JPS61180995A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPS61180995A JPS61180995A JP61025370A JP2537086A JPS61180995A JP S61180995 A JPS61180995 A JP S61180995A JP 61025370 A JP61025370 A JP 61025370A JP 2537086 A JP2537086 A JP 2537086A JP S61180995 A JPS61180995 A JP S61180995A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置に関し、とくに装置を選択
するチップセレクト信号の判定を行なう機構に関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a mechanism for determining a chip select signal for selecting a device.
従来、實イクロコンピュータシステムを構成する複数の
半導体集積回路装置間だおいて、装置を選択するために
固定化されたチップ選択信号を用いて、希望す信号を識
別し得る情報識別回路を具えた集積回路装置を特別に発
注するか、あとにやや詳しく説明するように、標準品又
は従来使用していた装置の情報識別回路の外部にインバ
ータ回路等のデータ変換回路を付加するのが一般であっ
た。したがって集積回路装置を多品種製造することによ
る生産コストの上昇或いは付加回路の増設によるコスト
の増大など、結果的にはシステムのコスト高を招く欠点
となっていた。Conventionally, an information identification circuit has been provided which can identify a desired signal by using a fixed chip selection signal to select a device among a plurality of semiconductor integrated circuit devices constituting a microcomputer system. It is common practice to either specially order the integrated circuit device, or to add a data conversion circuit such as an inverter circuit to the outside of the information identification circuit of the standard or conventional device, as will be explained in more detail later. Ta. Therefore, the production cost increases due to the production of a wide variety of integrated circuit devices, or the cost increases due to the addition of additional circuits, resulting in an increase in the cost of the system.
本発明は、上記に鑑みて、集積回路装置の装置(チップ
)選択情報を使用者が自由に設定或いは変更できるよう
にすれば上記の欠点が軽減できるであろうとの考えに基
づいてなされたものである。In view of the above, the present invention was made based on the idea that the above drawbacks could be alleviated by allowing the user to freely set or change the device (chip) selection information of the integrated circuit device. It is.
すなわち、本発明の目的は、半導体集積回路装置におい
て、そのチップ選択情報を使用者が任意に変更できるよ
うにしたチップセレクト判定機能を得ようとするもので
ある。That is, an object of the present invention is to provide a chip selection determination function in a semiconductor integrated circuit device that allows a user to arbitrarily change the chip selection information.
本発明の他の目的は、単一の構成で多種のチップ選択情
報の識別に対応できる半導体集積回路装置を得よマブル
記憶回路を設け、この記憶回路に設定された情報に基い
て入力されるチップセレクト信号を判定するようにした
ことを特徴とする。Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device capable of identifying various types of chip selection information with a single configuration. It is characterized in that the chip select signal is determined.
次にffを参照して本発明につき説明する。Next, the present invention will be explained with reference to ff.
第1図は従来のランダムアクセス機能を持つ半導体集積
回路の回路図を示したものであり、入力されるチ、プ選
択情報の数は3つとしである。図において、最下位から
上位へ順位をもつアドレス情報人。、A1、人、・・・
An を入力とし、行情報&、R,、R,・・・Rrお
よび列情報L0、L2、・・・LLを出力とするアドレ
スバッファ1と、行情報R0、R,、R,・・・R「を
入力とし行デコード出力DGLを発生する行デコーダ2
と、行デコード出力DGLを入力によシ選ばれた1つの
行を配線群CLGに接続するメモリセルアレイ3と、列
情報機工。、工1、・・・Ixとこの列情報線の数に等
しい配線群CLGの一部を接続すべく、列情報り。、L
o、・・・LtKよって制御する列デコーダ5と、装置
が選択されたか否かを知らせる選択信号Sおよび入出力
を制御する制御信号RWによって、情報D0、D l
s・・・Dx を列情報工。、■1、・・・Ixとする
か列情報工。、工、・・・Ix を情報D0、D8、
・・・Dxとるかを制御する入出力制御回路5と、最上
位のアドレス情報勤より上位のシステムアドレス情報か
ら成るチップ選択情報s0、slおよびS、を入力信号
として選択信号Sを得るようにしたNOR回路6iらび
にインバータ7から成る情報判定回路8とから成ってい
る。インバータ7はチップ選択情報s0を逆相の80′
にするためのものである。FIG. 1 shows a circuit diagram of a conventional semiconductor integrated circuit having a random access function, and the number of input chip selection information is three. In the figure, address information persons are ranked from the lowest to the highest. ,A1,person,...
