JPS61225151A - アントラキノジメタン誘導体およびアントロン誘導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に電子移動（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｔｒａｎ
ｓｐｏｒｔ−ｉｎｇ）化合物の製造方法に関し、特に本
発明はアン１−ラキノジメタン誘導体および関連するア
ントロン誘導体を得るための特別な方法に関する。従っ
て本発明の一具体例としてアンｌ−ラキノジメタンと活
性メチレン化合物との適当な有機溶媒中でのマロノニト
リルを含めた反応によりアントラキノンおよびアントロ
ン誘導体が製造され、その反応は塩基およびルイス酸の
存在下で達成される。得られるアントラキノジメタン誘
導体および関連するアントロン誘導体は光発生（ｐｈｏ
ｔｏ）（ｅｎｅｒａｔｉＢ）層を中に含む像形成部材中
にある電子移動化合物として有用である。これらの像形
成部材は電子移動層を有する光感応性像形成部材と題す
る同時出願の米国出願５ｅｒｉａｌ　　Ｎｏ　　　　　
（Ｄ／８４２６０）が特許請求している主題であり、こ
の同時出願の記載は全く参考のためここに組入れである
。

静電的手段により光導電性材料の表面上に静電潜像を生
成さぜ、現像することはよく知られている。ひとつの静
電的方法は光感応性（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｐｏｎｓｉｖ
ｅ）板またはホ１−レセプター（ｐｌ＋ｏｔｏ’−ｒｅ
ｃｅｐｔｏｒ）の表面上に潜像を形成する事を含んで入
る。これらのホトレセプターは光導電性絶縁性材料の層
をその表面に含む導電性基体からなり、多くの場合基体
と光導電性層との間に薄い障壁層が中に組込まれており
、その表面を帯電させた時光導電性層に電荷が注入され
ないようにしである。

その注入は得られる像の品質に悪影響を与える。

多くの異なったゼログラフ用光導電性部材が知られてい
るか、それらには例えばガラス状セレンの如き単一の物
質からなる均質な層あるいは光導電性物質が他の器材中
に分散されている複合層状装置が含まれる。ゼログラフ
に用いられる複合光導電性層の一つの種類の例は、例え
ば　米国特許第３，１２１，００６号に記載されており
、そこには微細な光導電性無機化合物の粒子が電気絶縁
性有機樹脂結合剤中に分散されたものからなる多くの層
が記載されている。商業的な形態として結合剤層は均一
に分散された酸化亜鉛の粒子を含み、紙裏打ち材上に被
覆されている。この特許に記載された結合剤は光導電性
粒子によって発生した注入電荷キャリアーをかなりの距
離移動させることはできない材料からなっている。その
結果光導電性粒子は繰り返される操作に対して必要な電
荷の消失を可能にするなめに、層全体にわたって実質的
に粒子から粒子へ連続的に接触していなければならない
。この特許に記載されている特定の結合剤材料の例には
、例えばポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リアミド樹脂等が含まれる。

電荷キャリアー発生および電荷キャリアー移動の機能が
個々の連続した層によって達成される場合、他の無機ま
たは有機材料からなるポ１ヘレセプター材料も知られて
いる。さらに電気絶縁性重合体材料の外側被覆層を含む
ポトレセプターも従来技術として記載されており、この
外側被覆された種類のホトレセプターに関連して数多く
の像形成法が提案されてきている。しがしゼログラフの
技術は進歩し続けており、いっそう厳しい要求が性能の
改善の為に複写機によって満足される必要がある。さら
に正に帯電した層状光感応性像形成部材は許容できる解
像力をもつ像を形成し、実質的に望ましくない背景の１
・１着を示さないようにする為に必要である。

晟近像生成層およびポール移動層からなる層状光感応性
装置が記載されており　（米国特許第４．２６５，９９
０号参照）またホール移動層で被覆され、その上発光層
の外側被覆が施され、そして絶縁性有機樹脂の最も外側
の被覆が被覆された導電性層をもつ被覆光感応性材ｆ：
ｌが記載されている（米国特許第４，２５１．６１２号
参照）。これらの特許に記載されている像形成層の例に
は三方晶系セレンおよびフタロシアニンが含まれるが、
用いることのできる活性移動層分子の例はここで述べる
ようなある種のジアミンからなっている。これらの特許
即ち米国特許第４，２６５，９９０号、および第４，２
５１．６１２号の各々の記載は全く参考のためにここに
絹入れである。

発光顔料を有する層状光感応性装置を記載した他の多く
の特許が存在するが、例えば米国特許第３．０４１，１
６７号には導電性基材、光導電性絶縁層。

および電気絶縁性重合体材料からなる外側被覆層を含む
被覆像形成部材を用いた静電写真像形成が記載されてい
る。これらの部材は例えば最初第１の極性の正電荷を部
材に帯電させ、そして像状に露光し静電潜像を形成させ
、それを次ぎに可視像を形成するように現像することに
よる静電写真複写法に用いられている。続くそれぞれの
像形成工程の前に、その部材は第１の極性とは反対の極
性をもつ第２の極性の正電荷をもつように帯電させるこ
とができる。第２の極性の芯の電場がその部材中に生ず
るように充分な第２極性の付加的電荷が適用される。同
時に導電性基材に電場を適用するなどして、光導電性層
に第１の極性の移動性電荷を生成させる。可視像を形成
させるように現像される像形成用電位は、光導電性層お
よび外側被覆層を通って存在している。

層状光感応性装置を記載した他の代表的な従来技術には
、米国特許第４，１１５，１１６号、第４，０４７，９
４９号、第４，０８１，２７４号および第４，３１５，
９８１号が含まれる。

米国特許第４，３１５，９８１号の記載によれは、記録
用部材は導電性支持体、芳香族または複素環多環キノン
環系の化合物の電荷キャリアー生成染料層を含む有機材
料の光導電性層および電荷移動層からなる。

さらに米国特許第４，１３５，９２８号には電荷移動物
質として７−ニトロ−２−アザ−９−フルオレニリデン
ーマロノニ１〜リルからなる静電子写真用光感応性部材
が記載されている。この特許の記載によれば、静電写真
用光感応性部材は光導電性支持体、その上の発光性物質
の層および７−二ｌ〜ロー２−アザー９−フルオレニリ
デンーマロノニトリル、例えば第１欄に例示されている
ような式をもつものからなる。

