JPS61113758A - 薄膜を被覆されたプラスチツクフイルムの製造方法 - Google Patents
薄膜を被覆されたプラスチツクフイルムの製造方法Info
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- JPS61113758A JPS61113758A JP23609284A JP23609284A JPS61113758A JP S61113758 A JPS61113758 A JP S61113758A JP 23609284 A JP23609284 A JP 23609284A JP 23609284 A JP23609284 A JP 23609284A JP S61113758 A JPS61113758 A JP S61113758A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造
方法に関し、さらに詳しくは気相メッキ法により、表面
に酸素や炭酸ガス等に対するバリヤー性の優れた無機物
（金属を含む）の薄膜を被覆された、プラスチックフィ
ルムの製造方法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは気相メッキ法により、表面
に酸素や炭酸ガス等に対するバリヤー性の優れた無機物
（金属を含む）の薄膜を被覆された、プラスチックフィ
ルムの製造方法に関する。
（従来の技術）
° 食品等を収納するためのパウチ等の素材となるプラ
スチックフィルムは、水分、酸素や炭酸ガス等のガス、
あるいは匂等に対するバリヤー性の優れたものが望まれ
る場合が多い。
スチックフィルムは、水分、酸素や炭酸ガス等のガス、
あるいは匂等に対するバリヤー性の優れたものが望まれ
る場合が多い。
このバリヤー性を確保するため、従来はプラスチックフ
ィルムにアルミニウム箔等の金属箔（厚さは通常約９μ
ｍ以上）を積層した積層体フィルムが・ぐウチ等の素材
として主として用いられてきた。
ィルムにアルミニウム箔等の金属箔（厚さは通常約９μ
ｍ以上）を積層した積層体フィルムが・ぐウチ等の素材
として主として用いられてきた。
しかしながら金属箔は不透明であるので、上記積層体フ
ィルムよシ作られた・ぐウチの場合、中身が見えないと
いう不満が存する。さらに金属箔は比較的高価であるの
で、上記積層体フィルムもコストが高いという経済的不
利を有する。
ィルムよシ作られた・ぐウチの場合、中身が見えないと
いう不満が存する。さらに金属箔は比較的高価であるの
で、上記積層体フィルムもコストが高いという経済的不
利を有する。
その対策として、けい素やアルミニウムの酸化物、ある
いは金属アルミニウム等の無機物の薄膜（厚さは例えば
１ｏｏｏＸ）が、プラスチックフィルムに気相メッキ法
によって被覆された、薄膜被覆プラスチ、クフイルムを
用いることが提案されている（例えば実開昭４９−５０
５６３号公報）。
いは金属アルミニウム等の無機物の薄膜（厚さは例えば
１ｏｏｏＸ）が、プラスチックフィルムに気相メッキ法
によって被覆された、薄膜被覆プラスチ、クフイルムを
用いることが提案されている（例えば実開昭４９−５０
５６３号公報）。
この種の薄膜は通常透明（例えば酸化けい素膜の場合）
又は半透明である。なお本明細書において気相メッキ法
とは、真空蒸着法、イオン７″レーティ／グ法、ス・や
、ターリング法等の気相における無機物の被覆法を指称
する。
又は半透明である。なお本明細書において気相メッキ法
とは、真空蒸着法、イオン７″レーティ／グ法、ス・や
、ターリング法等の気相における無機物の被覆法を指称
する。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の気相メッキ法は主として装飾効果を目的としたも
のである。そのため従来の気相メッキ法によって形成さ
れた薄膜は、バリヤー性、特にガスバリヤ−性が十分で
ない。
のである。そのため従来の気相メッキ法によって形成さ
れた薄膜は、バリヤー性、特にガスバリヤ−性が十分で