An address buffer 1 which inputs An and outputs row information &, R,, R, . . . Rr and column information L0, L2, . . . LL, and row information R0, R,, R, . Row decoder 2 which receives R' as input and generates row decode output DGL.
, a memory cell array 3 that connects one row selected by inputting the row decode output DGL to the wiring group CLG, and a column information mechanism. , Step 1, . . . In order to connect Ix and a part of the wiring group CLG equal to the number of column information lines, the column information lines are connected. , L
The column decoder 5 controlled by LtK, the selection signal S indicating whether a device has been selected, and the control signal RW controlling input/output control the information D0, D l
s...Dx is a column information engineer. ,■1,... Ix or column information engineering. , engineering,... Ix as information D0, D8,
. . . A selection signal S is obtained by inputting the input/output control circuit 5 that controls the Dx output and chip selection information s0, sl, and S consisting of system address information higher than the highest address information function as input signals. The information determining circuit 8 includes a NOR circuit 6i and an inverter 7. The inverter 7 converts the chip selection information s0 to 80' with the opposite phase.
It is for the purpose of
上記の構成の情報識別回路において、チップ選択信号S
が11”で集積回路装置が選択されたとし、信号Sが°
0”で選択されなかったとする。従ってNOR回路6の
各人力s、’、Sl、S、かいずれも0すなわちチップ
選択情@S0、S3、S、が「loo Jにオイて選択
信号Sが1”となり集積回路装置が選択されたこととな
る。チップ選択情報S0、s、およびS、は同様Kl’
−010Jや「001」 によっても情報s0、Sl
、S、の入力条件をかえることによって集積回路装置を
選択したこととなる。In the information identification circuit having the above configuration, the chip selection signal S
is 11" and an integrated circuit device is selected, and the signal S is 11".
Therefore, each of the inputs s, ', Sl, and S of the NOR circuit 6 are 0, that is, the chip selection information @S0, S3, and S is set to ``loo J, and the selection signal S is 1'', which means that the integrated circuit device has been selected. Chip selection information S0, s, and S are similarly Kl'
-010J and “001” also provide information s0 and Sl.
An integrated circuit device is selected by changing the input conditions of ,S.
そして前記の特定のコード「100J、l−010J
tたは「001」 によって装置を選択したこととなる
と、列デコーダ5において、制御信号KWにょシ、情報
り、、 D、、モリセルアレイ3に蓄積されている情報
を情報D+1、Dl、・・・Dx として取り出すかし
て、ランダムアクセス回路がその機能を果すことができ
るようKなっている。なおチップ選択情報S0、S2、
S、の上記以外の組合せすなわち「000」、「111
」、「110J、[011J、「101Jでは、情報判
定回路8の出力選択信号Sを10″にし、集積回路装置
を選択していないことを示す。And the specific code “100J, l-010J
When a device is selected by t or "001", the column decoder 5 converts the control signal KW, information D, , information stored in the Mori cell array 3 to information D+1, Dl, .・K is taken out as Dx so that the random access circuit can perform its function. Note that the chip selection information S0, S2,
S, combinations other than the above, i.e. "000", "111"
", "110J, [011J, "In 101J, the output selection signal S of the information determination circuit 8 is set to 10", indicating that no integrated circuit device is selected.
しかし乍ら上記の従来の回路においては、3種のチ、プ
選択情報S0、Sl、S、の「100」、「010」、
[0QIJの組合せ以外の組合せで集積回路を選択する
場合は、外部に更にインバータ回路を付加するか、この
第1図に示す情報識別回路とは異った構成の回路を持つ
ランダムアクセス回路の製造を行うかしなければならな
かった。しかしいず九にしてもこのような変更はシステ
ムのコスト高の原因となっていた。However, in the conventional circuit described above, the three types of chip selection information S0, Sl, S are "100", "010",
[If an integrated circuit is selected with a combination other than the 0QIJ combination, an additional inverter circuit must be added externally, or a random access circuit with a circuit configuration different from the information identification circuit shown in Figure 1 must be manufactured. I had to do it. However, in any case, such changes caused high costs for the system.