米国特許第４，４７７．８６５号にはフルオレニリデン
誘導体の電子移動層をもつ像形成部材が記載されている
。これらの電荷移動化合物は、それらが５員の中心環を
もつフルオレノンｔ１４造に基づいている点で本発明の
ものとは異なっている。一方、本発明の電子移動化合物
は６員の中心環を含むアントロンおよびアントラキノン
構造体に基づいている。さらにフルオレニリデン誘導体
は比較的構造が平坦であるが、本発明のアントラキノン
誘導体は曲がっており、蝶のような形状をとっている。

上記光感応性像形成部材はそれらの意図する目的に対し
て適しているが、許容できる像を発生するばかってなく
、それをとりまく条件や機械的な環境によるその劣化を
受けることなく何度も繰り返される像形成工程で繰り返
し用いることができる。さらに選択された材料がこれら
の部材の使用者に対し実質的に化学的な作用を与えない
改良された層状光導電性像形成部材に対する必要性が依
然として存在している。また電子移動性化合物を有する
正に帯電する像形成部材に対する必要性が依然として存
在している。さらに最低の数の処理工程で製造すること
ができ、しかも複数の層が像形成および印刷工程でそれ
らの部材の連続的使用ができるように互いに充分に接着
している改良された光感応性像形成部材に対する必要性
も存在している。

層状像形成部材の有用な寿命の間、電子移動化合物を分
散状態に維持することができるポリカーボネートおよび
ポリエステルを含めた一般的マトリックス重合体と相容
性のあるそれら電子移動化合物に対する需要も存在して
いる。更に、アントロン、およびアントラキノジメタン
電子移動化合物を製造するための簡単な方法に対する需
要も存在している。

従って本発明の目的は上記欠点を解決した改良されノご
光感応性部材を与、えることである。

本発明のさらに別の目的は電子移動化音物を製造する方
法を与えることである。

本発明のさらに１、ν別な目的は発光性層、とそれと接
触した、ここに例示する方法によって製造されたアント
ロン誘導体の電子移動層とを有する改良された光感応性
像形成部材をり−えることである。

本発明のさらに特別な目的は発光層と、それと接触した
、ここに例示する方法によって製造されたアントラキノ
ジメタン誘導体の電子移動層を有する改良された光感応
性像形成部材を与えることである。

本発明の第１の目的および他のそれに関連した目的は、
電子移動分子として有用なアントラキノジメタン誘導体
およびアントロン誘導体を製造する方法を与えることに
Ｊ：って達成され、それはアントラキノンと活性メチレ
ン化合物とのルイス酸および塩基の存在下ての縮合反応
からなる。本発明の方法に従って製造される前記電子移
動化合物は、電子移動層を有する光感応性像形成部材と
題する、」二で参照した同時出願の特許出願に記載され
ているような層状光感応性像形成部材へ配合されるのに
有用である。

本発明に従って製造することができる特定の電子移動分
子は、次の式のアントロン誘導体およびアントラキノジ
メタン誘導体からなる群から選択される： Ａ　　　　　　　　　　。

Ａ 〔式中、ＡおよびＢはＣＮとＣ０ＯＲ（ここでＲはアル
キル基またはアリール基である）からなる群から独立に
選択され；ＸおよびＹはアルキル、アリール、ハロゲン
、ヒドロキシ、およびＣＮ、Ｎ　Ｏ２、Ｃ０Ｒ１等（こ
こでＲはここで定義した通りである）の如き電子吸引性
基からなる群から独立に選択され：１ｎおよびｎ１ｉｏ
〜３までの数である〕。

アルキル基の例としては約１炭素原子〜約２５炭素原子
までのもの、好ましくは１炭素原子〜約８炭素原子のも
のが含まれ、例えばメチル、エチル。

グロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、ノ
ニル、デジル、ベンタテシル、ステアリル、等で、メチ
ル、エチル、ピロピルおよびブチルが好ましい。アリー
ル置換基には６炭素原子〜約２４炭素原子のものが含ま
れ、例えばフェニルおよびナフチルである。ハロゲンに
は塩素、臭素、よう素、およびふっ素が含まれる。

本発明の方法に従って製造される電子移動化合物の特定
の例には、次の式で表されるものか含まれる： ＝１６− ＣＣＮ １１．１１，１２．１２−テトラシアノアントラキノジ
メタン１、３−ジメチル−１０−（ジシアノメチレン）
アントロン■Ｖ　　　　　　。

１０−［ヒス（エトキシカルボニル）メチレン］アン１
ヘロンｌｊ　、１１，１２．１？−テＩ・ラキス（工Ｉ
−キシカルボニル）アントラキノジメタン ＋１．．１１．−ジシアノ−１２，１２，−ビス（エト
キシカルボニル）アンＩ・ラキノシメタン ＩＩ 　　　Ｃ１ ）−シアノ−１０−〔ビス（工Ｉ・キシカルボニル）メ
チレン〕アントロＹ 〕アントロン ■ １−シアノ−〔ビス（工１−キシ力ルホ′ニル）メチレ
ン〕アントロン本発明の方法についてさらに述べると、
マロノニトリル、（ジシアノメタン）、マロネート〔ビ
ス（メトキシカルボニル）メタン〕、ジニトロメタン、
βジケトン、等を含めた活性メチレン化合物とアントラ
キノンとの縮合反応は、適当な有機溶媒中で室温で塩基
およびルイス酸の存在下で行なわれる。反応剤の適当な
選択により、１１，１１，１２．１２−４置換アントラ
キノジメタンおよび１ｏ置換メチレンアントロン誘導体
の両方を同様な合成方法で得ることができる。

特に電子移動アントロン誘導体はアントラキノン１モル
と活性メチレン化合物１〜１．５モルと反応させること
によって製造される。上記縮合は四塩化チタンの如きル
イス酸の過剰、一般に２〜５モルおよびピリジンを含め
た塩基の過剰、一般に４〜２０モルの存在下で行なわれ
る。反応に適切な溶媒には塩化メチレン、クロロホルム
、および１゜２−ジクロロエタンのような塩素化化合物
および酢酸エチルが含まれる。またこの反応は通常最初
は水浴温度で行なわれ次に室温で達成される。

