JPS61113279A - 光サイリスタ - Google Patents
光サイリスタInfo
- Publication number
- JPS61113279A JPS61113279A JP59235588A JP23558884A JPS61113279A JP S61113279 A JPS61113279 A JP S61113279A JP 59235588 A JP59235588 A JP 59235588A JP 23558884 A JP23558884 A JP 23558884A JP S61113279 A JPS61113279 A JP S61113279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turn
- thyristor
- recess
- emitter layer
- cathode electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1012—Base regions of thyristors
- H01L29/102—Cathode base regions of thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、増幅ゲート構造を有する光サイリスタに関す
る。
る。
光サイリスタにおいても、ターンオン時の主電流の広が
り速度が速くなるように増幅ゲート構造を備えたものが
知られている。第２図はそのような光サイリスタを示し
、三つの接合Ｊｌ、 Ｊ！、 Ｊｓを挟むｐｎｐｎ構造
を有する半導体素体の表面に光トリガ感度を高めるため
に凹状に加工された光照射領域ｌとカソード端子Ｋに接
続されるカソード電極２に接触される主ｎエミッタ層３
との間に補助ｎエミッタ層４．５が設けられ、それぞれ
ｐベース層と短絡する補助カソード電極６．７によって
接触されている。このような光サイリスクでは光トリガ
感度を高めるためにｐベース層８のシート抵抗を低めて
いるので、ターンオン時に補助サイリスクのゲート部に
有効に電流が注入されず、特に抵抗の低い表面層を通っ
て主サイリスタのカソード電極２へと流れる。このよう
に無効電流が多くなると、ターンオン時の電流床がりが
悪くなり、ターンオン損失が大きくなるという問題があ
った。
り速度が速くなるように増幅ゲート構造を備えたものが
知られている。第２図はそのような光サイリスタを示し
、三つの接合Ｊｌ、 Ｊ！、 Ｊｓを挟むｐｎｐｎ構造
を有する半導体素体の表面に光トリガ感度を高めるため
に凹状に加工された光照射領域ｌとカソード端子Ｋに接
続されるカソード電極２に接触される主ｎエミッタ層３
との間に補助ｎエミッタ層４．５が設けられ、それぞれ
ｐベース層と短絡する補助カソード電極６．７によって
接触されている。このような光サイリスクでは光トリガ
感度を高めるためにｐベース層８のシート抵抗を低めて
いるので、ターンオン時に補助サイリスクのゲート部に
有効に電流が注入されず、特に抵抗の低い表面層を通っ
て主サイリスタのカソード電極２へと流れる。このよう
に無効電流が多くなると、ターンオン時の電流床がりが
悪くなり、ターンオン損失が大きくなるという問題があ
った。
本発明は、光サイリスタの光照射領域下の中央接合１８
部近傍に発生した電子・正孔対、すなわち励起電流を有
効に利用して光点弧感度を下げることなくターンオン時
に発生するエネルギーｔＲ失を小さくすることを目的と
する。
部近傍に発生した電子・正孔対、すなわち励起電流を有
効に利用して光点弧感度を下げることなくターンオン時
に発生するエネルギーｔＲ失を小さくすることを目的と
する。
本発明によれば、光照射領域を囲む補助エミッタ層と主
エミッタ層の間の表面に露出するベース層に主エミッタ
層に隣接して凹部が設けられることにより、表面層を流
れる無効電流を減少させて上記の目的を達成する。
エミッタ層の間の表面に露出するベース層に主エミッタ
層に隣接して凹部が設けられることにより、表面層を流
れる無効電流を減少させて上記の目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この場合、外側の補助
サイリスクおよび主サイリスタのゲート部にあたる部分
をエツチングして、それぞれ−■および一寡の深さを有
する凹部１１，１２を形成する。１１１および一寓の値
は１０μ醜〜４０μ−の範囲で定められ、これにより表
面層を通りカソード電極に流れ込む無効電流を少なくす
ることができる。凹部１１のみを設けたときには、ター
ンオン損失の変化がなかつたが、凹部１２も設けること
によりターンオン損失が減少する。第３図はターンオン
損失を時間の関数として示したもので、凹部１１，１２
を設けないときの曲線３１に対し、最適の１を３５μ■
、Ｗ、を４５μ園に選定したときは曲線３２となり、最
大ターンオン損失が３０に一減少した０曲線３３は凹部
１２のみを設けたときで、補助エミッタ層５により形成
される補助サイリスタのターンオン損失が大きくなる。 Ｉｌｌ、１１ｆｆの最適値は、光サイリスタゲート部の
各パターンなどにより異なり、種々のパターンの光サイ
リスタゲート部のｔ＜、 、 ｉｔ、を適当に制御する
ことによりその光サイリスタにエネルギー損失の少ない
最適のターンオンを確保することができる。 補助サイリスタが一つのみ設けられる増幅ゲート構造の
光サイリスクにおいては、主エミッタ層の内側にのみ凹
部を設けることにより同様の効果を得ることができる。
には同一の符号が付されている。この場合、外側の補助
サイリスクおよび主サイリスタのゲート部にあたる部分
をエツチングして、それぞれ−■および一寡の深さを有
する凹部１１，１２を形成する。１１１および一寓の値
は１０μ醜〜４０μ−の範囲で定められ、これにより表
面層を通りカソード電極に流れ込む無効電流を少なくす
ることができる。凹部１１のみを設けたときには、ター
ンオン損失の変化がなかつたが、凹部１２も設けること
によりターンオン損失が減少する。第３図はターンオン
損失を時間の関数として示したもので、凹部１１，１２
を設けないときの曲線３１に対し、最適の１を３５μ■
、Ｗ、を４５μ園に選定したときは曲線３２となり、最
大ターンオン損失が３０に一減少した０曲線３３は凹部
１２のみを設けたときで、補助エミッタ層５により形成
される補助サイリスタのターンオン損失が大きくなる。 Ｉｌｌ、１１ｆｆの最適値は、光サイリスタゲート部の
各パターンなどにより異なり、種々のパターンの光サイ
リスタゲート部のｔ＜、 、 ｉｔ、を適当に制御する
ことによりその光サイリスタにエネルギー損失の少ない
最適のターンオンを確保することができる。 補助サイリスタが一つのみ設けられる増幅ゲート構造の
光サイリスクにおいては、主エミッタ層の内側にのみ凹
部を設けることにより同様の効果を得ることができる。
本発明は、少なくとも主サイリスタ部のエミッタ層の補
助サイリスタのエミッタ層側に隣接する領域に凹部を形
成して、ターンオン時に表面層を通ってカソード電極に
流れ込む無効電流を減少せしめることによりターンオン
損失を低減するもので、エツチング操作のみで光点弧感
度に影響を与えないでエネルギー損失を低減することが