ない。
＋ （発明の目的）
本発明は、気相メッキ法により、バリヤー性の優れた無
機物の薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方
法を提供することを目的とする。
機物の薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方
法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
本発明によれば、表面に気相メッキ法によシ無機物の薄
膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方法におい
て、少なくとも該被覆の初期の間、該無機物の蒸気の飛
来線の、該表面に対する入射角が、３０〜９０度の範囲
内にあるようにして該゛被覆を行なうことを特徴とする
、バリヤー性の優れた無機物の薄膜を被覆されたプラス
チックフィルムの製造方法が提供される。
膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方法におい
て、少なくとも該被覆の初期の間、該無機物の蒸気の飛
来線の、該表面に対する入射角が、３０〜９０度の範囲
内にあるようにして該゛被覆を行なうことを特徴とする
、バリヤー性の優れた無機物の薄膜を被覆されたプラス
チックフィルムの製造方法が提供される。
（実施例）
以下図面を参照しながら本発明について説明する。
第１図、第２図、第３図において、１はプラスチックフ
ィルム、例えば２軸延伸ぼりエチレンテ、 し７タレー
トフイルムであって、フィルム１をコイル状に巻いた送
出しリール（図示されない）から矢印Ａ方向に送られ、
冷却水１３が貫流する冷 、・１却支持ロール１０に
巻付部６において巻付けられ、薄膜４を被覆された後、
巻取シリール（図示されない）に巻取られる。
ィルム、例えば２軸延伸ぼりエチレンテ、 し７タレー
トフイルムであって、フィルム１をコイル状に巻いた送
出しリール（図示されない）から矢印Ａ方向に送られ、
冷却水１３が貫流する冷 、・１却支持ロール１０に
巻付部６において巻付けられ、薄膜４を被覆された後、
巻取シリール（図示されない）に巻取られる。
２は図示されないボートに収納された無機物、（例えば
ＳｉＯ） 、すなわち蒸発源でちゃ、巻付部６に対向し
て、その中心が支持ロール１０の軸心の真下に位置する
ように配設されている。支持ロール１０、各リールおよ
び蒸発源２は、図示されない真空チャン・々−内に収納
されている。
ＳｉＯ） 、すなわち蒸発源でちゃ、巻付部６に対向し
て、その中心が支持ロール１０の軸心の真下に位置する
ように配設されている。支持ロール１０、各リールおよ
び蒸発源２は、図示されない真空チャン・々−内に収納
されている。
蒸発源２からは原子状又は分子状の蒸気３が蒸発する。
蒸気３は巻付部６におけるプラスチックフィルム１の表
面に達して、薄膜４を表面に被覆形成する。
面に達して、薄膜４を表面に被覆形成する。
本発ノ者等は、バリヤー性の優れた薄膜４を被覆するた
めには、少なくとも被覆の初期の間、蒸気３の飛来線５
の、薄膜４の被覆されるべき表面、この場合は巻付部６
上のフィルム１の外面に対する入射角θが３０〜９０度
の範囲内にあることが重要なことを見出した。ここに入
射角θは、表面が曲面の場合、巻付部の表面の任意の点
ｍにおける法線１５と、点ｍと最長距離にある蒸発源２
上の点ｎより点ｍに向う飛来線５とのなす角度のうち、
９０度以下の角をθ′とし、その余角として定義される
。
めには、少なくとも被覆の初期の間、蒸気３の飛来線５
の、薄膜４の被覆されるべき表面、この場合は巻付部６
上のフィルム１の外面に対する入射角θが３０〜９０度
の範囲内にあることが重要なことを見出した。ここに入
射角θは、表面が曲面の場合、巻付部の表面の任意の点
ｍにおける法線１５と、点ｍと最長距離にある蒸発源２
上の点ｎより点ｍに向う飛来線５とのなす角度のうち、
