JPS61288771A - 昇圧回路 - Google Patents
昇圧回路Info
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- JPS61288771A JPS61288771A JP12853885A JP12853885A JPS61288771A JP S61288771 A JPS61288771 A JP S61288771A JP 12853885 A JP12853885 A JP 12853885A JP 12853885 A JP12853885 A JP 12853885A JP S61288771 A JPS61288771 A JP S61288771A
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- Pending
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 25
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 25
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 8
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野1
本発明は、DC−DCコンバータを用いた昇圧回路に関
するものである。
するものである。
「背景技術1
第3図は従来例の回路を示すものであり、第3図におい
て、電源としてn個の電池を直列接続して電池電源1を
形成している。昇圧主回路2′はスイッチング用トラン
ジスタQ I 、発振用トランスT等から構成されてい
る。電源1が投入されると、トランスTの1次巻+11
1 r−+及び抵抗R3を通ってスイッチングトランジ
スタQ、のベース電流が流れる。それによりトランジス
タQ、はオンし始め、トランジスタQ、のコレクタ電流
■cが流れ始める。そしてトランス作用により2次巻線
L2にはトランジスタQ、がオンする方向に電圧が発生
して急激にトランジスタQ、はオン状態になる。
て、電源としてn個の電池を直列接続して電池電源1を
形成している。昇圧主回路2′はスイッチング用トラン
ジスタQ I 、発振用トランスT等から構成されてい
る。電源1が投入されると、トランスTの1次巻+11
1 r−+及び抵抗R3を通ってスイッチングトランジ
スタQ、のベース電流が流れる。それによりトランジス
タQ、はオンし始め、トランジスタQ、のコレクタ電流
■cが流れ始める。そしてトランス作用により2次巻線
L2にはトランジスタQ、がオンする方向に電圧が発生
して急激にトランジスタQ、はオン状態になる。
そして、コレクタ電流ICは、
IC”hFE・■B
となり、コレクタ電流ICの増加がこれ以上なくなると
、巻線L2には今度はトランジスタQ1を急激にオフす
る方向の電圧が発生する。以降これを繰り返す。トラン
ジスタQ、がオフ状態の時、整流ダイオードD、を通っ
て1ランシスタQ1がオンの時巻線L1に蓄えられたエ
ネルギーが放出される。これが平滑用コンデンサC2に
より平滑されて負荷4に供給される。ICのようなもの
で構成される安定化制御回路3′は上記平滑用コンデン
サC2にて平滑された出力電圧を検出して、所定の基準
電圧と比較し、その比較出力でトランジスタQ、のオン
期間を長くしたり、短くしたりして制御することで、昇
圧主回路2′の出力電圧を一定となるように安定化して
いる。
、巻線L2には今度はトランジスタQ1を急激にオフす
る方向の電圧が発生する。以降これを繰り返す。トラン
ジスタQ、がオフ状態の時、整流ダイオードD、を通っ
て1ランシスタQ1がオンの時巻線L1に蓄えられたエ
ネルギーが放出される。これが平滑用コンデンサC2に
より平滑されて負荷4に供給される。ICのようなもの
で構成される安定化制御回路3′は上記平滑用コンデン
サC2にて平滑された出力電圧を検出して、所定の基準
電圧と比較し、その比較出力でトランジスタQ、のオン
期間を長くしたり、短くしたりして制御することで、昇
圧主回路2′の出力電圧を一定となるように安定化して
いる。
ところで、スイッチングトランジスタQ1の自励発振を
強制的にオフさせるためには、トランジスタQ、のベー
ス電位をベース・エミッタ間電圧Vnp以下にクランプ
する必要がある。そのために、従来では例えば安定化制
御回路3′の出力トランジスタQ、をオープンコレクタ
として、このコレクタをトランジスタQ、のベースに接
続し、安定化制御回路3′の出力トランジスタQ3がオ
ンした場合にトランジスタQ、をオフさせていた。
強制的にオフさせるためには、トランジスタQ、のベー
ス電位をベース・エミッタ間電圧Vnp以下にクランプ
する必要がある。そのために、従来では例えば安定化制
