JPS61186284A - 分子線エピタキシ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置Info
- Publication number
- JPS61186284A JPS61186284A JP60025467A JP2546785A JPS61186284A JP S61186284 A JPS61186284 A JP S61186284A JP 60025467 A JP60025467 A JP 60025467A JP 2546785 A JP2546785 A JP 2546785A JP S61186284 A JPS61186284 A JP S61186284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- growth
- molecular beam
- holder
- monitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は成長中に膜厚および組成のモニターが可能な分
子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ＢｅａｍＥｐ
ｉ ｔａｘｙ ｒ以下ＭＢＥという）装置に関する。
子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ＢｅａｍＥｐ
ｉ ｔａｘｙ ｒ以下ＭＢＥという）装置に関する。
半導体基板上に薄層エピタキシャル結晶成長を行う方法
としてＭＢＥ法がある。
としてＭＢＥ法がある。
第２図に従来のＭＢＥ装置の概略断面図を示す。
ＭＢＥ法はイオンポンプ等によって超高真空とする成長
室ｌ中に成長させたい結晶を構成する元素を含む蒸発原
料を加熱し分子線状に噴出させる分子線源２と、この分
子線源２より切離して制御可能な基板ホルダー３とを設
け、分子線源２から基板４に向けて原料元素の分子線２
１を噴出させてエピタキシャル成長を行うものである。
室ｌ中に成長させたい結晶を構成する元素を含む蒸発原
料を加熱し分子線状に噴出させる分子線源２と、この分
子線源２より切離して制御可能な基板ホルダー３とを設
け、分子線源２から基板４に向けて原料元素の分子線２
１を噴出させてエピタキシャル成長を行うものである。
ＭＢＥ法ではシャッター５の開閉によ）、個々の分子線
２１の断続並びに蒸発源の温度設定により分子線強度の
変調制御を行うことができる。
２１の断続並びに蒸発源の温度設定により分子線強度の
変調制御を行うことができる。
従来のＭＢＥ装置ではこの分子線強度をモニターするた
めにイオンゲージ６あるいは質量分析計７を用いていた
。即ち、結晶成長後に真空中から基板４を取υ出し、成
長した膜厚を顕微鏡等で測定し、更に組成をホトルミネ
ッセンス法や、Ｘ線回折法により測定し、その結果から
以後の成長に必要な分子線強度を求めて設定していた。
めにイオンゲージ６あるいは質量分析計７を用いていた
。即ち、結晶成長後に真空中から基板４を取υ出し、成
長した膜厚を顕微鏡等で測定し、更に組成をホトルミネ
ッセンス法や、Ｘ線回折法により測定し、その結果から
以後の成長に必要な分子線強度を求めて設定していた。
この方法ではイオンゲージや質量分析計の感度が成長毎
に異なるため必ずしも再現性が良く無く、所望の膜厚、
組成を得る上で問題があった。また、成長中、膜厚や組
成をその場で知ることは困難であった。
に異なるため必ずしも再現性が良く無く、所望の膜厚、
組成を得る上で問題があった。また、成長中、膜厚や組
成をその場で知ることは困難であった。
一方、従来のＭＢＥ装置には基板４表面の清浄度や平坦
性をその場観察するために反射型高速電子線回折（Ｒｅ
ｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｌｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ 、 ＲＨＥＥＤ ）
装置が設けられている。