９０度以下の角をθ′とし、その余角として定義される
。
また被覆の初期とは、通常平均厚さ約３００Ｘの薄膜が
形成されるまでの時期を指称する。
形成されるまでの時期を指称する。
（作用）
被覆の初期に、入射角θが３０度より小さい飛来線によ
って形成された薄膜は、肉眼的観察では、被覆の初期に
入射角θが３０度以上の飛来線によって形成された薄膜
と同様であるが、後記の具体例に示すように、微視的観
察によれば、膜表面には微細な凹凸がみもれ、後者の薄
膜のように膜表面が平滑緻密でない。そして酸素透過係
数も、前者の方が後者に比べて遥かに大きい。前者の薄
膜は微視的には不連続的に形成されたものであって、そ
のためバリヤー性に乏しいものと考えられる。
って形成された薄膜は、肉眼的観察では、被覆の初期に
入射角θが３０度以上の飛来線によって形成された薄膜
と同様であるが、後記の具体例に示すように、微視的観
察によれば、膜表面には微細な凹凸がみもれ、後者の薄
膜のように膜表面が平滑緻密でない。そして酸素透過係
数も、前者の方が後者に比べて遥かに大きい。前者の薄
膜は微視的には不連続的に形成されたものであって、そ
のためバリヤー性に乏しいものと考えられる。
一方後者の薄膜は微視的にも連続的に形成され、バリヤ
ー性が高い。
ー性が高い。
被覆の初期に入射角θが３０〜９０度の範囲にあるよう
にして、微視的に連続な薄膜を形成した後に、入射角θ
が３０度よシ小さい条件で被覆分桁なった場合は、バリ
ヤー性が損なわれることな ゛く、むしろ厚さの増加に
もとづくバリヤー性の若干の向上が認められる。一方被
覆の初期に入射角θが３０度より小さい条件で薄膜を形
成した後、入射角θが３０〜９０度の範囲内にあるよう
にして被覆を続けても、バリヤー性の向上は見られない
。初期薄膜の微視的不連続性が、その後に形成される薄
膜の組織に遺伝するためと推測される。
にして、微視的に連続な薄膜を形成した後に、入射角θ
が３０度よシ小さい条件で被覆分桁なった場合は、バリ
ヤー性が損なわれることな ゛く、むしろ厚さの増加に
もとづくバリヤー性の若干の向上が認められる。一方被
覆の初期に入射角θが３０度より小さい条件で薄膜を形
成した後、入射角θが３０〜９０度の範囲内にあるよう
にして被覆を続けても、バリヤー性の向上は見られない
。初期薄膜の微視的不連続性が、その後に形成される薄
膜の組織に遺伝するためと推測される。
第１図において最もよく明示されるように、プラスチ、
クフイルム１の長手方向の入射角θが３０度より小さい
飛来線５を遮断するだめの、水平スリット板８が蒸発源
２と支持ロール１０との間に設けられている。すなわち
スＪｙ）８ｘを通過する最上流側の飛来線５ａのプラス
チックフィルム１の表面に対する入射角θ１、および最
下流側の飛来線５ｂのプラスチックフィルム１０表面、
に対する入射角θ２が、何れも３０度、もしくは、
それよりも僅かに大きくなるように設定されている。角
θＩ 、θ２をこのように設定したのは、形成される薄
膜４のバリヤー性が確保される範囲内で、飛来線５、す
なわち蒸気３に曝露されるフィルム表面の面積をできる
ため大きくして、薄膜形成速度を大きくするためである
。
クフイルム１の長手方向の入射角θが３０度より小さい
飛来線５を遮断するだめの、水平スリット板８が蒸発源
２と支持ロール１０との間に設けられている。すなわち
スＪｙ）８ｘを通過する最上流側の飛来線５ａのプラス
チックフィルム１の表面に対する入射角θ１、および最
下流側の飛来線５ｂのプラスチックフィルム１０表面、
に対する入射角θ２が、何れも３０度、もしくは、
それよりも僅かに大きくなるように設定されている。角
θＩ 、θ２をこのように設定したのは、形成される薄
膜４のバリヤー性が確保される範囲内で、飛来線５、す
なわち蒸気３に曝露されるフィルム表面の面積をできる
ため大きくして、薄膜形成速度を大きくするためである
。
また第２図において最もよく明示されるように、プラス
チックフィルム１０幅が広い場合、幅方向の入射角θが
３０度より小さい飛来線５を遮断するための、垂直遮蔽