御回路3′の出力トランジスタQ、をオープンコレクタ
として、このコレクタをトランジスタQ、のベースに接
続し、安定化制御回路3′の出力トランジスタQ3がオ
ンした場合にトランジスタQ、をオフさせていた。
しかしながら、この構成においては、トランジスタQ、
のベース電位はtランスTの2次巻線I−2によりマイ
ナス電位になる。それにより、トランジスタQ、のベー
ス・コレクタのpn接合が順バイアスされ、トランジス
タQ3のベース電位がマイナスになる。これにより、安
定化制御回路3′をIC化した場合、寄生トランジスタ
等の発生により誤動作をする。従来、これを防止するた
めにトランジスタQ、のベースφエミッタ間にダイオー
ドD2を接続していた。つまり、DC−DCOンバータ
のトランス作用(巻線14□)等によるマイナス電位を
ダイオードD2によるクランプによって0.6V以内に
抑えているものである。
のベース電位はtランスTの2次巻線I−2によりマイ
ナス電位になる。それにより、トランジスタQ、のベー
ス・コレクタのpn接合が順バイアスされ、トランジス
タQ3のベース電位がマイナスになる。これにより、安
定化制御回路3′をIC化した場合、寄生トランジスタ
等の発生により誤動作をする。従来、これを防止するた
めにトランジスタQ、のベースφエミッタ間にダイオー
ドD2を接続していた。つまり、DC−DCOンバータ
のトランス作用(巻線14□)等によるマイナス電位を
ダイオードD2によるクランプによって0.6V以内に
抑えているものである。
[発明の目的1
本発明は上述の点に鑑みて提供したものであって、安定
化制御回路の制御出力側がマイナス電位になることを防
ぎ、よってマイナス電位による寄生効果により生ずる誤
動作を防止することを目的とした昇圧回路を提供するも
のである。
化制御回路の制御出力側がマイナス電位になることを防
ぎ、よってマイナス電位による寄生効果により生ずる誤
動作を防止することを目的とした昇圧回路を提供するも
のである。
[発明の開示]
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第1図は具体回路図を示すものであり、従来とほぼ同様
に構成された昇圧主回路2と、昇圧主回路2の出力電圧
を安定化させる安定化制御回路3と、安定化制御回路3
の出力を昇圧主回路2のスイッチングトランジスタQ1
のベースにフィードバックさせるべく本発明の要旨であ
るPNP型のトランジスタQ2等から構成されている。
に構成された昇圧主回路2と、昇圧主回路2の出力電圧
を安定化させる安定化制御回路3と、安定化制御回路3
の出力を昇圧主回路2のスイッチングトランジスタQ1
のベースにフィードバックさせるべく本発明の要旨であ
るPNP型のトランジスタQ2等から構成されている。
昇圧主回路2は従来回路よりダイオードD2を削除して
いるもので、他の構成は従来と同様である。昇圧主回路
2の出力電圧Voは安定化制御回路3にて一定の電圧に
安定化され、負荷4に電源として供給している。安定化
制御回路3はコンパレータ5、抵抗R3〜R5、ツェナ
ーダイオードZD等から構成され、昇圧主回路2の平滑
用コンデンサC2により平滑された出力電圧VOは、抵
抗R1、R3の抵抗比で分圧されて、電圧VO′ を形
成し、この電圧Vo’がコンパレータ5の反転入力端子
に入力されている。コンパレータ5の非反転入力端子に
は、抵抗R5及びツェナーダイオードZDにより形成さ
れる基準電圧V refが入力されている。上記トラン
ジスタQ2のベースは安定化制御回路3のコンパレータ
5の出力端が接続され、コレクタは接地されでいる。ま
た、このトランジスタQ2のエミッタは昇圧主回路2の
トランジスタQ1のベースに接続されている。
いるもので、他の構成は従来と同様である。昇圧主回路
2の出力電圧Voは安定化制御回路3にて一定の電圧に
安定化され、負荷4に電源として供給している。安定化
制御回路3はコンパレータ5、抵抗R3〜R5、ツェナ
ーダイオードZD等から構成され、昇圧主回路2の平滑
用コンデンサC2により平滑された出力電圧VOは、抵
抗R1、R3の抵抗比で分圧されて、電圧VO′ を形
成し、この電圧Vo’がコンパレータ5の反転入力端子
に入力されている。コンパレータ5の非反転入力端子に
は、抵抗R5及びツェナーダイオードZDにより形成さ
れる基準電圧V refが入力されている。上記トラン
ジスタQ2のベースは安定化制御回路3のコンパレータ
5の出力端が接続され、コレクタは接地されでいる。ま
た、このトランジスタQ2のエミッタは昇圧主回路2の
トランジスタQ1のベースに接続されている。
次に、動作を説明する。昇圧主回路2の動作は従来と同
様であるので省略する。コンデンサC2より平滑された
電圧が出力され、この電圧を■0とし、抵抗R1、R5
により抵抗分割された電圧をVo’ とすると、基準電
圧V refより電圧■0′の方が大きい時、つまり、