性をその場観察するために反射型高速電子線回折（Ｒｅ
ｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｈｌｇｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ 、 ＲＨＥＥＤ ）
装置が設けられている。
ＲＨＥＥＤ装置は、図に示されるように、電子銃８１か
ら基板４表面に１０〜４ Ｑ ＫｅＶの高速電子線８３
を約１度の仰角で当て、反射された電子が蛍光スクリー
ン８２に当るように設置されている。
ら基板４表面に１０〜４ Ｑ ＫｅＶの高速電子線８３
を約１度の仰角で当て、反射された電子が蛍光スクリー
ン８２に当るように設置されている。
最近、成長中の基板４表面のＲＨＥＥＤ像を観察するこ
とによりその場で膜厚や、成長速度、更に結晶が混晶で
あればその組成が知れることが明らかになった（第１６
回 固体素子・材料コンファレンス講演予稿集 ＬＤ−
６−７、４４ページ）。これは、適当な成長条件の下で
は反射した電子線の強度、即ちスクリーン８２上の蛍光
の輝度が１原子または１分子層成長する毎に振動するこ
とを利用するものである。
とによりその場で膜厚や、成長速度、更に結晶が混晶で
あればその組成が知れることが明らかになった（第１６
回 固体素子・材料コンファレンス講演予稿集 ＬＤ−
６−７、４４ページ）。これは、適当な成長条件の下で
は反射した電子線の強度、即ちスクリーン８２上の蛍光
の輝度が１原子または１分子層成長する毎に振動するこ
とを利用するものである。
第３図はこの振動の原理を説明する図である。
基板４表面に到達した分子または原子の表面被覆率が１
．０の時、（ａ）のように表面が原子オーダーで平坦に
なり、反射電子線の強度は最大値をとり、被覆率が０．
５の時、（ｂ）のように電子線の散乱が最大となって反
射電子線の強度は最小値をとる。このため輝度が振動し
て視えるのである。従って、螢光スクリーン８２上の反
射スポットの輝度の振動の１周期は一原子層分の成長に
対応しており、振動を観測すれば、成長された膜厚や、
成長速度を直接側ることができる。また、この方法によ
れば、成長中の混晶の組成を知ることも同時にできる。
．０の時、（ａ）のように表面が原子オーダーで平坦に
なり、反射電子線の強度は最大値をとり、被覆率が０．
５の時、（ｂ）のように電子線の散乱が最大となって反
射電子線の強度は最小値をとる。このため輝度が振動し
て視えるのである。従って、螢光スクリーン８２上の反
射スポットの輝度の振動の１周期は一原子層分の成長に
対応しており、振動を観測すれば、成長された膜厚や、
成長速度を直接側ることができる。また、この方法によ
れば、成長中の混晶の組成を知ることも同時にできる。
第４図は、ＧａＡｓ基板上にＡＪｘＧａ １−必Ｓ混晶
を成長させた時の＜ｉｏｏ＞方向のＲＨＥＥＤ振動の様
子を示した図である。ＧａＡｓの成長中とＡｌｌＡｍの
成長中の振動の周波数ｆｃａ＊Ｂ ＋ ｆｈｌｈａの違
いは、そのまま成長速度の差を表している。ＡｇＧａＡ
ｓ混晶が成長されているときはＧａのＡｌの両刃の原子
を蒸発させているので周波数ｆｈ□ＧａＡＢはｆａａ人
、とｆＡＪ人、の和となっている。このとき、混晶のＡ
ＡＡｓ組成比ＸはＸ＝ ｆｈｌｈｓ／ｆ、Ｊ、ＧａムＢ
＝ ｆｈ）−ｈＢ／ｆｔ４ｈＢ ” ｆ人ＪＡＳに
より計算される。
を成長させた時の＜ｉｏｏ＞方向のＲＨＥＥＤ振動の様
子を示した図である。ＧａＡｓの成長中とＡｌｌＡｍの
成長中の振動の周波数ｆｃａ＊Ｂ ＋ ｆｈｌｈａの違
いは、そのまま成長速度の差を表している。ＡｇＧａＡ
ｓ混晶が成長されているときはＧａのＡｌの両刃の原子
を蒸発させているので周波数ｆｈ□ＧａＡＢはｆａａ人
、とｆＡＪ人、の和となっている。このとき、混晶のＡ
ＡＡｓ組成比ＸはＸ＝ ｆｈｌｈｓ／ｆ、Ｊ、ＧａムＢ
＝ ｆｈ）−ｈＢ／ｆｔ４ｈＢ ” ｆ人ＪＡＳに
より計算される。
従って、あらかじめＧａＡｔｒとＡｔＡｆｉとを成長さ
せてｆＧ ＊ Ａ ＊とｆＡ、Ａ、を求めておき、得ら
