JPS61268059A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS61268059A JPS61268059A JP60110717A JP11071785A JPS61268059A JP S61268059 A JPS61268059 A JP S61268059A JP 60110717 A JP60110717 A JP 60110717A JP 11071785 A JP11071785 A JP 11071785A JP S61268059 A JPS61268059 A JP S61268059A
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- JP
- Japan
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- semiconductor pellet
- solid
- photoelectric conversion
- transparent resin
- resin
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
固体撮像装置は近年の固体光センサとしてファクシミリ
工業計測、VTRカメラ等広く利用さnはじめた。本発
明は上記固体撮像?C置の封止技術に関するものである
。
工業計測、VTRカメラ等広く利用さnはじめた。本発
明は上記固体撮像?C置の封止技術に関するものである
。
従来固体撮像装置の封止法はセラミック容器に透明ガラ
スキャップを用いる方法でなさnてきた。
スキャップを用いる方法でなさnてきた。
ここで容器のセラミックとガラス間においては直接封止
することはできないために種々の中間部材を介して封止
全行っている。
することはできないために種々の中間部材を介して封止
全行っている。
したがって従来技術においては中間部材を要するために
複雑な構造となり、コストも高いものとなっている。又
、光センナ装置として光電変換に利用できる光景は半導
体基板上に形成さn走光電変換領域に入射した元に限ら
nてきた。一方最近の固体撮像装置の特性改善は著しい
ものがあり、従来の光センナである撮像管と同等にまで
になった。しかしながら少い光で多くの信号を得る高感
度化の要求は更に高まっている。
複雑な構造となり、コストも高いものとなっている。又
、光センナ装置として光電変換に利用できる光景は半導
体基板上に形成さn走光電変換領域に入射した元に限ら
nてきた。一方最近の固体撮像装置の特性改善は著しい
ものがあり、従来の光センナである撮像管と同等にまで
になった。しかしながら少い光で多くの信号を得る高感
度化の要求は更に高まっている。
本発明は従来技術と異り簡単な構造で低いコストでかつ
充電変換領域に周辺部に入射するより多くの光量を収束
し固体撮像装置の高感度化全可能とするものである。
充電変換領域に周辺部に入射するより多くの光量を収束
し固体撮像装置の高感度化全可能とするものである。
本発明は一般に半導体装置に用いらnてぃ石樹脂封止法
で使用する樹脂を光センサ装置に適すよう透明にするこ
とおよび半導体基板上に形成した光電変換素子領域外で
ある周辺に本来入射する光を樹脂の屈折を利用して前記
光電変換領域に収束させるものである。上記光を収束す
るために透明樹脂で前記光電変換領域の中央を中心とし
た凸形状に形成する。光の利用率を上げてよシ高感変化
金図るには前記凸形を広い領域にわたって行えばよい。
で使用する樹脂を光センサ装置に適すよう透明にするこ
とおよび半導体基板上に形成した光電変換素子領域外で
ある周辺に本来入射する光を樹脂の屈折を利用して前記
光電変換領域に収束させるものである。上記光を収束す
るために透明樹脂で前記光電変換領域の中央を中心とし
た凸形状に形成する。光の利用率を上げてよシ高感変化
金図るには前記凸形を広い領域にわたって行えばよい。
但し前記広い領域にわたる光の収束には透明樹脂での高
い屈折率を必要とし凸形を一段と高くする必要があるの
はいうまでもない0〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例の断面図でめる0リードフレ
ーム1上に半導体ペレット2を取り付けた後透明樹脂3
で全体を被チ0この時透明樹脂の半導体ペレット面にお
いて半導体ペレット上に形成した光電変換領域4の中央
部全中心とした球状の孤を描くように形成する。このよ
うに樹脂封止した固体撮像装置においては図に示すよ5
Aの範囲に入射する光は全て半導体ペレット上の光電変
換領域上に収束さn1従米技術の平面ガラスキャップを
使用した場の光利用範囲であるBに比べて大きな光tを
光電変換することが可能となる。
い屈折率を必要とし凸形を一段と高くする必要があるの
はいうまでもない0〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例の断面図でめる0リードフレ
ーム1上に半導体ペレット2を取り付けた後透明樹脂3
で全体を被チ0この時透明樹脂の半導体ペレット面にお
いて半導体ペレット上に形成した光電変換領域4の中央
部全中心とした球状の孤を描くように形成する。このよ
うに樹脂封止した固体撮像装置においては図に示すよ5
Aの範囲に入射する光は全て半導体ペレット上の光電変
換領域上に収束さn1従米技術の平面ガラスキャップを
使用した場の光利用範囲であるBに比べて大きな光tを
光電変換することが可能となる。
前記光利用の有効範囲Aは透明樹脂の曲率を変えること
により任意の値をとることが可能となる。
により任意の値をとることが可能となる。
以上説明したように本発明は透明樹脂を凸レンズ状に加
工して光の屈折率を利用してより広範囲の光を光電変換
させて固体撮像装置の高感度化を図ることを目的とする
ものである。
工して光の屈折率を利用してより広範囲の光を光電変換
させて固体撮像装置の高感度化を図ることを目的とする
ものである。
本発明を二次元固体撮像装置に適用する場合には前記透
明樹脂の加工形状は球状になることが好ましいし、又、
−次元固体撮像装置に適用の場合においてはかまほこ形
状が好ましいことはいうまでもない。
明樹脂の加工形状は球状になることが好ましいし、又、
−次元固体撮像装置に適用の場合においてはかまほこ形
状が好ましいことはいうまでもない。
第1図は本発明の断面図である。
1・・・・・・リードフレーム、2・旧・・半導体チッ
プ、3・・・・・・透明樹脂、4・・・・・・光電変換
領域、A・・・・・・本発明の光利用有効範囲、B・・
・・・・従来技術の光利用有効範囲。
プ、3・・・・・・透明樹脂、4・・・・・・光電変換
領域、A・・・・・・本発明の光利用有効範囲、B・・
・・・・従来技術の光利用有効範囲。
Claims (1)
- 半導体基板上に光電変換素子を形成した固体撮像装置に
おいて前記半導体ペレットをリードフレームに取り付け
た後透明樹脂で全面を被い該透明樹脂を前記光電変換部
の中央部を最も凸にすることを特徴とする固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60110717A JPS61268059A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60110717A JPS61268059A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61268059A true JPS61268059A (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=14542696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60110717A Pending JPS61268059A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61268059A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02161772A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-21 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JPH09130683A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-16 | Konica Corp | 光学素子一体型撮像素子及び撮像装置 |
JPH10284710A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Nec Corp | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
JP2004180116A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Exquisite Optical Technology Co Ltd | 微小化実装した映像取入チップモジュール |
JP2007234783A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Denso Corp | 画像センサパッケージ |
KR100860308B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-09-25 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 패키지 및 그 제조방법 |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP60110717A patent/JPS61268059A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6104021A (en) * | 1997-04-09 | 2000-08-15 | Nec Corporation | Solid state image sensing element improved in sensitivity and production cost, process of fabrication thereof and solid state image sensing device using the same |
US6291811B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-09-18 | Nec Corporation | Solid state image sensing element improved in sensitivity and production cost, process of fabrication thereof and solid state image sensing device using the same |
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JP4730135B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-07-20 | 株式会社デンソー | 画像センサパッケージ |
KR100860308B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2008-09-25 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 패키지 및 그 제조방법 |
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