JPS6079756A - 半導体モジユ−ル - Google Patents
半導体モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS6079756A JPS6079756A JP18764383A JP18764383A JPS6079756A JP S6079756 A JPS6079756 A JP S6079756A JP 18764383 A JP18764383 A JP 18764383A JP 18764383 A JP18764383 A JP 18764383A JP S6079756 A JPS6079756 A JP S6079756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- constituent
- metal substrate
- semiconductor module
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の鵬する技術分野〕
本発明は、共通金属支持板上に複数の同一半導体素子が
絶縁して固定され、互に接続されて回路を構成する半導
体モジュールに関する。
絶縁して固定され、互に接続されて回路を構成する半導
体モジュールに関する。
例えば第１図に示すように、それぞれダイオードＤが並
列接続さイまたパワートランジスタＴＲの６組から成る
トランジスタ・インバータ回路を共通金属支持板上に構
成してモジュール化するこξが使用上の便利さから望ま
れている。従来このようなモジュールは金属支持板上に
表面がメタライズされた複数のセラミック板をはんだ付
けし、各セラミック板上にそれぞわ半導体素子を固着し
た金属基板を取り付け、各４一属基版を共通に樹脂で被
覆して封止していた。しかしこの場合個々の半導体素子
の各ｆｉｉ特性は共通の樹脂封止後でなけわば測定する
ことができず、構成素子の一つに欠陥があってもモジュ
ール全体が不良ｌこなるので良品率の向上が内錐であっ
た。
列接続さイまたパワートランジスタＴＲの６組から成る
トランジスタ・インバータ回路を共通金属支持板上に構
成してモジュール化するこξが使用上の便利さから望ま
れている。従来このようなモジュールは金属支持板上に
表面がメタライズされた複数のセラミック板をはんだ付
けし、各セラミック板上にそれぞわ半導体素子を固着し
た金属基板を取り付け、各４一属基版を共通に樹脂で被
覆して封止していた。しかしこの場合個々の半導体素子
の各ｆｉｉ特性は共通の樹脂封止後でなけわば測定する
ことができず、構成素子の一つに欠陥があってもモジュ
ール全体が不良ｌこなるので良品率の向上が内錐であっ
た。
本発明はこれに対し構成半導体素子の個別に試験した後
絹立てることが可能でしかも組立ての簡単な半導体モジ
ュールを提供することを目的とする。
絹立てることが可能でしかも組立ての簡単な半導体モジ
ュールを提供することを目的とする。
本発明による半導体モジュールは複数の方形の底面を有
する同一構成単位を備え、各構成単位１４半導体素子を
支持する金Ｍ基板の底面が半導体素子の上および金属基
板の底面以外を包囲する樹脂体の底面と同一平面を伏し
、かつ樹脂体に底面に垂直な内通孔が設けられてなり、
その頁通孔に挿入されたねじにより絶縁ａを介して共通
金属支持板ｌこ互に隣接してねじ止めされることによっ
て上記の目的を達成する。
する同一構成単位を備え、各構成単位１４半導体素子を
支持する金Ｍ基板の底面が半導体素子の上および金属基
板の底面以外を包囲する樹脂体の底面と同一平面を伏し
、かつ樹脂体に底面に垂直な内通孔が設けられてなり、
その頁通孔に挿入されたねじにより絶縁ａを介して共通
金属支持板ｌこ互に隣接してねじ止めされることによっ
て上記の目的を達成する。
第２図は第１図のインバータ回路を形成する本発明の実
施例を示し、内部にトランジスタおよびダイオードの素
子を一つずつ含む６個の構成単位−１が絶僚板２を介し
て１枚の金属支持板３の上に取付けねじ４によって固定
され、各構成単位の端子間の接続あるいは補助端子板５
の端子への接続が行われている。各構成単位１にたいて
は、第３図に示したように半導体素子片６が金属基板７
の上に固着され、素子６の上面の！極がリード森８によ
って；！Ａ４１Ｑ７と＊ｓｑ片２１によって娩緑された
端子９と接続されている。金属基ｆ７７は第４図の下面
図に示すように六角形で、周禄部が樹脂成形体からなる
容器１０に埋めこまわ１１、底面が容器平面き同一平面
をなしている。容器１０には樹脂１１が注型され、基ｆ
！７の上の半導体素子、すなわちトランジスタＴＲ，ダ
イオードＤＯ）素子片を封止する。金属基板７の斜めの
辺と容器１０の相瞬る二辺によって形成される三角形の
区域に開口するＦ通孔１２が？≠器１０に設けらオフ、
構成単位１を固定する取付けねじ４はこの、１１通孔Ｊ
２に挿入される。このように基板７の斜辺の外側の区域
に取付は孔を設けるととｌこより構成単位の底面面Ｍを
節約することができる。絶縁板２としてはシリコーンゴ
ムシートあるいはポリエステルフィルムを使用すれば、
大面積のモジュールも容易に構成できる。なおこのよう
なシートあるいはフィルムを構成単位１の底面と接着す
ると熱伝、導が向上する。
施例を示し、内部にトランジスタおよびダイオードの素
子を一つずつ含む６個の構成単位−１が絶僚板２を介し
て１枚の金属支持板３の上に取付けねじ４によって固定
され、各構成単位の端子間の接続あるいは補助端子板５
の端子への接続が行われている。各構成単位１にたいて
は、第３図に示したように半導体素子片６が金属基板７
の上に固着され、素子６の上面の！極がリード森８によ
って；！Ａ４１Ｑ７と＊ｓｑ片２１によって娩緑された
端子９と接続されている。金属基ｆ７７は第４図の下面
図に示すように六角形で、周禄部が樹脂成形体からなる
容器１０に埋めこまわ１１、底面が容器平面き同一平面
