JPS61163703A - Ｐｉｎダイオ−ド減衰器 - Google Patents
Ｐｉｎダイオ−ド減衰器Info
- Publication number
- JPS61163703A JPS61163703A JP60004650A JP465085A JPS61163703A JP S61163703 A JPS61163703 A JP S61163703A JP 60004650 A JP60004650 A JP 60004650A JP 465085 A JP465085 A JP 465085A JP S61163703 A JPS61163703 A JP S61163703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin diode
- input
- length
- becomes
- attenuation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
- H01P1/227—Strip line attenuators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Attenuators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波帯において用いられるＰＩＮダイオ
ード減衰器の減衰特性の改善に関する。
ード減衰器の減衰特性の改善に関する。
（従来の技術）
従来から、パッケージングされたＰＩＮダイオードを用
いたダイオード減衰器は小型で制御性も良いので多く使
用されている。しかしながら、大きな減衰量を必要とす
る場合、パッケージングされ九個々のダイオードを何段
も接続すると形状も大きくなるためケース内での高周波
（Ｒａｄｌ。
いたダイオード減衰器は小型で制御性も良いので多く使
用されている。しかしながら、大きな減衰量を必要とす
る場合、パッケージングされ九個々のダイオードを何段
も接続すると形状も大きくなるためケース内での高周波
（Ｒａｄｌ。
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ：以下ＲＦという）信号の放射に
より、減衰特性も劣化し、また価格的にも高価なものと
なる。
より、減衰特性も劣化し、また価格的にも高価なものと
なる。
そこで、ＰＩＮダイオードをチップ状態でハイブリッド
集積回路として使用することが考えられる。この構成で
はパッケージングされたものに較ぺて形状も小さくなり
、ケース内のＲＦ信号放射も小さく出来るため高い減衰
量が期待出来るっ （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、小さい形状で高い減衰量を得ようとする
とＢＰ信号入出力端間のＲＦリークが無視出来なくなる
。この原因としては、１つは入出力間の電界結合による
ものが考えられ他の一つとしてはハイブリッド集積回路
ケースと外部接続回路との接触面に流れる接地電流によ
る結合が考えられる。前者の改良には入出力端子に接続
される高周波回路を互いにシールドすることにより簡単
に除去出来るっ一方後者の改善には前記接触面を平面化
し、接触性を良くすることが考えられるが、加工精度上
の制約という新たな問題を生ずる。
集積回路として使用することが考えられる。この構成で
はパッケージングされたものに較ぺて形状も小さくなり
、ケース内のＲＦ信号放射も小さく出来るため高い減衰
量が期待出来るっ （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、小さい形状で高い減衰量を得ようとする
とＢＰ信号入出力端間のＲＦリークが無視出来なくなる
。この原因としては、１つは入出力間の電界結合による
ものが考えられ他の一つとしてはハイブリッド集積回路
ケースと外部接続回路との接触面に流れる接地電流によ
る結合が考えられる。前者の改良には入出力端子に接続
される高周波回路を互いにシールドすることにより簡単
に除去出来るっ一方後者の改善には前記接触面を平面化
し、接触性を良くすることが考えられるが、加工精度上
の制約という新たな問題を生ずる。
（問題点を解決するための手段）
本発明はこの問題点を解決するために、伝送線路を短絡
するＰＩＮダイオードを、ＲＦ信号入出力端子よりほぼ
１／４波長の位置に設け、ＰＩＮダイオード短絡時に該
Ｉ・イブリッド集積回路と外部接続回路との接触面では