板９が、支持ロール１０と蒸発源２の間に設けられてい
る。この場合も、遮蔽板９の上端を通過する蒸発源２の
右端２ａおよび左端２ｂよりの、夫々の飛来線５ｃおよ
び５ｄの、プラスチックフィルム１の表面に対する最小
の入射角θ３およびθ４が、何れも３０度、もしくはこ
れよシ僅かに大きくなるように、遮蔽板９は配設されて
いる。従って遮蔽板９と支持ロール１０間の間隙、すな
わちスリッ）９Ｘを通過するすべての飛来線５のなす入
射角θは３０度より大きい。
チックフィルム１０幅が広い場合、幅方向の入射角θが
３０度より小さい飛来線５を遮断するための、垂直遮蔽
板９が、支持ロール１０と蒸発源２の間に設けられてい
る。この場合も、遮蔽板９の上端を通過する蒸発源２の
右端２ａおよび左端２ｂよりの、夫々の飛来線５ｃおよ
び５ｄの、プラスチックフィルム１の表面に対する最小
の入射角θ３およびθ４が、何れも３０度、もしくはこ
れよシ僅かに大きくなるように、遮蔽板９は配設されて
いる。従って遮蔽板９と支持ロール１０間の間隙、すな
わちスリッ）９Ｘを通過するすべての飛来線５のなす入
射角θは３０度より大きい。
プラスチックフィルム１への薄膜４の被覆は例、ｔＨ？
ｘｏ ｊ 球Ｌｆｆｆｉ＆ｂｈ６、−Ｘ封“７ ′＜
、。
ｘｏ ｊ 球Ｌｆｆｆｉ＆ｂｈ６、−Ｘ封“７ ′＜
、。
内に、プラスチックフィルム１をコイル状に巻取った送
出しリールを装着し、フィルム１の先端部を支持ロール
１０に巻付けて、巻取シリールに取付ける。次にチャン
バーを真空にし、所定の真空度に達した後、シャ、ター
（図示されない）を閉じた状態で、無機物２を加熱し、
蒸発させる。直ちにシャッターを開く。この時点でプラ
スチックフィルム１は矢印入方向に走行している。スリ
ット板８、ならびに遮蔽板９のため、入射角θが３０〜
９０度の範囲内のみの飛来線５によって、プラスチック
フィルム表面に薄膜４が被覆される。
出しリールを装着し、フィルム１の先端部を支持ロール
１０に巻付けて、巻取シリールに取付ける。次にチャン
バーを真空にし、所定の真空度に達した後、シャ、ター
（図示されない）を閉じた状態で、無機物２を加熱し、
蒸発させる。直ちにシャッターを開く。この時点でプラ
スチックフィルム１は矢印入方向に走行している。スリ
ット板８、ならびに遮蔽板９のため、入射角θが３０〜
９０度の範囲内のみの飛来線５によって、プラスチック
フィルム表面に薄膜４が被覆される。
プラスチ、クフィルム１の走行速度は、所定最小厚さ、
例えば最小厚さｘｏｏｏ久の薄膜４が形成されるように
設定される。送出しリール上のプラスチックフィルム１
のほぼ全部、もしくは所望長さにわたって薄膜４が形成
された後、シャッターを閉じる。
例えば最小厚さｘｏｏｏ久の薄膜４が形成されるように
設定される。送出しリール上のプラスチックフィルム１
のほぼ全部、もしくは所望長さにわたって薄膜４が形成
された後、シャッターを閉じる。
なおθ２が３０度の場合の飛来線５ｂが、プラスチック
フィルムｌに当る位置Ｐ（第１図）に、プラスチックフ
ィルム１が達するまでに、その表面に厚さ約３００Ｘの
薄膜が形成される場合は、下流側のスリット板８ａを用
いなくてもよい。この場合は被覆の初期に位置Ｐよシ下
流側のプラスチックフィルム１０部分に、入射角θが３
０度より小さい飛来線５により被覆されるので、この部
分の薄膜のみが、バリヤー性の乏しいものとなる。
フィルムｌに当る位置Ｐ（第１図）に、プラスチックフ
ィルム１が達するまでに、その表面に厚さ約３００Ｘの
薄膜が形成される場合は、下流側のスリット板８ａを用
いなくてもよい。この場合は被覆の初期に位置Ｐよシ下
流側のプラスチックフィルム１０部分に、入射角θが３
０度より小さい飛来線５により被覆されるので、この部
分の薄膜のみが、バリヤー性の乏しいものとなる。
従ってこの部分を除けば、残りは全部バリヤー性の優れ
た薄膜４が被覆される。
た薄膜４が被覆される。
（発明の効果）
本発明によればプラスチックフィルムの表面にバリヤー
性の優れた無機物の薄膜を、気相メッキ法によって被覆
