JPS62109388A - レ−ザダイオ−ド - Google Patents
レ−ザダイオ−ドInfo
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- JPS62109388A JPS62109388A JP60250224A JP25022485A JPS62109388A JP S62109388 A JPS62109388 A JP S62109388A JP 60250224 A JP60250224 A JP 60250224A JP 25022485 A JP25022485 A JP 25022485A JP S62109388 A JPS62109388 A JP S62109388A
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- Japan
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- laser diode
- gratings
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/11—Comprising a photonic bandgap structure
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06258—Controlling the frequency of the radiation with DFB-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザダイオード、％に、波長多重光通信シ
ステムに用いるレーザダイオードに関するＯ 〔従来の技術〕 一本の光フテイバからなる伝送路により、波長の異なる
複数の光信号を伝送する波長多重光通信システムは、高
価な伝送路金怪済的に利用することができる。
ステムに用いるレーザダイオードに関するＯ 〔従来の技術〕 一本の光フテイバからなる伝送路により、波長の異なる
複数の光信号を伝送する波長多重光通信システムは、高
価な伝送路金怪済的に利用することができる。
第２図は、従来の波長′４重光通信システムの一例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
第２図に示す波長長上光通信システムは、波長λ８．λ
鵞 、λ３の光信号全発生し光ファイバＦｌ＋Ｆ ２
＋ ｐ３に出力する従来のレーザダイオードＤ１゜Ｄ
２ 、Ｄ、と、光ファイバＦ１ 、Ｆ２ 、Ｆ、と、光
ファイバＦ１ ｒ ｐ、 ｔ ｋ ３から人力する
光信号を合成する合波器ＭＸと、合波器ＭＸの出力全伝
送する伝送路でめる光ファイバＦ４と、受信機（図では
省略した）とを備えて構成さｎている。
鵞 、λ３の光信号全発生し光ファイバＦｌ＋Ｆ ２
＋ ｐ３に出力する従来のレーザダイオードＤ１゜Ｄ
２ 、Ｄ、と、光ファイバＦ１ 、Ｆ２ 、Ｆ、と、光
ファイバＦ１ ｒ ｐ、 ｔ ｋ ３から人力する
光信号を合成する合波器ＭＸと、合波器ＭＸの出力全伝
送する伝送路でめる光ファイバＦ４と、受信機（図では
省略した）とを備えて構成さｎている。
レーザダイオードＤｌ 、Ｄ、、Ｄ、にそれぞれ別のベ
ースバンド信号を入力して、三つの光信号を別々に変調
することによシ、三つのベースバンド信号音一本の光フ
ァイバＦ４のみで伝送することができる。
ースバンド信号を入力して、三つの光信号を別々に変調
することによシ、三つのベースバンド信号音一本の光フ
ァイバＦ４のみで伝送することができる。
第２図に示す波長多重光通信システムにおいて、光ファ
イバＦ４ と合波器へ４Ｘとの接続は別として、光ファ
イバの接続全６箇所必要とする。
イバＦ４ と合波器へ４Ｘとの接続は別として、光ファ
イバの接続全６箇所必要とする。
すなわち、従来のレーザダイオードは、波長多重光通信
システムに用いる場合、高価な合波器を必要としまた光
ファイバの接続箇所が多くなりシステムの信頼性が低下
するという欠点がある。
システムに用いる場合、高価な合波器を必要としまた光
ファイバの接続箇所が多くなりシステムの信頼性が低下
するという欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点全解決して経済的かつ高信
頼度な波長多重光通信システムを可能にするレーザダイ
オード全提供することにある。
頼度な波長多重光通信システムを可能にするレーザダイ
オード全提供することにある。
不発明のレーザダイオードは、活性層の軸方向に配置し
たたがいにピッチが異なる複数の回折格子と、それぞれ
の前記回折格子に近接して配置した電極とを備えて構成
される。
たたがいにピッチが異なる複数の回折格子と、それぞれ
の前記回折格子に近接して配置した電極とを備えて構成
される。
次に、不発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示すレーザダイオードは、ｎ形ＩｎＰである基
