JPS6115622Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6115622Y2 JPS6115622Y2 JP4757279U JP4757279U JPS6115622Y2 JP S6115622 Y2 JPS6115622 Y2 JP S6115622Y2 JP 4757279 U JP4757279 U JP 4757279U JP 4757279 U JP4757279 U JP 4757279U JP S6115622 Y2 JPS6115622 Y2 JP S6115622Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- transistor
- output
- input terminal
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は広帯域増幅器に係り、特にオシロスコ
ープの垂直軸入力増幅器などに用いて好適な広帯
域増幅器に関するものである。
ープの垂直軸入力増幅器などに用いて好適な広帯
域増幅器に関するものである。
従来のオシロスコープの垂直軸入力増幅器の一
例を第1図に示し説明すると、図において、1は
入力信号が印加される入力端子で、この入力端子
1に加えられた信号はソースホロワを構成する電
界効果トランジスタ(以下FETと呼称する)2
を通つてトランジスタ3へ加えられる。4は
FET2の温度変化によるバイアスの変動を補償
するFETである。ここで、FET2とFET4は特
性がよく揃つていることが望まれるために、いわ
ゆるデユアル(dual)FETが用いられる。すな
わち、FET2とFET4の特性が一致していない
と、温度変化によるドリフトの変化が完全に補正
できない。また、トランジスタ3はエミツタホロ
ワを構成し、次段のNPNトランジスタ5を低イ
ンピーダンスで駆動すると共に、トランジスタ5
のベース・エミツタ電圧の温度変化を補償するた
めにPNP形を用いている。そして、トランジスタ
5のエミツタとアース間には変更可能な抵抗回路
6が挿入されていて、その回路の中に含まれてい
るスイツチ7を開閉することによつて利得を変え
ることができるように構成されている。また、こ
のとき出力端子8の電位が変化しないように可変
抵抗器9で調整できるように構成されている。
例を第1図に示し説明すると、図において、1は
入力信号が印加される入力端子で、この入力端子
1に加えられた信号はソースホロワを構成する電
界効果トランジスタ(以下FETと呼称する)2
を通つてトランジスタ3へ加えられる。4は
FET2の温度変化によるバイアスの変動を補償
するFETである。ここで、FET2とFET4は特
性がよく揃つていることが望まれるために、いわ
ゆるデユアル(dual)FETが用いられる。すな
わち、FET2とFET4の特性が一致していない
と、温度変化によるドリフトの変化が完全に補正
できない。また、トランジスタ3はエミツタホロ
ワを構成し、次段のNPNトランジスタ5を低イ
ンピーダンスで駆動すると共に、トランジスタ5
のベース・エミツタ電圧の温度変化を補償するた
めにPNP形を用いている。そして、トランジスタ
5のエミツタとアース間には変更可能な抵抗回路
6が挿入されていて、その回路の中に含まれてい
るスイツチ7を開閉することによつて利得を変え
ることができるように構成されている。また、こ
のとき出力端子8の電位が変化しないように可変
抵抗器9で調整できるように構成されている。
このように構成された増幅器において、入力端
子1に印加された入力信号はFET2およびトラ
ンジスタ3でそれぞれ増幅され、その出力は更に
次段のトランジスタ5で増幅され、出力端子8に
は所要の出力信号が得られる。そして、この増幅
利得はスイツチ7の開閉によつて制御され、その
利得を変えることができる。
子1に印加された入力信号はFET2およびトラ
ンジスタ3でそれぞれ増幅され、その出力は更に
次段のトランジスタ5で増幅され、出力端子8に
は所要の出力信号が得られる。そして、この増幅
利得はスイツチ7の開閉によつて制御され、その
利得を変えることができる。
しかしながら、このような増幅器においては、
FET2とFET4およびトランジスタ3とトラン
ジスタ5の温度差が変化すれば、直ちに出力電位
を変動させる、すなわちドリフトを生じ易いとい
う欠点があつた。また、広帯域とするためには
FET2,4の相互コンダクタンスgmは大きくな
ければならず、製造が困難で高価であるという欠
点があつた。
FET2とFET4およびトランジスタ3とトラン
ジスタ5の温度差が変化すれば、直ちに出力電位
を変動させる、すなわちドリフトを生じ易いとい
う欠点があつた。また、広帯域とするためには
FET2,4の相互コンダクタンスgmは大きくな
ければならず、製造が困難で高価であるという欠
点があつた。
本考案は以上の点に鑑み、このような欠点を改
善し、温度変化による動作点の変動を補償し、か
つ利得を変化させたときにも動作点の変動が少な
く、ドリフトが少なく広帯域の高入力インピーダ
ンス増幅器を安価に構成し得る広帯域増幅器を提
供することを目的とする。以下、図示する実施例
によつてその構成等を詳細に説明する。
善し、温度変化による動作点の変動を補償し、か