れるＡ’ｘＧａ １−ｘＡｓの混晶比Ｘを予測すること
により所望のＸが得られるように分子線強度を調整する
ことができる。また、／ＧａＡｓかｆＡ Ｉ Ａ ａが
わかっていればＡＩ−ｘＧａ １− ｘＡｓの成長中に
、そのとき得られているＸが直ちに求められる。
せてｆＧ ＊ Ａ ＊とｆＡ、Ａ、を求めておき、得ら
れるＡ’ｘＧａ １−ｘＡｓの混晶比Ｘを予測すること
により所望のＸが得られるように分子線強度を調整する
ことができる。また、／ＧａＡｓかｆＡ Ｉ Ａ ａが
わかっていればＡＩ−ｘＧａ １− ｘＡｓの成長中に
、そのとき得られているＸが直ちに求められる。
上述したように、ＲＨＥＥＤの振動現象を用いれば、成
長中に成長速度、膜厚、組成がわかるが、この方法には
以下に述べるような問題点がある。即ち、第４図にも示
されているようにＲＨＥＥＤ振動の振幅は成長条件に敏
感で、減衰しやすく、成長中の分子線強度の調整や、シ
ャッター５の開閉制御に充分なほど長時間観測できない
ことである。これは基板温度が約５５０℃でＡ８の分子
線強度とＧａおよびＡｔの分子線強度の比が２以下の時
であった。減衰の理由は以下のように説明されている。
長中に成長速度、膜厚、組成がわかるが、この方法には
以下に述べるような問題点がある。即ち、第４図にも示
されているようにＲＨＥＥＤ振動の振幅は成長条件に敏
感で、減衰しやすく、成長中の分子線強度の調整や、シ
ャッター５の開閉制御に充分なほど長時間観測できない
ことである。これは基板温度が約５５０℃でＡ８の分子
線強度とＧａおよびＡｔの分子線強度の比が２以下の時
であった。減衰の理由は以下のように説明されている。
基板温度が低く５００℃以下のときにはＧａやＵの表面
拡散速度が小さいために成長表面の凹凸を埋切る前に次
の分子層が成長し、結果的に原子オーダでの平坦性が得
られないため振動の振幅が減衰する。逆に基板温度かた
かく、６００℃以上とすると、平坦な表面がすばやくで
きてしまうのでＲＩ’ＩＥＥＤで視ている範囲内に原子
オーダの凹凸がなく振動がおこらない。このように従来
の技術では基板温度の選択の幅が狭く、特に６００℃以
上の高温成長が出来ないため高品質なＡＡＧｍＡｇ結晶
を得ることができなかった。また、ＭＢＥ法では膜面内
の膜厚と組成の均一性を高めるために通常基板を回転し
ながら成長を行うが、基板を回転するとＲＨＥＥＤ像も
変ってしまうのでＲＨＥＫＤ振動を利用するときは結晶
の均一性を高められなかった。
拡散速度が小さいために成長表面の凹凸を埋切る前に次
の分子層が成長し、結果的に原子オーダでの平坦性が得
られないため振動の振幅が減衰する。逆に基板温度かた
かく、６００℃以上とすると、平坦な表面がすばやくで
きてしまうのでＲＩ’ＩＥＥＤで視ている範囲内に原子
オーダの凹凸がなく振動がおこらない。このように従来
の技術では基板温度の選択の幅が狭く、特に６００℃以
上の高温成長が出来ないため高品質なＡＡＧｍＡｇ結晶
を得ることができなかった。また、ＭＢＥ法では膜面内
の膜厚と組成の均一性を高めるために通常基板を回転し
ながら成長を行うが、基板を回転するとＲＨＥＥＤ像も
変ってしまうのでＲＨＥＫＤ振動を利用するときは結晶
の均一性を高められなかった。
本発明の目的は、上述の問題点に鑑みＲ１（ＥＥＤ振動
を利用して成長速度、膜厚、組成をその場でモニターし
ながら、６００℃以上の基板温度で高品質、高均一性の
結晶を成長できる分子線エビヒタキシー装置を提供する
ことにある。
を利用して成長速度、膜厚、組成をその場でモニターし
ながら、６００℃以上の基板温度で高品質、高均一性の
結晶を成長できる分子線エビヒタキシー装置を提供する
ことにある。
本発明は、分子線の照射される空間内に、所望の結晶成
長用の基板を装着する成長用基板ホルダーと、モニター
用の基板を装着する前記成長用基板ホルダーとは別に加
熱可能なモニター用基板ホルダーとを有し、前記モニタ
ー用の基板の表面を反射高速電子線回折により分析可能
な如く電子銃と回折像観察用のスクリーンとを具備した
分子線エピタキシー装置である。
