JPS6153233A - キシレン異性体の浸透気化分離法 - Google Patents
キシレン異性体の浸透気化分離法Info
- Publication number
- JPS6153233A JPS6153233A JP17418184A JP17418184A JPS6153233A JP S6153233 A JPS6153233 A JP S6153233A JP 17418184 A JP17418184 A JP 17418184A JP 17418184 A JP17418184 A JP 17418184A JP S6153233 A JPS6153233 A JP S6153233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- xylene
- carbon tetrabromide
- eutectic
- mixed
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
a)技術分野
本発明は選択透過膜分離法に関する。更に詳しくは分離
膜を境にして一方側に混合液体をおき他方側を真空にひ
いて減圧にするか、戒は不活性ガスを流して低蒸気圧に
保ち、その圧力差によって液を透過させ、低圧側で蒸発
させる事により混合液を芥離する浸透気化分離(バー・
ペーパレーション)H分離方法に関する。
膜を境にして一方側に混合液体をおき他方側を真空にひ
いて減圧にするか、戒は不活性ガスを流して低蒸気圧に
保ち、その圧力差によって液を透過させ、低圧側で蒸発
させる事により混合液を芥離する浸透気化分離(バー・
ペーパレーション)H分離方法に関する。
b)技術背景
浸透気化法は、通常の蒸留法では分離膜jない液状混合
物の分離を目的として考え癩1さくれた分離方法である
。この様な例として1王共沸混合物、近沸点混合物、熱
要嵩性混合’WjLどをあげる事が出来る。この様な分
離方法としては、米国特許2,953,502号明、I
I[li?にポリビニルアルコール系膜を利用して共沸
混合物液を分離する事が、また、米国特許第 3.726,934号K、ポリアクリロニトリル系膜を
使用j−て、有機物混合液を分離し5る事が記5載され
ている。この様な技術を背景に、キシレン異性体の分離
を浸透気化法で行う事が提唱されている。米国特許3,
299,157号及び3.320,328号明細書には
、あらかじめp−キシレンで含浸処理したポリエチレン
フィルムを用いる事で、p−キシレンの相対的な透過性
を向上させる方法が開示されている。また。
物の分離を目的として考え癩1さくれた分離方法である
。この様な例として1王共沸混合物、近沸点混合物、熱
要嵩性混合’WjLどをあげる事が出来る。この様な分
離方法としては、米国特許2,953,502号明、I
I[li?にポリビニルアルコール系膜を利用して共沸
混合物液を分離する事が、また、米国特許第 3.726,934号K、ポリアクリロニトリル系膜を
使用j−て、有機物混合液を分離し5る事が記5載され
ている。この様な技術を背景に、キシレン異性体の分離
を浸透気化法で行う事が提唱されている。米国特許3,
299,157号及び3.320,328号明細書には
、あらかじめp−キシレンで含浸処理したポリエチレン
フィルムを用いる事で、p−キシレンの相対的な透過性
を向上させる方法が開示されている。また。
米国特許3,504,048号明#I書には、ポリ−パ
ラ−キシリレンの均一フィルムを用いて、p−キシレン
とm−キシレンの浸透気化分離法が開示されている。こ
れらの先行技術は分離率及び透堝性能も悪く、例えば上
述の米国特許第3.299.157号の発明では、p−
キシレン/m−キシレン10−キシレン=5%:Ss%
:30%の三液混合液から7チ: 72.1 %: 2
0.9 %のものが得られているが、p−キシレンとm
−キシレンに関しては、分#を率が悪く両者の間の選択
係数は1.26程度で余り高くない。また、米国特許3
,504.048号も選択係数は1.21〜1.30程
度である事が実施例に記載されている。この様な選択性
の低さは、本浸透気化法を工業的技術として応用するK
VAしては、致命的な欠陥になる事は容易に想像される
。
ラ−キシリレンの均一フィルムを用いて、p−キシレン
とm−キシレンの浸透気化分離法が開示されている。こ
れらの先行技術は分離率及び透堝性能も悪く、例えば上
述の米国特許第3.299.157号の発明では、p−
キシレン/m−キシレン10−キシレン=5%:Ss%
:30%の三液混合液から7チ: 72.1 %: 2
0.9 %のものが得られているが、p−キシレンとm
−キシレンに関しては、分#を率が悪く両者の間の選択
係数は1.26程度で余り高くない。また、米国特許3
,504.048号も選択係数は1.21〜1.30程