をなしている。容器１０には樹脂１１が注型され、基ｆ
！７の上の半導体素子、すなわちトランジスタＴＲ，ダ
イオードＤＯ）素子片を封止する。金属基板７の斜めの
辺と容器１０の相瞬る二辺によって形成される三角形の
区域に開口するＦ通孔１２が？≠器１０に設けらオフ、
構成単位１を固定する取付けねじ４はこの、１１通孔Ｊ
２に挿入される。このように基板７の斜辺の外側の区域
に取付は孔を設けるととｌこより構成単位の底面面Ｍを
節約することができる。絶縁板２としてはシリコーンゴ
ムシートあるいはポリエステルフィルムを使用すれば、
大面積のモジュールも容易に構成できる。なおこのよう
なシートあるいはフィルムを構成単位１の底面と接着す
ると熱伝、導が向上する。
箒２図において各ｊｆｑ成単位ｌの上に見える記号ｔ３
、 Ｏ、Ｅは内部に収容されたトランジスタＴ Ｉｔ
のベース、コレクタ、エミッタ端子を示し、各端子に付
けられている記号は第１図の回路に記入さＩｔ、た各端
子の符号に対応している。
、 Ｏ、Ｅは内部に収容されたトランジスタＴ Ｉｔ
のベース、コレクタ、エミッタ端子を示し、各端子に付
けられている記号は第１図の回路に記入さＩｔ、た各端
子の符号に対応している。
上述の実施例では金属基板、半導体素子片を包囲する樹
脂体が樹脂容器と注型樹脂から構成されているが、トラ
ンスファ成形により一体に形成することもできる。
脂体が樹脂容器と注型樹脂から構成されているが、トラ
ンスファ成形により一体に形成することもできる。
本発明は半導体素子を支持する金属基板を包囲する樹脂
体によって基板を露出させた方形底面を有する樹脂封止
半導体装置を構成単位として半導体装ジュール５：箭成
するもので、共通金属支持板への取付けが樹脂体を貫通
する取付は孔を利用して行うこ七かでＡるので＃８Ｒブ
ツシュを必要すせず、Ｉｉ＃接単位間の、絶縁もそのま
まででき上がる。
体によって基板を露出させた方形底面を有する樹脂封止
半導体装置を構成単位として半導体装ジュール５：箭成
するもので、共通金属支持板への取付けが樹脂体を貫通
する取付は孔を利用して行うこ七かでＡるので＃８Ｒブ
ツシュを必要すせず、Ｉｉ＃接単位間の、絶縁もそのま
まででき上がる。
また高価なメタライズ・セラミックを使用しないので安
価−こ構成できる。さらにこのモジュールは各構成単位
が槌＋１ｆｆ ＠止されており、各特性を測定の上組立
てができるのでその際に不良素子は排除され、モジュー
ルとしての良品率が向上するので得られる幼芽は大きい
。
価−こ構成できる。さらにこのモジュールは各構成単位
が槌＋１ｆｆ ＠止されており、各特性を測定の上組立
てができるのでその際に不良素子は排除され、モジュー
ルとしての良品率が向上するので得られる幼芽は大きい
。
第１図は本発明の実施の対称となる回路の一例を示す回
路図、第２図は第】図の回路をモジュール化した本発明
の一実施例の斜視図、第３図は構成単位の第２図Ａ−Ａ
５！矢ｔり断面図、第４図は構成単位の下面図である。 １：構成、単位、２：絶繰板、３：共通金属支持板、４
：取付けねじ、６：半導体素子片、７：金１基板、１０
：樹脂容器、１１：注型樹脂、１２：取付は孔。 ７ ｌ 日 Ｓ 木 ３ 図 ２ ７４ 口
路図、第２図は第】図の回路をモジュール化した本発明
の一実施例の斜視図、第３図は構成単位の第２図Ａ−Ａ
５！矢ｔり断面図、第４図は構成単位の下面図である。 １：構成、単位、２：絶繰板、３：共通金属支持板、４
：取付けねじ、６：半導体素子片、７：金１基板、１０
：樹脂容器、１１：注型樹脂、１２：取付は孔。 ７ ｌ 日 Ｓ 木 ３ 図 ２ ７４ 口
Claims (1)
- １）複数の方形の底面を有する同一構成単位を備え、各
構成単位は、半導体素子を支持する金属基板の底面が半
導体素子の上および金属基板の底面以外を包囲する樹脂
体の底面と同一平面をなし、かつ樹脂体に底面に垂直な
貫通孔が設けられてなり、該貫通孔に挿入されたねじに
より絶縁板を介して共通金属支持板に互に隣接してねじ
止めされたことを特徴とする半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18764383A JPS6079756A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18764383A JPS6079756A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079756A true JPS6079756A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16209702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18764383A Pending JPS6079756A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079756A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200068833A (ko) * | 2018-12-06 | 2020-06-16 | 엘지전자 주식회사 | 세탁기용 개스킷과 그의 제조방법 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18764383A patent/JPS6079756A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200068833A (ko) * | 2018-12-06 | 2020-06-16 | 엘지전자 주식회사 | 세탁기용 개스킷과 그의 제조방법 |
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