長用の基板を装着する成長用基板ホルダーと、モニター
用の基板を装着する前記成長用基板ホルダーとは別に加
熱可能なモニター用基板ホルダーとを有し、前記モニタ
ー用の基板の表面を反射高速電子線回折により分析可能
な如く電子銃と回折像観察用のスクリーンとを具備した
分子線エピタキシー装置である。
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第１図は本発明の一実施例によるＭＢＥ装置の概略断面
図である。尚、図において従来と同一の構成部分は第２
図と同一の番号をもって示した。成長に必要な分子線が
分子線源２から照射される範囲内に、成長用の基板４の
ための基板ホルダー３とモニター用基板９のための基板
ホルダー１０とを設置する。更にモニター用基板９の表
面のＲＨＥＥＤ振動が観察できるような位置に、 ＲＨ
ＥＥＤ装置の電子銃８１と螢光スクリーン８２とを配置
する。成長用基板ホルダー３は結晶の膜面内均−性を高
められるよ５回転できるようにし、ヒータによ）基板温
度を制御できるようになっている。一方のモニター用基
板ホルダー９は、前記基板ホルダー３とは別に温度制御
できるものである。以上説明した本発明の構成によれば
、モニター用基板９の温度をＢＲＥＥＤ振動が最適な状
態で観測できる温度し、膜厚、成長速度、組成のモニタ
ーを行いながら同時に成長用基板４の温度範囲に選んで
成長できる。
図である。尚、図において従来と同一の構成部分は第２
図と同一の番号をもって示した。成長に必要な分子線が
分子線源２から照射される範囲内に、成長用の基板４の
ための基板ホルダー３とモニター用基板９のための基板
ホルダー１０とを設置する。更にモニター用基板９の表
面のＲＨＥＥＤ振動が観察できるような位置に、 ＲＨ
ＥＥＤ装置の電子銃８１と螢光スクリーン８２とを配置
する。成長用基板ホルダー３は結晶の膜面内均−性を高
められるよ５回転できるようにし、ヒータによ）基板温
度を制御できるようになっている。一方のモニター用基
板ホルダー９は、前記基板ホルダー３とは別に温度制御
できるものである。以上説明した本発明の構成によれば
、モニター用基板９の温度をＢＲＥＥＤ振動が最適な状
態で観測できる温度し、膜厚、成長速度、組成のモニタ
ーを行いながら同時に成長用基板４の温度範囲に選んで
成長できる。
更に、回転もできるので均一性も優れた高品質な結晶を
得ることができる。
得ることができる。
なお、成長用基板ホルダー３とモニター用基板ホルダー
１０はなるべく互いに近すけて設置し、両者に装着した
基板の表面に達する分子線強度が大きく違わないように
した。成長用基板ホルダー１は均一性向上のため成長用
基板４を少なくとも毎分５回転できるような機構を設け
た。モニター用基板９はＲＨＥＥＤ振動を観測しやすい
ように回転できるようになっているが高速で回転できる
必要はない。最適な状態でＲＩ（ＥＥＤ振動を視るため
に電子線の入射角が変化できるのが望ましい。このため
にモニター用基板９と電子銃８１の両方または一方は取
シ付は角度が変化できるような機構を設けた。
１０はなるべく互いに近すけて設置し、両者に装着した
基板の表面に達する分子線強度が大きく違わないように
した。成長用基板ホルダー１は均一性向上のため成長用
基板４を少なくとも毎分５回転できるような機構を設け
た。モニター用基板９はＲＨＥＥＤ振動を観測しやすい
ように回転できるようになっているが高速で回転できる
必要はない。最適な状態でＲＩ（ＥＥＤ振動を視るため
に電子線の入射角が変化できるのが望ましい。このため
にモニター用基板９と電子銃８１の両方または一方は取
シ付は角度が変化できるような機構を設けた。
入射仰角が約１°で、電子線の加速エネルギーが１０乃
し４０ｋｅＶが適当である。
し４０ｋｅＶが適当である。
ＧａＡ１基板上にＧＩＬＡ！Ｉ、ｋｔＡｓ、またはＡ、
ＩａＡｓ混晶を成長する場合、モニター用ＧａＡｓ基板
９の温度を５５０℃に設定し、成長用ＧａＡｇ基板４の
温度は良質のん処ａＡｓが得られる６３０℃とした。成