度である事が実施例に記載されている。この様な選択性
の低さは、本浸透気化法を工業的技術として応用するK
VAしては、致命的な欠陥になる事は容易に想像される
。
本発明者らは、上記の如き欠点を有さないキシレン異性
体膜分離方法について悦意研究した結果、本発明に到達
したものである。
体膜分離方法について悦意研究した結果、本発明に到達
したものである。
C)発明の開示
本発明は、パラキシレンを含む混合キシレンと四臭化炭
素とを13〜55℃の温度条件下混合するととkより、
キシレンと四臭化炭素との共晶が形成された系を生起せ
しめ、その系を浸透気化分離膜の上に配置せしめた状態
で静電し、しかして系を$1#系を形成せしめた温度よ
り高められた温度に加熱して共晶を融解せしめ、上記分
離膜の反対側を減圧にするか不活性ガスで掃引すること
により、パラキシレン分率の高められたキシレン成分を
積り出すことを特徴とするキシレン異性体の浸透気化分
離法である。
素とを13〜55℃の温度条件下混合するととkより、
キシレンと四臭化炭素との共晶が形成された系を生起せ
しめ、その系を浸透気化分離膜の上に配置せしめた状態
で静電し、しかして系を$1#系を形成せしめた温度よ
り高められた温度に加熱して共晶を融解せしめ、上記分
離膜の反対側を減圧にするか不活性ガスで掃引すること
により、パラキシレン分率の高められたキシレン成分を
積り出すことを特徴とするキシレン異性体の浸透気化分
離法である。
本発明にお;する浸透気化分離膜には、緻密構造を有し
ている機械的強度に優れたものが退ばれる。特に1本分
離方法においては混合キシレン及び四臭化炭素に接する
事から、これらの@ffに対して変性、又は、溶解する
事のない材質からなる膜が選ばれる。かかる膜材料とし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−4−メチ
ルペンテン−1,ポリープテン−1@の低温では混合キ
シレンに不溶性のポリオレフィン類;ポリフッ化ビニリ
デン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリ塩化ビニル等
のハロゲン化ポリオレフィン類;ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル
類;ナイロン−6、ナイロン−11,ナイロン−6,6
等のポリアミド類;全芳香族ポリイミド、ポリベンツア
ミダゾーン等の複素環含有重縮合体類などが選ばれるが
、透過流量の観点からポリオレフィン類が特に好適に用
いられる。
ている機械的強度に優れたものが退ばれる。特に1本分
離方法においては混合キシレン及び四臭化炭素に接する
事から、これらの@ffに対して変性、又は、溶解する
事のない材質からなる膜が選ばれる。かかる膜材料とし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−4−メチ
ルペンテン−1,ポリープテン−1@の低温では混合キ
シレンに不溶性のポリオレフィン類;ポリフッ化ビニリ
デン、ポリテトラフルオルエチレン、ポリ塩化ビニル等
のハロゲン化ポリオレフィン類;ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル
類;ナイロン−6、ナイロン−11,ナイロン−6,6
等のポリアミド類;全芳香族ポリイミド、ポリベンツア
ミダゾーン等の複素環含有重縮合体類などが選ばれるが
、透過流量の観点からポリオレフィン類が特に好適に用
いられる。
各種キシレン異性体と四臭化炭素の共晶形成は、両者を
混合する事により達成させられる。形成された共晶の融
点は、キシレンと四臭化炭素の混合比により決定される
。かかる組成と共晶体の融点との関係は、インダストリ
アル・アンド・エンジニアリング・ケミスト リ −
(Industrlal and Engine
erir+)r Chemistry )47巻、
250 (1955年)K詳しく述べられている。共晶
体を形成させるには、キシレンと四臭化炭素をキシレン
の融点以上、かつ。
混合する事により達成させられる。形成された共晶の融
点は、キシレンと四臭化炭素の混合比により決定される
。かかる組成と共晶体の融点との関係は、インダストリ
アル・アンド・エンジニアリング・ケミスト リ −
(Industrlal and Engine
erir+)r Chemistry )47巻、
250 (1955年)K詳しく述べられている。共晶
体を形成させるには、キシレンと四臭化炭素をキシレン
の融点以上、かつ。
CBr、の融点以下で混合する事により達成させられる
が、p−キシレンのみを効率的に選択的に吸着し社共晶
を形成させる為には、13℃以上55℃以下の温度で行
う事が、形成された共晶体が融解しない観点から望まし
い。