つ利得を変化させたときにも動作点の変動が少な
く、ドリフトが少なく広帯域の高入力インピーダ
ンス増幅器を安価に構成し得る広帯域増幅器を提
供することを目的とする。以下、図示する実施例
によつてその構成等を詳細に説明する。
第2図は本考案による広帯域増幅器の一実施例
を示す構成図である。図において、11は入力信
号が印加される入力端子、12は直流阻止用のコ
ンデンサ、13は電界効果トランジスタ
(FET)で、このFET13は入力端子11にコン
デンサ12を介して交流結合されたソースホロワ
回路を構成している。14は入力端子11に直流
結合された直流増幅器、15はトランジスタ16
を含むベース接地増幅器で、この増幅器15は前
記ソースホロワ回路を構成するFET13の出力
と直流増幅器14の出力を加算する手段を構成し
ている。17は加算手段を構成するベース接地増
幅器15の加算電圧がベースに加えられる出力ト
ランジスタ、18は出力トランジスタ17のエミ
ツタと直流増幅器14の反転入力端子(−)を結
ぶ負帰還路、19は出力トランジスタ17のエミ
ツタとアース間に接続された変更可能な抵抗およ
びスイツチ20を含む抵抗回路、21は出力トラ
ンジスタ17のコレクタに接続された出力端子で
ある。
を示す構成図である。図において、11は入力信
号が印加される入力端子、12は直流阻止用のコ
ンデンサ、13は電界効果トランジスタ
(FET)で、このFET13は入力端子11にコン
デンサ12を介して交流結合されたソースホロワ
回路を構成している。14は入力端子11に直流
結合された直流増幅器、15はトランジスタ16
を含むベース接地増幅器で、この増幅器15は前
記ソースホロワ回路を構成するFET13の出力
と直流増幅器14の出力を加算する手段を構成し
ている。17は加算手段を構成するベース接地増
幅器15の加算電圧がベースに加えられる出力ト
ランジスタ、18は出力トランジスタ17のエミ
ツタと直流増幅器14の反転入力端子(−)を結
ぶ負帰還路、19は出力トランジスタ17のエミ
ツタとアース間に接続された変更可能な抵抗およ
びスイツチ20を含む抵抗回路、21は出力トラ
ンジスタ17のコレクタに接続された出力端子で
ある。
つぎにこの第2図に示す実施例の動作を説明す
る。まず、入力端子11に印加された入力信号の
直流分はコンデンサ12によつて除かれ、その交
流分の信号はソースホロワを構成するFET13
に入り増幅され、その出力は次段の出力トランジ
スタ17のベースに加えられる。また、入力端子
11に加えられた直流分の信号はFET入力の演
算増幅器で構成される直流増幅器14とベース接
地増幅器15を通り、それぞれ増幅され、トラン
ジスタ16のコレクタにおいてFET13からの
交流分と加算される。ここで、直流増幅器14の
直流利得は極めて大きな値、例えば100dBが容易
に得られるため、負帰還路18によつて出力トラ
ンジスタ17のエミツタ電流は入力に正確に追従
する。また、直流増幅器14を構成する集積回路
(IC)の直流的安定度は、広帯域の特性を必要と
しないために、第1図におけるデユアルFETの
直流安定度に比較してはるかに良くすることが容
易にできる。また、ソースホロワを構成する
FET13は特性の一致した対のFET、すなわち
デユアルFETは不要であり、直流安定度の制約
が少いため、相互コンダクタンスgmの高いもの
が容易に得られる。したがつて、広帯域とするこ
とができる。
る。まず、入力端子11に印加された入力信号の
直流分はコンデンサ12によつて除かれ、その交
流分の信号はソースホロワを構成するFET13
に入り増幅され、その出力は次段の出力トランジ
スタ17のベースに加えられる。また、入力端子
11に加えられた直流分の信号はFET入力の演
算増幅器で構成される直流増幅器14とベース接
地増幅器15を通り、それぞれ増幅され、トラン
ジスタ16のコレクタにおいてFET13からの
交流分と加算される。ここで、直流増幅器14の
直流利得は極めて大きな値、例えば100dBが容易
に得られるため、負帰還路18によつて出力トラ
ンジスタ17のエミツタ電流は入力に正確に追従
する。また、直流増幅器14を構成する集積回路
(IC)の直流的安定度は、広帯域の特性を必要と
しないために、第1図におけるデユアルFETの
直流安定度に比較してはるかに良くすることが容
易にできる。また、ソースホロワを構成する
FET13は特性の一致した対のFET、すなわち
デユアルFETは不要であり、直流安定度の制約
が少いため、相互コンダクタンスgmの高いもの
が容易に得られる。したがつて、広帯域とするこ
とができる。
このようにしてソースホロワの出力と直流増幅
器15の出力加算電圧をベース入力とする出力ト
ランジスタ17によつて信号は増幅され、そのコ
レクタから所要の信号を取り出することができ
る。
器15の出力加算電圧をベース入力とする出力ト
ランジスタ17によつて信号は増幅され、そのコ
レクタから所要の信号を取り出することができ
る。
そして、出力トランジスタ17のエミツタとア
ース間に挿入された抵抗回路19の抵抗をスイツ
チ20によつて変更したときにも、出力トランジ
スタ17のエミツタ動作点電圧を安定にアース電
圧に維持できるために、出力の直流動作点の変動
が少なくて、利得を変更することができる。
ース間に挿入された抵抗回路19の抵抗をスイツ
チ20によつて変更したときにも、出力トランジ