線路が開放となり、このため集積回路ケースに流れる接
地電流がほとんど生じないようにし、その結果この接地
電流を介して入出力端子間の電磁結合による減衰量低下
が生じないようくしようとするもので、減衰量の改善と
、減衰特性の安定化を計ろうとするものである。
するＰＩＮダイオードを、ＲＦ信号入出力端子よりほぼ
１／４波長の位置に設け、ＰＩＮダイオード短絡時に該
Ｉ・イブリッド集積回路と外部接続回路との接触面では
線路が開放となり、このため集積回路ケースに流れる接
地電流がほとんど生じないようにし、その結果この接地
電流を介して入出力端子間の電磁結合による減衰量低下
が生じないようくしようとするもので、減衰量の改善と
、減衰特性の安定化を計ろうとするものである。
本発明は上記の目的を達成するために次の構成を有する
。即ち、高周波信号短絡用のＰＩＮダイオードと膜回路
基板とからなるノ・イブリッド集積回路を導体壁で覆っ
たＰＩＮダイオード減衰器において、高周波信号入出力
端子と前記ＰＩＮダイオードとの間を減衰対象信号の波
長の１／４の長さの整数倍にほぼ等しい長さのマイクロ
ストリ、プ線路で接続したＰＩＮダイオード減衰器であ
る。
。即ち、高周波信号短絡用のＰＩＮダイオードと膜回路
基板とからなるノ・イブリッド集積回路を導体壁で覆っ
たＰＩＮダイオード減衰器において、高周波信号入出力
端子と前記ＰＩＮダイオードとの間を減衰対象信号の波
長の１／４の長さの整数倍にほぼ等しい長さのマイクロ
ストリ、プ線路で接続したＰＩＮダイオード減衰器であ
る。
（作 用）
以下本発明の作用を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明のＰＩＮダイオード減衰器の構造を示す
図である。図（ａ）は導体１６の上に構成され九へイプ
リ、ド集積化減衰器１８をケース９を取り除いて観た平
面図である。１はＰＩＮダイオード、２．３は１／４波
長マイクロストリ、プ線路、４．５は膜回路基板、７は
ＰＩＮダイオードへ直流バイアス電流を流すための直流
ノ（イアス端子、８は高周波側流用コンデンサ、１１．
２１は入出力端子である。
図である。図（ａ）は導体１６の上に構成され九へイプ
リ、ド集積化減衰器１８をケース９を取り除いて観た平
面図である。１はＰＩＮダイオード、２．３は１／４波
長マイクロストリ、プ線路、４．５は膜回路基板、７は
ＰＩＮダイオードへ直流バイアス電流を流すための直流
ノ（イアス端子、８は高周波側流用コンデンサ、１１．
２１は入出力端子である。
図（ｂ）は図（、）のＡＡ’断面図である。１７は外部
接続回路６を構成する導体、３１は導体１７に設けられ
ている孔に貫通され入出力端子１１に接続されている外
部接続中心導体、４１は同じく入出力端子２１に接続さ
れている外部接続中心導体である。即ち外部接続回路６
は導体１７と外部接続中心導体３１および同４１とで構
成されている。上記のような構造において導体１６と導
体１７との接触面が電気的に完全に密着していない場合
（即ち接触抵抗ｒｏを有する場合）Ｋは導体１６および
同１７の入出力端子１１又は同２１近傍に流れる接地電
流により導体１６および導体１７の接触面に電磁界を生
じ、これが接触面に沿って入力端子側から出力端子側へ
伝搬してしまい減衰器の入出力端子間に漏えいを生じて
しまうのである。
接続回路６を構成する導体、３１は導体１７に設けられ
ている孔に貫通され入出力端子１１に接続されている外
部接続中心導体、４１は同じく入出力端子２１に接続さ
れている外部接続中心導体である。即ち外部接続回路６
は導体１７と外部接続中心導体３１および同４１とで構
成されている。上記のような構造において導体１６と導
体１７との接触面が電気的に完全に密着していない場合
（即ち接触抵抗ｒｏを有する場合）Ｋは導体１６および
同１７の入出力端子１１又は同２１近傍に流れる接地電
流により導体１６および導体１７の接触面に電磁界を生
じ、これが接触面に沿って入力端子側から出力端子側へ
伝搬してしまい減衰器の入出力端子間に漏えいを生じて
しまうのである。
しかしながら両溝体の接触を完全ならしめることは製造
技術上非常に難しいので、本発明では入力端子近傍の両
溝体に流れる接地電流を極力小さくすることによって、
接地電流に起因する漏えいを抑圧しようとするものであ
る。
技術上非常に難しいので、本発明では入力端子近傍の両
溝体に流れる接地電流を極力小さくすることによって、
接地電流に起因する漏えいを抑圧しようとするものであ
る。
第２図は第１図のＰＩＮダイオード減衰器の等価回路で