が、p−キシレンのみを効率的に選択的に吸着し社共晶
を形成させる為には、13℃以上55℃以下の温度で行
う事が、形成された共晶体が融解しない観点から望まし
い。
更に望ましくは、後述する如く界面において形成された
共晶を更に融解するという観点からは、出来ろだ1す低
い温度で行う事が望ましく、より好適には10〜40℃
で行われる。
共晶を更に融解するという観点からは、出来ろだ1す低
い温度で行う事が望ましく、より好適には10〜40℃
で行われる。
この様にして形成された共晶体そのものは上述の浸透気
化膜を透過する事が出来ないか、或は透過したとしても
、その流速は極端に低くなる。この時、混合キシレンと
四臭化炭素の存在モル比により共晶体組成が決定され、
しかしてその融点も決定される。特徴的なのは、p−キ
シレンの共晶体は他のキシレン異性体の共晶体とは異り
、共晶体の融点はp−キシレンの割合の増加につれ℃一
様には低(ならない。即ち、p−キシレン濃度O〜20
モルチ迄は次第に90〜40℃位まで低下した後、再び
高くなりp−キシレン濃度50モ、ルチで極大値53℃
まで至り、再び、p−キシレン濃度の増大につれて(6
下してゆく。一方、m−キシレン、0−キシレンのそれ
は一様に低下する。従って、例えば50−50モルチ共
晶体についていえば、p−キシレン1モル対四臭化炭素
1モルの共晶体は融点が53℃であるのに対し、m−キ
シレン1モル対四臭化炭素1モルの共晶体の融点は4℃
であり、0−キシレンの場合は約10℃であろうこの様
な融点差を生起させる為には、混合キrでンと四臭化炭
素との混合モル比は重要で(衿1−ろチ以上、95七ル
係以下とする事が好まl、 (、より好適には12モル
チ以〉、90七ル係以下であれば、本発明の目的には好
適に用いられる。
化膜を透過する事が出来ないか、或は透過したとしても
、その流速は極端に低くなる。この時、混合キシレンと
四臭化炭素の存在モル比により共晶体組成が決定され、
しかしてその融点も決定される。特徴的なのは、p−キ
シレンの共晶体は他のキシレン異性体の共晶体とは異り
、共晶体の融点はp−キシレンの割合の増加につれ℃一
様には低(ならない。即ち、p−キシレン濃度O〜20
モルチ迄は次第に90〜40℃位まで低下した後、再び
高くなりp−キシレン濃度50モ、ルチで極大値53℃
まで至り、再び、p−キシレン濃度の増大につれて(6
下してゆく。一方、m−キシレン、0−キシレンのそれ
は一様に低下する。従って、例えば50−50モルチ共
晶体についていえば、p−キシレン1モル対四臭化炭素
1モルの共晶体は融点が53℃であるのに対し、m−キ
シレン1モル対四臭化炭素1モルの共晶体の融点は4℃
であり、0−キシレンの場合は約10℃であろうこの様
な融点差を生起させる為には、混合キrでンと四臭化炭
素との混合モル比は重要で(衿1−ろチ以上、95七ル
係以下とする事が好まl、 (、より好適には12モル
チ以〉、90七ル係以下であれば、本発明の目的には好
適に用いられる。
この様圧して形成されたキシレン−四臭化炭素混合系(
キシレン−四臭化炭素共晶体を含有)は浸透気化膜上に
静置されろ。この共晶の形成条件を側索することKより
、p−キシレン−四臭化炭素共晶体を他に優先して生成
せしめろことが出来、しかして残液中のp−キシレン濃
度を低下せしめることができる。
キシレン−四臭化炭素共晶体を含有)は浸透気化膜上に
静置されろ。この共晶の形成条件を側索することKより
、p−キシレン−四臭化炭素共晶体を他に優先して生成
せしめろことが出来、しかして残液中のp−キシレン濃
度を低下せしめることができる。
一方、静置中Kpp−キクノン−臭化炭素共晶体は膜面
近傍に沈積1−てゆく。しかして、この系をp−キシレ
ン−四臭化炭素共晶体の融点以上に昇温することにより
膜面近傍のp−キシレン−CBr、共晶体も融解し、結
果として膜面のp−キシレン濃度が高められた液相が形
成される。この様な状態で浸透気化分離膜の片側の化学
ポテンシャルを低下させる方法で容易にp−キシレンの
含率を上昇せしめたキシレン成分を取り出す事が出来る
。化学ポテンシャルを低下させる方法としては、数多(
の方法が存在するが、一般的には浸透気化装置側を減圧
にするか、或は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガ
スを掃引する事で透過液側のキシレン分圧を低下させる
事などKより効率良(行われろ。
近傍に沈積1−てゆく。しかして、この系をp−キシレ
ン−四臭化炭素共晶体の融点以上に昇温することにより
膜面近傍のp−キシレン−CBr、共晶体も融解し、結
果として膜面のp−キシレン濃度が高められた液相が形
成される。この様な状態で浸透気化分離膜の片側の化学
ポテンシャルを低下させる方法で容易にp−キシレンの
含率を上昇せしめたキシレン成分を取り出す事が出来る