することができるという効果を奏する。
性の優れた無機物の薄膜を、気相メッキ法によって被覆
することができるという効果を奏する。
（具体例）
以下具体例について説明する。
具体例１
直径３００閣、長さ５００＋ｍｇの支持ロール１０、お
よび送出しリール、巻取りリール、ならびに蒸発源２で
ある一酸化けい素（ＳｉＯ）を収容する、アルミナコー
トされたタングステン製が−ト（内径２０ ｗｎ ；図
示されない）、およびテートの抵抗加熱装置を備えた、
第１図、第２図、第３図に示すタイプのステンレス製真
空蒸発装置の、送出しリールに厚さ２５μｍ１幅４５０
ｒａｎ 、長さ１０００ ｍの２軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルムを装着して、６■分の速度でフ
ィルムを送りながら、真空度５Ｘ１０Ｔｏｒｒの下で、
このフィルムの表面に酸化けい素の薄膜を真空蒸着によ
り被覆した。
よび送出しリール、巻取りリール、ならびに蒸発源２で
ある一酸化けい素（ＳｉＯ）を収容する、アルミナコー
トされたタングステン製が−ト（内径２０ ｗｎ ；図
示されない）、およびテートの抵抗加熱装置を備えた、
第１図、第２図、第３図に示すタイプのステンレス製真
空蒸発装置の、送出しリールに厚さ２５μｍ１幅４５０
ｒａｎ 、長さ１０００ ｍの２軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフイルムを装着して、６■分の速度でフ
ィルムを送りながら、真空度５Ｘ１０Ｔｏｒｒの下で、
このフィルムの表面に酸化けい素の薄膜を真空蒸着によ
り被覆した。
弗素樹脂よりなる水平スリット板８の上面のし被ルト、
支持ロール１０の下端のレベルが一致するようにスリッ
ト板８を配設し、かつ厚さ１ｗｎ、高さ６０間の弗素樹
脂よりなる垂直遮蔽板９を、その上端のレベルが水平ス
リット板８の上面レベルより４０＋ｓ低くなるように配
設した。また蒸発源２の上面と遮蔽板９の下端のレベル
が一致するように配設した。そして水平スリット板のス
リット８ｘの幅ｆ（第１図）、および各蒸発源２およ・
び各垂直遮蔽板９の、フィルム１の側端部からの・１ 距離ならびに互の間隔ａ ｒ ｂ ＋ ｅ ＋ ｄ （
第２図）を、第１表に示すように変えて、少なくともフ
ィルム１の中央部の幅１５０＋ｎにわたる領域Ｒにおけ
る入射角θが第１表に示す範囲内に入るようにした。
支持ロール１０の下端のレベルが一致するようにスリッ
ト板８を配設し、かつ厚さ１ｗｎ、高さ６０間の弗素樹
脂よりなる垂直遮蔽板９を、その上端のレベルが水平ス
リット板８の上面レベルより４０＋ｓ低くなるように配
設した。また蒸発源２の上面と遮蔽板９の下端のレベル
が一致するように配設した。そして水平スリット板のス
リット８ｘの幅ｆ（第１図）、および各蒸発源２およ・
び各垂直遮蔽板９の、フィルム１の側端部からの・１ 距離ならびに互の間隔ａ ｒ ｂ ＋ ｅ ＋ ｄ （
第２図）を、第１表に示すように変えて、少なくともフ
ィルム１の中央部の幅１５０＋ｎにわたる領域Ｒにおけ
る入射角θが第１表に示す範囲内に入るようにした。
領域Ｒより採取した上記のフィルム試料（Ａ １〜４）
について、酸素透過度、および薄膜の酸素透過係数を求
めた結果を第１表に示す。比較のためスリット板および
遮蔽板を用いない点を除いては前記と同様にして作製、
採取した試料（Ａ５）、および薄膜形成前のフィルム（
＆６）について酸素透過度および酸素透過係数を求めた
結果も第１表に示す。
について、酸素透過度、および薄膜の酸素透過係数を求
めた結果を第１表に示す。比較のためスリット板および
遮蔽板を用いない点を除いては前記と同様にして作製、
採取した試料（Ａ５）、および薄膜形成前のフィルム（
＆６）について酸素透過度および酸素透過係数を求めた
結果も第１表に示す。
また試料Ａ ２ 、Ａ ４および煮５の領域Ｒに形成さ
れた、酸化けい素薄膜の透過電子顕微鏡微写真（倍率７
００００’）を夫れ夫れ、第４図、第５図および第６図
に示す。