長用ＧａＡｓ基板４の温度は５００℃以下でも６００℃
以上でも良いが、６５０℃以上ではＧａ原子の再蒸発が
顕著となシモニター用ＧａＡｓ基板９上への成長速度や
組成とは異なってしまうので補正が必要である・〔発明
の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明によれば成長中に
その場で成長速度、膜厚、及び混晶の組成をモニターし
つつ高品質、高均一性の結晶を成長することが可能にな
る。上述した本発明の一実施例を用いてＧａＡｓ、ＡＪ
ｌＡｓ 、およびＡｔ（１００ｍ（１ＢＡＩを成長した
とき、ＲＨＥＥＤ振動は数回で減衰することなく充分長
い間観測され、成長中に成長速度やそのときまでに成長
した膜厚を知ることができる。また確実にＡＡ！、、、
Ｇｍ８ＡＢが成長できるように分子線強度を調整しなが
ら成長することができる。尚、上述の実施例では、Ｇａ
Ａｓ基板４上に成長する場合について記したが、工ｎｐ
＋Ｇａ５ｂといった他の化合物半導体基板上へのエピタ
キシー成長にも本発明は有効である。また、組成のモニ
ターについては意味がないが、Ｓｔ、Ｇｅといった単元
素半導体等の結晶についても同様である。
ＩａＡｓ混晶を成長する場合、モニター用ＧａＡｓ基板
９の温度を５５０℃に設定し、成長用ＧａＡｇ基板４の
温度は良質のん処ａＡｓが得られる６３０℃とした。成
長用ＧａＡｓ基板４の温度は５００℃以下でも６００℃
以上でも良いが、６５０℃以上ではＧａ原子の再蒸発が
顕著となシモニター用ＧａＡｓ基板９上への成長速度や
組成とは異なってしまうので補正が必要である・〔発明
の効果〕 以上の説明から明らかなように本発明によれば成長中に
その場で成長速度、膜厚、及び混晶の組成をモニターし
つつ高品質、高均一性の結晶を成長することが可能にな
る。上述した本発明の一実施例を用いてＧａＡｓ、ＡＪ
ｌＡｓ 、およびＡｔ（１００ｍ（１ＢＡＩを成長した
とき、ＲＨＥＥＤ振動は数回で減衰することなく充分長
い間観測され、成長中に成長速度やそのときまでに成長
した膜厚を知ることができる。また確実にＡＡ！、、、
Ｇｍ８ＡＢが成長できるように分子線強度を調整しなが
ら成長することができる。尚、上述の実施例では、Ｇａ
Ａｓ基板４上に成長する場合について記したが、工ｎｐ
＋Ｇａ５ｂといった他の化合物半導体基板上へのエピタ
キシー成長にも本発明は有効である。また、組成のモニ
ターについては意味がないが、Ｓｔ、Ｇｅといった単元
素半導体等の結晶についても同様である。
第１図は本発明の分子線エピタキシー装置の一実施例の
概略断面図、第２図は従来の分子線エピタキシー装置の
概略断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）はＲＨＥＥＤ振
動の理由を示した説明図、第４図はＧａＡｓ ＋ＡＡ！
Ａｓ ＋ ＡｌＧｍＡｇを成長中のＲＨＥＥＤ振動を示
した説明図である。 ｌ・・・成長室、２・・・分子線源、３・・・成長用基
板ホルダー、４・・・成長用基板、５・・・シャター、
６・・・イオンゲージ、７・・・質量分析計、９・・・
モニター用基板、１０・・・モニター用基板ホルダー、
２１・・・分子線、８１・・・電子銃％ ８２・・・螢
光スクリーン、８３・・・高速電子線 １０七ニタ一用屋４反ホルタゝ 第２図 二統 第３図 ゛ 第４図 時間 （分）
概略断面図、第２図は従来の分子線エピタキシー装置の
概略断面図、第３図（ａ） 、 （ｂ）はＲＨＥＥＤ振
動の理由を示した説明図、第４図はＧａＡｓ ＋ＡＡ！
Ａｓ ＋ ＡｌＧｍＡｇを成長中のＲＨＥＥＤ振動を示
した説明図である。 ｌ・・・成長室、２・・・分子線源、３・・・成長用基
板ホルダー、４・・・成長用基板、５・・・シャター、
６・・・イオンゲージ、７・・・質量分析計、９・・・
モニター用基板、１０・・・モニター用基板ホルダー、
２１・・・分子線、８１・・・電子銃％ ８２・・・螢
光スクリーン、８３・・・高速電子線 １０七ニタ一用屋４反ホルタゝ 第２図 二統 第３図 ゛ 第４図 時間 （分）
Claims (1)