。化学ポテンシャルを低下させる方法としては、数多(
の方法が存在するが、一般的には浸透気化装置側を減圧
にするか、或は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガ
スを掃引する事で透過液側のキシレン分圧を低下させる
事などKより効率良(行われろ。
本方法によれば、従来、分離が困難であったキシレン混
合物より、p−キシレンを有利に選択的に分離する事が
可能となる。
合物より、p−キシレンを有利に選択的に分離する事が
可能となる。
以下に実施例により本発明を更に説明する。
有機液体混合液の供給側圧力は大気圧とし、透過側は特
記しない限り0.3 tmn■gの減圧下で行った。膜
の有効面積は26.286!であった。
記しない限り0.3 tmn■gの減圧下で行った。膜
の有効面積は26.286!であった。
膜透過成分は凝縮させて採集し、透過量(Flux)は
Kg/ tr? 、 hrの単位で求めた。又、採集液
中、及び原液中の組成比TCD−ガスクロマトグラフィ
により定量【1、膜の分離係数(α)を求めた。尚、分
離係数α8は次式により定義されるものである。
Kg/ tr? 、 hrの単位で求めた。又、採集液
中、及び原液中の組成比TCD−ガスクロマトグラフィ
により定量【1、膜の分離係数(α)を求めた。尚、分
離係数α8は次式により定義されるものである。
ただし、XA 及びxBは供給液中のA成分及びB成分
の重量%、YA及びyBは採集液(透過側)中のA成分
及びB成分の重f&%を示す。
の重量%、YA及びyBは採集液(透過側)中のA成分
及びB成分の重f&%を示す。
実施例1
ポリエチレン(膜厚90μ)を浸透気化装置に装填し、
これKp−キシレンとm−キシレンの混合液6oyCp
−キシ1/ンとm−キシレンの組成比は50.1 :
49.9 )を加える。、20℃に冷却t、た混合液に
四臭化炭素30 f (13,8mole%)を加え攪
拌して共晶を十分形成せしめ、静止、沈降した後、浸透
気化装置を40℃に加温し浸透気化運転を行った所、f
luxは0.63にり/−・hとなり透過液の組成はp
−キシレン62’%+m−キシレン38%であった。一
方、供給液中の組成はp−キシレン41.8%、m−キ
シ実施例2 p−キシレンとm−キシレンの混合液601’(p−キ
シレン50.1%1m−キシレン49.9%)をポリ−
4−メチルペンテソー1を装填した浸透気化袋RK加え
る。これに四臭化炭素300 F (61,6モルチ)
を14℃で加える。
これKp−キシレンとm−キシレンの混合液6oyCp
−キシ1/ンとm−キシレンの組成比は50.1 :
49.9 )を加える。、20℃に冷却t、た混合液に
四臭化炭素30 f (13,8mole%)を加え攪
拌して共晶を十分形成せしめ、静止、沈降した後、浸透
気化装置を40℃に加温し浸透気化運転を行った所、f
luxは0.63にり/−・hとなり透過液の組成はp
−キシレン62’%+m−キシレン38%であった。一
方、供給液中の組成はp−キシレン41.8%、m−キ
シ実施例2 p−キシレンとm−キシレンの混合液601’(p−キ
シレン50.1%1m−キシレン49.9%)をポリ−
4−メチルペンテソー1を装填した浸透気化袋RK加え
る。これに四臭化炭素300 F (61,6モルチ)
を14℃で加える。
充分攪拌して共晶を形成せしめ、静止、沈降した後、4
0℃に昇温1−て減圧運転を行った所、透過側の組成は
p−キシレン72.1チ* m −’tシレン27.9
%であり、供給液の組成は各々25.4%、74.6
チとなり、αp= 7.59となつた。この時のf l
u x は、0.015Kf/n1. hであった
。
0℃に昇温1−て減圧運転を行った所、透過側の組成は
p−キシレン72.1チ* m −’tシレン27.9
%であり、供給液の組成は各々25.4%、74.6
チとなり、αp= 7.59となつた。この時のf l
u x は、0.015Kf/n1. hであった
。
実施例3
温度を45℃にする以外は実施例2とまった(同じ方法
で行った所、透過液組成はp−キシレン73.3チ1m
−キシレン26.7チとなり、託較例 実施例2において、四臭化炭素を加えずに透過実験を行
った所、透過液組成はp−キシレン54.3%1m−キ
シレン45.7%であり、α2=1.19であった。
で行った所、透過液組成はp−キシレン73.3チ1m
−キシレン26.7チとなり、託較例 実施例2において、四臭化炭素を加えずに透過実験を行
った所、透過液組成はp−キシレン54.3%1m−キ
シレン45.7%であり、α2=1.19であった。
特許出厘人 工 業 技術 院
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パラキシレンを含む混合キシレンと四臭化炭素とを