れた、酸化けい素薄膜の透過電子顕微鏡微写真（倍率７
００００’）を夫れ夫れ、第４図、第５図および第６図
に示す。
（３） 酸化ケイ素薄膜を被覆したフィルムと、被覆
していないフィルムの酸素透過度をそれぞれ測定する。
していないフィルムの酸素透過度をそれぞれ測定する。
次に次式に従って酸化ケイ素薄膜を被覆したフィルム及
び被覆していないフィルムの酸素透過係数を算出する。
び被覆していないフィルムの酸素透過係数を算出する。
Ｐｏ２ ＝＝ ”” ” （ＣＣ冑侵・ｓ
ｅｃｙｍＨｇ：）１００００ｘ２４ｘ３６００ｘ７に こで Ｑｏ２ ：酸素ガス透過度［：ｃｃ／ｍ −ｄ ａｙ−
ａ ｔｍ〕ｔ：フィルムの平均厚み（、） そして酸化ケイ素薄膜の酸素ガス透過係数Ｐ２（ＰＯ２
）を、次の関係式より求める。
ｅｃｙｍＨｇ：）１００００ｘ２４ｘ３６００ｘ７に こで Ｑｏ２ ：酸素ガス透過度［：ｃｃ／ｍ −ｄ ａｙ−
ａ ｔｍ〕ｔ：フィルムの平均厚み（、） そして酸化ケイ素薄膜の酸素ガス透過係数Ｐ２（ＰＯ２
）を、次の関係式より求める。
ここで
Ｐｌ 二酸化ケイ素薄膜を被覆していないフィルムから
求めたその樹脂の酸素透過係 数［ｃｃ−□ｃｍ” ＠ １１１！ ｃ −ｃｍＨｇ：
］ｔ１ ：Ｐｌを求めたフィルムの平均厚み〔儒〕Ｐ２
二酸化ケイ素薄膜の酸素ガス透過係数［ｅｃ−ａ＋３
／ｃｙ２１１ｓ ｅ ｃ ・ｃｍＨ，ｇ ）ｔ２ｓフィ
ルムに被覆した酸化ケイ素薄膜の平均膜厚〔α〕 Ｐ３ 二酸化ケイ素薄膜を被覆しだフィルムから求めた
その樹脂及び酸化ケイ素薄膜積層体の酸素透過係数〔Ｃ
Ｃ−ｃｒｔｙ’ｃｍ２・ｓ ｅ ｃ −ｃｎ Ｈｇ 、
ｌ］１３ ： １１ ＋ｔ２
求めたその樹脂の酸素透過係 数［ｃｃ−□ｃｍ” ＠ １１１！ ｃ −ｃｍＨｇ：
］ｔ１ ：Ｐｌを求めたフィルムの平均厚み〔儒〕Ｐ２
二酸化ケイ素薄膜の酸素ガス透過係数［ｅｃ−ａ＋３
／ｃｙ２１１ｓ ｅ ｃ ・ｃｍＨ，ｇ ）ｔ２ｓフィ
ルムに被覆した酸化ケイ素薄膜の平均膜厚〔α〕 Ｐ３ 二酸化ケイ素薄膜を被覆しだフィルムから求めた
その樹脂及び酸化ケイ素薄膜積層体の酸素透過係数〔Ｃ
Ｃ−ｃｒｔｙ’ｃｍ２・ｓ ｅ ｃ −ｃｎ Ｈｇ 、
ｌ］１３ ： １１ ＋ｔ２
第１図は本発明を実施する装置の例の要部説明用一部切
断側面図、第２図は第１図の装置の一部切断正面図、第
３図は第１図の装置の底面図、第４図、第５図は飛来線
の入射角が本発明の範囲内にある場合、第６図は飛来線
の入射角が比較例の場合の薄膜の透過電子顕微鏡写真で
ある。 １・・・プラスチックフィルム、３・・・蒸気、４・・
・薄膜、５・・・飛来線、８ｘ、９ｘ・・・スリット。 ｆ） 第 １ 図 ＠２図 Ｊ（’＋・、４ 閃 ′苧 Ｊ ：ｉ＜“１ 第 ６ 図 手 続 補 正 書（方式） 昭和６０年７月 ３ 日 昭和５９年特許願第２３６０９２号 ２ 発明の名称 薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県横浜市金沢区釜利谷町４４３９４ 代
理 人 〒２４８住所 神奈川県鎌倉市
西鎌倉二丁目１４番１３号電話 ０４６７−３１−６
０９２ ５ 補正命令の日付 昭和６０年２月２６日（（発送日） ６ 補正の対象 明細書の１ 発明の詳細な説明 １．１ 図面の簡単
な説明 、の欄、および図面 ７ 補正の内容 （１） 明細書第１３頁の第１表を別紙の通り補正す
る。 ゛ （２）同第１５頁第１１〜１４行に、′、第４図・・・
電子顕微鏡写真 、とあるのを削除する。 （３）図面の第４図、第５図および第６図を削除する。 １゜ 手 続 補 正 書 昭和６０年３月１千日 昭和５９年特許願第２３６０９２号 ２ 発明の名称 薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県横浜市金沢区釜利谷町４４３９電話
０３−４３７−１８８９ ５ 補正命令の日付 自発 ６ 補正の対象 明細書の「 発明の詳細な説明」の欄 ７ 補正の内容 （１） 明細書第６頁第８〜９行に、「 後記の・・
・示すように、 」とあるのを、′透過電子顕微鏡写真