Vo’ >Vrefの時1コンパレータ5の出力がLレ
ベルとなるため、トランジスタQ2がオンし、昇圧主回
路2のトランジスタQ1のオン期間を短(して出力電圧
■0を下げる。
様であるので省略する。コンデンサC2より平滑された
電圧が出力され、この電圧を■0とし、抵抗R1、R5
により抵抗分割された電圧をVo’ とすると、基準電
圧V refより電圧■0′の方が大きい時、つまり、
Vo’ >Vrefの時1コンパレータ5の出力がLレ
ベルとなるため、トランジスタQ2がオンし、昇圧主回
路2のトランジスタQ1のオン期間を短(して出力電圧
■0を下げる。
この出力電圧Voが下がることによって、電圧VO′も
下がる。反対にVo’ <Vrefの時、コンパレータ
5の出力端はHレベルとなるため、トランジスタQ2が
オフし、昇圧主回路2のトランシスタQ、のオン期間を
長くして出力電圧vOを上げる。
下がる。反対にVo’ <Vrefの時、コンパレータ
5の出力端はHレベルとなるため、トランジスタQ2が
オフし、昇圧主回路2のトランシスタQ、のオン期間を
長くして出力電圧vOを上げる。
この出力電圧Voが上がると、電圧Vo’ も上がる。
このようにして、安定化制御回路3の出力にて昇圧主回
路2を制御することで昇圧回路の出力電圧Voは安定化
した一定の電圧が得られることになる。第2図は昇圧主
回路2の各部の動作波形図を示すものであり、第2図(
a)はトランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間の電圧
VCFの波形を、同図(b)はトランジスタQ、のコレ
クタ電流Icの波形を、同図(e)はコンデンサC2に
流れる電流IOの波形を、同図(d)はトランジスタQ
、のオンオフの動作状態を、同図(e)はトランジスタ
Q2のオンオフの動作状態を夫々示すものである。
路2を制御することで昇圧回路の出力電圧Voは安定化
した一定の電圧が得られることになる。第2図は昇圧主
回路2の各部の動作波形図を示すものであり、第2図(
a)はトランジスタQ、のコレクタ・エミッタ間の電圧
VCFの波形を、同図(b)はトランジスタQ、のコレ
クタ電流Icの波形を、同図(e)はコンデンサC2に
流れる電流IOの波形を、同図(d)はトランジスタQ
、のオンオフの動作状態を、同図(e)はトランジスタ
Q2のオンオフの動作状態を夫々示すものである。
ここで、トランス作用によりトランジスタQ、のベース
、すなわち、PNP型のトランジスタQ2のエミッタが
マイナス電位になっても、該トランジスタQ2のベース
・エミッタのpn接介は逆バイアスされるため、安定化
制御回路3の内部までマイナス電位になることはない。
、すなわち、PNP型のトランジスタQ2のエミッタが
マイナス電位になっても、該トランジスタQ2のベース
・エミッタのpn接介は逆バイアスされるため、安定化
制御回路3の内部までマイナス電位になることはない。
従って、安定化制御回路3をIC化した場合でもマイナ
ス電位による内部のトランジスタ等が誤動作することは
ないものである。このように、DC−DCコンバータを
利用した昇圧回路にて入力電圧(電池電圧)が変動して
も、安定な昇圧出力電圧を得るために上述の如く安定化
制御回路3が必要であるが、昇圧主回路2と安定化制御
回路3のインタフェースをPNP型のトランジスタQ2
にて構成していることで簡単にしかも低コストでできる
ものである。
ス電位による内部のトランジスタ等が誤動作することは
ないものである。このように、DC−DCコンバータを
利用した昇圧回路にて入力電圧(電池電圧)が変動して
も、安定な昇圧出力電圧を得るために上述の如く安定化
制御回路3が必要であるが、昇圧主回路2と安定化制御
回路3のインタフェースをPNP型のトランジスタQ2
にて構成していることで簡単にしかも低コストでできる
ものである。
[発明の効果1
本発明は上述のように、発振用トランスやスイッチング
素子等がちなり、該スイッチング素子のオンオフ動作に
より発振用トランスの巻線に発生する電圧をスイッチン
グ素子の制御端子に帰還して所定の電圧を出力する昇圧
主回路と、この昇圧主回路からの出力電圧を検知し所定
の基準電圧と比較して、この比較出力を上記スイッチン
グ素子の制御端子にフィードバックして昇圧主回路の出
力電圧を安定制御させる安定化制御回路とを具備し、昇
圧主回路と安定化制御回路との間にPNP型のトランジ
スタを設け、該PNP型のトランジスタのベースに安定
化制御回路の出力端を接続すると共に、エミッタを昇圧
主回路のスイッチング素子の制御端子に接続し、コレク
タを接地したものであるから、発振時におけるトランス
作用によりスイッチング素子の制御端子がマイナス電位
になっても、PNP型のトランジスタのエミッタをスイ
ッチング素子の制御端子に接続し、該トランジスタのベ