板１と、基板１の上面に形成されｆｃｎ形ＩｎＧａＡ５
Ｐのガイド層２と、ガイド層２の上面に形成さｎたＩｎ
ＧａＡ、Ｐの活性層３と、活性層３の上面に形成さｎｆ
ｃＰ形ＩｎＰの９層４と、基板１の下面に形成さｎた電
極Ｚ１゜と、 回折格子Ｇｌ〜Ｇ３ と、電極２．−２
３と全備えて構成さｎている。回折格子０１〜Ｇ３は、
基板１とガイド層２との境界面に、活性層３の軸方向に
配置さｎている。電極２！ 、２．．２３は、９層４の
上面に、回折格子Ｇ１ 、Ｇ、、Ｇ３と対向して配置さ
ｎている。
板１と、基板１の上面に形成されｆｃｎ形ＩｎＧａＡ５
Ｐのガイド層２と、ガイド層２の上面に形成さｎたＩｎ
ＧａＡ、Ｐの活性層３と、活性層３の上面に形成さｎｆ
ｃＰ形ＩｎＰの９層４と、基板１の下面に形成さｎた電
極Ｚ１゜と、 回折格子Ｇｌ〜Ｇ３ と、電極２．−２
３と全備えて構成さｎている。回折格子０１〜Ｇ３は、
基板１とガイド層２との境界面に、活性層３の軸方向に
配置さｎている。電極２！ 、２．．２３は、９層４の
上面に、回折格子Ｇ１ 、Ｇ、、Ｇ３と対向して配置さ
ｎている。
次に、第１図に示す実施例の動作について説明する。
電極ＺｌｐＺｌＯ間に電圧を加えた場合、活性層３の電
極Ｚｉｔ回折格子Ｇｌで挾まれ足部分のみにキャリヤが
注入さｎｌこの部分が分布帰還型レーザダイオードとし
て発蚕し、回折格子Ｇ１のピッチΔｌできまる波長λｌ
の光が発生する。
極Ｚｉｔ回折格子Ｇｌで挾まれ足部分のみにキャリヤが
注入さｎｌこの部分が分布帰還型レーザダイオードとし
て発蚕し、回折格子Ｇ１のピッチΔｌできまる波長λｌ
の光が発生する。
同様にして、電極２鵞またはＺｓと電極Ｚｌｏとの間に
電圧を加えた場合、回折格子Ｇ２またはＧ３のピッチΔ
鵞またはΔ３で定まる波長λ２またはλ３の光が発生す
る。
電圧を加えた場合、回折格子Ｇ２またはＧ３のピッチΔ
鵞またはΔ３で定まる波長λ２またはλ３の光が発生す
る。
ピッチ １〜３金それぞれ異なった値にして、波長λ！
〜λ３がそｎぞｎ異なった値となるようにする。
〜λ３がそｎぞｎ異なった値となるようにする。
さて、回折格子Ｇｌに平行に入射する波長λ１の光が回
折格子Ｇ１のブラッグ反射により入射方向と逆方向に反
射して、回折格子Ｇ１の付近にこの波長の光エネルギー
が大部分閉込められることにより、電極Ｚ１９回折格子
Ｇｉ間の活性層３に波長λ！の光が発生するのでメジ、
回折格子Ｇ２゜Ｇ３は、ピッチが回折格子Ｇ１のピッチ
八ｌと異なるので、波長λ菫の先金はとんど影響なしに
そのまま通過させる。同様にして、回折格子Ｇ３ 。
折格子Ｇ１のブラッグ反射により入射方向と逆方向に反
射して、回折格子Ｇ１の付近にこの波長の光エネルギー
が大部分閉込められることにより、電極Ｚ１９回折格子
Ｇｉ間の活性層３に波長λ！の光が発生するのでメジ、
回折格子Ｇ２゜Ｇ３は、ピッチが回折格子Ｇ１のピッチ
八ｌと異なるので、波長λ菫の先金はとんど影響なしに
そのまま通過させる。同様にして、回折格子Ｇ３ 。
Ｇｌは波長λ鵞の光を通過させ、回折格子Ｇ１ 。
Ｇ、は波長λ３の光を通過させる。したがって、電ｆｆ
１Ｚｔ 、Ｚｚ 、Ｚｓ と電極２１０との間に同
時に電圧音訓えると、第１図に示すレーザダイオードは
波長λｌ 、λ２ 、λ３の光を同時に発生する。
１Ｚｔ 、Ｚｚ 、Ｚｓ と電極２１０との間に同
時に電圧音訓えると、第１図に示すレーザダイオードは
波長λｌ 、λ２ 、λ３の光を同時に発生する。
ｔ！Ｚｔ 、 Ｚｚ 、 Ｚｓ ト電ｆｆ１Ｚ１６
ト＋７）ｌｓＪ］ｆｃ−ソｎぞｎ別のベースバンド信号
を加えることにより、波長λ１ 、λ１．λ３の光を別
々に変調することができる。
ト＋７）ｌｓＪ］ｆｃ−ソｎぞｎ別のベースバンド信号
を加えることにより、波長λ１ 、λ１．λ３の光を別
々に変調することができる。
第１図の左右両端面から外部に出力する光のいずｎか一
方全伝送路となる光ファイバーに入力すると、この一つ
の接続により、第１図に示すレーザダイオードが発生す
る波長λ！ 、λ２ 、λ３の三つの光が同時に伝送路
に導かれる。
方全伝送路となる光ファイバーに入力すると、この一つ
の接続により、第１図に示すレーザダイオードが発生す
る波長λ！ 、λ２ 、λ３の三つの光が同時に伝送路
に導かれる。
このように、本発明のレーザダイオードは第２図に示す
波長多重光通信システムと同等の機能全方する。
波長多重光通信システムと同等の機能全方する。
本発明のレーザダイオードは、枚数の波長の光を発生す
るので波長多重通信システムに用いｎば、高価な合波器
を必要としないという経済効果がめ勺％また光ファイバ
の接続が１箇所でよいから信頼性が高いという効果があ
る。
るので波長多重通信システムに用いｎば、高価な合波器
を必要としないという経済効果がめ勺％また光ファイバ
の接続が１箇所でよいから信頼性が高いという効果があ
る。
さらに、本発明のレーザダイオードは、一つのウェハ上
に作らｎ［！変動などによる各党の波長のずれにはたが
いに相関があるので、制御しやすいという効果もある。
に作らｎ［！変動などによる各党の波長のずれにはたが