できる。
助サイリスタのエミッタ層側に隣接する領域に凹部を形
成して、ターンオン時に表面層を通ってカソード電極に
流れ込む無効電流を減少せしめることによりターンオン
損失を低減するもので、エツチング操作のみで光点弧感
度に影響を与えないでエネルギー損失を低減することが
できる。
第１図は本発明の一実施例による光サイリスタの要部断
面図、第２図は従来の光サイリスタの要部断面図、第３
図は本発明の一実施例と従来例の光サイリスタのターン
オン損失を時間の関数として示した縞図である。 １：光照射領域、２：カソード電極、３；主エミッタ層
、４．５：補助エミッタ層、１１．１２ ＋凹部 第１図 第２図 ベート→Ｉ（釦 手続補正書動式） ％式％ 特許庁−ｊｌ−官 −広一ぶ 学 殿１、事件の
表示 特願昭縁ノー２ミ遼せ１嘔３、補正をする者
出願え事件との関係 住 所 川崎市川１：５’ｒ、区田辺？Ｔ？田
１岳１号名 称 ＋５２３１富士電桟株式会社 （ほか 名） ４、代 理 人
面図、第２図は従来の光サイリスタの要部断面図、第３
図は本発明の一実施例と従来例の光サイリスタのターン
オン損失を時間の関数として示した縞図である。 １：光照射領域、２：カソード電極、３；主エミッタ層
、４．５：補助エミッタ層、１１．１２ ＋凹部 第１図 第２図 ベート→Ｉ（釦 手続補正書動式） ％式％ 特許庁−ｊｌ−官 −広一ぶ 学 殿１、事件の
表示 特願昭縁ノー２ミ遼せ１嘔３、補正をする者
出願え事件との関係 住 所 川崎市川１：５’ｒ、区田辺？Ｔ？田
１岳１号名 称 ＋５２３１富士電桟株式会社 （ほか 名） ４、代 理 人
Claims (1)
- １）増幅ゲート構造を有するものにおいて、光照射領域
を囲む補助エミッタ層と主エミッタ層の間の表面に露出
するベース層に主エミッタ層に隣接して凹部が設けられ
たことを特徴とする光サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235588A JPS61113279A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235588A JPS61113279A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113279A true JPS61113279A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16988222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235588A Pending JPS61113279A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 光サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113279A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267280A (en) * | 1975-11-03 | 1977-06-03 | Gen Electric | Radiation sensitive semiconductor device |
| JPS5718361A (en) * | 1980-05-23 | 1982-01-30 | Gen Electric | High voltage semiconductor device |
| JPS5785259A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Hitachi Ltd | Light drive type thyristor |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235588A patent/JPS61113279A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267280A (en) * | 1975-11-03 | 1977-06-03 | Gen Electric | Radiation sensitive semiconductor device |
| JPS5718361A (en) * | 1980-05-23 | 1982-01-30 | Gen Electric | High voltage semiconductor device |
| JPS5785259A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Hitachi Ltd | Light drive type thyristor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS609671B2 (ja) | 光点弧形サイリスタ | |
| JPS61113279A (ja) | 光サイリスタ | |
| US4214254A (en) | Amplified gate semiconductor controlled rectifier with reduced lifetime in auxiliary thyristor portion | |
| JPH0154865B2 (ja) | ||
| GB2035691A (en) | Light triggerable thyrisor | |
| JP2557818B2 (ja) | 逆導通ゲ−トタ−ンオフサイリスタ装置 | |
| US5804841A (en) | Optical trigger thyristor and fabrication method | |
| JPS589369A (ja) | トランジスタ | |
| JPS6148270B2 (ja) | ||
| JPS6249745B2 (ja) | ||
| JPS6016755B2 (ja) | 光点弧サイリスタ | |
| JPS59159567A (ja) | 光駆動型半導体制御整流装置 | |
| JPH0136262B2 (ja) | ||
| JPS5651868A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5923117B2 (ja) | サイリスタ | |
| KR100439849B1 (ko) | 고출력스위칭트랜지스터 | |
| JPS6348135Y2 (ja) | ||
| JPH08236749A (ja) | Ｇｔｏサイリスタ | |
| JPS58132972A (ja) | 高速光サイリスタ | |
| JPS61159764A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58118148A (ja) | 光点弧形双方向サイリスタ | |
| JPS63164468A (ja) | 光サイリスタ | |
| JPS6088469A (ja) | サイリスタ | |
| JPH07307456A (ja) | 光トリガサイリスタ | |
| JPS58212174A (ja) | 光点弧型サイリスタ |