従ってアントロン誘導体の製造は、それは再結晶かまた
はクロマトグラフィーによって生成されまた元素分析、
分光分析および質量分析によって分析されることを特徴
とするが、次の反応式に従って例示することがてきる： Ｏ Ａ 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ａ、ｍおよびｎは上記の通り〕同様に
電子移動アントラキノジメタン誘導体は、アンｌ〜ラキ
ノン１モルと、活性メチレン化合物、例えばマロノニト
リル、マロネートとの２〜３モルと反応させることによ
って合成される。」１記縮合はアントロン誘導体の製造
について述べたのと同しようなやり方で行なわれるが、
さらにルイス酸および塩基が追加されて用いられる点が
異なる。

一般にアントラキノン１モル毎に対し四塩化チタン３〜
５モルおよびピリジン６〜２５モルが用いられた。

従って適当な溶媒からの簡単な再結晶かあるいはクロマ
トグラフィーによって生成することができ、また元素分
析、標準的な分光分析および質量分析法によって分析さ
れることを特徴とするアントラキノジメタン誘導体の製
造方法は、次の反応式によって例示することができる： ＩＯ Ａ Ａ 〔式中、Ｘ、Ｙ、Ａ、ｍおよびｎは上記のとおり〕異な
った置換基、即ちＡ置換基が例えばＣＮで、Ｂ置換基が
Ｃ０ＯＲて、炭素１１および炭素１２の位置にある場合
のアン１〜ラキノジメタン誘導体を合成することに関し
てさらに述べると、次の反応式（ＩＩＩ）に従って１０
−ビス２置換メチレンアントロンと１〜１．５モルの活
性メチレン化合物を反応させる。上記縮合は四塩化チタ
ンの如きルイス酸の過剰、一般に２〜５モルおよびピリ
ジンを含めた塩基の過剰、一般に４〜２０モルの存在下
で行なわれる。この反応に３ｉ１１川な溶媒には塩化メ
チレン、クロロホルムおよび　１．２−ジクロロエチレ
ンのような塩素化化合物および酢酸エチルが含まれる。

またこの反応は通常最初は水浴温度で行なわれ、次に室
温で達成される。

Ａ Ｂ 〔式中、Ａ置換はＣ０ＯＲ，Ｂ置換基はＣＮ、他の置換
基はここに定義のとおりである〕ここに例示したすべて
の反応に関して、反応温度は一般に約り℃〜約３０℃の
範囲にある。

−２４＝ 本発明に従って製造される電子移動化合物、例えば図に
詳細に示したような層状光感応性像形成部材に有用であ
る。

〔好ましい具体例〕

第１図には本発明の改良された光感応性像形成部材が例
示されており、全体的に（１０）で示されている。それ
は基体（３）、任意の電子ブロック層（５）、接着剤層
（６）、電荷キャリアー発光層（７）、ここに例示した
アントラキノジメタン誘導体およびアントロン誘導体か
らなる電子移動層（１１）からなる。

第２図には本発明の好ましい改良された光感応性像形成
部材が例示されており、全体的に（２０）に示しである
。それは支持基体（２１）、任意の電子ブッロク層（２
３）、接着剤層（２５）　、任意に不活性樹脂結合剤（
２９））に分散されていてもよい三方晶系セレンまたは
バナジールフタロシアニンからなる電荷キャリアー発光
層（２７）および不活性樹脂結合剤（３３）中に分散さ
れた本発明の電子移動アントロン化合物からなる電子移
動層（３１）からなる。

第３図には本発明の好ましい改良された光感応性像形成
部材が例示されており全体的に（４０）で示されている
。それは基体（４１Ｌ任怠の電子ブロック層（４３）、
接着剤層（４５）、任意に不活性樹脂結き剤（４９）に
分散されていてもよい、三方晶系セレンまたはバナジル
フタロシアニンの電荷キャリアー発光層（４７）および
不活性樹脂結合剤（５３）中に分散された本発明の電子
移動アンｌ−ラキノジメタン化合物からなる電子移動層
（５１）からなる。

支持基体層は不透明でも透明でもよく、必要な機械的性
質を有するとんな適当な材料がらなっていてもよい。従
って基体は上に導電性表面層が配置された無機または有
機重合体材ゼ１の如き非導電性材料、または例えば金属
化有機重合体材料、アルミニューム、り四ノ１、ニッケ
ル、インジューム、酸化チタンおよび真ちゅうを含めた
導電性材料の層からなっていてもよい。また、基材は可
撓性ても堅くてもよく、例えは板、円筒」−１巻いたも
のおよび環状ヘルドの如き種々の異なった形状をもった
ものでもよい。

基材層の厚さは経済的な考慮を含めた多くの因子に依存
し、従ってこの層は実質的な厚さ、例えば１００＋ｎｉ
ｌを越えた厚さあるいは本発明の目的が達成される限り
、最小の厚さでもよい。一つの好ましい具体例として支
持基体の厚さは約１ｍ１ｌ〜約５０　ｍ目である。

任意の電子ブロック層として酸化アルミニュウム、ポリ
シラン等を含めた種々の適当な既知の材料を選択するこ
とがてきる。この層の第一の目的は電子ブロックをｌｊ
−えること、即ち帯電させる間および帯電後幕材から電
子が注入されるのを防ぐことにある。一般にこの層は５
０人より少ない厚さを有する。接着剤層は、典型的には
デュポン社の４９．０００ポリエステル等の如きポリエ
ステルを含めた重合体材料である。一般にこの層は約０
．１μの厚さをもっている。

発光層はその中に無定形セレン、セレン合金、ハロゲン
をドープした無定形セレン、ハロゲンをドープした無定
形セレン合金、三方晶系セレン、三方晶系セレンといっ
しょにしたセレナイトおよびカーボネイト（米国特許第
４，２３２，１０２号および第４．２３３，２８３号を
参照。それらの記載は全く参考のためここにいれである
）、銅および塩素をドープした硫化カドミュウムおよび
セレン化カドミュウム、セレン化カドミウム硫黄の如き
既知の光導電性電荷キャリアー発生材料が含まれる。本
発明の範囲に含まれるセレンの合金はセレンテルル合金
、セレンひ素合金、好ましくはハロゲン例えば塩素を約
５０〜２００　（＋　ｐ　１ｎの量で含むそのような合
金である。

他の発光性層顔料には金属フタロシアニン、金属を含ま
ないフタロシアニン、バナジルフタロシアニン、その他
の既知のフタロシアニン（米国特許第３，８１６，１．
１８号参照。それらの記載は全く参照のためここに入れ
である）、スクアリリューム（ｓｑｕａｒｙｌ　ｉｕｍ
）顔料、電荷移動錯化合物材料、シアニン染料の如き種
々の増感剤等が含まれる。

