受
性をもつポリマーへと重合させ得ることが発見された。
ル基に基づく少なくとも1個の置換基を有するo−フタ
ルアルデヒドもまた、少量のオニウム塩が加えられそし
てエネルギー密度が低い場合に比較的よシ大きな光感受
性をもつポリマーへと重合させ得ることが発見された。
従って本発明は次式I:
〔式中、置換基R1,R2,R3,R4の少なくとも1
つはQ(アルキル)3. − CHz −Q (アルキ
ル)3゜−0−Q(アルキル)3.−Q(アリール)(
又は−Q(アルキレン−アリール)3(これら式中、Q
はSi、Sn又は(ト)を表わし、アルキル基は1ない
し12個の炭素原子を含み、アリール基は6ないし12
の環式炭素原子を含みそしてアルキレン基は1〜4個の
炭素原子を含む)を表わし、そしてR1ないしR4の残
りの置換基はおのおの水素原子又はハロゲン原子又はシ
アン基、ユトロ基、カルボキシル基又はヒドロキシル基
、炭素原子数1ないし4のアルコキシ基、炭素原子数1
ないし4のアルキルチオ基或はアルコキシ部分に1ない
し4個の炭素原子を含むアルコキシ力ルホニル基を表わ
す〕で表わされる置換0−フタルアルデヒドに関する。
つはQ(アルキル)3. − CHz −Q (アルキ
ル)3゜−0−Q(アルキル)3.−Q(アリール)(
又は−Q(アルキレン−アリール)3(これら式中、Q
はSi、Sn又は(ト)を表わし、アルキル基は1ない
し12個の炭素原子を含み、アリール基は6ないし12
の環式炭素原子を含みそしてアルキレン基は1〜4個の
炭素原子を含む)を表わし、そしてR1ないしR4の残
りの置換基はおのおの水素原子又はハロゲン原子又はシ
アン基、ユトロ基、カルボキシル基又はヒドロキシル基
、炭素原子数1ないし4のアルコキシ基、炭素原子数1
ないし4のアルキルチオ基或はアルコキシ部分に1ない
し4個の炭素原子を含むアルコキシ力ルホニル基を表わ
す〕で表わされる置換0−フタルアルデヒドに関する。
前記式I中、R1,R2,R3及びR4の1つ又は2つ
がおのおのトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)シ
リル基、トリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)スタ
ニル基又はトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)ゲ
ルマニル基ヲ表わし、そしてR1ないしR4の他の置換
基が2の2の水素原子を表わすのが好ましい。
がおのおのトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)シ
リル基、トリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)スタ
ニル基又はトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)ゲ
ルマニル基ヲ表わし、そしてR1ないしR4の他の置換
基が2の2の水素原子を表わすのが好ましい。
前期式■中、R2及びR3がトリ(炭素原子数1ないし
4のアルキル)シリル基を表わし、セしてR1ないしR
4の他の置換基が水素原子を表わすのが特に好ましい。
4のアルキル)シリル基を表わし、セしてR1ないしR
4の他の置換基が水素原子を表わすのが特に好ましい。
とりわけR2及びR3がトリメチルシリル基又はトリエ
チルシリル基を表わし、R1ないしR4の他の置換基の
おのおのが水素原子を表わす式Iの化合物が好ましくま
た興味深い。
チルシリル基を表わし、R1ないしR4の他の置換基の
おのおのが水素原子を表わす式Iの化合物が好ましくま
た興味深い。
置換基R1ないしR4に含まれるアリール部分に1個又
はそれ以上の置換基があってよい。適当な置換基はハロ
ゲン原子、特に塩素原子又は臭素原子或はニトロ基であ
る。適当なアリール基としてフェニル基、クロロフェニ
ル基、ナフチル基及びクロロナフチル基が挙げられる。
はそれ以上の置換基があってよい。適当な置換基はハロ
ゲン原子、特に塩素原子又は臭素原子或はニトロ基であ
る。適当なアリール基としてフェニル基、クロロフェニ
ル基、ナフチル基及びクロロナフチル基が挙げられる。
R1ないしR4中の適当なアルキレン基は例えばメチレ
ン基又はエチレン基である。
ン基又はエチレン基である。
式Iで表わされる置換o−フタルアルデヒドは次式II
: 〔式中、各Xは互に独立して臭素原子、塩素原子又はヨ
ウ素原子を安わし、R1,R2,R3及びR4は上記式
Iで定義した意味を表わす〕 で表わされる化合物を、公知方法に従い少なくとも等価
量のへキサメチレンテトラミン又はジメチルスルホキシ
ドを用いて相当する上記式Iで表わされる化合物へと酸
化するか;或は好ましくは次式■: 〔式中、各Xは互に独立して臭素原子、塩素原子又はヨ