いに相関があるので、制御しやすいという効果もある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の波長多重光通信システムの一例を示すブロック図であ
る。 １・・・・・基板、２・・・・・・ガイド層、３・・・
・・・活性層、４・・・・・・ｐ層、０１〜Ｇ３・・・
・・・回折格子、Ｚ１〜Ｚ３Ｉ：蔓林、 ２ニガーＡ
ド４ ３：テ占ヤし嘴手 ｌ 図
の波長多重光通信システムの一例を示すブロック図であ
る。 １・・・・・基板、２・・・・・・ガイド層、３・・・
・・・活性層、４・・・・・・ｐ層、０１〜Ｇ３・・・
・・・回折格子、Ｚ１〜Ｚ３Ｉ：蔓林、 ２ニガーＡ
ド４ ３：テ占ヤし嘴手 ｌ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層の軸方向に配置したたがいにピッチが異なる複数
の回折格子と、 それぞれの前記回折格子に近接して配置した電極と を備えることを特徴とするレーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60250224A JPS62109388A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | レ−ザダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60250224A JPS62109388A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | レ−ザダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109388A true JPS62109388A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17204682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60250224A Pending JPS62109388A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | レ−ザダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109388A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370473A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体発光素子 |
| WO1996030976A1 (de) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FüR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH | Selbstpulsierender mehrsektionslaser |
| US6088374A (en) * | 1997-04-15 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser array having phase-shift structures |
| EP1304779A2 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60250224A patent/JPS62109388A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370473A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体発光素子 |
| WO1996030976A1 (de) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FüR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH | Selbstpulsierender mehrsektionslaser |
| US6088374A (en) * | 1997-04-15 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser array having phase-shift structures |
| EP1304779A2 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
| EP1304779A3 (en) * | 2001-10-12 | 2004-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser |
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