典型的には、約０，０５μ〜約１０μまたはそれ以上の
厚さをもち、好ましくは、約０．４μ〜約３μの厚さを
もっている。しかし一般には発光層の厚さは発光性顔料
の含有量に依存し約５体積％〜約１００体積％まで変わ
ることがあり、また前記厚さは、例えば可とう性の光感
応性像形成部材が望まれているかどうかの、機械的な考
慮を含めた他の因子によっても変わる。光感応性層顔料
のために選択することができる重合体結合剤樹脂材料の
例には、例えば米国特許第３，１２１，００６号に記載
されているようなもの（その記載は全く参考のためここ
に入れである）、ポリエステル、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニールカルバゾール、エポキシ樹脂、フェノキ
シ樹脂等が含まれる。

本発明の電子移動化合物は、樹脂状化合物中に約１０重
重％〜約７５重量％、好ましくは約３５重量％〜約５０
重量％の量で分散させることができる。移動結合剤とし
て有用な有機樹脂材料の例にはポリカーボネート、アク
リレート重合体、ビニール重合体、セルロース重合体、
ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレ
タン、エポキシおよびそれらのブロック、ランタムまた
は交互共重合体が含まれる。好ましい電気的に不活性な
結合剤材料は約２０，０００〜約ｉｏｏ、ｏｏｏの分子
量を有するポリカーボネーｌ〜樹脂であるが、約５０，
０００〜約１００．０００の範囲の分子量が特に好まし
い。またこの層は、種々の適当な厚さのものでよく、一
般に約５μ〜約８０μの幅のものである。

電子移動層にはエチルカルバゾール、１ヘリフエニルア
ミン、次の式のアリールアミンの如き電子供与分子を１
重量％〜約３０重星％までの量で添加することがてきる
： あん これらの添加物部らドーパント電子移動層中の移動分子
を確実に均一に分散させるのに役立つように選択され、
その分散によって改良された移動性が与えられる。

」１記式によって含まれるアリールアミン化合物の例に
は例えばＮ、Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ビス（アル
キルフェニル）−（１，１’−ジフェニル：］　−４，
４′−ジアミン（ここてアルキルはメチル、エチル、プ
ロピル、ブチル、ヘキシル等からなる群から選択される
）が含まれる。ハロゲン置換がある場合、その化合物は
Ｎ、Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ビス（ハロフェニル
）−１：１．１′−ジフェニル）　−４，４′−シアミ
ンである。

本発明をその特別に好ましい具体例に関して詳細に以下
に記述する。それらの実施例は単に例示のためのみであ
ると、考えられるへきである。又本発明はそこに記載さ
れた材料、条件、および方法条件に限定されるものでは
ない。すべての部および％はとくに指示しない限り重量
による。

実施例　１ １１．１１，１２．１２−テトラシアノアン１へラキノ
ジメタン（Ｉ）の合成 圧力を等しくする滴下ロー１−を備えた５００ｍ　ｌの
丸底フラスコ中に、８．４ｇのアントラキノン、７．０
ｇのマロノニトリルおよび２００＋ｎｌの塩化メチレン
を窒素雰囲気下で入れた。得られた混合物を機械的に撹
はんし、氷浴て冷却した。その次ぎに２３１１１１の四
塩化チタンを、圧力を等しくする滴下ロートによって２
０分の時間滴下して加えた。次にその反応混合物へ６５
ｍ１のピリジンを添加した。得られた反応混合物を室温
てさらに５時間撹はんし、次に希釈した塩酸水溶液て激
しく撹はんしながら処理した。生成した固体生成物をろ
過し、数回水で洗浄し、真空中て乾燥した。酢酸からの
再結晶により３５０℃より大きい＋ｎｐ（分解）をもつ
上記純粋な生成物６．０ｇが得られた。

ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＬ）δニ ア、８−８．６（Ａ　Ａ　’　Ｂ　Ｂ　′）ＩＲ（ＫＢ
ｒ　　ペレット）： ２２３５ｃｍ−’ ＭＳ、Ｉｌｌ／ｅ（相対的強度）： ３０４（１００）、２７７（３０）、２５０（２０）、
２２３（８）、２］２（５）、１９８（６）、１５２（
７）、１３８（９）、１２５（１９）、＋１１（１４）
。

元素分析、計算値 Ｃ２ｏ１１８Ｎ　４’　： Ｃ，７８，９４；Ｈ，１，６５；Ｎ　、１８．４１実測
値； Ｃ，７８，９４；ＩＩ　、１．８３；Ｎ　、１８．２９
゜実施例　２ １１．１１，１２．１２−テＩ・サシアノ−２−ｔ−ブ
チルアントラキノジメタン（Ｉｆ）の合成 化合物（ＴＩ）のき成は実施例１の方法に従って０゜０
５モルの規模で達成された。ただし反応の終わりに、混
合物を次のように処理した。反応混合物を希釈した塩酸
水溶液で処理し得られた有機相を分離ロートによって分
離した。その後で有機溶液を水で３回洗い硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。乾燥した溶液の減圧下での蒸発により
個体残さが得られ、それはシリカゲルによるカラムクロ
マトグラフィーにより生成され薄い黄色の個体生成物を
生じた（５９％）、＋ｎｐ、３１３−３１４℃。溶離溶
剤は酢酸エチルとヘキサンとの１コ４混合物であった。

ＩＨＮＭｒ（（ＣＤＣＩ３）、δ １．４（ｓ、９Ｈ）ニア、６−８．４（＋ｎ、７Ｈ）。

ＩＲ（ＫＢｒペレット）： ２２３５ｃｍ　’。

元素分析、計算値 Ｃ２４Ｈ＋６Ｎ　４： Ｃ，７９，９８；Ｈ，４，４７；Ｎ　、１５．５４゜実
測値： Ｃ，８０，０９，Ｈ，４，４０，Ｎ　、１５．５１゜実
施例　３ １．３−ジメチール−１０−（ジシアノメチレン）アン
トロン（ＩＩＩ）の合成 化合物（ＩＩＩ）の製造が実施例にの方法に従って０゜
０２モルの規模で行なわれた。しかし僅かに化学量論的
な量のマロノニトリルが必要であった。しがし９．０１
ｏｌの四塩化チタンおよび１７ｍ１のピリジンが選択さ
れた。組成生成物は酢酸から再結晶によって生成され純
粋な化合物（ＩＩＩ）を４５ｇ生した。す、２１５−２
１６℃。

ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）、デルタ・ ２．４５（ｓ、３Ｎ　）、７．３−８．３（ｍ、７１１
　＞。

ＩＲ，（ＴぐＢｒペレッｌｌ： １６８０．２２３０ｃｍ　　’ 元素分析、ＪＩ算値 Ｃ１９ｌｌ　１　２　　Ｎ　　２０　　：Ｃ，８０，２
６；）Ｉ　、４．２５；Ｎ、９．８５；０．５．６３゜
実測値： Ｃ，８０，３５；Ｎ　、９．８１；０，５．６７゜実施
例　４ １０−〔ビス（工トキシ力ルホニル）メチレンアントロ
ン（Ｔ　Ｖ）および１１　、］］　、］］１２．１２−
テトラキス工トキシ力ルホニル）アントラキノジメタン
（Ｖ）の合成 圧力を等しくする滴下ロー１〜のついた３００ｍ１丸底
フラスコに、１０ｇのアントラキノン２　、９　＋ｏ　
Ｉのジメチールマロネート、および１５０ｍ１の塩化メ
チレンを窒素雰囲気の中で添加した。得られた混合物を
次に機械的に撹はんし水浴で冷却した。そグ）次に、４
３ｍ１四塩化チタンを滴下ロートにより２０分間にわた
って滴下して添加し、次に１００＋ｎｌのピリジンを添
加した。添加後、反応混合物を室温で５Ｈ間反応させた
。次に３００１１１１の水を激しく添加しながら撹はん
し、有機相を分離した。次にこの層を希釈塩酸水溶液て
１度洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られ
た有機溶液を蒸発させ油状残留物を生した。シリカゲル
によるカラムクロマ１〜クラフイ一分離（ｉ’ｉｌ：ｉ
’ｉ！２エチル／ヘキザン−１／９）により１置換生成
物（ＩＶ）、ｍｐ、４００−１０２°Ｃを８．４ｇおよ
び２置換生成物（Ｖ）、ｍｌ＋、１３７−１３８℃を３
．５ｇ生した。

１０−ビス（エトキシカルボニル）メチレンアントロン
（ＩＶＩＩ： ＩＩ−（ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ。

１．１５（Ｌ、６１１　）；４．２（ｑ、４Ｈ）、（７
，４−８，３）（ｍ、８Ｈ） ＩＲ（ＫＢｒ　　ペレッｌｉ： １６８０．１７４５ｃｍ　’ 元素分析、ＪＩ算値 Ｃ２１■■１８０５： Ｃ，７１，９９，ｌｌ　、５．１８；０．２２．８３゜
実測値； Ｃ，６Ｂ、０８．Ｈ，５，７２，０，２５，８４゜１１
．１＋、１２．１２−テトラキス（工１〜キシカルボニ
ル）アン１ヘラキノジメタン（Ｖ）・ ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ： １．１５（Ｌ、１２１１　）；４．２（ｍ、８１１　）
、７．２−７．８（ｍ、１Ｎ−１）。

ＩＲ（ＫＢｒ　　ペレット）： １７４５ｃ＋ｎ−’ 元素分析、計算値 Ｃ２ａ８２８０８： Ｃ，６８，２８，Ｈ，５，７３，０，２５，９８゜実測
値： Ｃ，６８，０１；Ｈ，５，７２；０．２５．８４゜実施
例　５ １１．１１−ジシアノ−１２，１２−ビス（エトキシカ
ルボニル）アントラキノジメタン（Ｖｌ）の合成化合物
（ＶＴ）の製造が実施例３に記載の方法に従って、出発
材料としてアントラキノンの代りに１０−ビス（エトキ
シカルボニル）−メチレンアントロン（ｒｖ）を３．０
ｇを用いて達成された。粗製生成物をメタノールにより
再結晶させ２．１ｇの純粋な化合物（ＶＴ）、■ｐ、１
５５−１５６℃、をえた。

ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）δ： １．２（Ｔ、６１１）；４．２５（ｑ、４Ｈ）、７．３
−７．８（＋ｏ、８１１）。

ＩＲ（ＫＢｒ　　ペレッ））： ＝３６− １７５０．２２４０ｃｍ−’　。

元素分析、計算値 Ｃ２４Ｈ１８Ｎ　２０　＜： Ｃ，７２，３５；Ｈ，４，５５；Ｎ　、７．０３；０．
１Ｂ、０６、実測値： Ｃ，７２，１８；Ｈ，４，６６、Ｎ　、６．９７，０，
１６．０３゜実施例　６ １．８−ジクロロ−１０−〔ビス（工ｌ−キシカルボニ
ル）メチレン〕−アン１〜ロン（Ｖ　ＩＩＩ）の合成圧
力を等しくする滴下ロートのついた２５０ｍ１丸底フラ
スコ中に、１０ｇの１，８−ジクロロアントラキノン、
１６．５ｍｌのジエチルマロネ−１〜、および１５０　
ｍｌの塩化メチレンを窒素雰囲気中で入れた。得られた
混合物を次に機械的に撹はんし、水浴で冷却した。次に
２４ｍ　ｌの四塩化チタンを滴下ロートにより２０分間
にわたって滴下して添加し、つぎに４５ｍ１のピリジン
を添加した。次に反応混合物を室温で６５時間撹はんし
た。つぎに１５０ｍ１の希釈塩酸水溶を撹はんしながら
ゆっくり添加した。得られた有機相を分離し、水で１回
洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥
した有機溶液の蒸発により黄色の固体が得られ、それは
メタノールにより再結晶すると７．５Ｂの純粋な化合物
（ＶＩＩＩ）、ｍｐ。

１６６−１６７℃、を生じた。

ＩＩ−Ｉ　　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２）、δ：１．２（ｔ、
６Ｈ）；４．２５（ｑ、４Ｈ）、７．２５−７．８（ｍ
、６Ｈ）。

