JPS61251099A - 厚膜多層配線基板 - Google Patents

厚膜多層配線基板

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Publication number
JPS61251099A
JPS61251099A JP9159785A JP9159785A JPS61251099A JP S61251099 A JPS61251099 A JP S61251099A JP 9159785 A JP9159785 A JP 9159785A JP 9159785 A JP9159785 A JP 9159785A JP S61251099 A JPS61251099 A JP S61251099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thick film
conductor
hole
wiring board
multilayer wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP9159785A
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English (en)
Inventor
高野 義雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61251099A publication Critical patent/JPS61251099A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は厚膜多層配線基板に係わり、特に銀パラジウム
ペーストのような拡散しやすい導体膜を用いた場合の厚
膜多層配線基板に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 従来、厚膜多層配線基板の厚膜導体ペーストとしては種
々の組成の銀パラジウムペーストや金ベースト、銅ペー
スト等が使用されている。
しかし銀パラジウムペーストのような拡散しやすい金属
成分を多く使用した導体ペーストを用いた場合であって
も、あるいは金ペーストのような拡散しにくい金属成分
を使用した導体ペーストを用いた場合であってもその配
線パターンのレイアウトについては、従来から金属成分
によって変化させず、同一としていた。
しかし、上下導体を接続するための通孔部(パイヤホー
ル)を有し、かつこの通孔内に貫通導体(バイヤフィル
)を有する厚膜多層配線基板においては、通孔部の金j
Iffiが他の部分に比べて多いため通孔部近傍、特に
通孔部に隣接する上下方向の絶縁層は、同一絶縁層にお
ける他の部分に比べて焼成時の金属の拡散が多くなる。
そのため第2図に示すように通孔部7の高さ方向に絶[
lll3を介して隣接する導体層2が存在した場合には
、第3図に示すように通孔部7と導体1112間に金属
成分の拡散密度の大きな領域9が発生し、このために種
々の不都合、たとえば耐圧の劣化やショートの発生等が
生じていた。
特に近年、電子機器の高性能化、小型化の要求にともな
い配置*!l板がより多層構造となっているため、下部
導体層では焼成累計回数が10回以上になり、それにと
もなって導体膜の金属成分の拡散やマイグレーションも
増加する結果となる。しかも各絶縁体層および導体層の
膜厚もより小さくなっているので、金属成分の拡散等は
隣接する導体層に影響しやすくなっている。
以上のような事情から上記した問題はますます重要とな
ってきており、基板製造の歩留り低下の原因の1つにな
っていた。
〔発明の目的〕
本発明は、以上のような問題を解決するためになされた
もので、拡散しやすい金属成分を用いた厚膜多層配m基
板の場合に、通孔部について該通孔部の高さ方向の環境
を限定して配置した導体パターンレイアウトとすること
により、金属の拡散、マイグレーションを原因とする不
都合点を解消し、基板の製造歩留りを向上させることを
目的とする。
[発明の概要] すなわち本発明の厚膜多層配線基板は、絶縁体層にあっ
て上下導体を接続する通孔内に貫通導体が充填されてな
る厚膜多層配線基板において、前記通孔部の高さ方向に
ついての領域には絶縁層を介して隣接する上下導体が存
在しないような配線パターンレイアウトであることを特
徴とする。
本発明は特に導体層が銀パラジウムペーストのような拡
散しやすい導体ペーストによって構成されている場合に
有意義である。
[発明の実施例] 次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例の部分断面図である。
この実施例では、アルミナ基板1上に銀パラジウムペー
ストよりなる第1s体層22.32が形成され、ついで
内部が第1導体Fm22と第2導体Tl25を接続する
貫通導体で満たされた通孔部24を有する第1絶縁W!
23を介して第2導体1g25が順に形成されている。
また第2導体層25上には第2導体WJ25と第3導体
ll128とを接続する通孔部27を有する第2絶縁1
!26を介して第3導体層28が形成されており、この
通孔部27は第1絶縁1m23の通孔部24の上部に配
置されている。このように構成された厚膜多層配線基板
においては、通孔部27は第1導体層32の上部に位置
していないので、金属成分の拡散によって耐圧が変化し
たり、ショートが発生するようなことがなかった。
[発明の効果] 以上説明したように本発明による厚膜多層配線基板は、
上下導体を接続する通孔部の厚さ方向にはざらに絶縁層
を介して隣接する上下導体が存在しないようなパターン
レイアウトをとっているので、金属mの多い通孔部近傍
の金属の拡散によって生じる耐圧の低下や、ショートの
発生を防止できるので、基板の製造歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するための部分断面図
、第2図は従来の厚膜多層配m基板を説明するための部
分断面図、第3図は従来の厚膜多層配線基板を用いた場
合の金属の拡散の状態を説明するための部分断面図であ
る。 1・・・・・・・・・・・・アルミナ基板2.22.3
2 ・・・第1導体層 3.23・・・第1絶縁層 4.7.24.2.7 ・・・通孔部 5.25・・・第2s体層 6.26・・・第2絶J@層 8.28・・・第3導体n

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁体層にあつて上下導体を接続する通孔内に貫
    通導体が充填されてなる厚膜多層配線基板において、前
    記通孔部の高さ方向についての領域には絶縁層を介して
    隣接する上下導体が存在しないような配線パターンレイ
    アウトであることを特徴とする厚膜多層配線基板。
  2. (2)導体が銀パラジウムペーストで構成されている特
    許請求の範囲第1項記載の厚膜多層配線基板。
JP9159785A 1985-04-27 1985-04-27 厚膜多層配線基板 Pending JPS61251099A (ja)

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JPS61251099A true JPS61251099A (ja) 1986-11-08

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