13〜55℃の温度条件下混合することによりキシレン
と四臭化炭素との共晶が形成された系を生起せしめ、そ
の系を浸透気化分離膜の上に配置せしめた状態で静置し
、しかして系を当該系を形成せしめた温度より高められ
た温度に加熱して共晶を融解せしめ、上記分離膜の反対
側を減圧にするか、不活性ガスで掃引することによりパ
ラキシレン分率の高められたキシレン成分を取り出すこ
とを特徴とするキシレン異性体の浸透気化分離法。 2、当該混合キシレンと四臭化炭素との混合が混合キシ
レン・四臭化炭素総量に対する四臭化炭素の混合割合が
12モル%以上90モル%以下とすべく行なわれるもの
である特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、当該混合キシレンと四臭化炭素の混合を10〜40
℃の温度で行う特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17418184A JPS6153233A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | キシレン異性体の浸透気化分離法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17418184A JPS6153233A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | キシレン異性体の浸透気化分離法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6153233A true JPS6153233A (ja) | 1986-03-17 |
JPH0222737B2 JPH0222737B2 (ja) | 1990-05-21 |
Family
ID=15974128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17418184A Granted JPS6153233A (ja) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | キシレン異性体の浸透気化分離法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6153233A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007055934A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | ペンタフルオロエタンの製造方法 |
WO2018118675A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Uop Llc | Processes and apparatuses for toluene methylation in an aromatics complex |
WO2018118595A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Uop Llc | Processes and apparatuses for toluene methylation in an aromatics complex |
-
1984
- 1984-08-23 JP JP17418184A patent/JPS6153233A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007055934A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | ペンタフルオロエタンの製造方法 |
WO2018118675A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Uop Llc | Processes and apparatuses for toluene methylation in an aromatics complex |
WO2018118595A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | Uop Llc | Processes and apparatuses for toluene methylation in an aromatics complex |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0222737B2 (ja) | 1990-05-21 |
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