ＩＲ（ＫＢｒ　　ペレット）： １７００．１７４５ｃｍ−’　。

元素分析、計算値 Ｃ２、Ｈ＋　−ＣＩ　２０　ｓ　＋ Ｃ，６０，１６，Ｈ，３，８５，ＣＩ　、１６．９１．
０，１９．０８゜実測値： Ｃ，６０，２９，Ｈ，３，７５，ＣＩ、１６．８９，０
．１９．０５゜実施例　７ １．８−ジヒドロキシ−１０−〔ビス（エトキシカルボ
ニル）メチレン〕アントロン（ＩＸ）の合成化合物（Ｉ
Ｘ）の合成が実施例６に記載の方法に従って達成された
。ただし１，８−ジヒドロキシアントラキノンが１．８
−ジクロロアントラキノンの代わりに出発材料として選
択された。純粋な生成物（ＴＸ）の収率は２４％であっ
た。ｍｐ、１４７．５４４９℃。

ＩＨＮＭＲ（ＣＤＣｈ）、δ： １．１５（Ｔ、６Ｈ）；４．２（ｑ、４Ｈ）；７．０−
７．５（ｍ、６Ｈ）；１１．８５（ｓ、２Ｈ）。

ＩＲ（ＫＢｒ　　ペレッＩ〜）： １６４０．１７８０．３１００ｃｍ−’元素分析、計算
値 Ｃ２１Ｈ１ｅ　Ｏ７： Ｃ，６５，９６；　　トＩ　　、４．７４．０　．２９
．２９゜実測値： Ｃ，６６、＋８．Ｈ，４，８６，０，２９，１０゜実施
例　８ 電子移動層としてポリカーボネート樹脂結合剤中に実施
例７で合成した化合物（ＩＸ）を含み、発光体として三
方晶系セレンを含む層状光感応性像形成部材を次のよう
にして製造した。

三方晶系セレンおよびポリ（Ｎ−ビニールカルバゾール
）の分散物を１．．６ｇの三方晶系セレンと１．６ｇの
ポリ（Ｎ−ビニルカルバソール）をテトラヒＩ・ロンラ
ンとトルエンの各々１４＋ｏｌ中でボールミルにかける
ことにより製造しな。得られたスラリー１０ｇを次に０
．２４ｇのＮ、Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ビス（３
−メチルフェニル）−ＣＩ、１′−ジフェニル）−４，
４′−ジアミンをテトうしドロフランおよびトルエンの
各々５＋ｎｌ中に入れた溶液で希釈した。上記分散物を
２ｍ１ｌの厚さのマイラー基体状にバードフィルム（Ｂ
ｉｒｄ　　Ｆｉｌ＋ｎ）適用機で被覆し、次に通風炉で
１３５℃で５分間乾燥することにより１゜５ミクロン厚
の発光体層製造しな。次に電子移動層のための溶液を、
１．０ｇの電子移動化合物（ＩＸ）、０　、３３ｇのＮ
、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ビス（３−メチルフェ
ニル）−ＣＩ、１′−ジフェニル〕−４゜４′−ジアミ
ンと１５ｇのマクロロン（Ｍａｋｒｏｌｏｎ）ポリカー
ボネートを塩化メチ１フフ１４ｍ１中に溶解することに
より製造した。次にこの溶液をハードフィルム適用機に
よって発光体層状へ被覆した。得られた部材を次に通風
炉で１３０℃で３０分間乾燥し、１８８ミクロン厚移動
層わ得た。

製造した像形成部材を次にそれをコロナで正に帯電さぜ
、そして４００−７００ｎｍの波長の白色光に当てて放
電させることにより電気的に試験した。帯電は単一のワ
イヤーコロ）ヘロンで達成され、その場合ワイヤーは接
地したアルミニューム渦中に入れられ、二つの絶縁ブロ
ックの間に通されていた。

この像形成部材σ）帯電の保持電位と、露光後の残留電
位を記録した。この方法を７５ワット　ゼノン（Ｘｅｎ
ｏｎ）アークランプを照射することによって供−４〇− 給された種々の露出エネルギーに対して繰り返し、その
部材の表面電位をその最初の値の半分まで放電させるの
に必要な露光エネルギーを決定した。

この表面電位は、シールドされた円筒の中に入れられ、
ホトレセプタ一部材の真」二に置かれたワイヤー環状検
出器により測定された。このワイヤー環状検出器はその
電圧が表面電位に相当するようにホ１へレセプター表面
に容量的に結合された。またそのワイヤー環状検出器を
取り巻く円筒は接地した。

この像形成部材について、帯電電位は８００Ｖで、残留
電位は１．ＯＯＶ、そして半減８００Ｖで、残留電位は
１００Ｖで半減露光感度は４０エルグ／ｃａｎ２てあっ
た。

さらにこのホトレセプターの電気的性質は帯電と放電を
１０００回繰り返しても本質的に変わらなかった。

実施例　９ 電子移動層としてメルロン　ボリカーポネ−１・中の化
合物（ＴＩ＞および三方晶系セレン発光体層からなる層
状光感応性像形成部材を次のようにして製造した。

２ミクロン厚の三方晶系セレン発光体層実施例８に記載
の方法をくりかえしてアルミ被覆マイラー」二に形成し
た。次に移動層グ）ための溶液を、５８の化合物（ＩＩ
Ｌ２ｇの実施例８のシアミンおよび１３ｇのメルロン　
ボリカーポネ−１・を１５０＋１１１の塩化メチレンお
、１ひ１００＋ｎｌの１．１．．２−トリクロロエタン
中に溶解することにより製造した。次にその溶液を２０
　’Ｃお、ｌ：ひ３５％の相対湿度（Ｒ，Ｔ１．）の噴
霧箱中て市販の噴霧銃に」：って発光体層の−にに噴霧
被覆した。次に得られた部材を通風炉て１３０℃て３０
分間、乾燥し、移動層のための乾燥厚さ１０ミクＩ′７
ンを得た。次に像形成部材を室温へ冷却し、次に実施例
８に記載の方法に従って電気的に試験した。特にこの１
象形酸部材は６５Ｖ／’μ電場まて正に帯電され、４０
０〜７００　ｎ　ｍの波長の白色光に露出づ−ると放電
した。この装置の半減露出感度は４０エルク／ＣｌＯ２
であった。

実施例　１０ 電子移動層としてハイチル（Ｖ　１Ｌｅｌ）Ｐ　Ｅ　−
１００ポリエステル（フッドイヤー社製）中にいれた化
合物（ＩＩＩ）、および、発光体として三方晶系セレン
からなる層状光感応性像形成部材を次の用にして製造し
た。