ースを安定化制御回路の制御端に接続していることで、
トランジスタのベース・エミッタのpn接合が逆バイア
スされるため、安定化制御回路の内部までマイナス電位
になることはなく、そのため、安定化制御回路をIC化
した場合でも寄生効果等により内部のトランジスタ等が
誤動作することがない効果を奏し、しかも、昇圧主回路
と安定化制御回路とのインタフェースをPNP型のトラ
ンジスタを用いているだけであるから、簡単で低コスト
のインク7エースを構成することができる効果を奏する
ものである。
素子等がちなり、該スイッチング素子のオンオフ動作に
より発振用トランスの巻線に発生する電圧をスイッチン
グ素子の制御端子に帰還して所定の電圧を出力する昇圧
主回路と、この昇圧主回路からの出力電圧を検知し所定
の基準電圧と比較して、この比較出力を上記スイッチン
グ素子の制御端子にフィードバックして昇圧主回路の出
力電圧を安定制御させる安定化制御回路とを具備し、昇
圧主回路と安定化制御回路との間にPNP型のトランジ
スタを設け、該PNP型のトランジスタのベースに安定
化制御回路の出力端を接続すると共に、エミッタを昇圧
主回路のスイッチング素子の制御端子に接続し、コレク
タを接地したものであるから、発振時におけるトランス
作用によりスイッチング素子の制御端子がマイナス電位
になっても、PNP型のトランジスタのエミッタをスイ
ッチング素子の制御端子に接続し、該トランジスタのベ
ースを安定化制御回路の制御端に接続していることで、
トランジスタのベース・エミッタのpn接合が逆バイア
スされるため、安定化制御回路の内部までマイナス電位
になることはなく、そのため、安定化制御回路をIC化
した場合でも寄生効果等により内部のトランジスタ等が
誤動作することがない効果を奏し、しかも、昇圧主回路
と安定化制御回路とのインタフェースをPNP型のトラ
ンジスタを用いているだけであるから、簡単で低コスト
のインク7エースを構成することができる効果を奏する
ものである。
第1図は本発明の実施例の具体回路図、第2図は同上の
動作波形図、第3図は従来例回路図である。 2は昇圧主回路、3は安定化制御回路、Qlはスイッチ
ング用トランジスタ、Q2はPNP型のトランジスタ、
Tは発振用トランスを示す。
動作波形図、第3図は従来例回路図である。 2は昇圧主回路、3は安定化制御回路、Qlはスイッチ
ング用トランジスタ、Q2はPNP型のトランジスタ、
Tは発振用トランスを示す。
Claims (1)
- (1)発振用トランスやスイッチング素子等からなり、
該スイッチング素子のオンオフ動作により発振用トラン
スの巻線に発生する電圧をスイッチング素子の制御端子
に帰還して所定の電圧を出力する昇圧主回路と、この昇
圧主回路からの出力電圧を検知し所定の基準電圧と比較
して、この比較出力を上記スイッチング素子の制御端子
にフィードバックして昇圧主回路の出力電圧を安定制御
させる安定化制御回路とを具備し、昇圧主回路と安定化
制御回路との間にPNP型のトランジスタを設け、該P
NP型のトランジスタのベースに安定化制御回路の出力
端を接続すると共に、エミッタを昇圧主回路のスイッチ
ング素子の制御端子に接続し、コレクタを接地して成る
昇圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12853885A JPS61288771A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 昇圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12853885A JPS61288771A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 昇圧回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288771A true JPS61288771A (ja) | 1986-12-18 |
Family
ID=14987229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12853885A Pending JPS61288771A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | 昇圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61288771A (ja) |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP12853885A patent/JPS61288771A/ja active Pending
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