第2図は本発明の集積回路装置の一実施例の回路図であ
る。はじめに構成を主として説明すると、チップ選択情
報入力端子から3つの信号S、、S8、S、をそれぞ荷
Mr8電界効果トランジスタ(MI8 FF3T)14
.15.16にそれぞれ直列接続されておシ、両者が接
続される接点x、、x、、X8から記憶出力T6、T3
、T!がそれぞれ取り出される。そしてこれら記憶出力
T6、Tt−’IL と前記のチップ選択情報811.
81、S!の対応する各対は、排他的論理和回路17.
18.19に入力され、出力U、、U、。FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the integrated circuit device of the present invention. First, to mainly explain the configuration, three signals S, , S8, and S are sent from the chip selection information input terminal to the Mr8 field effect transistor (MI8 FF3T) 14.
.. 15. Memory outputs T6, T3 are connected in series to 16, respectively, and from contacts x, , x, , X8 to which both are connected.
,T! are taken out respectively. These memory outputs T6, Tt-'IL and the chip selection information 811.
81, S! Each corresponding pair of exclusive OR circuits 17 .
18.19 is input and outputs U,,U,.
U、が出力される。そしてこれらの出力はNOR回路2
゜から選択信号Sとなって出力される。U, is output. And these outputs are NOR circuit 2
It is output as a selection signal S from .
上記において、不揮発性メモリ素子11,12.13の
状態をオンからオフに変えるのKは、また更に1オン”
に戻すのには次のようにする。たとえば基準電圧VDD
として5vを用いる成る例においては、素子11のゲー
トおよび接続点XIに約15Vを又基体す々ゎちYに一
5vを印加すれば素子11はオンからオフに変シ、更に
、基準電圧vDD(X、)をオープンに、基体Yに−I
OV、 ゲートに一40v1ソースを地気からはなし
て約35Vを印加すれば、素子11はオフからはじめの
オンに戻る。In the above, K for changing the state of the nonvolatile memory elements 11, 12, and 13 from on to off is also 1 on.
To return to , do the following: For example, the reference voltage VDD
In the example in which 5V is used as the reference voltage, applying approximately 15V to the gate and connection point (X,) to open, -I to substrate Y
OV, by removing the -40v1 source from the earth and applying approximately 35V to the gate, the element 11 returns from off to on.
択情報S0、SI%S、を基準の“11又は“0”のい
ずれにしてもそのまま保持される。なお不揮発性素子の
状態をオフからオンに変更するには素子に紫外線を当て
る方法もあるが、この場合は素子の容器の一部を透明体
たとえば石英板で形成する必要がある。Regardless of whether the selection information S0 or SI%S is set to "11" or "0" as a reference, it is retained as is.In addition, to change the state of a non-volatile element from off to on, there is also a method of exposing the element to ultraviolet light. However, in this case, it is necessary to form a part of the element container from a transparent material, such as a quartz plate.
不揮発性メモリ素子としてバイポーラ集積回路に用いら
れるヒーーズ溶断式あるいはジャンクシ璽ン破壊方式メ
モリ素子を用いれば、状態の変更は1つの素子について
1回だけに限られる。この場合、チップ選択情報の組合
せの変更がメモリ素子の状態を1つずつ順次変更してい
くようなときは、組合せの変更は複数回可能である。If a heat-fuse type or junk-break type memory element used in bipolar integrated circuits is used as a nonvolatile memory element, the state can be changed only once for each element. In this case, when changing the combination of chip selection information sequentially changes the states of memory elements one by one, the combination can be changed multiple times.
上記から分るよう1(、本発明においては、不揮発性メ
モリ素子11.12.13の状態を、チップの選択情報
に対応して使用者が僅かの手間で任意の形に設定変更可
能であり、このため従来のように外部回路を付加したり
全半導体装置を変えたりすることなくして装置選択情報
を変更することが可能であり、したがってシスとは共有
できるので、IC化には非常に好適である。As can be seen from the above, (1) in the present invention, the user can change the state of the nonvolatile memory elements 11, 12, 13 to any desired state with little effort in accordance with the chip selection information. Therefore, it is possible to change the device selection information without adding an external circuit or changing the entire semiconductor device as in the past, and it can be shared with the system, making it very suitable for IC implementation. It is.