スタ17のエミツタ動作点電圧を安定にアース電
圧に維持できるために、出力の直流動作点の変動
が少なくて、利得を変更することができる。
なお、上記実施例においては、交流成分と直流
成分の両信号を加算後、直ちに出力トランジスタ
に接続する場合を例にとつて説明したが、本考案
はこれに限定されるものではなく、必要に応じて
この間にエミツタ・ホロワを挿入してもよい。ま
た、バイポーラトランジスタをFETとしても良
く、さらに、抵抗回路19は可変抵抗器によつて
構成することもできる。
成分の両信号を加算後、直ちに出力トランジスタ
に接続する場合を例にとつて説明したが、本考案
はこれに限定されるものではなく、必要に応じて
この間にエミツタ・ホロワを挿入してもよい。ま
た、バイポーラトランジスタをFETとしても良
く、さらに、抵抗回路19は可変抵抗器によつて
構成することもできる。
以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば、利得を変化させたときにも動作点の変化が少
なく、また、ドリフトが少なく広帯域の高入力イ
ンピーダンス増幅器が安価に構成することができ
る利点があり、また、広範囲の温度変化に対して
も安定に動作する等の利点を有し、特にオシロス
コープの信号入力部に使用して顕著な効果を発揮
する。
ば、利得を変化させたときにも動作点の変化が少
なく、また、ドリフトが少なく広帯域の高入力イ
ンピーダンス増幅器が安価に構成することができ
る利点があり、また、広範囲の温度変化に対して
も安定に動作する等の利点を有し、特にオシロス
コープの信号入力部に使用して顕著な効果を発揮
する。
第1図は従来のオシロスコープの垂直軸入力増
幅器の例を示す構成図、第2図は本考案による広
帯域増幅器の一実施例を示す構成図である。 11……入力端子、12……コンデンサ、13
……FET、14……直流増幅器、15……ベー
ス接地増幅器、16,17……トランジスタ、1
8……負帰還路、19……抵抗回路。
幅器の例を示す構成図、第2図は本考案による広
帯域増幅器の一実施例を示す構成図である。 11……入力端子、12……コンデンサ、13
……FET、14……直流増幅器、15……ベー
ス接地増幅器、16,17……トランジスタ、1
8……負帰還路、19……抵抗回路。
Claims (1)
- 入力端子に交流結合されたソースホロワ回路
と、前記入力端子に直流結合された直流増幅器
と、前記ソースホロワ回路の出力と前記直流増幅
器の出力を加算する手段と、この手段によつて得
られた加算電圧が第1電極に加えられるトランジ
スタと、該トランジスタの第2電極と前記直流増
幅器の反転入力端子とを結ぶ負帰還路と、前記ト
ランジスタの第2電極と接地間に接続された変更
可能な抵抗とを具備し、前記トランジスタの第3
電極から出力を取り出すようにしたことを特徴と
する広帯域増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4757279U JPS6115622Y2 (ja) | 1979-04-12 | 1979-04-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4757279U JPS6115622Y2 (ja) | 1979-04-12 | 1979-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55148208U JPS55148208U (ja) | 1980-10-24 |
| JPS6115622Y2 true JPS6115622Y2 (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=28929675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4757279U Expired JPS6115622Y2 (ja) | 1979-04-12 | 1979-04-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6115622Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970304A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 広帯域直流増巾器 |
| JPS5975157A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-27 | テクトロニクス・インコ−ポレイテツド | トリガ回路 |
| JPS59189318U (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-15 | 株式会社ケンウッド | 広帯域増幅回路 |
-
1979
- 1979-04-12 JP JP4757279U patent/JPS6115622Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55148208U (ja) | 1980-10-24 |
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