、ＰＩＮダイオードにバイアス電流を流し、その順方向
抵抗値がｒａ、導体１６と導体１７間の接触抵抗値がｙ
ｏの場合の等価回路を示している。図中、点線人で囲ま
れた部分がノーイブリッド集積化減衰器の部分の等価回
路を示し、点線Ｂで囲まれた部分が接触抵抗の等価回路
を示している。
、ＰＩＮダイオードにバイアス電流を流し、その順方向
抵抗値がｒａ、導体１６と導体１７間の接触抵抗値がｙ
ｏの場合の等価回路を示している。図中、点線人で囲ま
れた部分がノーイブリッド集積化減衰器の部分の等価回
路を示し、点線Ｂで囲まれた部分が接触抵抗の等価回路
を示している。
ここで、以下に説明する数式の単純化のためにｒ、もｒ
ｅも、入出力端子１１および同２１からＰＩＮダイオー
ド１ｔでの伝送線路のＲＦ特性インピーダンス２．で規
格化され且つｒａ（１であるものとする。
ｅも、入出力端子１１および同２１からＰＩＮダイオー
ド１ｔでの伝送線路のＲＦ特性インピーダンス２．で規
格化され且つｒａ（１であるものとする。
またθ３、θ曾は画伝送線路の電気長を表わす。
まず、ｒａのみの２マトリツクスＺ ｒ ａはとなる。
従って、このＳマトリックスＳｒａはとなる。従ってｎ
を自然数とすれば、２θｇ＠３２Ｈπのとき、即ち、第
２図の伝送線路２′の長さがＶ２波長の整数倍の時には
５ＡＩｔ〜−１となり回路人の入力端子１１は短絡状態
になり、端子１１−１０間に接地電流が流れ、端子１１
−１０間に加わった入射電力は端子１５−１４からｒｏ
を介して端子２１−２０に出力されることとなる。
を自然数とすれば、２θｇ＠３２Ｈπのとき、即ち、第
２図の伝送線路２′の長さがＶ２波長の整数倍の時には
５ＡＩｔ〜−１となり回路人の入力端子１１は短絡状態
になり、端子１１−１０間に接地電流が流れ、端子１１
−１０間に加わった入射電力は端子１５−１４からｒｏ
を介して端子２１−２０に出力されることとなる。
これに対して、２θ、〜（２ｎ＋１）πのとき、即ち、
伝送線路２′の長さが１，７４波長の整数倍の時には、
Ｓム■〜＋１となり、回路Ａの入力端子は開放状態とな
り、接地電流は流れず、端子１１−１０間に加わった入
射電力は端子１５−１４に加わらなくなり、端子１１−
１０と２１−２０ることＫなる。
伝送線路２′の長さが１，７４波長の整数倍の時には、
Ｓム■〜＋１となり、回路Ａの入力端子は開放状態とな
り、接地電流は流れず、端子１１−１０間に加わった入
射電力は端子１５−１４に加わらなくなり、端子１１−
１０と２１−２０ることＫなる。
以上のことは２θｍ＃２ｎπ或いは２θ、 ＃（２ｎ＋
１）πの時についても同様のことが云える。従って、第
２図の伝送線路２′および同３′の長さを２θＩ〜（２
ｎ＋１）π、２θ會Ｎ（２ｎ ＋ １ ）π、即ちいず
れの伝送線路の長さをも１／４波長の整数倍の長さＫな
るように選定しておけば接地電流が流れず、接地電流に
起因する入力端子から出力端子への漏えいを抑圧するこ
とができることを意味する。
１）πの時についても同様のことが云える。従って、第
２図の伝送線路２′および同３′の長さを２θＩ〜（２
ｎ＋１）π、２θ會Ｎ（２ｎ ＋ １ ）π、即ちいず
れの伝送線路の長さをも１／４波長の整数倍の長さＫな
るように選定しておけば接地電流が流れず、接地電流に
起因する入力端子から出力端子への漏えいを抑圧するこ
とができることを意味する。
伝送線路長の現実の長さの選定としては、減衰器の可逆
性と小型化を考慮して、いずれの伝送線路の長さも１／
４波長の長さに選定されることが合理的である。
性と小型化を考慮して、いずれの伝送線路の長さも１／
４波長の長さに選定されることが合理的である。
（発明の効果）
本発明のＰＩＮダイオード減衰器は、以上説明したよう
に、ＰＩＮダイオードと入出力端子の間を接続する伝送
線路の長さを１／４波長の整数倍の長さにほぼ等しく選
定することＫより、ハイブリッド集積化減衰器の膜回路
基板側導体と外部接続回路を構成する導体との間の接触
不良に起因する入出力間の漏えいを抑圧し高減衰量を安
定に得ることができるという利点がある。
に、ＰＩＮダイオードと入出力端子の間を接続する伝送
線路の長さを１／４波長の整数倍の長さにほぼ等しく選
定することＫより、ハイブリッド集積化減衰器の膜回路
基板側導体と外部接続回路を構成する導体との間の接触
不良に起因する入出力間の漏えいを抑圧し高減衰量を安
定に得ることができるという利点がある。
第１図は、本発明のＰＩＮダイオード減衰器の構造を示
す図で、図（、）は平面図、図（ｂ）は図（、）のＡＡ