ウ素原子を表わし、R,、R,、R3及びR4は上記式
Iで定義した意味を表わす〕 で表わされる置換テトラハロゲノ化合物を公知方法に従
い、水性媒質中及び相間移動触媒と無機塩基の存在下で
有機酸の金属またはアンモニウム塩で加水分解するか、
又は上記式■の化合物を少なくとも等価量の炭酸カルシ
ウム水又はシュウ酸カリウムエタノール液と反応させる
か、又は8倍モル量のモルホリンと反応させ続けて上記
式■で表わされる化合物の中間体として得られ次置換ジ
−(N−モルホリノ)−1,3−7タランを加水分解す
るか、若しくは該中間体を高めた温度で(R5ないし1
5倍量のギ酸と反応させて上記式Iで表わされる化合物
に変えることによシ製造することができる。
: 〔式中、各Xは互に独立して臭素原子、塩素原子又はヨ
ウ素原子を安わし、R1,R2,R3及びR4は上記式
Iで定義した意味を表わす〕 で表わされる化合物を、公知方法に従い少なくとも等価
量のへキサメチレンテトラミン又はジメチルスルホキシ
ドを用いて相当する上記式Iで表わされる化合物へと酸
化するか;或は好ましくは次式■: 〔式中、各Xは互に独立して臭素原子、塩素原子又はヨ
ウ素原子を表わし、R,、R,、R3及びR4は上記式
Iで定義した意味を表わす〕 で表わされる置換テトラハロゲノ化合物を公知方法に従
い、水性媒質中及び相間移動触媒と無機塩基の存在下で
有機酸の金属またはアンモニウム塩で加水分解するか、
又は上記式■の化合物を少なくとも等価量の炭酸カルシ
ウム水又はシュウ酸カリウムエタノール液と反応させる
か、又は8倍モル量のモルホリンと反応させ続けて上記
式■で表わされる化合物の中間体として得られ次置換ジ
−(N−モルホリノ)−1,3−7タランを加水分解す
るか、若しくは該中間体を高めた温度で(R5ないし1
5倍量のギ酸と反応させて上記式Iで表わされる化合物
に変えることによシ製造することができる。
式Iで表わされる化合物の製造にあたシ、弐■で表わさ
れる置換テトラブロモ化合物を用い、該化合物を水性媒
質中、相関移動触媒と無機塩基の存在下で有機酸の金属
又はアンモニウム塩で加水分解するのが好ましい。
れる置換テトラブロモ化合物を用い、該化合物を水性媒
質中、相関移動触媒と無機塩基の存在下で有機酸の金属
又はアンモニウム塩で加水分解するのが好ましい。
ブロモエテル基又はジブロモメチル基をアルデヒド基に
変換させる上記プロセスは既に類似化合物に関して文献
中に開示されている。このように例えばジャーナルオグ
ケミカル ソサイアテ((J、 chem、 8oc、
) 1940巻、第692〜702頁には、アルコー
ル溶液中、高めた温度で炭酸ガス雰囲気下、等モル量の
へキサメチレンテトラミンを用いてp−エチルベンジル
クロライドにおけるクロロメチル基をアルデヒド基に酸
化することができる事が開示されている。
変換させる上記プロセスは既に類似化合物に関して文献
中に開示されている。このように例えばジャーナルオグ
ケミカル ソサイアテ((J、 chem、 8oc、
) 1940巻、第692〜702頁には、アルコー
ル溶液中、高めた温度で炭酸ガス雰囲気下、等モル量の
へキサメチレンテトラミンを用いてp−エチルベンジル
クロライドにおけるクロロメチル基をアルデヒド基に酸
化することができる事が開示されている。
芳香環に置換されたブロモメチル基のジメチルスルホキ
シドによるアルデヒド基への変換はジャーナル オプ
オルガニック ケミストリー (J、 Org、 Ch
em )、第24巻、1959年、第1792〜199
6頁、及びジャーナルオプ アメリカン ケミカル ソ
サイアティ(J、 Am、 Chem。
シドによるアルデヒド基への変換はジャーナル オプ
オルガニック ケミストリー (J、 Org、 Ch
em )、第24巻、1959年、第1792〜199
6頁、及びジャーナルオプ アメリカン ケミカル ソ
サイアティ(J、 Am、 Chem。
Soc、 )第81巻、1959年、第4112)〜4
114頁に開示されている。
114頁に開示されている。
水性媒質中、相関移動触媒と無機塩基の存在下、有機酸
の金属又はアンモニウム塩を用いる加水分解により弐■
で表わされるテトラハロ化合物を式■で表われるo−フ
タルアルデヒドへと変換することは、欧州特許出願第5
260号に開示されているプロセスに従い、好ましくは
金属塩としてギ酸、酢酸又はプロピオン酸のような脂肪
族カルボン酸のアルカリ金属塩もしくはアルカリ土類金
属塩を用いて行なうことができる。都合のよい相関移動
触媒は好ましくはオニウム塩、特には第四級アンモニウ
ム又はホスホニウム塩、例えばテトラアルキルアンモニ
ウム塩又はテトラアルキルホスホニウム塩、好ましくは
テトラ−n−グチルアンモニウムクロライド又はテトラ
−n−ブチルアンモニウムブロマイドのような相当する
ハライド、或は例えばテトラ−n−ブチルホスホニウム