- （１）分子線の照射される空間内に、所望の結晶成長用
の基板を装着する成長用基板ホルダーと、モニター用の
基板を装着する前記成長用基板ホルダーとは別に加熱可
能なモニター用基板ホルダーとを有し、前記モニター用
の基板の表面を反射高速電子線回折により分析可能な如
く電子銃と回折像観察用のスクリーンとを具備したこと
を特徴とする分子線エピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025467A JPS61186284A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025467A JPS61186284A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61186284A true JPS61186284A (ja) | 1986-08-19 |
Family
ID=12166829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60025467A Pending JPS61186284A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61186284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0363569U (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-20 | ||
| US5171399A (en) * | 1990-08-15 | 1992-12-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflection mass spectrometry technique for monitoring and controlling composition during molecular beam epitaxy |
| JP2006253414A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute Of Information & Communication Technology | Ｓｉ基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物 |
-
1985
- 1985-02-13 JP JP60025467A patent/JPS61186284A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0363569U (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-20 | ||
| JPH0523572Y2 (ja) * | 1989-10-20 | 1993-06-16 | ||
| US5171399A (en) * | 1990-08-15 | 1992-12-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflection mass spectrometry technique for monitoring and controlling composition during molecular beam epitaxy |
| JP2006253414A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | National Institute Of Information & Communication Technology | Ｓｉ基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物 |
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