’断面図、第２図は第１図のＰＩＮダイトド減衰器のマ
イクロストリップ線路長を一般化した場合の等膜回路を
示す図である。 ｌ・・・ＰＩＮダイオード、 ２．３・・・１／４波
長マイクロストリツプ線路、 ４．５・・・膜回路基
板、６・・・外部接続回路、 ７・・・直流バイアス
端子、８・・・高周波側流用コンデンサ、 ９・・・
ケース、１１．２１・・・入出力端子、 １６・・・
ハイブリ。 ド集積化減衰器の導体、 １７・・・外部接続回路６
を構成する導体、 ３１．４１・・・外部接続回路中心
導体 代理人 弁理士 八 幡 義 博 ％／ 図 ＝ −−−ｒ−’
す図で、図（、）は平面図、図（ｂ）は図（、）のＡＡ
’断面図、第２図は第１図のＰＩＮダイトド減衰器のマ
イクロストリップ線路長を一般化した場合の等膜回路を
示す図である。 ｌ・・・ＰＩＮダイオード、 ２．３・・・１／４波
長マイクロストリツプ線路、 ４．５・・・膜回路基
板、６・・・外部接続回路、 ７・・・直流バイアス
端子、８・・・高周波側流用コンデンサ、 ９・・・
ケース、１１．２１・・・入出力端子、 １６・・・
ハイブリ。 ド集積化減衰器の導体、 １７・・・外部接続回路６
を構成する導体、 ３１．４１・・・外部接続回路中心
導体 代理人 弁理士 八 幡 義 博 ％／ 図 ＝ −−−ｒ−’
Claims (1)
- 高周波信号短絡用のＰＩＮダイオードと膜回路基板とか
らなるハイブリッド集積回路を導体壁で覆つたＰＩＮダ
イオード減衰器において、高周波信号入出力端子と前記
ＰＩＮダイオードとの間を減衰対象信号の波長の１／４
の長さの整数倍にほぼ等しい長さのマイクロストリップ
線路で接続したことを特徴とするＰＩＮダイオード減衰
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004650A JPS61163703A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | Ｐｉｎダイオ−ド減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004650A JPS61163703A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | Ｐｉｎダイオ−ド減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163703A true JPS61163703A (ja) | 1986-07-24 |
| JPH0342802B2 JPH0342802B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=11589828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60004650A Granted JPS61163703A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | Ｐｉｎダイオ−ド減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343401A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH01293702A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Nec Corp | 反射型可変抵抗減衰器 |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP60004650A patent/JPS61163703A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343401A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH01293702A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Nec Corp | 反射型可変抵抗減衰器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342802B2 (ja) | 1991-06-28 |
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