クロライド又はテトラn−ブチルホスホニウムブロマイ
ドである。適当な無機塩基は通常アルカリ金属又はアル
カリ土類金属の塩基、好ましくは相当する水酸化物、重
炭酸塩であり、及び炭酸マグネシウム又は炭酸カルシウ
ムのような炭酸塩が好ましい。
の金属又はアンモニウム塩を用いる加水分解により弐■
で表わされるテトラハロ化合物を式■で表われるo−フ
タルアルデヒドへと変換することは、欧州特許出願第5
260号に開示されているプロセスに従い、好ましくは
金属塩としてギ酸、酢酸又はプロピオン酸のような脂肪
族カルボン酸のアルカリ金属塩もしくはアルカリ土類金
属塩を用いて行なうことができる。都合のよい相関移動
触媒は好ましくはオニウム塩、特には第四級アンモニウ
ム又はホスホニウム塩、例えばテトラアルキルアンモニ
ウム塩又はテトラアルキルホスホニウム塩、好ましくは
テトラ−n−グチルアンモニウムクロライド又はテトラ
−n−ブチルアンモニウムブロマイドのような相当する
ハライド、或は例えばテトラ−n−ブチルホスホニウム
クロライド又はテトラn−ブチルホスホニウムブロマイ
ドである。適当な無機塩基は通常アルカリ金属又はアル
カリ土類金属の塩基、好ましくは相当する水酸化物、重
炭酸塩であり、及び炭酸マグネシウム又は炭酸カルシウ
ムのような炭酸塩が好ましい。
ジャーナル オプ アメリカン ソサイアティ(J。
Am、 Chem、 8oc、)、第79巻、1957
年、第654a〜6542頁には、芳香環に置換したジ
ブロモメチル基を炭酸カルシウムで酸化することにより
アルデヒド基に変換できることが開示されている。そし
てジブロモメチル基をシュウ酸カリウムでアルデヒド基
に変換することはオーガニック シンセシス(Orga
nic 5yntheses )、第34巻、1954
年、第82〜84頁により公知である。
年、第654a〜6542頁には、芳香環に置換したジ
ブロモメチル基を炭酸カルシウムで酸化することにより
アルデヒド基に変換できることが開示されている。そし
てジブロモメチル基をシュウ酸カリウムでアルデヒド基
に変換することはオーガニック シンセシス(Orga
nic 5yntheses )、第34巻、1954
年、第82〜84頁により公知である。
芳香環に置換されたジブロモメチル基をモルホリンでア
ルデヒド基に変換することはビエレタンドゥラ ソクエ
テ シミーク ドク7ランス(Bulletin de
la 5oc、 Chim、 de France
) 、第9巻、1966年、第2966〜2971頁に
開示されている。そして西独特許公開第3021701
号には高めた温度で相当するベンズアルデヒドをギ酸と
反応させることによる芳香族アルデヒドの製造方法が開
示されている。
ルデヒド基に変換することはビエレタンドゥラ ソクエ
テ シミーク ドク7ランス(Bulletin de
la 5oc、 Chim、 de France
) 、第9巻、1966年、第2966〜2971頁に
開示されている。そして西独特許公開第3021701
号には高めた温度で相当するベンズアルデヒドをギ酸と
反応させることによる芳香族アルデヒドの製造方法が開
示されている。
未だ文献に記載されたことのない前記式■及び■で表わ
される化合物は前記式!で表わされる化合物の製造のた
めに開発されたもので、従ってこの化合物もま九本発明
の範囲内に含まれる。
される化合物は前記式!で表わされる化合物の製造のた
めに開発されたもので、従ってこの化合物もま九本発明
の範囲内に含まれる。
式■及び■中、各Xは互に独立して塩素原子又は臭素原
子を表わし、R1+ R2+ R3及びR4の1つ又は
2つがおの2のトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル
)7リル基、トリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)
スタニル基又はトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル
)ゲルマニル基を表わしそしてR,ないしR4の他の置
換基が2のおの水素原子を表わすのが好ましい。
子を表わし、R1+ R2+ R3及びR4の1つ又は
2つがおの2のトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル
)7リル基、トリ(炭素原子数1ないし4のアルキル)
スタニル基又はトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル
)ゲルマニル基を表わしそしてR,ないしR4の他の置
換基が2のおの水素原子を表わすのが好ましい。
式■及び■中、各Xは塩素原子又は臭素原子を表わし、
R2又はR3はトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル
)シリル基を表わしそしてR1ないしR4の他の置換基
はおのおの水素原子を表わすのが最も好ましい。
R2又はR3はトリ(炭素原子数1ないし4のアルキル
)シリル基を表わしそしてR1ないしR4の他の置換基
はおのおの水素原子を表わすのが最も好ましい。
式II又はIIIで表わされる化合物は特に興味深く、
とシわけ式中各Xが臭素原子を表わし、R2又はR3が
トリメチルシリル基又はトリエチルシリル基を表わしそ
してR1ないしR4の他の置換基がおのおの水素原子を
表わす化合物が興味深い。
とシわけ式中各Xが臭素原子を表わし、R2又はR3が
トリメチルシリル基又はトリエチルシリル基を表わしそ
してR1ないしR4の他の置換基がおのおの水素原子を
表わす化合物が興味深い。
式…又は■で表わされる化合物はジャーナルオブ アメ
リカン ケミカル ンサイアティ(J、 Am、 Ch
em、 8oc、 )、第79巻、1957年、第65
40〜6542頁に従い、次式■:〔式中、R1,R2
,R3及びR4は上記式■で定義した意味を表わす〕 で表わされる化合物を触媒、好ましくはジベンゾイルパ
ーオキシドのようなパーオキシドの存在下、N−ブロモ
コノ・り酸アミドで臭素化すして式II又はIIIの化
合物にすることによシ製造することができる。
リカン ケミカル ンサイアティ(J、 Am、 Ch
em、 8oc、 )、第79巻、1957年、第65
40〜6542頁に従い、次式■:〔式中、R1,R2
,R3及びR4は上記式■で定義した意味を表わす〕 で表わされる化合物を触媒、好ましくはジベンゾイルパ
ーオキシドのようなパーオキシドの存在下、N−ブロモ
コノ・り酸アミドで臭素化すして式II又はIIIの化
合物にすることによシ製造することができる。
式■で表わされる化合物は公知であり、また例えばジャ
ーナル オプ ケミカル ンサイアテ4 (J、 Ch
em、 Soc、 )第1959巻、第3640頁、又
はジャーナル オプ オルガノメタリックケミストリー
(J of Organometallic (:h
emistry)、第84巻(1975)、第165〜
175頁に記載されている方法により、或は類似の方法
により製造することができる。
ーナル オプ ケミカル ンサイアテ4 (J、 Ch
em、 Soc、 )第1959巻、第3640頁、又
はジャーナル オプ オルガノメタリックケミストリー
(J of Organometallic (:h
emistry)、第84巻(1975)、第165〜
175頁に記載されている方法により、或は類似の方法
により製造することができる。
最初に述べたように、式■で表わされる化合物は重合さ
れたときに酸素プラズマに抵抗を示す感光性レジスト物
質(radiation −5ensitiveres
ist material)として用いることができる
有用なモノマーである。
れたときに酸素プラズマに抵抗を示す感光性レジスト物
質(radiation −5ensitiveres
ist material)として用いることができる
有用なモノマーである。
実施例1: 4−トリメチルシリル−α、α、α′。
α′−テトラブロモー〇−キシレンの鮎冷却器と攪拌機
を装置した1、5tスルホン化用フラスコに、窒素雰囲
気下で、4−トリメチルシリル−0−キシレン100f
(562ミリモル)、N−ブロモスクシンイミド400
r(225oミリモル)、ジベンゾイルペルオキシド1
f及び四塩化炭素750−を入れる。反応混合物を、反
応が発熱的になるまで沸点まで加熱する。次いで自然に
沸騰が止むまで加熱浴をはずす。そして、ガスクロマト
グラフィ分析によシ4−トリメチルシリルー0−キシレ
ンが存在しないことを確認する。次に、該混合物を0℃
に冷却し、そしてスクシンイミドを分離する。次いでろ
液を冷5%水酸化ナトリウム溶液200ゴで2回抽出し
、そして水で1回洗う。四塩化炭素相を硫酸マグネシウ
ム上で乾燥し、そして四塩化炭素をロータリーエバポレ
ータで追に出す。。
を装置した1、5tスルホン化用フラスコに、窒素雰囲
気下で、4−トリメチルシリル−0−キシレン100f
(562ミリモル)、N−ブロモスクシンイミド400
r(225oミリモル)、ジベンゾイルペルオキシド1
f及び四塩化炭素750−を入れる。反応混合物を、反
応が発熱的になるまで沸点まで加熱する。次いで自然に
沸騰が止むまで加熱浴をはずす。そして、ガスクロマト
グラフィ分析によシ4−トリメチルシリルー0−キシレ
ンが存在しないことを確認する。次に、該混合物を0℃
に冷却し、そしてスクシンイミドを分離する。次いでろ
液を冷5%水酸化ナトリウム溶液200ゴで2回抽出し
、そして水で1回洗う。四塩化炭素相を硫酸マグネシウ
ム上で乾燥し、そして四塩化炭素をロータリーエバポレ
ータで追に出す。。