による 」に補正する。 （り同第１２頁第１２〜１３行に、′ 夫れ夫れ本 ・・・に≠毒す。 、とあるのを、１″ 観察した。 、に補正する。
断側面図、第２図は第１図の装置の一部切断正面図、第
３図は第１図の装置の底面図、第４図、第５図は飛来線
の入射角が本発明の範囲内にある場合、第６図は飛来線
の入射角が比較例の場合の薄膜の透過電子顕微鏡写真で
ある。 １・・・プラスチックフィルム、３・・・蒸気、４・・
・薄膜、５・・・飛来線、８ｘ、９ｘ・・・スリット。 ｆ） 第 １ 図 ＠２図 Ｊ（’＋・、４ 閃 ′苧 Ｊ ：ｉ＜“１ 第 ６ 図 手 続 補 正 書（方式） 昭和６０年７月 ３ 日 昭和５９年特許願第２３６０９２号 ２ 発明の名称 薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県横浜市金沢区釜利谷町４４３９４ 代
理 人 〒２４８住所 神奈川県鎌倉市
西鎌倉二丁目１４番１３号電話 ０４６７−３１−６
０９２ ５ 補正命令の日付 昭和６０年２月２６日（（発送日） ６ 補正の対象 明細書の１ 発明の詳細な説明 １．１ 図面の簡単
な説明 、の欄、および図面 ７ 補正の内容 （１） 明細書第１３頁の第１表を別紙の通り補正す
る。 ゛ （２）同第１５頁第１１〜１４行に、′、第４図・・・
電子顕微鏡写真 、とあるのを削除する。 （３）図面の第４図、第５図および第６図を削除する。 １゜ 手 続 補 正 書 昭和６０年３月１千日 昭和５９年特許願第２３６０９２号 ２ 発明の名称 薄膜を被覆されたプラスチックフィルムの製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県横浜市金沢区釜利谷町４４３９電話
０３−４３７−１８８９ ５ 補正命令の日付 自発 ６ 補正の対象 明細書の「 発明の詳細な説明」の欄 ７ 補正の内容 （１） 明細書第６頁第８〜９行に、「 後記の・・
・示すように、 」とあるのを、′透過電子顕微鏡写真
による 」に補正する。 （り同第１２頁第１２〜１３行に、′ 夫れ夫れ本 ・・・に≠毒す。 、とあるのを、１″ 観察した。 、に補正する。
Claims (2)
- （１）表面に気相メッキ法により無機物の薄膜を被覆さ
れたプラスチックフィルムの製造方法において、少なく
とも該被覆の初期の間、該無機物の蒸気の飛来線の該表
面に対する入射角が、３０〜９０度の範囲内にあるよう
にして該被覆を行なうことを特徴とする、バリヤー性の
優れた無機物の薄膜を被覆されたプラスチックフィルム
の製造方法。 - （２）スリットを設けて該飛来線の該表面に対する入射
角が３０〜９０度の範囲内にあるようにした、特許請求
の範囲第１項記載のプラスチックフィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23609284A JPS61113758A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 薄膜を被覆されたプラスチツクフイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23609284A JPS61113758A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 薄膜を被覆されたプラスチツクフイルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113758A true JPS61113758A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH0565588B2 JPH0565588B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=16995602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23609284A Granted