なお前記の実施例においては3つの装置(チップ)選択
情報S0、S8、S、を用いていたが、これを更に多数
の情報を用いてもよく、逆に801つだけでもよい。In the above embodiment, three pieces of device (chip) selection information S0, S8, and S are used, but a larger number of pieces of information may be used, or only one piece of information may be used.
1つの情報を用いるということは、不揮発性メモリ素子
11をオンまたはオフの状態に設定することによって、
出力U0を正相あるいは逆相にすることであるが、これ
によってU0出力をシステムの他の回路に必要な逆相の
電圧源として供給することが出来る。また、前述の実施
例では、6で示したゲートにはNOR回路を用いたが、
この代りに入力情報S0、S3、・・・との関連でOR
回路又はAND回路を用いて構成することができる。ま
た、第2図の回路は単に一例を挙げたもので、これらに
限られるものではない。たとえば負荷MI8FET 1
4などの代りに半導体抵抗を用いてもよく、又論理回路
17なども種々の構成が考えられるが、要はチップセレ
クト信号の判定が可能な論理回路であればよい。更に又
、MI8FETとしてnチャネルのものUsing one piece of information means that by setting the nonvolatile memory element 11 on or off,
The purpose of this is to make the output U0 in the positive phase or in the negative phase, so that the U0 output can be supplied as a negative phase voltage source necessary for other circuits in the system. In addition, in the above embodiment, a NOR circuit was used for the gate indicated by 6, but
Instead of this, OR in relation to the input information S0, S3,...
It can be configured using a circuit or an AND circuit. Further, the circuit shown in FIG. 2 is merely an example, and the circuit is not limited thereto. For example, load MI8FET 1
4 may be replaced with a semiconductor resistor, and the logic circuit 17 may have various configurations, but in short, any logic circuit that can determine the chip select signal may be used. Furthermore, an n-channel MI8FET
第1図は従来のランダムアクセス回路を有する半導体チ
ップのブロック図、第2図は本発明の一実施による情報
識別回路の回路図である。
記号の説明=11〜13は不揮発性メモリ素子、14〜
16は負荷MI8FET、 17〜19は排他的論理和
回路、20はNOR回路をそれぞれあられしている。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor chip having a conventional random access circuit, and FIG. 2 is a circuit diagram of an information identification circuit according to an embodiment of the present invention. Explanation of symbols = 11-13 are nonvolatile memory elements, 14-
16 is a load MI8FET, 17 to 19 are exclusive OR circuits, and 20 is a NOR circuit.
Claims (1)
と、各入力端子に対応して設けられ、任意の情報が設定
可能な記憶回路と、該記憶回路に設定された情報に基い
て前記入力端子から入力されるチップセレクト信号を判
定する判定回路とを有することを特徴とする半導体集積
回路装置。A plurality of input terminals for inputting semiconductor chip select signals, a memory circuit provided corresponding to each input terminal and capable of setting arbitrary information, and input from the input terminal based on the information set in the memory circuit. 1. A semiconductor integrated circuit device comprising: a determination circuit that determines a chip select signal that is selected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61025370A JPS61180995A (en) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61025370A JPS61180995A (en) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992278A Division JPS54114055A (en) | 1978-02-24 | 1978-02-24 | Information identifying circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61180995A true JPS61180995A (en) | 1986-08-13 |
JPS6255171B2 JPS6255171B2 (en) | 1987-11-18 |
Family
ID=12163944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61025370A Granted JPS61180995A (en) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61180995A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63183684A (en) * | 1987-01-26 | 1988-07-29 | Nec Corp | Semiconductor device |
WO2002045168A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Yamatake Corporation | Semiconductor device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06186207A (en) * | 1992-12-17 | 1994-07-08 | Nuclear Fuel Ind Ltd | Eddy-current flaw detecting probe |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50154033A (en) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61025370A patent/JPS61180995A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS50154033A (en) * | 1974-05-31 | 1975-12-11 |
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WO2002045168A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Yamatake Corporation | Semiconductor device |
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JPS6255171B2 (en) | 1987-11-18 |
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