収量=94℃で融解する固体250r (理論値の90
%)。少量のn−へキサンから2回再結晶することKよ
シ97℃の融点を有する白色結晶が得られる(該化合物
の沸点:12)8℃/(L12)mbar)。
%)。少量のn−へキサンから2回再結晶することKよ
シ97℃の融点を有する白色結晶が得られる(該化合物
の沸点:12)8℃/(L12)mbar)。
元素分析: 理論値 測定値
C(%:] 2&75 2&75)((%
〕2.86 2.87 Br[%] 64.71 64.54IH
−NMRスペクトル(アセトン−d6):CH3−8i
9H(s) : (14ppmBr2CH9H(
s) : 7.95ppm及び7.5ppm芳香族性
H3H(rl : 7.6〜7.85ppm実施例2
:4,5−ビス(トリメチルシリル)−α、α、α′、
α′−テトラブロモ−〇−キシレンの製あ 冷却器と攪拌機を装置した1、5tスルホン化用フラス
コに、4.5−ビス(トリメチルシリル)−〇−キシレ
ン70r(280ミリモル)、N−ブロモスクシンイミ
ド224y (1260ミリモル)、ジベンゾイルペル
オキシド52及び四塩化炭素800−を入れる。該懸濁
液を、反応が発熱的になるまで加熱する。発熱反応が止
んだのち、該懸濁液を約3時間還流し、次いで冷却する
。スクシンイミドをろ過によシ除き、セしてろ液を冷1
0%水酸化ナトリウム溶液で2回洗う。乾燥有機相を溶
媒から分離し、そして残留固体をn−へキサンから再結
晶し、157℃で融解する固体120F(理論値の75
%)を得る。
〕2.86 2.87 Br[%] 64.71 64.54IH
−NMRスペクトル(アセトン−d6):CH3−8i
9H(s) : (14ppmBr2CH9H(
s) : 7.95ppm及び7.5ppm芳香族性
H3H(rl : 7.6〜7.85ppm実施例2
:4,5−ビス(トリメチルシリル)−α、α、α′、
α′−テトラブロモ−〇−キシレンの製あ 冷却器と攪拌機を装置した1、5tスルホン化用フラス
コに、4.5−ビス(トリメチルシリル)−〇−キシレ
ン70r(280ミリモル)、N−ブロモスクシンイミ
ド224y (1260ミリモル)、ジベンゾイルペル
オキシド52及び四塩化炭素800−を入れる。該懸濁
液を、反応が発熱的になるまで加熱する。発熱反応が止
んだのち、該懸濁液を約3時間還流し、次いで冷却する
。スクシンイミドをろ過によシ除き、セしてろ液を冷1
0%水酸化ナトリウム溶液で2回洗う。乾燥有機相を溶
媒から分離し、そして残留固体をn−へキサンから再結
晶し、157℃で融解する固体120F(理論値の75
%)を得る。
元素分析: 理論値 測定値
C(% ) 29.70 2a90HCチ
〕 五92 4.02Br[% ]
S&46 56.38’H−NMRスペクト
ル(アセトン−d6):CH3−Si 18H(s
) : (144ppmBr2 CH2H(s) :
7.65 ppm芳香族性H2H(s) : a
l ppm実施例3: 4−トリメチルシリル−〇
−7タルジアルデヒドの製造 攪拌機を装置した750fntスルホン化用フラスコに
、4−トリメチル−α、α、α′、α′−テ1ラプロモ
ーO−キシレン174M (355ミリモル)、ギ酸ナ
トリウム119F、炭酸カルシウム72tテトラブチル
アンモニウムプロミド262及び水150−を入れる。
〕 五92 4.02Br[% ]
S&46 56.38’H−NMRスペクト
ル(アセトン−d6):CH3−Si 18H(s
) : (144ppmBr2 CH2H(s) :
7.65 ppm芳香族性H2H(s) : a
l ppm実施例3: 4−トリメチルシリル−〇
−7タルジアルデヒドの製造 攪拌機を装置した750fntスルホン化用フラスコに
、4−トリメチル−α、α、α′、α′−テ1ラプロモ
ーO−キシレン174M (355ミリモル)、ギ酸ナ
トリウム119F、炭酸カルシウム72tテトラブチル
アンモニウムプロミド262及び水150−を入れる。
混合物を窒素雰囲気下で100℃まで加熱し、そのとき
、4−トリメチル−α、α、α′、α′−テトラブロモ
−〇−キシレンが融解する。
、4−トリメチル−α、α、α′、α′−テトラブロモ
−〇−キシレンが融解する。
異なり次相がよく混ざるように混合物を激しく攪拌する
。約12時間後、混合物を0℃に冷却し、そして混合物
をジエチルエーテル400@11!で抽出する。乾燥し
次有機相を蒸発させて濃縮する。続いて、残査を、溶離
液としてトルエンを用い、シリカゲルカラムを通すクロ
マトグラフによシ精製する。トルエン留分を濃縮し、純
4− ) IJメチルシリル−0−フタルジアルデヒド
54f(理論値の61チ)を得る。この生成物を≧2よ
そ同容量のn−ヘキサンに溶解する。
。約12時間後、混合物を0℃に冷却し、そして混合物
をジエチルエーテル400@11!で抽出する。乾燥し
