JPS6191900A - 有機ｅｌパネル - Google Patents
有機ｅｌパネルInfo
- Publication number
- JPS6191900A JPS6191900A JP59212190A JP21219084A JPS6191900A JP S6191900 A JPS6191900 A JP S6191900A JP 59212190 A JP59212190 A JP 59212190A JP 21219084 A JP21219084 A JP 21219084A JP S6191900 A JPS6191900 A JP S6191900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- reflective
- layer
- light
- panel
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
のｉ
本発明は、有機ＥＬパネルに関するものである。
従ｍ肝
従来の有機ＥＬパネルの一具体例を第２図に示す、その
構造は、同図に示すように、ポリエステルフィルム、ガ
ラス板等の透光性の基板（１）の上に透明型ｔｉｔ （
２） 、発光層（３）、反射絶縁層（４）及び背面電極
（５）を順次、積層・形成したものである。（実開昭５
７−２７６９７号公報等）。
構造は、同図に示すように、ポリエステルフィルム、ガ
ラス板等の透光性の基板（１）の上に透明型ｔｉｔ （
２） 、発光層（３）、反射絶縁層（４）及び背面電極
（５）を順次、積層・形成したものである。（実開昭５
７−２７６９７号公報等）。
透明電極（２）はｆ、Ｔ、０． （Ｉｎｌｕ＋ｗ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の酸化物等からなり、発光層（
３）は、電界の印加により発光する螢光体の粒子をシア
ノエチルセルロース等に分散させて形成される。反射絶
縁層（４）は発光層（３）がら背面電極（５）に向かう
光を基板（１）側に反射させるもので、高反射率の物質
で形成される。しかも、電極（２）（５）間に電界を印
加したとき、反射絶縁層（４）内よりも発光層（３）内
で電界の強さがより大きくなるように、反射絶縁層（４
）は高誘電率物質、例えばシアノエチルセルロース等の
有機材料中に強誘電体のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
ａ ）等の粉末を分散させている。背面電極（５）は、
アルミニウム等よりなる。
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）等の酸化物等からなり、発光層（
３）は、電界の印加により発光する螢光体の粒子をシア
ノエチルセルロース等に分散させて形成される。反射絶
縁層（４）は発光層（３）がら背面電極（５）に向かう
光を基板（１）側に反射させるもので、高反射率の物質
で形成される。しかも、電極（２）（５）間に電界を印
加したとき、反射絶縁層（４）内よりも発光層（３）内
で電界の強さがより大きくなるように、反射絶縁層（４
）は高誘電率物質、例えばシアノエチルセルロース等の
有機材料中に強誘電体のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
ａ ）等の粉末を分散させている。背面電極（５）は、
アルミニウム等よりなる。
上記有機ＥＬパネルは、例えば基板（１）上に透明電極
（２）を形成したものと、アルミ箔等の背面電極（５）
の上に反射絶縁層（４）及び発光層（３）を形成したも
のとをローラに通し熱圧着して作られる。
（２）を形成したものと、アルミ箔等の背面電極（５）
の上に反射絶縁層（４）及び発光層（３）を形成したも
のとをローラに通し熱圧着して作られる。
（°シよ゛と る ］嘉
ところで、第２図に示す有機ＥＬパネルにおいて、基板
（１）から出てくる光は、発光層（３）から直接、出て
くる光（Ｌｓ ）及び発光層（３）から背面電極（５）
に向かい反射絶縁層（４）で反射する光（Ｌ２）とから
なる。
（１）から出てくる光は、発光層（３）から直接、出て
くる光（Ｌｓ ）及び発光層（３）から背面電極（５）
に向かい反射絶縁層（４）で反射する光（Ｌ２）とから
なる。
ところが、反射絶縁層（４）は有機材料にチタン酸バリ
ウムの粒子を分散させているため、発光層（３）から背
面電極（５）に向かう光を吸収し、しかも、反射面は完
全な平面にならず、反射光が分散するため、高い反射率
を得られない。従って、反射光（Ｌ２）の輝度は低くな
り、印加電界に対する発光の効率も低下する。
ウムの粒子を分散させているため、発光層（３）から背
面電極（５）に向かう光を吸収し、しかも、反射面は完
全な平面にならず、反射光が分散するため、高い反射率
を得られない。従って、反射光（Ｌ２）の輝度は低くな
り、印加電界に対する発光の効率も低下する。
° る屹ガｑ手段
本発明は、透光性基板上に少なくとも透明電極、発光層
、反射絶縁層、及び背面電極を順次、積層・形成してな
る有機ＥＬパネルにおいて、上記発光層と反射絶縁層の
境界面に高反射率と絶縁性を持つ酸化物の薄膜からなる
反射層を形成したもので、これにより有機ＥＬパネルの
輝度と発光効率を高めるものである。
、反射絶縁層、及び背面電極を順次、積層・形成してな
る有機ＥＬパネルにおいて、上記発光層と反射絶縁層の
境界面に高反射率と絶縁性を持つ酸化物の薄膜からなる
反射層を形成したもので、これにより有機ＥＬパネルの
輝度と発光効率を高めるものである。
実差例一
本発明の一実施例を第１図を参照しながら以下説明する
。第２図と同一符号は同一物を示しその説明を省略する
。本発明の特徴は、第１図に示すように、発光層（３）
と反射絶縁層（４）の境界面に、金属光沢のような高反
射率を持つ反射層（６）を形成したことにある。反射層
（６）は高反射率を持つだけでなく、有機Ｅ Ｌパネル