２μの三方晶系セレン発光体層を、実施例８に記載の方
法に１菫ってアルミ被覆マイラー基材上に製造した。移
動層のための溶液を０　、３５．の化合物（ＩＩＩ）　
、０．１３ｇのＮ、Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ビス
（３−メヂルフェニル）−ＣＩ、１′−ジフェニル）−
４，４’−シアミンおよび°０．３１ｇのハイチル　Ｉ
）Ｅ−１００ポリエステルを塩化メチレン５１０１中に
溶解することによって製造した。次にこの溶液を発光体
層状にバートフィルム適用器によって被覆した。つきに
得られた部材を通風炉で１３５°Ｃで３０分間乾燥し、
厚さ１２μの移動層をえた。電気的試験を実施例８に記
載の方法に従って行なった。

この像形成部材については、帯電電位は８００Ｖ、半減
露出感度は１２０エルグ／　ＣＩＩＩ　２てあった。

実施例　１１ 移動層として実施例７て得られた化音物（ＩＸ）、発光
体として無定形セレンからなる層状光感応性装置を次の
ようにして製造した。

７ｍ１ｌの厚さのホールグレイン（ｂａｌｌ　８ｒａｉ
ｎ）にかけたアルミ板」二に無定形セレンの１μ厚の層
を従来の真空蒸着法により形成した。真空蒸着は基材を
や＜５０’Ｃに保ちながら、１０−６１〜−ルの真空て
達成された。無定形セレン層の上の電子移動層は、化、
物（ＩＸ）およびポリ（Ｎ−ビニールカルバゾ−ル）の
各々を５０重量％塩１ヒメチレン中にいれた溶液を、ハ
ートフィルム適用器を用いて被覆することにＪ：すｆｌ
ｌられた。この溶液は化合物（ＩＸ）５ｇとポリ（Ｎ−
ビニールカルバゾール）５ＦＩを塩化メチレン７０ｇ中
に溶解することにより製造された。次に得られた装置を
通風炉で５０℃て２時間乾燥し１０）１厚の移動層を形
成した。

電気的試験を実施例８に記載の方法を繰り返すことによ
り行ない実質的に同じ結果を得た。

実施例　１２ 移動分子として化音物（ＩＶ）および発光体としてスク
ワリリューム顔料からなる光感応性装置を次のようにし
て製造した。

ポールグレインにか（すたアルシミニウム基ｆ本を、１
１１１１の３−アミノプロピル１〜リメトキシジランを
１００ｍ１のエタノール中に入れた溶液で被覆した。

被覆を１１０℃て１０分間加熱し、０．１μ厚のポリシ
ロキサン層を形成させた。０．０７５ｇのビス（Ｎ、Ｎ
′−ジエチルアミノフェニル）−スフワレインおよび０
．１３．のバイチル　Ｐ　Ｅ　−２００ポリエステル（
グツドイヤー社製）を１２ｍ１の塩化メチレン中で２４
時間ボールミルにかけることにより製造した発光体の分
散物を、次にポリシラン層」二に被覆した。その被覆を
通風炉中で１３５℃て６分間乾燥した後０．５μスクア
リリューム発光体層かえられた。

移動層のための溶液を次に実施例４に従って製造した化
合物（Ｉ　Ｖ　）１．０ｇ、Ｎ−イソプロピルカルバゾ
ール０．３ｇおよびマクロロン　ボリカーポネ−１〜１
．０ｇを塩化メチレン２０ｇ中に溶解することにより製
造した。次にこの溶液をバードフィルム適用器を用いて
上記発光体層上に被覆した。得られた装置を通風炉で１
３５℃で３０分間乾燥し２０μ厚の電子移動層を得た。

実施例８に記載の方法に従って電気的試験を行なった。

特にこの装置は５０Ｖ／μ電場て正に帯電され、８３０
ｎｍの単色光で放電した。この像形成装置については、
半減露光感度は１５０工ルグ／ｃｍ２てあった。

実施例　１３ 化合物（ＩＩ）および三方晶系セレン発光体からなる噴
霧被覆した移動層を有する光感応性像形成装置を次ぎの
ようにして製造した。

アルミ被覆マイラー−ヒに２μ厚の三方晶系セレン発光
体層を実施例８に記載の方法に従って製造した。移動層
のだぬり）溶液を次に化合物（１１０２ｇ、Ｎ、Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−ヒス（メチルフェニル）−ｒｌ
、１′−ジフェニル：］−］４．４′−シアミン・１ｇ
およびマルロン　ボリカーホネー１−　２５Ｈを塩化メ
チレン２００ｍ１および１，１．２−１−リクロロエタ
ン３００ｍ１中に溶解することにＪ：り製造した。この
溶液を実施例９に記載の方法に従って市販の噴霧銃をも
ちいて発光体層−１１に噴霧被覆した。被覆をつぎに通
風炉で１３５℃で３０分間乾燥し、６μ厚の移動層を得
た。

実施例８に記載の方法を繰り返し電気的試験を行ない、
実質的に同様な結果を得た。

実施ｒ！Ａ＋４ 電子移動層としてポリカーポネ−１へ結合剤中に入れた
実施例６て合成した化合物（ｖｌｌＩ）および発光体と
して三方晶系セレンを含む層状光感応性像形成部材を次
ぎのようにして製造した。

２μ厚の三方晶系セレン発光体層を実施例８に記載の方
法をくりかえしてアルミ被覆マイラー上に形成した。移
動層のための溶液は１４ｇの化合物（Ｖ　ＩＩＩ）およ
び２６ｇのマルロンボリカーボネーＩ・を、３００＋ｎ
１９＋塩ｆヒメチレンおよび２００ｍ１の１．１．．２
−トリクロロエタン中にン容解することにより製３貴し
た。次きにその溶液を２２°Ｃ１４５％相対湿度の噴霧
箱中で市販ｎＤｔｉ銃を用いて発光体層の噴霧被覆した
。つきに得られた部材を通風炉て１３０℃て３０分間乾
燥し１８μの移動層の乾燥厚さを得た。

実施例８に記載の方法に従って電気的試験を行なった。

特に個の像形成部材は４０■／μの電場まて正に帯電さ
れ、そして４００〜７００ｎｍの波長の白色光に露出さ
れた。この装置の半減露出感度は５０エルグ／　ｃ　＋
ｎ　２てあり、その電気的性質は帯電および放電を１０
００回繰り返した後でも実質的に同しままてあった。