次有機相を蒸発させて濃縮する。続いて、残査を、溶離
液としてトルエンを用い、シリカゲルカラムを通すクロ
マトグラフによシ精製する。トルエン留分を濃縮し、純
4− ) IJメチルシリル−0−フタルジアルデヒド
54f(理論値の61チ)を得る。この生成物を≧2よ
そ同容量のn−ヘキサンに溶解する。
黄色結晶が冷蔵庫内で形成する。融点:38℃。
該化合物の沸点:98℃/ 0.12) bar。
元素分析: 理論値 測定値
C〔チ] 64.04 6己94HC%]
484 &96SiCチ
〕 1五62 1五〇4”H−NMR
スペクトル(アセトン−d6):CH3−8i
9 t((s) : 111.36 ppm芳香族性
H2HH: ao ppm芳香族性H1H(s):
al ppmCHO2H(s) : I 11
6 ppm実施例4:4.5−ビス(トリメチルシリ
ル)−o−7タルジアルデヒドの贅慢 750−スルホン化用フラスコに、4,5−ビス(トリ
メチル)−α、α、α′、α′−テトラブロモ−〇−キ
シレン85 t (150ミリモル)、ギ酸ナトリウム
71.5f、炭酸カルシウム35t1テトラブチルアン
モニウムプロミド112)F、水175−及びトルエン
200dを入れ、そして該混合物を、窒素雰囲気下、1
20℃で十分に攪拌する。2日後、反応混合物を室温に
冷却し、そしてトルエンで希釈する。有機相を水で洗い
、そして乾燥する。溶媒をロータリーエバポレータで除
き、そして固体を、一定の融点となるようにn−ヘキサ
ンから再結晶する。収量:100℃で融解する黄色結晶
性物質17f(理論値の40% )。
484 &96SiCチ
〕 1五62 1五〇4”H−NMR
スペクトル(アセトン−d6):CH3−8i
9 t((s) : 111.36 ppm芳香族性
H2HH: ao ppm芳香族性H1H(s):
al ppmCHO2H(s) : I 11
6 ppm実施例4:4.5−ビス(トリメチルシリ
ル)−o−7タルジアルデヒドの贅慢 750−スルホン化用フラスコに、4,5−ビス(トリ
メチル)−α、α、α′、α′−テトラブロモ−〇−キ
シレン85 t (150ミリモル)、ギ酸ナトリウム
71.5f、炭酸カルシウム35t1テトラブチルアン
モニウムプロミド112)F、水175−及びトルエン
200dを入れ、そして該混合物を、窒素雰囲気下、1
20℃で十分に攪拌する。2日後、反応混合物を室温に
冷却し、そしてトルエンで希釈する。有機相を水で洗い
、そして乾燥する。溶媒をロータリーエバポレータで除
き、そして固体を、一定の融点となるようにn−ヘキサ
ンから再結晶する。収量:100℃で融解する黄色結晶
性物質17f(理論値の40% )。
元素分析: 理論値 測定値
C[%〕6 (L 38 59. OrJH[%
] 7.96 a05’[(−NM
Rスペクトラム(アセトン−d6):CH3−8i
I B H(s) : α4 ppm芳香族性
H2H(s): a3 ppmCHO2H(s):
1α5 ppm 実施例5: 4−トリメチルシリル−0−フタルジア
ルデヒド□を合 反応容器に、窒素雰囲気下で4−トリメチルシリル−o
−7タルジアルデヒド249(116ミリモル)及び乾
燥塩化メチレン100−を入れる。この混合物を液体窒
素中で冷却し、そしてBF3・ ジエチルエーテル錯体
2mot%を開始剤として加える。次いでその溶液から
高真空下で酸素を除く。
] 7.96 a05’[(−NM
Rスペクトラム(アセトン−d6):CH3−8i
I B H(s) : α4 ppm芳香族性
H2H(s): a3 ppmCHO2H(s):
1α5 ppm 実施例5: 4−トリメチルシリル−0−フタルジア
ルデヒド□を合 反応容器に、窒素雰囲気下で4−トリメチルシリル−o
−7タルジアルデヒド249(116ミリモル)及び乾
燥塩化メチレン100−を入れる。この混合物を液体窒
素中で冷却し、そしてBF3・ ジエチルエーテル錯体
2mot%を開始剤として加える。次いでその溶液から
高真空下で酸素を除く。
重合は冷却浴中で、窒素雰囲気下−78℃で行う。数時
間後、ピリジン/無水酢酸の一78℃の冷1:1混合物
2−を高粘稠溶液に加える。混合物を一78℃で、12
時間攪拌し、室温まで温める。その溶液をメタノール1
0ロワー中に注ぎ込むと、ポリマーが一度に沈殿する。
間後、ピリジン/無水酢酸の一78℃の冷1:1混合物
2−を高粘稠溶液に加える。混合物を一78℃で、12
時間攪拌し、室温まで温める。その溶液をメタノール1
0ロワー中に注ぎ込むと、ポリマーが一度に沈殿する。
この沈殿をろ過により単離し、そして乾燥する。収量:
2、i5f、精製のために、ポリマーを塩化メチレン3
0〇−中に溶解し、溶液をろ過し、そしてポリマーを?
タノール10001Nt中で再沈殿させる。
2、i5f、精製のために、ポリマーを塩化メチレン3
0〇−中に溶解し、溶液をろ過し、そしてポリマーを?