の絶縁耐力を低下させないように絶縁性を必要とし、金
属は不適当である。しかも、反射絶縁層（４）と同様、
印加電界に対し発光層（３）内で電界の強さがより大き
くなるように高誘電率を持つことが望ましいが、低誘電
率でも層の厚さを十分薄くすることにより同様の効果を
得ることができる。
。第２図と同一符号は同一物を示しその説明を省略する
。本発明の特徴は、第１図に示すように、発光層（３）
と反射絶縁層（４）の境界面に、金属光沢のような高反
射率を持つ反射層（６）を形成したことにある。反射層
（６）は高反射率を持つだけでなく、有機Ｅ Ｌパネル
の絶縁耐力を低下させないように絶縁性を必要とし、金
属は不適当である。しかも、反射絶縁層（４）と同様、
印加電界に対し発光層（３）内で電界の強さがより大き
くなるように高誘電率を持つことが望ましいが、低誘電
率でも層の厚さを十分薄くすることにより同様の効果を
得ることができる。
そこで、上記の如き要件を満たすため、反射層（６）は
酸化バナジウム（Ｖ１２０２８） 、酸化プルトニウム
（Ｐｕｇ ＯＨ） 、酸化ウラン（ＵＯ）等の酸化物の
薄膜にまり形成される。上記反射層（６）はスパッタ等
で形成され、これにより反射光（Ｌｘ’）の輝度を従来
よりも高めることができる。
酸化バナジウム（Ｖ１２０２８） 、酸化プルトニウム
（Ｐｕｇ ＯＨ） 、酸化ウラン（ＵＯ）等の酸化物の
薄膜にまり形成される。上記反射層（６）はスパッタ等
で形成され、これにより反射光（Ｌｘ’）の輝度を従来
よりも高めることができる。
髪咀夏班果
本発明によれば、透光性基板上に少なくとも透明電極、
発光層、反射絶縁層、及び背面電極を順次、積層・形成
した有機ＥＬパネルにおいて、発光層と反射絶縁層の境
界面に、高反射率と絶縁性を持つ酸化物の薄膜からなる
反射層を形成したから、発光層から背面電極に向かう光
の反射率が高められ、有１）ｉＥＬパネルの輝度と発光
効率を従来よりも高めることができる。
発光層、反射絶縁層、及び背面電極を順次、積層・形成
した有機ＥＬパネルにおいて、発光層と反射絶縁層の境
界面に、高反射率と絶縁性を持つ酸化物の薄膜からなる
反射層を形成したから、発光層から背面電極に向かう光
の反射率が高められ、有１）ｉＥＬパネルの輝度と発光
効率を従来よりも高めることができる。
第１図は本発明に係る有機ＥＬパネルの断面図、第２図
は従来の有機ＥＬパネルの断面図である。 （１）−・透光性基板、（２） −透明電極、（３）
−発光層、（４） −反射絶縁層、（５）一背面電極、
（６） −反射層。
は従来の有機ＥＬパネルの断面図である。 （１）−・透光性基板、（２） −透明電極、（３）
−発光層、（４） −反射絶縁層、（５）一背面電極、
（６） −反射層。
Claims (1)
- （１）透光性基板上に少なくとも透明電極、発光層、
反射絶縁層、及び背面電極を順次、積層・形成してなる
有機ＥＬパネルにおいて、上記発光層と反射絶縁層の境
界面に、高反射率と絶縁性を持つ酸化物の薄膜からなる
反射層を形成したことを特徴とする有機ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212190A JPS6191900A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 有機ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59212190A JPS6191900A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 有機ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191900A true JPS6191900A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16618412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59212190A Pending JPS6191900A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 有機ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191900A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62268097A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | 日亜化学工業株式会社 | 電磁気センサーに使用するｅｌ発光素子 |
| JPH0423093U (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-25 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP59212190A patent/JPS6191900A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62268097A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | 日亜化学工業株式会社 | 電磁気センサーに使用するｅｌ発光素子 |
| JPH0570918B2 (ja) * | 1986-05-15 | 1993-10-06 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | |
| JPH0423093U (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-25 |
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