本発明の他の変更は本記載を読むことにより当業者には
わかるてあろう。これらの変形は本発明の範囲にはいる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の改良された光感応性像形成部材の部分
的概略的断面図である。 第２図は本発明の好ましい光感応性部材の部分的概略的
断面図である。 第３図は本発明の他の好ましい光感応性像形成部材の断
面図である。

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. （１）アントラキノンと活性メチレン化合物との有機溶
   媒、ルイス酸及び塩基の存在下での縮合反応からなるア
   ントラキノジメタン誘導体とアントロン誘導体の製造方
   法。
2. （２）置換アントラキノンが選択される前記第１項に記
   載の方法。
3. （３）活性メチレン化合物がマロノニトリル及びマロネ
   ートからなる群から選択される前記第１項に記載の方法
   。
4. （４）ルイス酸が四塩化チタンである前記第１項に記載
   の方法。
5. （５）塩基がピリジンである前記第１項に記載の方法。
6. （６）反応が約０℃〜約３０℃の温度で行なわれる前記
   第１項に記載の方法。
7. （７）電子移動化合物、１１，１１，１２，１２−テト
   ラシアノ−２−アルキルアントラキノジメタンが得られ
   る前記第１項に記載の方法。
8. （８）電子移動化合物、１１，１１，１２，１２−テト
   ラシアノ−２−ｔ−ブチルアントラキノジメタンが得ら
   れる前記第１項に記載の方法。
9. （９）電子移動化合物、１１，１１，１２，１２−テト
   ラシアノアントラキノジメタンが得られる前記第１項に
   記載の方法。
10. （１０）電子移動化合物、１１，１１−ジシアノ−１２
    ，１２−ビス（エトキシカルボニル）−アントラキノジ
    メタンが得られる前記第１項に記載の方法。
11. （１１）電子移動化合物、１−クロロ−１０−〔ビス（
    エトキシカルボニル）メチレン〕−アントロンが得られ
    る前記第１項に記載の方法。
12. （１２）電子移動化合物、１，８−ジクロロ−１０−〔
    ビス（エトキシカルボニル）−メチレン〕アントロンが
    得られる前記第１項に記載の方法。
13. （１３）電子移動化合物、１，８−ジヒドロキシ−１０
    −〔ビス（エトキシカルボニル）−メチレン〕アントロ
    ンが得られる前記第１項に記載の方法。
14. （１４）電子移動化合物、１−シアノ−１０−〔ビス（
    エトキシカニボニル）−メチレン〕アントロンが得られ
    る前記第１項に記載の方法。
15. （１５）有機溶媒が塩化メチレンである前記第１項に記
    載の方法。
16. （１６）アントラキノン反応物１モル当たり約１モル〜
    １．５モルの活性メチレン化合物、約２〜５モルのルイ
    ス酸および約４〜約２０モルの塩基が選択される前記第
    １項に記載の方法。
17. （１７）アントラキノンの１モル当たり２〜３モルの活
    性メチレン化合物、３〜５モルのルイス酸および６〜２
    ５モルの塩基が選択される前記第１項に記載の方法。
18. （１８）反応が約０℃〜約３０℃で達成される前記第１
    項に記載の方法。
19. （１９）有機溶媒の存在下でアントラキノン、活性メチ
    レン化合物、塩基およびルイス酸を次の反応式： II ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ＡはＣＮおよびＣＯＯＲ（ここでＲはアルキル
    基またはアリール基である）からなる群から選択され；
    ＸおよびＹはアリール、アルキル、ハロゲン、ヒドロキ
    シ、ＣＮ、ＮＯ＿２、ＣＯＲおよびＣＯＯＲ（ここでＲ
    はアルキル基である）からなる群から独立に選択され；
    ｍは０〜３の数であり；ｎは０〜３の数である〕 に従って反応させることからなるアントラキノジメタン
    誘導体の製造方法。
20. （２０）有機溶媒の存在下でアントラキノン、活性メチ
    レン化合物、ルイス酸および塩基を次の反応式： I ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ＡはＣＮおよびＣＯＯＲ（ここでＲはアルキル
    基またはアリール基である　）からなる群から独立に選
    択され；ｘおよびｙはアリール、アルキル、ハロゲン、
    ヒドロキシ、ＣＮ、ＮＯ＿２、ＣＯＲおよびＣＯＯＲ（
    ここでＲはアルキル基である）からなる群から独立に選
    択され；ｍは０〜３の数であり、ｎは０〜３の数である
    〕 に従って反応させることからなるアントロン誘導体の製
    造方法。
21. （２１）反応が約０℃〜約３０℃の温度で達成される前
    記第１９項または第２０項のいずれか第１項に記載の方
    法。
22. （２２）活性メチレン化合物がジニトロメタン、アルコ
    キシカニボニル、マロノニトリル、マロネート、および
    １，３−ジケトンからなる群から選択される前記第１９
    項または第２０項のいずれか１項に記載の方法。
23. （２３）１モルからのアントラキノンに対し約１〜約１
    ．５モルの活性メチレン化合物が選択され、約２〜約５
    モルのルイス酸および約４〜約２０モルの塩基が選択さ
    れる前記第１９項に記載の方法。
24. （２４）約１モルからのアントラキノンに対し約２〜約
    ３モルの活性メチレン化合物が選択され約３〜約５モル
    のルイス酸および約６〜約２５モルの塩基が選択される
    前記第２０項に記載の方法。
25. （２５）反応が塩素化された溶媒の存在下でおこなわれ
    る前記第１９項または前記第２０項のいずれか１項に記
    載の方法。
26. （２６）塩素化された溶媒が塩素化メチレンである前記
    第２５項に記載の方法。
27. （２７）活性メチレン化合物がマロノニトリルである第
    １９項または第２０項のいずれか１項に記載の方法。
28. （２８）有機溶媒の存在下でアントラキノンと、活性メ
    チレン化合物、ルイス酸および塩基とを、次の反応式 III ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａ置換基はＣＯＯＲであり、Ｂ置換基はＣＮで
    あり、ＸとＹはアリール、アルキル、ハロゲン、ヒドロ
    キシ、ＣＮ、ＮＯ＿２、ＣＯＲおよびＣＯＯＲからなる
    群から独立に選択され、ｍは０〜３の数であり、ｎは０
    〜３の数である〕