タノール10001Nt中で再沈殿させる。
該沈殿をろ過により単離し、そして高真空下室温で乾燥
する。収i1:t9.3f(理論値の8 [1%)。
する。収i1:t9.3f(理論値の8 [1%)。
ポリマーは156℃で分解する。テトラヒドロフラン中
におけるゲル透過クロマトグラフィにより下記の値が得
られる: Mw = 290000 及ヒMn−800000実施
例6 : 4. s−ビス(トリメチルシリル)−〇
−フタルジアルデヒドの重合 4.5−ビス(トリメチルシリル)−0−フタルジアル
デヒド4f’(14,4ミリモル)を乾燥塩化メチレン
12−にアンプル中で溶解する。酸素を高真空下で凍結
/融解によシ除く。モノマーに基づいて2mot%のB
F3・ジエテルエーテレートの塩化メチレン溶液を注射
器で凍った溶液に加え、次いで重合を窒素雰囲気下−7
8℃で行う。数時間後、あらかじめ冷却しておいたピリ
ジン111Ilを高粘稠溶液に加える。次いで溶液を室
温まで温め、そしてポリマーを〆2ノー7しで沈殿させ
る。白色粉末を乾燥し、塩化メチレン中に溶解し、そし
てもう一度メタノール中で沈殿させる。白色のポリマー
粉末を高真空下50℃で乾燥し、ポリマー11F(77
%)を得る。
におけるゲル透過クロマトグラフィにより下記の値が得
られる: Mw = 290000 及ヒMn−800000実施
例6 : 4. s−ビス(トリメチルシリル)−〇
−フタルジアルデヒドの重合 4.5−ビス(トリメチルシリル)−0−フタルジアル
デヒド4f’(14,4ミリモル)を乾燥塩化メチレン
12−にアンプル中で溶解する。酸素を高真空下で凍結
/融解によシ除く。モノマーに基づいて2mot%のB
F3・ジエテルエーテレートの塩化メチレン溶液を注射
器で凍った溶液に加え、次いで重合を窒素雰囲気下−7
8℃で行う。数時間後、あらかじめ冷却しておいたピリ
ジン111Ilを高粘稠溶液に加える。次いで溶液を室
温まで温め、そしてポリマーを〆2ノー7しで沈殿させ
る。白色粉末を乾燥し、塩化メチレン中に溶解し、そし
てもう一度メタノール中で沈殿させる。白色のポリマー
粉末を高真空下50℃で乾燥し、ポリマー11F(77
%)を得る。
このポリマーは170℃で分解する。テトラヒドロフラ
ンによるゲル透過クロマトグラフィによシ下記の値が得
られる:
ンによるゲル透過クロマトグラフィによシ下記の値が得
られる:
Claims (12)
- (1)次式 I : ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、置換基R_1、R_2、R_3、R_4の少な
くとも1つはQ(アルキル)_3、−CH_2−Q(ア
ルキル)_3、−O−Q(アルキル)_3、−Q(アリ
ール)_3又は−Q(アルキレン−アリール)_3{こ
れら式中、QはSi、Sn又はGeを表わし、アルキル
基は1ないし12個の炭素原子を含み、アリール基は6
ないし12の環式炭素原子を含みそしてアルキレン基は
1〜4個の炭素原子を含む}を表わし、そしてR_1な
いしR_4の残りの置換基はおのおの水素原子又はハロ
ゲン原子又はシアノ基、ニトロ基、カルボキシル基又は
ヒドロキシル基、炭素原子数1ないし4のアルコキシ基
、炭素原子数1ないし4のアルキルチオ基或はアルコキ
シ部分に1ないし4個の炭素原子を含むアルコキシカル
ボニル基を表わす〕で表わされる置換o−フタルアルデ
ヒド。 - (2)前記式 I 中、R_1、R_2、R_3及びR_
4の1つ又は2つがおのおのトリ(炭素原子数1ないし
4のアルキル)シリル基、トリ(炭素原子数1ないし4
のアルキル)スタニル基又はトリ (炭素原子数1ないし4のアルキル)ゲルマニル基を表
わし、そしてR_1ないしR_4の他の置換基が水素原
子を表わす特許請求の範囲第1項記載のo−フタルアル
デヒド。 - (3)前記式 I 中、R_2及びR_3がトリ(炭素原
子数1ないし4のアルキル)シリル基を表わし、そして
R_1ないしR_4の残りの置換基が水素原子を表わす
特許請求の範囲第1項記載のo−フタルアルデヒド。 - (4)前記式 I 中、R_2及びR_3がトリメチルシ
リル基又はトリエチルシリル基を表わし、R_1ないし
R_4の他の置換基のおのおのが水素原子を表わす特許
請求の範囲第1項記載のo−フタルアルデヒド。 - (5)前記式 I で表わされる4−トリメチルシリル−
0−フタルアルデヒド又は4,5−ビス(トリメチルシ
リル)−o−フタルアルデヒドである特許請求の範囲第
1項記載のo−フタルアルデヒド。 - (6)次式II: ▲数式、化学式、表等があります▼(II)、 〔式中、各Xは独立して臭素原子、塩素原子又はヨウ素
原子を表わし、R_1、R_2、R_3及びR_4は下
記式 I で定義する意味を表わす〕 で表わされる化合物を、公知方法に従い少なくとも等価
量のヘキサメチレンテトラミン又はジメチルスルホキシ
ドを用いて相当する下記式 I で表わされる化合物へと
酸化するか;或は次式III: ▲数式、化学式、表等があります▼(III)、 〔式中、各Xは独立して臭素原子、塩素原子又はヨウ素
原子を表わし、R_1、R_2、R_3及びR_4は下
記式 I で定義する意味を表わす〕 で表わされる置換テトラハロゲノ化合物を公知方法に従
い、水性媒質中及び相間移動触媒と無機塩基の存在下で
有機酸の金属またはアンモニウム塩で加水分解するか、
又は上記式IIIの化合物を少なくとも等価量の炭酸カル
シウム水又はシュウ酸カリウムエタノール液と反応させ
るか、又は8倍モル量のモルホリンと反応させ続けて下
記式 I で表わされる化合物の中間体として得られた置
換ジ−(N−モルホリノ)−1,3−フタランを加水分
解するか、若しくは該中間体を高めた温度で0.5ない
し15倍量のギ酸と反応させて下記式 I で表わされる
化合物にすることからなる次式 I :▲数式、化学式、
表等があります▼( I ) 〔式中、置換基R_1、R_2、R_3、R_4の少な
くとも1つはQ(アルキル)_3、−CH_2−Q(ア
ルキル)_3、−O−Q(アルキル)_3、−Q(アリ
ール)_3又は−Q(アルキレン−アリール)_3{こ
れら式中、QはSi、Sn又はGeを表わし、アルキル
基は1ないし12個の炭素原子を含み、アリール基は6
ないし12の環式炭素原子を含みそしてアルキレン基は
1〜4個の炭素原子を含む}を表わし、そしてR_1な
いしR_4の残りの置換基はおのおの水素原子又はハロ
ゲン原子又はシアノ基、ニトロ基、カルボキシル基又は
ヒドロキシル基、炭素原子数1ないし4のアルコキシ基
、炭素原子数1ないし4のアルキルチオ基或はアルコキ
シ部分に1ないし4個の炭素原子を含むアルコキシカル
ボニル基を表わす〕で表わされる置換o−フタルアルデ
ヒドの製造方法。 - (7)前記式IIIで表わされる置換テトラブロモ化合物
を用い、該化合物を水性媒質中、相間移動触媒と無機塩
基の存在下で有機酸の金属またはアンモニウム塩で加水