JPS61113758A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 薄膜を被覆されたプラスチツクフイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113758A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192808A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Ulvac Japan Ltd | 透明ＡｌＯｘバリア膜の形成方法及び製造装置 |
| JP2009209415A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性蒸着フィルム |
| JP2010222640A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルムの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4950563U (ja) * | 1972-08-11 | 1974-05-02 | ||
| JPS4958171A (ja) * | 1972-10-06 | 1974-06-05 | ||
| JPS54141391A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of metallized film |
| JPS5839740U (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | ソニー株式会社 | 蒸着テ−プ製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IN141923B (ja) * | 1974-09-28 | 1977-05-07 | Schade Maschf Gustav |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP23609284A patent/JPS61113758A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4950563U (ja) * | 1972-08-11 | 1974-05-02 | ||
| JPS4958171A (ja) * | 1972-10-06 | 1974-06-05 | ||
| JPS54141391A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of metallized film |
| JPS5839740U (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-15 | ソニー株式会社 | 蒸着テ−プ製造装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192808A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-17 | Ulvac Japan Ltd | 透明ＡｌＯｘバリア膜の形成方法及び製造装置 |
| JP2009209415A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性蒸着フィルム |
| JP2010222640A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | ガスバリアフィルムの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0565588B2 (ja) | 1993-09-20 |
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