分解することからなる特許請求の範囲第6項記載の製造
方法。 - (8)次式II又はIII: ▲数式、化学式、表等があります▼(II)又は(III)
▲数式、化学式、表等があります▼ 〔両式中、各Xは互に独立して臭素原子、塩素原子又は
ヨウ素原子を表わし、置換基R_1、R_2、R_3、
R_4の少なくとも1つはQ(アルキル)_3、−CH
_2−Q(アルキル)_3、−O−Q(アルキル)_3
、−Q(アリール)_3又は−Q(アルキレン−アリー
ル)_3{これら式中、QはSi、Sn又はGeを表わ
し、アルキル基は1ないし12個の炭素原子を含み、ア
リール基は6ないし12の環式炭素原子を含みそしてア
ルキレン基は1〜4個の炭素原子を含む}を表わし、そ
してR_1ないしR_4の残りの置換基はおのおの水素
原子又はハロゲン原子又はシアノ基、ニトロ基、カルボ
キシル基又はヒドロキシル基、炭素原子数1ないし4の
アルコキシ基、炭素原子数1ないし4のアルキルチオ基
或はアルコキシ部分に1ないし4個の炭素原子を含むア
ルコキシカルボニル基を表わす〕で表わされるジ−又は
テトラハロゲノ化合物。 - (9)前記式II又はIII中、各Xが互に独立して塩素原
子又は臭素原子を表わし、R_1、R_2、R_3及び
R_4の1つ又は2つがおのおのトリ(炭素原子数1な
いし4のアルキル)シリル基、トリ(炭素原子数1ない
し4のアルキル)スタニル基又はトリ(炭素原子数1な
いし4のアルキル)ゲルマニル基を表わし、そしてR_
1ないしR_4の他の置換基が水素原子を表わす特許請
求の範囲第8項記載のジ−又はテトラハロゲノ化合物。 - (10)前記式II又はIII中、各Xが塩素原子又は臭素
原子を表わし、R_2又はR_3がトリ(炭素原子数1
ないし4のアルキル)シリル基を表わしそしてR_1な
いしR_4の他の置換基がおのおの水素原子を表わす特
許請求の範囲第8項記載のジ−又はテトラハロゲノ化合
物。 - (11)前記式II又はIII中、各Xが臭素原子を表わし
、R_2又はR_3がトリメチル基又はトリエチルシリ
ル基を表わしそしてR_1ないしR_4の他の置換基が
おのおの水素原子を表わす特許請求の範囲第8項記載の
ジ−又はテトラハロゲノ化合物。 - (12)前記式IIIで表わされる4−トリメチルシリル
−α,α,α′,α′−テトラブロモ−o−キシレン又
は4,5−ビス(トリメチルシリル)−α,α,α′,
α′−テトラブロモ−o−キシレンである特許請求の範
囲第8項記載のテトラハロゲノ化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH14686 | 1986-01-16 | ||
CH146/86-9 | 1986-01-16 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62175488A true JPS62175488A (ja) | 1987-08-01 |
Family
ID=4180296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62008872A Pending JPS62175488A (ja) | 1986-01-16 | 1987-01-16 | 置換o−フタルアルデヒド、その製造方法及びその合成に用いられる化合物 |
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---|---|
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KR (1) | KR870007186A (ja) |
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CA (1) | CA1272205A (ja) |
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---|---|---|---|---|
US7759046B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-07-20 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Antireflective coating compositions |
WO2012005806A2 (en) | 2010-05-10 | 2012-01-12 | The Penn State Research Foundation | Signal-responsive plastics |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2641605A (en) * | 1952-05-15 | 1953-06-09 | Gen Electric | Triorganosilylbenzaldehydes |
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JPS59216142A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-12-06 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | リソグラフイ用マスクの製造方法 |
US4734481A (en) * | 1986-01-16 | 1988-03-29 | Ciba-Geigy Corporation | Novel organometallic polymers |
-
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- 1987-01-12 AT AT87810013T patent/ATE41005T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-01-14 CA CA000527282A patent/CA1272205A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-15 KR KR870000271A patent/KR870007186A/ko not_active Application Discontinuation
- 1987-01-16 JP JP62008872A patent/JPS62175488A/ja active Pending
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KR870007186A (ko) | 1987-08-17 |
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